JPH03104011A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH03104011A JPH03104011A JP23996189A JP23996189A JPH03104011A JP H03104011 A JPH03104011 A JP H03104011A JP 23996189 A JP23996189 A JP 23996189A JP 23996189 A JP23996189 A JP 23996189A JP H03104011 A JPH03104011 A JP H03104011A
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- Japan
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- manufacturing
- magnetic head
- thin film
- film magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に良好な磁気特性
を得る多層コイル導体の絶縁層構造に関するものである
． 〔従来の技術〕 従来の薄膜磁気ヘッドの構造について、第１図のヘッド
断面を参考にして説明する． 基板１１上に非磁性像１２、下部磁性体１３及びギャッ
プ層１４を積層形成し、その上に有機樹脂からなる絶縁
層の第１層ｌ５を形成する．その上に多層のコイル導体
層１７、絶縁層の第２層１８を形威し、さらにその最上
層絶縁層上に上部磁性体１９を形威していた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来の薄膜ヘッド製造プロセスでは、コイル導体層
１７の形或で行なうイオンミリングでギャップ１４がエ
ッチングされてギャップ長Ｇｅが高精度に制御できない
というＲＭがあった。
を得る多層コイル導体の絶縁層構造に関するものである
． 〔従来の技術〕 従来の薄膜磁気ヘッドの構造について、第１図のヘッド
断面を参考にして説明する． 基板１１上に非磁性像１２、下部磁性体１３及びギャッ
プ層１４を積層形成し、その上に有機樹脂からなる絶縁
層の第１層ｌ５を形成する．その上に多層のコイル導体
層１７、絶縁層の第２層１８を形威し、さらにその最上
層絶縁層上に上部磁性体１９を形威していた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来の薄膜ヘッド製造プロセスでは、コイル導体層
１７の形或で行なうイオンミリングでギャップ１４がエ
ッチングされてギャップ長Ｇｅが高精度に制御できない
というＲＭがあった。
本発明の目的は、ギャップを保護することにある．
〔課題を解決するための手段〕
この発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１図に示すようにギ
ャップ１４の上に形威したシラン系樹脂１５の上にさら
にノボラック系樹脂１６を積層して、絶縁層の第１層目
としている。
ャップ１４の上に形威したシラン系樹脂１５の上にさら
にノボラック系樹脂１６を積層して、絶縁層の第１層目
としている。
前記第１層絶縁層１５．１６の先端部の位置の差ａの長
さ分のギャップ１４が、コイル導体層１７の形或で行な
うイオンミリングによるエッチングから保護されるので
，ギャップ長Ｇｅを高精度に決めることができる。
さ分のギャップ１４が、コイル導体層１７の形或で行な
うイオンミリングによるエッチングから保護されるので
，ギャップ長Ｇｅを高精度に決めることができる。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例１：磁極先端部だけを書いた第２図を参照して説
明する． ギャップ１４の上にシラン系樹脂の絶縁層ｌ５を形成し
、さらにその上にノボラック系樹脂の絶縁層１６を形成
して第１層目の絶縁層とする．このとき第２図（ａ）に
示す寸法ａはギャップ深さ（Ｇｄ）以上とする．その後
，多層のコイル導体層を有機樹脂からなる絶縁層を介在
して形成する．さらにその最上層絶縁増形或後に酸素エ
ッチングを行なう，このとき、シラン系樹脂とノボラッ
ク系樹脂の酸素に対する選択比が約１００ ： １ある
ため、ノボラック系樹脂を完全にエッチングできるほど
十分に酸素エッチングを行なうと第２図（ｂ）に示すよ
うに、第１層目の絶縁層の先端がシラン系樹脂の先端で
決まる． この方法により、第２図（ａ）に示す寸法ａの部分のギ
ャップ１４は、コイル導体層１７形成時のイオンミリン
グによるエッチングから保護されて，ギャップ長Ｇｅの
ばらつきをＧｅ形或時のそれだけに押さえることができ
る．さらに、シラン系樹脂１５の先端も保護されている
ため、先端部の形状が滑らかな傾斜面となる．また，第
１層絶縁膜先端の並び精度もよくなる． 実施例２；第２図（ｂ）までの積層実施後，さらにその
上に有機樹脂の絶縁層２ｏを形成する．この最上層絶縁
層２０の端部は、第２図（ｃ）に示すように所定の角度
をもった滑らかな傾斜面となっている．この上に形威さ
れる上部磁性体１９の形状は、最上層絶縁層２ｏの形状
に追従するため，同じく滑らかな面となる． 実施例３；磁極先端部だけを書いた第３図を参照して説
