JPH03101428A - 光受信機 - Google Patents

光受信機

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JPH03101428A
JPH03101428A JP2148460A JP14846090A JPH03101428A JP H03101428 A JPH03101428 A JP H03101428A JP 2148460 A JP2148460 A JP 2148460A JP 14846090 A JP14846090 A JP 14846090A JP H03101428 A JPH03101428 A JP H03101428A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光フアイバ通信システムに使用される光受信
機に関する。
光学ファイバ通信システムの3つの基本部品は、i、送
信さるべき電気信号を光の形に変換する送信機と、 ■、送信された光信号用の導波管として働く光ファイバ
と、 ■、送信された光信号を検出し、これを電気的な形に変
換する光受信機と である。
典型的な光受信機は光検出器、例えば高インピータンス
増幅器、一般にはトランスインピーダンス増幅器の入力
に接続された逆バイアスアバランシュホトダイオード(
APD)又はPINダイオードからなる。増幅器の出力
からの帰還回路は、通常光検出器に印加されたバイアス
の自動利得制御を提供するのに用いられる。
実際、光受信機は極めて多様な信号強度を扱わなければ
ならない。強い光信号が検出されると、それらは通常フ
ロンテンド増幅器の過負荷をもたらす。光受信機の最大
の感度と最小の過負荷の点の間の範囲は受信機のダイナ
ミックレンジと呼ばれる。
本発明は、動作範囲内で受信機の感度に影響を与えるこ
となく過負荷の基準を除去することによって光受信機の
ダイナミックレンジを増加させる手段を提供することを
目的とする。
受信された光信号から発生した時間平均直流光電流を調
べると、線形関係が存在することがわかる。しかし、受
信された光パワーが、発生した光電流に関してdBmで
表現されると、第1図に示すような指数関数形の曲線が
得られる。
この曲線は、過負荷の問題の理解の基礎となる。
なぜなら、それはフロンテンド増幅器がその入力で扱わ
なければならない電流変化の種類を示すからである。
半導体ダイオードの特性を調べると、それに亘って現れ
る電圧に関してダイオード間を通る順方向バイアス電流
変化も同様に非線形で、第2図のように、指数形をとる
ことがわかる。
本発明によれば、光検出器のバイアスにおける電圧降下
の増加に応する光検出器の光電流を分岐するように配置
された電圧依存インピーダンスを含む逆バイアスされた
光検出器を有する光受信機が提供される。
本発明の実施例を以下添付図面を参照して説明する。
本発明は、第3a及び3b図に示すように光ダイオード
D6と直列にダイオードD。を配置することにより、又
正しいバイアスを印加することにより、光電流は指数的
に変化しうるので、本質的に過負荷の問題の解決を提供
する。
光ダイオードD4によって発生した光電流は抵抗R*と
ダイオード00間を通るバイアス電流を必要とするため
、第4図のようにダイオードD0と並列の抵抗R1の配
置はダイオードD0のバイアスの制御を可能にする。
非常に低い光レベルでは、発生した光電流は非常に小さ
く、マイクロアンペアのオーダである。
この段階では、バイアス電流は抵抗R1を介して供給さ
れるが、光のレベルが増加するにつれて、R1を流れる
バイアス電流Itはその電圧降下をもたらす。
第2図を参照すると、光信号の時間平均レベルによると
、この電圧降下は次第にダイオードをターンオンするダ
イオードD。のバイアス電圧V。
として作用する。
この抵抗の別の利点は、感知する時に、光ダイオードD
aへの多くのバイアス電流は抵抗R1を通って供給され
ることである。このことは、ダイオードDOの雑音寄与
及び信号のAC素子に影響を与える接合コンデンサC0
をも最小化する。
これ迄、光信号の時間平均DC効果だけが考えられてき
た。しかし、増加した光信号レベルと共に増加し、フロ
ンテンド増幅器の過負荷をもたらすAC素子もある。
従って、実用的な解決法は、フロンテンド増幅器の入力
で、最大AC信号レベルを制限する手段を含まなければ
ならない。しかし、解決法は非常に近い信号レベルでA
C信号に影響すべきではない。
以前にいわれたことから、光ダイオードの最小負荷が起
こる時、最大感度が得られることがわかる。
光ダイオードが係わる限りにおいて、感度を提供するた
めには、ダイオードD。は非常に高いインピーダンスを
示さなければならない。AC信号に対して、このことは
、ダイオードDOが非常に小さい素子容量をもっていな
ければならないことを意味する。この要素は、作動周波
数が増加するにつれて、受信機の感度に対してより重要
となる。
半導体ダイオードを調べると、逆バイアス又は七ロバイ
アスの時に、ショットキーダイオードは非常に低い接合
容量を示し、そこでショットキーダイオードを使用しう
ろことがわかる。第5図に示すように、ダイオードが順
方向バイアスされるとダイオードの容量は指数的に増加
することがわかっている。ダイオードによって発生した
光電信号の振幅が増すにつれて、フロンテンド増幅器か
らのAC信号を取り出すことが必要であるので、これは
ちょうど必要なことである。ダイオードD。
もかかる経路を提供する。ダイオードの他端に接続され
てた接地コンデンサはAC分岐路を接地させるので、光
ダイオードのAC信号に現れるインピーダンスはその動
作点でのダイオードD。のダイナミックインピーダンス
のそれのみである。
第6図の系統図では、光検出器り、が入力を介して受信
機フロンテンド増幅器A7に接続される。
増幅器からの帰還回路は、利得制御信号をバイアス電圧
回路B7に提供する信号レベル検出器Seaを含む。バ
イアス電圧V、は抵抗R1を介して光検出器に印加され
る。光検出器り、は、コンデンサC及び抵抗R,と直列
のダイオードD。によって分岐される。ダイオードD。
は抵抗R0及びダイオードD、を介してバイアス源に接
続される。
低い光レベルでは、光検出器り、によって発生した光電
流■、は非常に小さく、従って、R1及びD4を通って
流れることが要求されるバイアス電流I+ も極めて小
さい。この段階では、はとんどのバイアス電流はR1を
介して供給され、非常に小さい電流しかDoには流れず
、Doのインピーダンスは非常に高くなる。D4に印加
された光信号レベルが増加するにつれて、光電流I、も
増加する。このことは、R1を通って流れるより大きな
電流11がR1の電圧v1を大きくさせるようにする。
従って、V+が、■、(Doの電圧)を加えたV、(D
、とR1間の電圧)に近づくにつれ、ダイオードDOは
次第にターンオンされる。
v  =V、+Lの時、ダイオードD。が順方向バイア
スされ、D、とR1を通る電流Ia・が光検出BD、に
対する主バイアス電流供給となり始める。この段階では
、Doのインピーダンスは低下し、Dうによって発生し
た光電流のいくらかは、コンデンサC及び抵抗R0を介
して接地して分岐され、増幅器A、に印加された入力信
号の振幅を制限する。インピーダンスの減少は、ダイオ
ードDoの非線形動作に因る。一般に、ショットキー素
子が低い接合容量、電流についての低い漏れとダイナミ
ックインピーダンスの適当な変化のため選択される。回
路は内蔵の帰還制御を有するので、Doを通って流れる
バイアス電流と信号電流へのインピーダンスを制御しな
がら、信号レベルの増加と共にバイアス電圧vlはV−
+Vr・に等しいままである。
R1が除去されても第6図の回路は依然として作動する
ことに注意すべきである。感度はわずかに減少するもの
のDoに流れる電流が非常に小さいため、それは、やは
り光検出器電流に対し高インピーダンスを示す。
受信機の過負荷には大きく2つの理由がある。
■つめの理由は、光の光学的信号レベルで、光検出器に
印加される十分なバイアス電流が欠如することである。
他の理由はフロンテンド増幅器A。
が大きな入力信号レベルで飽和することである。
第2の理由が制限基準でなければ、コンデンサCは除去
できる。
本発明の動作原理は第6図の特別な回路を用いた例によ
り説明された。しかし、同様の結果を達成するのに、当
業者にとっては明白である回路の配置が他に多くある。
例えば、第6図のダイオードD。によって例示される電
圧依存インピーダンスは、トランジスタによって与えら
れ、信号レベル検出器からの信号によって制御されうる
第7図に示す他の回路では、光検出器り、は増幅器A、
の平衡構成で接続され、固定バイアスはR11及びR1
2を介して印加される。光電流の分岐は電圧依存ダイオ
ードD。1及びり。2を介してなされ、信号電流の両極
を提供する。(実際のダイオードの直列ペアは容量効果
を減少するために使用されることに注意のこと。)。固
定バイアス供給のダイオードD1は、光検出器の感度を
向上させるダイナミックインピーダンスを提供する。ダ
イオードDslは温度不安定によるDlの変化を補償す
るために含まれる。ダイオードD、1及びDl2はスイ
ッチングダイオードである。Ds+及びD I 2の順
方向バイアス電圧V、は、過負荷のダイオードがスイッ
チオンする点を制御する。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体光検出器における光電流と光パワーとの
関係を示す図、 第2図は順方向バイアス電流の半導体ダイオードに亘る
電圧に関する関係を示す図、 第3a及び3b図は光受信機において、半導体ダイオー
ドを半導体光検出器と直列に配設した他の配置を示す図
、 第4a及び4b図はダイオードと並列な抵抗を有する第
3a及び3b図の配置の変形例を示す図、第5図は接合
コンデンサとショットキー半導体ダイオードの逆バイア
ス電圧との関係を示す図、第6図は光受信機の回路系統
図、 第7図は他の光受信機の回路系統図 である。 Da−光ダイオード、Da、DO%Dml、Dl2・ダ
イオード、R*、R2、Rc・・・抵抗、■、−・・バ
イアス電圧、■1・°・・バイアス電流、c、−゛接合
コンデンサ、Af・−・・フロンテンド増幅器、B、°
゛バイアス電圧回路、Set・−”信号レベル検出器、
C・−コンデンサ、■、−・−・光電流、V t ””
D oの電圧、■、−・D、とR1間の電圧、

