JPH03101126A - プラズマエッチング装置用電極 - Google Patents
プラズマエッチング装置用電極Info
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- JPH03101126A JPH03101126A JP23761789A JP23761789A JPH03101126A JP H03101126 A JPH03101126 A JP H03101126A JP 23761789 A JP23761789 A JP 23761789A JP 23761789 A JP23761789 A JP 23761789A JP H03101126 A JPH03101126 A JP H03101126A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置用電極に関し、特に、
半導体集積回路等の製造に用いられるプラズマエツチン
グ装置に使用する平行平板型プラズマエツチング装置用
電極に関するものである。
半導体集積回路等の製造に用いられるプラズマエツチン
グ装置に使用する平行平板型プラズマエツチング装置用
電極に関するものである。
〔従来技術および解決しようとする課題〕従来、半導体
集積回路の製造においては、湿式エツチングが行われて
いたが、回路パターンの微細化、生産性の向上等の理由
から、近年はドライエツチングが主流となっている。
集積回路の製造においては、湿式エツチングが行われて
いたが、回路パターンの微細化、生産性の向上等の理由
から、近年はドライエツチングが主流となっている。
そして、中でも平行平板型電極を用いたプラズマエツチ
ング装置が広く使われている。
ング装置が広く使われている。
第３図には従来の平行平板型電極を用いたプラズマエツ
チング装置が示されていて、このプラズマエツチング装
置は、エツチング室２２を形成するケーシング２１内に
互いに対向して平行に配設される上部電極２３と、下部
電極２４とを具えている。
チング装置が示されていて、このプラズマエツチング装
置は、エツチング室２２を形成するケーシング２１内に
互いに対向して平行に配設される上部電極２３と、下部
電極２４とを具えている。
前記上部電極２３は、反応性ガス２５の導入口２６を有
し、内部を中空状に形成してその中空部２７内を反応性
ガス２５が通過可能とし、前記導入口２６の対向面に反
応性ガス２５を放出する流出口となる小孔２８が複数個
設けられて全体が導電性材料からなっており、また、前
記下部電極２４は、前記小孔２８に対向した面を有し、
その面上に基板２９を載置する板状の導電性材料からな
っている。
し、内部を中空状に形成してその中空部２７内を反応性
ガス２５が通過可能とし、前記導入口２６の対向面に反
応性ガス２５を放出する流出口となる小孔２８が複数個
設けられて全体が導電性材料からなっており、また、前
記下部電極２４は、前記小孔２８に対向した面を有し、
その面上に基板２９を載置する板状の導電性材料からな
っている。
そして、前記下部電極２４は接地電位してアノードカッ
プリング接続するとともに、前記上部電極２３との間に
高周波電源３０を接続して画電極２３．２４間に高周波
電圧を印加できるようになっており、また、前記ケーシ
ング２１には排気口３１が形成されている。
プリング接続するとともに、前記上部電極２３との間に
高周波電源３０を接続して画電極２３．２４間に高周波
電圧を印加できるようになっており、また、前記ケーシ
ング２１には排気口３１が形成されている。
上記のように構成される上部電極２３を具えたプラズマ
エンチング装置にあっては、前記下部電極２４上に試料
となる薄膜が形成された基板２９を載置し、前記上部電
極２３に、その導入口２６から反応性ガス２５を導入し
て中空部２７内を経由して小孔２８から下部電極２４に
向けて反応性ガス２５を放出させ、画電極２３．２４間
に反応性ガス２５を充満させるとともに、画電極２３．
２４間に高周波電圧を印加し、画電極２３．２４間に存
在する反応性ガス２５をプラズマ化し、このプラズマに
より前記下部電極２４上に載置した基板２９上の薄膜を
所望のパターンにエツチングするものである。
エンチング装置にあっては、前記下部電極２４上に試料
となる薄膜が形成された基板２９を載置し、前記上部電