明する． ギャップ１４の上にシラン系樹脂の絶縁層ｌ５を形威し
、さらにその上にノボラック系樹脂の絶縁層１６を形成
して第１層目の絶縁層とする。このとき第３図（ａ）に
示す寸法ａが、ギャップ深さ（Ｇｄ）の寸法と等しくな
るように絶縁層１５，１６を形或する．その後，多層の
コイル導体層を有機樹脂からなる絶縁層を介在して形或
する。さらにその最上層絶縁層形成後に，第１層の絶縁
層をマスクとして有機樹脂とギャップ材の選択比が高い
ガスを用いてギャップをイオンミリング第３図（ｂ）に
示すように切る．次に，実施例ｌで書いた様に、酸素エ
ッチングを行なって第１層目の絶縁層の先端をシラン系
樹脂の先端で決める．すなわち，第３図（ｃ）に示す通
りである。
明する． ギャップ１４の上にシラン系樹脂の絶縁層ｌ５を形成し
、さらにその上にノボラック系樹脂の絶縁層１６を形成
して第１層目の絶縁層とする．このとき第２図（ａ）に
示す寸法ａはギャップ深さ（Ｇｄ）以上とする．その後
，多層のコイル導体層を有機樹脂からなる絶縁層を介在
して形成する．さらにその最上層絶縁増形或後に酸素エ
ッチングを行なう，このとき、シラン系樹脂とノボラッ
ク系樹脂の酸素に対する選択比が約１００ ： １ある
ため、ノボラック系樹脂を完全にエッチングできるほど
十分に酸素エッチングを行なうと第２図（ｂ）に示すよ
うに、第１層目の絶縁層の先端がシラン系樹脂の先端で
決まる． この方法により、第２図（ａ）に示す寸法ａの部分のギ
ャップ１４は、コイル導体層１７形成時のイオンミリン
グによるエッチングから保護されて，ギャップ長Ｇｅの
ばらつきをＧｅ形或時のそれだけに押さえることができ
る．さらに、シラン系樹脂１５の先端も保護されている
ため、先端部の形状が滑らかな傾斜面となる．また，第
１層絶縁膜先端の並び精度もよくなる． 実施例２；第２図（ｂ）までの積層実施後，さらにその
上に有機樹脂の絶縁層２ｏを形成する．この最上層絶縁
層２０の端部は、第２図（ｃ）に示すように所定の角度
をもった滑らかな傾斜面となっている．この上に形威さ
れる上部磁性体１９の形状は、最上層絶縁層２ｏの形状
に追従するため，同じく滑らかな面となる． 実施例３；磁極先端部だけを書いた第３図を参照して説
明する． ギャップ１４の上にシラン系樹脂の絶縁層ｌ５を形威し
、さらにその上にノボラック系樹脂の絶縁層１６を形成
して第１層目の絶縁層とする。このとき第３図（ａ）に
示す寸法ａが、ギャップ深さ（Ｇｄ）の寸法と等しくな
るように絶縁層１５，１６を形或する．その後，多層の
コイル導体層を有機樹脂からなる絶縁層を介在して形或
する。さらにその最上層絶縁層形成後に，第１層の絶縁
層をマスクとして有機樹脂とギャップ材の選択比が高い
ガスを用いてギャップをイオンミリング第３図（ｂ）に
示すように切る．次に，実施例ｌで書いた様に、酸素エ
ッチングを行なって第１層目の絶縁層の先端をシラン系
樹脂の先端で決める．すなわち，第３図（ｃ）に示す通
りである。
この方法により決まる第３図（ｃ）に示す寸法ｂは第３
図（ａ）のａ寸法すなわちギャップ深さＧｄに等しい．
以上説明したように、この発明のプロセスでギャップ深
さＧｄを高精度に決定することができる。また、実施例
１で説明したように、このプロセスでギャップ長Ｇｅを
精度よく決めることができ、さらに先端部の形状が滑ら
かな傾斜面となり，並び精度もよくなる。
図（ａ）のａ寸法すなわちギャップ深さＧｄに等しい．
以上説明したように、この発明のプロセスでギャップ深
さＧｄを高精度に決定することができる。また、実施例
１で説明したように、このプロセスでギャップ長Ｇｅを
精度よく決めることができ、さらに先端部の形状が滑ら
かな傾斜面となり，並び精度もよくなる。
実施例４；第３図（ｃ）までの積層実施後，さらにその
上に有機樹脂の絶縁層２０を形戒する．この最上層絶縁
層２０の端部は、第３図（ｄ）に示すように所定の角度
をもった滑らかな傾斜面となっている。この上に形或さ
れる上部磁性体１９の形状は、最上層絶縁層２０の形状
に追従するため、同じく滑らかな面となる。
上に有機樹脂の絶縁層２０を形戒する．この最上層絶縁
層２０の端部は、第３図（ｄ）に示すように所定の角度
をもった滑らかな傾斜面となっている。この上に形或さ
れる上部磁性体１９の形状は、最上層絶縁層２０の形状
に追従するため、同じく滑らかな面となる。
本発明によれば、小さい寸法で高精度のギャップ深さ及
びギャップ長を有する薄膜磁気ヘッドが実現出来、電磁
気特性の均一なヘッドを安定して製造出来る。
びギャップ長を有する薄膜磁気ヘッドが実現出来、電磁
気特性の均一なヘッドを安定して製造出来る。
第１図は，本発明を説明するための薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図は、本発明の一実施例を磁極先端部で説明
する断面図，第３図は、本発明の他の実施例を磁極先端
部で説明する断面図である．第１図において、 １１・・・基板、１２・・・下地膜、１３・・・下部磁
性体、ｌ４・・・ギャップ、１５，１６，１８・・・有
機絶縁層、１７・・・コイル導体層、１９・・・上部磁
性体第２図において、 ２０・・・有機絶縁層 晃う目 （α）
面図、第２図は、本発明の一実施例を磁極先端部で説明
する断面図，第３図は、本発明の他の実施例を磁極先端