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光信号レベルの増加に応じてAC光検出器の光電
    流を分岐し、光検出器に対するバイアスを提供するよう
    配置された電圧依存インピーダンスを有する逆バイアス
    された光検出器を有する光受信機。
  2. (2)光検出器を分岐する前記電圧依存インピーダンス
    はコンデンサと直列のダイオードよりなり、受信機は、
    光信号レベルの増加に応じて分岐ダイオードを順方向バ
    イアスする手段を有する請求項1記載の光受信機。
  3. (3)光検出器を分岐する前記電圧依存インピーダンス
    は、光検出器に関する平衡構成で接続された第1及び第
    2のダイオードよりなり、該第1及び第2のダイオード
    はコンデンサを介して光検出器電流を分岐し、受信機は
    、光信号レベルの増加に応じて依存する第1及び第2の
    ダイオードを夫々順方向バイアスする手段を含む請求項
    1記載の光受信機。
  4. (4)前記電圧依存インピーダンスは信号レベル検出器
    からの出力信号によって制御されるトランジスタインピ
    ーダンスである請求項1記載の光受信機。
  5. (5)電気的に直列に接続された集積電圧依存インピー
    ダンスを有する光検出器。
  6. (6)前記集積インピーダンスは低接合コンデンサを有
    するダイオードである請求項5記載の光検出器。
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