極２３に、その導入口２６から反応性ガス２５を導入し
て中空部２７内を経由して小孔２８から下部電極２４に
向けて反応性ガス２５を放出させ、画電極２３．２４間
に反応性ガス２５を充満させるとともに、画電極２３．
２４間に高周波電圧を印加し、画電極２３．２４間に存
在する反応性ガス２５をプラズマ化し、このプラズマに
より前記下部電極２４上に載置した基板２９上の薄膜を
所望のパターンにエツチングするものである。
しかしながら、前記のようなプラズマエツチング装置用
電極を用いたものにあっては、前記上部電極２３に設け
た反応性ガス２５の流出口が小孔２８であるため、下部
電極２４に向けて放出される反応性ガス２５の濃度が基
板２９面上で不均一になるとともに、画電極２３．２４
間に電界の乱れが発生し、基板２９面上のエツチング速
度が不均一になり、正確なエツチングができないという
問題点を有していた。
電極を用いたものにあっては、前記上部電極２３に設け
た反応性ガス２５の流出口が小孔２８であるため、下部
電極２４に向けて放出される反応性ガス２５の濃度が基
板２９面上で不均一になるとともに、画電極２３．２４
間に電界の乱れが発生し、基板２９面上のエツチング速
度が不均一になり、正確なエツチングができないという
問題点を有していた。
上記の問題点を解決するために本考案者等は先に、前記
下部電極に対向する上部電極部分を開放した流出口とす
るとともに、その流出口に導電性材料からなる多孔質体
を配設したプラズマエツチング装置用電極（特願昭６３
−２５６６８号）を提案した。
下部電極に対向する上部電極部分を開放した流出口とす
るとともに、その流出口に導電性材料からなる多孔質体
を配設したプラズマエツチング装置用電極（特願昭６３
−２５６６８号）を提案した。
すなわち、前記第３図に示す従来の上部電極において、
流出口部分を小孔とした上部電極に代えて、微細な連通
気孔を有する導電性材料からなる多孔質体を流出口に配
設して上部電極としたものである。
流出口部分を小孔とした上部電極に代えて、微細な連通
気孔を有する導電性材料からなる多孔質体を流出口に配
設して上部電極としたものである。
しかしながら、上記の多孔質体を用いたプラズマエツチ
ング装置用電極にあっても、反応性ガスの流量およびエ
ツチング速度に前記小孔部分のような大きな乱れはない
ものの、上部電極に取付けた円板状の多孔質体の全面に
ついて詳細に検討した場合には、その電極の面上におい
て通気率に２倍以上のバラツキを有し、その結果、反応
性ガスの流量およびそのエツチング速度にも大きなバラ
ツキがあるものであった。
ング装置用電極にあっても、反応性ガスの流量およびエ
ツチング速度に前記小孔部分のような大きな乱れはない
ものの、上部電極に取付けた円板状の多孔質体の全面に
ついて詳細に検討した場合には、その電極の面上におい
て通気率に２倍以上のバラツキを有し、その結果、反応
性ガスの流量およびそのエツチング速度にも大きなバラ
ツキがあるものであった。
そして、この場合、上部電極と下部電極との間の間隔が
小さいナローギャップタイプの場合に、特にエツチング
のバラツキが大きくなるものであった。
小さいナローギャップタイプの場合に、特にエツチング
のバラツキが大きくなるものであった。
また、上記の多孔質体を前記プラズマエツチング装置に
取付ける際には、反応性ガスの供給圧を調整したりして
、Ｏ１１記の反応性ガス流量のバラツキを最小とするよ
うな条件を見出す作業、すなわち、エツチングの条件出
し作業を行うが、このエツチングの条件出し作業に多く
の時間がかかり、エツチングの生産性が低下する原因と
なるという問題点を有していた。
取付ける際には、反応性ガスの供給圧を調整したりして
、Ｏ１１記の反応性ガス流量のバラツキを最小とするよ
うな条件を見出す作業、すなわち、エツチングの条件出
し作業を行うが、このエツチングの条件出し作業に多く
の時間がかかり、エツチングの生産性が低下する原因と
なるという問題点を有していた。
本発明は前記のような従来のもののもつ問題点を解決し
たものであって、電極の全面において、反応性ガスの供
給量のバラツキを容易に２倍以内にすることができ、均
一なエツチングができるとともに、プラズマエツチング
装置への電極の取付けおよびエツチングの条件出しを簡
単にでき、エツチングの生産性を向上することができる
