JPH03102285A - 半導体放射線検出器 - Google Patents

半導体放射線検出器

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JPH03102285A
JPH03102285A JP24032989A JP24032989A JPH03102285A JP H03102285 A JPH03102285 A JP H03102285A JP 24032989 A JP24032989 A JP 24032989A JP 24032989 A JP24032989 A JP 24032989A JP H03102285 A JPH03102285 A JP H03102285A
Authority
JP
Japan
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picture element
array
radiation
detector
row
Prior art date
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Pending
Application number
JP24032989A
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English (en)
Inventor
Kenji Sato
賢治 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP24032989A priority Critical patent/JPH03102285A/ja
Publication of JPH03102285A publication Critical patent/JPH03102285A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、例えば医療用診断装置、工業用非破壊検査装
置等に用いられる半導体放射線検出器に関し、さらに詳
しくは、スキャン方向に数画素をもつマルチライン型放
射線検出器に関する.く従来の技術〉 従来のマルチ型半導体放射線検出器としては、例えば第
5図に示すにように、複数個の画素p・・・pが行列状
に形成された二次元検出素子アレイAを直線状に並べた
構造のものがある. 〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、半導体放射線検出素子は、加工の際に周縁部
がダメージを受け、その周縁部の画素の放射線検出特性
が劣化すること、放射線入射角によって、第6図に示す
ように、検出素子の周縁部とそれ以外の部分の画素とで
は有感面積が異なること、さらに、放射線検出素子の加
工精度のバラツキ等により検出素子を配列したときに、
第5図に示すように、各素子間に隙間が開くことは避け
られないこと等から、マルチ型半導体放射線検出器を用
いた受像装置においては、従来、各放射線検出素子の周
縁に相当する部分の画素データを、何らかの方法で補正
または補間処理する必要があり、その処理が複雑、かつ
、困難であった。
また、従来のマルチ型半導体放射線検出器においては、
検出素子配列方向に沿って斜めに進行する散乱線による
影響を除去できる構造とはなっていない。
本発明の目的は、撮像装置に使用した際に、各検出素子
周縁部に相当する部分の画素データの補正や補間処理等
を要することなく、鮮明な画像を得ることのできる半導
体放射線検出器を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記の目的を達或するための構戒を、実施例に対応する
第1図を参照しつつ説明すると、本発明は、複数画素P
・・・pが行列状に形成されてなる、複数個の半導体放
射線検出素子A・・・Aを、その画素配列の行もしくは
列方向に沿う方向に交互に、かつ、少なくとも2列の画
素pを相互に重複させて配列したことによって特徴づけ
られる。
〈作用〉 基本的には、検出器全体を、検出素子A・・・Aの配列
方向と直交する方向にスキャンすることによって放射線
像を得るわけであるが、各検出素子Aの2列の画素を相
互に重複させることで、各検出素子Aの両端1列の画素
以外の画素、すなわち有効画素によって、検出素子配列
方向における検出領域を隙間なくカバーできる。さらに
、スキャンピッチを、検出素子Aのスキャン方向両端の
画素を除いた画素分Lとすることで、そのスキャン方向
における検出平面をも有効画素によって隙間なくカバー
できる. 〈実施例〉 第1図は、本発明実施例の構或を示す平面で、第2図は
その実施例の要部斜視図である。
CdTeやHgl,等の結晶からなる化合物半導体基板
1の一面側には、Au等を一様に蒸着してなる共通のバ
イアス電極2が形成されている。
基板1の反対側の面には、各画素p・・・pに対応させ
るべく、複数個の信号取り出し電極3・・・3が行列状
に形成されており、バイアス電極2側を放射線入射側と
する放射線検出素子アレイAを形成している. さて、本発明実施例では、複数個の放射線検出素子アレ
イA・・・Aを、プリント基仮4上に、その画素配列の
行もしくは列方向に沿う方向に交互に、かつ、その各検
出素子A・・・Aの両端2列の画素p・・・Pが、それ
ぞれ互いに重複するように配列して、マルチ型半導体放
射線検出器Sを構戒している。
なお、検出素子アレイ八のプリント基板への実装はフリ
ップチップ実装法等によって行う。
また、このような半導体検出器S全体を、各検出素子ア
レイA配列方向と直交する方向に、検出素子アレイAの
有効画素分Lづつスキャンさせる駆動機構5を設けてい
る。なお、この駆動機構5は従来のマルチ型半導体放射
線検出器をスキャンさせるものと同等のものでよい。