部で説明する断面図である．第１図において、 １１・・・基板、１２・・・下地膜、１３・・・下部磁
性体、ｌ４・・・ギャップ、１５，１６，１８・・・有
機絶縁層、１７・・・コイル導体層、１９・・・上部磁
性体第２図において、 ２０・・・有機絶縁層 晃う目 （α）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下部磁性体と上部磁性体の間に非磁性ギャップ材、
第１の絶縁層、導体コイル、第２の絶縁層をはさんでな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記第１の絶縁
層の第一層目をシラン系レジストで構成し、さらにその
先端からギャップ深さ以上離れたところに、ノボラック
系レジストを積層することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記第１の絶縁膜の第一層目を無機絶縁
膜で構成し、さらにその先端からギャップ深さ以上離れ
たところに、ノボラック系レジストを積層することを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３、特許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、前記第１の絶縁層第一層
目のシラン系ホトレジスト又は無機絶縁膜によりギャッ
プ深さゼロ位置を決定する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ４、特許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、ノボラック系ホトレジス
トを積層後、これをマスクとしてギャップ材をエッチン
グし、更に酸素ドライエッチングによりノボラック系ホ
トレジストを後退させることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 ５、特許請求の範囲第４項記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、ノボラック系ホトレジストを後退させた
後、更にノボラック系ホトレジストを積層し、先端テー
パ形状を改善することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 ６、特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記第１の絶縁層の第一層目を酸素ドラ
イエッチに対して選択性のある材料で構成し、さらにそ
の先端からギャップ深さ以上離れたところに、酸素ドラ
イエッチに対して選択性の小さい材料を積層することを
特徴とした薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23996189A JPH03104011A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23996189A JPH03104011A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104011A true JPH03104011A (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=17052409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23996189A Pending JPH03104011A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03104011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10490327B2 (en) | 2010-04-19 | 2019-11-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil component |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP23996189A patent/JPH03104011A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10490327B2 (en) | 2010-04-19 | 2019-11-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil component |
| US10796828B2 (en) | 2017-04-19 | 2020-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil component |
| US11842833B2 (en) | 2017-04-19 | 2023-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil component |
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