プラズマエツチング装置用電極を提供することを目的と
している。
たものであって、電極の全面において、反応性ガスの供
給量のバラツキを容易に２倍以内にすることができ、均
一なエツチングができるとともに、プラズマエツチング
装置への電極の取付けおよびエツチングの条件出しを簡
単にでき、エツチングの生産性を向上することができる
プラズマエツチング装置用電極を提供することを目的と
している。
〔課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために本発明は、ケーシング内に
配設され、中空状をなすとともに、その内部から反応性
ガスを流出する上部電極と、この上部電極に対向して配
設するとともにその面上に基板を載置する下部電極とを
県え、＋ｉｌ記両重両電極間周波電圧を印加し、前記下
部電極上に載置した基板をエツチングするプラズマエツ
チング装置に使用するためのプラズマエツチング装置用
電極であって、このプラズマエツチング用電極の上部電
極は、反応性ガスの流出口に、窒素ガス相当の通気率が
２０Ｘ１０−２〜８００Ｘ １０−” （ｃｃ−ｃｍ／
ｃ＋ｆｆ−５ｅｃ −ｃｍＨ，Ｏ）の導電性多孔質体
を配設した構成を有している。
配設され、中空状をなすとともに、その内部から反応性
ガスを流出する上部電極と、この上部電極に対向して配
設するとともにその面上に基板を載置する下部電極とを
県え、＋ｉｌ記両重両電極間周波電圧を印加し、前記下
部電極上に載置した基板をエツチングするプラズマエツ
チング装置に使用するためのプラズマエツチング装置用
電極であって、このプラズマエツチング用電極の上部電
極は、反応性ガスの流出口に、窒素ガス相当の通気率が
２０Ｘ１０−２〜８００Ｘ １０−” （ｃｃ−ｃｍ／
ｃ＋ｆｆ−５ｅｃ −ｃｍＨ，Ｏ）の導電性多孔質体
を配設した構成を有している。
本発明は上記の構成を採用したことにより、電極面の全
面において、反応性ガスの供給量のバラツキを２倍以内
とすることが容易となり、下部電極面上に載置した試料
に対してほぼ均一なエツチングを行うことができるとと
ともに、プラズマエツチング装置への電極の取付けおよ
びエツチングの条件出しが短時間でできることとなる。
面において、反応性ガスの供給量のバラツキを２倍以内
とすることが容易となり、下部電極面上に載置した試料
に対してほぼ均一なエツチングを行うことができるとと
ともに、プラズマエツチング装置への電極の取付けおよ
びエツチングの条件出しが短時間でできることとなる。
以下、図面に示す本発明の実施例について説明する。
第１図には本発明によるプラズマエツチング装置用電極
を用いたプラズマエツチング装置が示されていて、この
プラズマエツチング装置は、エツチング室２を形成する
ケーシング１内に互いに対向し゛（平行に配設される、
それぞれ全体が導電性材料からなる上部電極３と、下部
電極４とを具え、前記上部電極３は、反応性ガス５の導
入口６を有し、内部を中空状に形成してその中空部７内
を窒素ガスなどの反応性ガス５が通過可能とし、前記導
入口６の対向面に流出口８を有するとともに、その流出
口８に、窒素ガス相当の通気率が２０Ｘ１０−２〜８０
０Ｘ１０−”（ｃｃ−ｃｍ／ｃｔＭ −５ｅｅ −ｃ
ｍ Ｈ，Ｏ）の円板状の導電性多孔質体９が配設されて
いる。
を用いたプラズマエツチング装置が示されていて、この
プラズマエツチング装置は、エツチング室２を形成する
ケーシング１内に互いに対向し゛（平行に配設される、
それぞれ全体が導電性材料からなる上部電極３と、下部
電極４とを具え、前記上部電極３は、反応性ガス５の導
入口６を有し、内部を中空状に形成してその中空部７内
を窒素ガスなどの反応性ガス５が通過可能とし、前記導
入口６の対向面に流出口８を有するとともに、その流出
口８に、窒素ガス相当の通気率が２０Ｘ１０−２〜８０
０Ｘ１０−”（ｃｃ−ｃｍ／ｃｔＭ −５ｅｅ −ｃ
ｍ Ｈ，Ｏ）の円板状の導電性多孔質体９が配設されて
いる。
また、前記上部電極３の流出口８に設けられる多孔質体
９に対向した下部電極４の面上には基板１０が載置され
、前記下部電極４は接地電位してアノードカップリング
接続するとともに、前記上部電極３との間に高周波電源
１１を接続して画電極３．４間に高周波電圧を印加でき
るようになっており、さらに、前記ケーシング１には排