そして、各検出素子アレイA・・・Aの周縁部における
1列分の画素に対応する信号取り出し電極3は信号処理
回路(図示せず)に接続せず、それ以外の画素に対応す
る信号取り出し電極3のみを信号処理回路に接続してい
る.すなわち、加工ダメージ等のない有効画素領域によ
る画素信号のみが信号処理回路に入力される.なお、各
検出素子アレイA・・・Aの周縁部の画素については画
素データを採取しないが、その電位は有効画素と同電位
としておく。
第3図は、本発明実施例の作用説明図である。
なお、斜線部は各検出素子アレイAの有効画素領域を表
している。
この図から明らかなように、放射線検出器Sを有効画素
分Lだけ1頌次スキャンしてゆくと、所望の検出平面の
全ての領域を、各アレイA・・・Aの有効画素領域によ
って隙間なくカバーできることになる。従って、放射線
検出器Sのスキャンごとに採取した画素データを信号処
理回路等において順次組み合わせてゆくことによって、
継ぎ目のない放射線像を得ることができる。
第4図は本発明実施例の変形例を示す斜視図である。
この例では、先の実施例の構威に加えて、各検出素子A
によって挟まれる領域に、それぞれ放射線遮蔽体6・・
・6を設けており、この遮蔽体6によって、各検出素子
Aの配列方向に沿って斜めに進行する散乱線の大部分を
除去するよう構成している。この遮蔽体6の材料として
は、例えば、Ni,CuあるいはPb−Sn等、放射線
吸収率が高い金属を用いる.なお、放射線遮蔽体6の高
さは、高ければ高い程、散乱線除去効果が大となること
ば言うまでもない。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、半導体放射線検
出素子を、その画素配列の行もしくは列方向に沿う方向
に交互に、かつ、少なくとも2列の画素を相互に重複さ
せて配列したので、放射線像を撮像するにあたり、各放
射線検出素子の周縁部の画素を使用することなく、それ
以外の有効画素領域によって、所望の検出平面の全ての
画素データを隙間なく採取できる。従って、従来行われ
ていた、各放射線検出素子周縁部に相当する画素データ
の補正や補間処理等が不要となり、最小限の画像処理に
より継ぎ目のない鮮明な画質の放射線像を得ることがで
きる。
また、各放射線検出素子間にそれぞれ放射線遮蔽体を配
設することで、各検出素子への散乱線入射量を大幅に低
減でき、これによって、より鮮明な放射線像を得ること
もできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の構或を示す平面図で、第2図は
その実施例の要部斜視図である。 第3図は本発明実施例の作用説明図である。 第4図は本発明実施例の変形例の説明図である。 第5図は従来のマルチ型半導体放射線検出器の平面図、
第6図は半導体放射線検出素子の有感領域の説明図であ
る。 1・・・半導体基板 2・・・バイアス電極 3・・・3・・・信号取り出し電極 4・・・駆動機構 A・・・半導体放射線検出素子アレイ p・・・画素

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数画素が行列状に形成されてなる複数個の半導体放射
    線検出素子を、その画素配列の行もしくは列方向に沿う
    方向に交互に、かつ、少なくとも2列の画素を相互に重
    複させて配列した、半導体放射線検出器。
JP24032989A 1989-09-16 1989-09-16 半導体放射線検出器 Pending JPH03102285A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24032989A JPH03102285A (ja) 1989-09-16 1989-09-16 半導体放射線検出器

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24032989A JPH03102285A (ja) 1989-09-16 1989-09-16 半導体放射線検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03102285A true JPH03102285A (ja) 1991-04-26

Family

ID=17057859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24032989A Pending JPH03102285A (ja) 1989-09-16 1989-09-16 半導体放射線検出器

Country Status (1)

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JP (1) JPH03102285A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD939079S1 (en) 2019-08-22 2021-12-21 Icu Medical, Inc. Infusion pump
US11213619B2 (en) 2013-11-11 2022-01-04 Icu Medical, Inc. Thermal management system and method for medical devices

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US11213619B2 (en) 2013-11-11 2022-01-04 Icu Medical, Inc. Thermal management system and method for medical devices
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