気口１２が形成されている。
９に対向した下部電極４の面上には基板１０が載置され
、前記下部電極４は接地電位してアノードカップリング
接続するとともに、前記上部電極３との間に高周波電源
１１を接続して画電極３．４間に高周波電圧を印加でき
るようになっており、さらに、前記ケーシング１には排
気口１２が形成されている。
上記のように構成される上部電極３を具えたプラズマエ
ツチング装置にあっては、前記下部電極４面上に試料と
なるＦ＃膜が形成された基板１０を載置し、前記上部電
極３に、その導入口６から反応性ガス５を導入して中空
部７内を経由して多孔質体９から下部電極４に向けて反
応性ガス５を放出させ、画電極３．４間の空間に反応性
ガス５を充満さ・Ｕるとともに、画電極３．４間に高周
波電圧を印加し、画電極３．４間に存在する反応性ガス
５をプラズマ化し、このプラズマにより前記下部電極４
面上に載置した基板１０の薄膜を所望のパターンにエツ
チングすることができる。
ツチング装置にあっては、前記下部電極４面上に試料と
なるＦ＃膜が形成された基板１０を載置し、前記上部電
極３に、その導入口６から反応性ガス５を導入して中空
部７内を経由して多孔質体９から下部電極４に向けて反
応性ガス５を放出させ、画電極３．４間の空間に反応性
ガス５を充満さ・Ｕるとともに、画電極３．４間に高周
波電圧を印加し、画電極３．４間に存在する反応性ガス
５をプラズマ化し、このプラズマにより前記下部電極４
面上に載置した基板１０の薄膜を所望のパターンにエツ
チングすることができる。
そして、本発明においては、前記のように上部電極３の
流出口８に窒素ガス相当の通気率が２０Ｘ １０−”
〜８００Ｘ １０−” （ｃｃ−ｃｔａ／ｄ−ｓｅｃ
−ｃｍＨ，Ｏ）の円板状の導電性多孔質体９を配設し
たので、画電極３．４間の全面において、反応性ガス５
の供給量のバラツキを２倍以内とすることが容易となり
、下部電極４面上に載置した基板１０に対してほぼ均一
なエツチングを行うことができることとなる。
流出口８に窒素ガス相当の通気率が２０Ｘ １０−”
〜８００Ｘ １０−” （ｃｃ−ｃｔａ／ｄ−ｓｅｃ
−ｃｍＨ，Ｏ）の円板状の導電性多孔質体９を配設し
たので、画電極３．４間の全面において、反応性ガス５
の供給量のバラツキを２倍以内とすることが容易となり
、下部電極４面上に載置した基板１０に対してほぼ均一
なエツチングを行うことができることとなる。
また、プラズマエツチング装置への電極の取付けおよび
エツチングの条件出しの作業は、上記の通気率を有する
多孔質体９を有するものにあっては、極めて容易に、か
つ、短時間でその作業を完了することができた。
エツチングの条件出しの作業は、上記の通気率を有する
多孔質体９を有するものにあっては、極めて容易に、か
つ、短時間でその作業を完了することができた。
参考までに、従来のプラズマエツチング装置用電極に使
用されていた多孔質体の窒素ガス相当の通気率は、０．
ｌＸ１０−’〜８×１０（ｃｃ−ｃ＋＋＋／ｃ＋１−ｓ
ｅｃ °ｃｍＨｔ Ｏ）であった。
用されていた多孔質体の窒素ガス相当の通気率は、０．
ｌＸ１０−’〜８×１０（ｃｃ−ｃ＋＋＋／ｃ＋１−ｓ
ｅｃ °ｃｍＨｔ Ｏ）であった。
そして、上記の通気率、すなわち、窒素ガス相当で０．
Ｉ Ｘ １０−” 〜８ Ｘ １０−” （ｃｃ−
ｅｌｌ／ｄ−ｓｅｃ −、ｃｒａＨｚ Ｏ）の場合に
は、電極の全面において、反応性ガスの供給量のバラツ
キを２倍以内とすることが極めて困難であり、また、エ
ツチングの条件出しの作業に長時間を要していた。
Ｉ Ｘ １０−” 〜８ Ｘ １０−” （ｃｃ−
ｅｌｌ／ｄ−ｓｅｃ −、ｃｒａＨｚ Ｏ）の場合に
は、電極の全面において、反応性ガスの供給量のバラツ
キを２倍以内とすることが極めて困難であり、また、エ
ツチングの条件出しの作業に長時間を要していた。
一般に多孔質体の厚さと反応性ガスなどの流体の流量と
の関係は以下の式で示される。
の関係は以下の式で示される。
Ｑ＝（ｋ−Ａ・Δｐ／Ｌ） ・・・・・・（１）ここ
で、Ｑは流体流量、ｋは多孔質体固有の通気率、Δは通
気面積、Δｐは多孔質体を通過する前後の流体の圧力差
、Ｌは多孔質体の厚さをそれぞれ表す。
で、Ｑは流体流量、ｋは多孔質体固有の通気率、Δは通
気面積、Δｐは多孔質体を通過する前後の流体の圧力差
、Ｌは多孔質体の厚さをそれぞれ表す。
すなわち、通気率が異なる場合、同じ流体流量とするた
めには、多孔質体を通過する前後の流体の圧力差Δｐを
変えてやらなければならない。
めには、多孔質体を通過する前後の流体の圧力差Δｐを
変えてやらなければならない。
また、通気率ｋが大きくなるほどその圧力差Δｐは小さ
くできるものである。
くできるものである。
また、通気率とその通気率のバラツキの大きさとの関係
については以下の関係がある。
については以下の関係がある。
すなわち、多孔質体のボアを円管と仮定する１
と、Ｈａｇｅｎ−Ｐｏｉｓｅｕｉｌｌｅの式より、
ｕ−（ｇｃ／３２μり・ｄ２ ・Δｐ
ここで、Ｕは流速、ｇｃ は重力換算係数、μは流体粘
度、！は多孔質体の厚さ、ｄは円管の管径、Δｐは圧損
を表す。
度、！は多孔質体の厚さ、ｄは円管の管径、Δｐは圧損
を表す。
そして、通気率は、（ｇｃ／３２μ）・ｄ２に相当する
。
。
そこで、ｋ−α・ （ｇｃ／３２μ）、ｄ！但し、αは
定数。
定数。
として、ｋのｄに対する感度分析をする。
すなわち、ｋ’／にとｄとの関係を求めると、ｋ’／に
＝［２，α・（ｇｃ／３２μ）・ｄｌ／［α・（ｇｃ／
３２μ）・ｄ”１ 一２／ｄ となり、ｄが大きいほど通気率の変化は小さいことがわ
かる。
＝［２，α・（ｇｃ／３２μ）・ｄｌ／［α・（ｇｃ／
３２μ）・ｄ”１ 一２／ｄ となり、ｄが大きいほど通気率の変化は小さいことがわ
かる。
すなわち、通気率が大きい（ｄが大きい）はど通気率の
バラツキ（ｋ“／ｋ）が小さくなる。
バラツキ（ｋ“／ｋ）が小さくなる。
したがって、通気率が大きいと反応性ガス流２
量のバラツキが小さくなり、電極取付けおよびエツチン
グの条件出しが容易となる。
グの条件出しが容易となる。
一方、多孔質体の通気率の上限は、エツチング条件との
関係で規制され、本発明における上記の多孔質体の窒素
ガス相当の通気率は、２０ＸＩＯ−２〜８００ Ｘ １
０−” （ｃｃ−ｃ＋ｎ／ｃ＋ＩＩ ・ｓｅｃ・ｃｍＨ
，０）であれば本発明の目的を達成できるが、好ましく
は２０Ｘ１０−２〜４００Ｘ１０（ｃｃ−ｃｍ’／ｃ＋
ｆｌ・ｓｅｃ −ｃｍＨ，Ｏ）の範囲である。
関係で規制され、本発明における上記の多孔質体の窒素
ガス相当の通気率は、２０ＸＩＯ−２〜８００ Ｘ １
０−” （ｃｃ−ｃ＋ｎ／ｃ＋ＩＩ ・ｓｅｃ・ｃｍＨ
，０）であれば本発明の目的を達成できるが、好ましく
は２０Ｘ１０−２〜４００Ｘ１０（ｃｃ−ｃｍ’／ｃ＋
ｆｌ・ｓｅｃ −ｃｍＨ，Ｏ）の範囲である。
上記の多孔質体を製造するには、多孔質体の原料となる
焼結材料粒子の粒径および焼結条件などを適宜に選択す
ることにより製造できる。
焼結材料粒子の粒径および焼結条件などを適宜に選択す
ることにより製造できる。
なお、上記の多孔質体の材質は、導電性材料からなる通
常多孔質体として用いられるセラミック材、金属材など
を用いることができる。
常多孔質体として用いられるセラミック材、金属材など
を用いることができる。
以下、実験例により本発明をさらに具体的に説明する。
実験例
平均粒径２０ Ｑ ／７ ｍの炭化ケイ素粒子を原料と
し成形し、このものに金属ケイ素を真空中１５００ ”
Ｃで２２重景％溶浸して、直径１４０ｍｍ、厚み３．４
ｍｍの円板状の導電性多孔質体を調製した。
し成形し、このものに金属ケイ素を真空中１５００ ”
Ｃで２２重景％溶浸して、直径１４０ｍｍ、厚み３．４
ｍｍの円板状の導電性多孔質体を調製した。
上記で得られたものは、窒素ガス相当の通気率が３０
Ｘ １０−” （ｃｃ −ｃｍ／ｃｎｌ−ｓｅｃ −
ｃｍＨ。
Ｘ １０−” （ｃｃ −ｃｍ／ｃｎｌ−ｓｅｃ −
ｃｍＨ。
０）の多孔質体であり、多孔性体全面上の通気率のバラ
ツキは１．２倍以内であった。
ツキは１．２倍以内であった。
上記の多孔質体をプラズマエツチング装置用電極の流出
口に取付け、実際にエツチングして、適性なエツチング
ができる条件出しを設定したが、それに要した所要時間
を測定したところ１５分間かかった。
口に取付け、実際にエツチングして、適性なエツチング
ができる条件出しを設定したが、それに要した所要時間
を測定したところ１５分間かかった。
これに対し、平均粒径５０μ■１の炭化ゲイ素粒子を原
料とし成形し、上記と同様に、直径１１４０ ｍｍ、厚
み３．４ｍｍの円板状の導電性多孔質体を調製した。
料とし成形し、上記と同様に、直径１１４０ ｍｍ、厚
み３．４ｍｍの円板状の導電性多孔質体を調製した。
上記で得られたものは、窒素ガス相当の通気率が３ Ｘ
１０−２（ｃｃ −ｃｍ／ｃｌ−ｓｅｃ −ｃｍＨ
ｚ ○）の多孔質体であり、多孔性体全面上の通気率の
バラツキは２．８倍であった。
１０−２（ｃｃ −ｃｍ／ｃｌ−ｓｅｃ −ｃｍＨ
ｚ ○）の多孔質体であり、多孔性体全面上の通気率の
バラツキは２．８倍であった。
上記の多孔質体をプラズマエツチング装置用電極の流出
口に取付け、実際にエツチングして、上記と同様のエツ
チングの条件出しの所要時間を同じオペレータにより行
い測定したところ４時間かかった。
口に取付け、実際にエツチングして、上記と同様のエツ
チングの条件出しの所要時間を同じオペレータにより行
い測定したところ４時間かかった。
上記の結果より、本発明による窒素ガス相当の通気率が
２０Ｘ１０−２〜８００Ｘ １０−” （ｃｃ・ｃｍ／
ｃＪ ・ｓｅｃ −ｃｍＨｚ ｏ）である多孔質体を
流出口に配設した電極を用いたプラズマエツチング装置
においては、その電極面での通気率のバラツキを容易に
２倍以内とすることができるので、均一なエツチングを
できることとなり、また、エツチング装置への取付けに
際して、その適性な条件出しまでの所要時間を大幅に短
縮することができ、エツチングの生産性を大幅に向上す
ることができることとなる。
２０Ｘ１０−２〜８００Ｘ １０−” （ｃｃ・ｃｍ／
ｃＪ ・ｓｅｃ −ｃｍＨｚ ｏ）である多孔質体を
流出口に配設した電極を用いたプラズマエツチング装置
においては、その電極面での通気率のバラツキを容易に
２倍以内とすることができるので、均一なエツチングを
できることとなり、また、エツチング装置への取付けに
際して、その適性な条件出しまでの所要時間を大幅に短
縮することができ、エツチングの生産性を大幅に向上す
ることができることとなる。
本発明は上記のように構成したので、電極面での通気率
のバラツキを容易に２倍以内とすることができるので、
均一なエツチングをできる５ こととなり、また、エツチング装置への取付けに際して
、その適性な条件出しまでの所要時間を大幅に短縮する
ことができ、プラズマエツチング処理の生産性を大幅に
向上することができるなどのすぐれた効果を有するもの
である。
のバラツキを容易に２倍以内とすることができるので、
均一なエツチングをできる５ こととなり、また、エツチング装置への取付けに際して
、その適性な条件出しまでの所要時間を大幅に短縮する
ことができ、プラズマエツチング処理の生産性を大幅に
向上することができるなどのすぐれた効果を有するもの
である。
第１図は本考案によるプラズマエツチング装置用電極を
配設したプラズマエツチング装置の概略説明図、第２図
は本考案によるプラズマエツチング装置用電極に用いた
多孔質体の斜視図、第３図は従来のプラズマエツチング
装置用電極を配設したプラズマエツチング装置の概略説
明図である。 １ 、２ ２ 、２ ３ 、２ ４ 、２ ５ 、２ ６ 、２ １・・・・・・ケーシング ２・・・・・・エツチング室 ３・・・・・・上部電極 ４・・・・・・下部電極 ５・・・・・・反応性ガス ６・・・・・・導入口 ６ ７．２７・・・・・・中空部 ８・・・・・・流′出口 ９・・・・・・多孔質体 １０．２９・・・・・・基板 １１．３０・・・・・・高周波電源 １２．３１・・・・・・排気Ｄ ２８・・・・・・小孔
配設したプラズマエツチング装置の概略説明図、第２図
は本考案によるプラズマエツチング装置用電極に用いた
多孔質体の斜視図、第３図は従来のプラズマエツチング
装置用電極を配設したプラズマエツチング装置の概略説
明図である。 １ 、２ ２ 、２ ３ 、２ ４ 、２ ５ 、２ ６ 、２ １・・・・・・ケーシング ２・・・・・・エツチング室 ３・・・・・・上部電極 ４・・・・・・下部電極 ５・・・・・・反応性ガス ６・・・・・・導入口 ６ ７．２７・・・・・・中空部 ８・・・・・・流′出口 ９・・・・・・多孔質体 １０．２９・・・・・・基板 １１．３０・・・・・・高周波電源 １２．３１・・・・・・排気Ｄ ２８・・・・・・小孔
Claims (1)
- （１）ケーシング内に配設され、中空状をなすとともに
、その内部から反応性ガスを流出する上部電極と、該上
部電極に対向して配設するとともにその面上に基板を載
置する下部電極とを具え、前記両電極間に高周波電圧を
印加し、前記下部電極上に載置した基板をエッチングす
るプラズマエッチング装置に使用するためのプラズマエ
ッチング装置用電極であって、このプラズマエッチング
用電極の上部電極は、反応性ガスの流出口に、窒素ガス
相当の通気率が２０×１０＾−＾２〜８００×１０＾−
＾２（ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ＾２・ｓｅｃ・ｃｍＨ＿２Ｏ）
の導電性多孔質体を配設したことを特徴とするプラズマ
エッチング装置用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23761789A JPH03101126A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | プラズマエッチング装置用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23761789A JPH03101126A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | プラズマエッチング装置用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101126A true JPH03101126A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17017976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23761789A Pending JPH03101126A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | プラズマエッチング装置用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101126A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138034B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode member used in a plasma treating apparatus |
| EP1155599A4 (en) * | 1999-02-01 | 2007-03-28 | Sigma Technologies Internation | ATMOSPHERIC STATIONARY GLIMMENT CHARGE PLASMA |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162588A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | 京セラ株式会社 | 導電性多孔質炭化珪素焼結体並びにその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP23761789A patent/JPH03101126A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162588A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | 京セラ株式会社 | 導電性多孔質炭化珪素焼結体並びにその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1155599A4 (en) * | 1999-02-01 | 2007-03-28 | Sigma Technologies Internation | ATMOSPHERIC STATIONARY GLIMMENT CHARGE PLASMA |
| US7138034B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode member used in a plasma treating apparatus |
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