JPS6320710A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6320710A JPS6320710A JP61164107A JP16410786A JPS6320710A JP S6320710 A JPS6320710 A JP S6320710A JP 61164107 A JP61164107 A JP 61164107A JP 16410786 A JP16410786 A JP 16410786A JP S6320710 A JPS6320710 A JP S6320710A
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- Japan
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- thin film
- film coil
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- insulating layer
- layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ｆ″ｉ磁気記録再生装置（使用する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関するものである。
ドの製造方法に関するものである。
従来の技術
薄膜磁気ヘッドの重要な製造プロセスとしての磁性層の
形成がある。薄膜磁気ヘッド（以下ヘッドとする）の書
き込み効率を高めるためには、上記磁性層の透磁率を向
上させなければならず、それには磁性層表面を平坦に形
成する必要がある。
形成がある。薄膜磁気ヘッド（以下ヘッドとする）の書
き込み効率を高めるためには、上記磁性層の透磁率を向
上させなければならず、それには磁性層表面を平坦に形
成する必要がある。
第２図に従来のヘッドにおける磁性層の製造プロセスを
示す。第２図において、ｉｆｉ高透磁率強磁性体基板、
２ｆ”ｉ絶縁層、３は薄膜コイル、４は薄膜コイル絶縁
層、５ｆ′ｉ薄膜コイル絶縁層を平坦化するためのフォ
トレジスト、６ｆｉ磁気回路を構成する磁性層である。
示す。第２図において、ｉｆｉ高透磁率強磁性体基板、
２ｆ”ｉ絶縁層、３は薄膜コイル、４は薄膜コイル絶縁
層、５ｆ′ｉ薄膜コイル絶縁層を平坦化するためのフォ
トレジスト、６ｆｉ磁気回路を構成する磁性層である。
この構成で以下に第２図におけるａ −ｆの順序でヘッ
ドにおける磁性層の製造プロセスについて述ヘル。
ドにおける磁性層の製造プロセスについて述ヘル。
第２図ａＵ、高透磁率強磁性体基板１上にコイルとの絶
縁層２を形成した工程を示す。第２図すに示す工程てお
いては、絶縁層２上に薄膜コイル導体３をイオンミリ゛
ング等で微細エッチフグ加工を行いバターニングをする
。この時、微細エツチング加工精度等により薄膜コイル
導体間の導通防止のため導膜コイル導体間は１０μｍ以
上の距離が必要である。第２図Ｃは薄膜コイル３に薄膜
コイル絶縁層４を形成した工程を示す。第２図ｄはは絶
縁層４の段差を縮少せしめるためｆこフォトレジスト５
をスピンコードで形成、コイル絶縁層４を必要な厚さに
までイオンビームエツチングを行う工程を示している。
縁層２を形成した工程を示す。第２図すに示す工程てお
いては、絶縁層２上に薄膜コイル導体３をイオンミリ゛
ング等で微細エッチフグ加工を行いバターニングをする
。この時、微細エツチング加工精度等により薄膜コイル
導体間の導通防止のため導膜コイル導体間は１０μｍ以
上の距離が必要である。第２図Ｃは薄膜コイル３に薄膜
コイル絶縁層４を形成した工程を示す。第２図ｄはは絶
縁層４の段差を縮少せしめるためｆこフォトレジスト５
をスピンコードで形成、コイル絶縁層４を必要な厚さに
までイオンビームエツチングを行う工程を示している。
更に不必要な絶、線層２を微細エツチング加工した工程
を第２図ｅに示す。そして、第２図ｆは上記薄膜コイル
絶縁層４の上ｌこ磁性層すを形成した工程を示している
。
を第２図ｅに示す。そして、第２図ｆは上記薄膜コイル
絶縁層４の上ｌこ磁性層すを形成した工程を示している
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のようなヘッドの製造方１去では、
薄膜コイル導体間が空いているため、第２図ｄにおける
フォトレジスト５における上部のくぼみがそのま１イオ
ンピームエ、チング後において、薄膜コイル絶縁層４の
上部ンこ残る。従って、その上に形成される磁性層６の
表面にくぼみができ、透磁率の劣化を招くという問題点
がある。
薄膜コイル導体間が空いているため、第２図ｄにおける
フォトレジスト５における上部のくぼみがそのま１イオ
ンピームエ、チング後において、薄膜コイル絶縁層４の
上部ンこ残る。従って、その上に形成される磁性層６の
表面にくぼみができ、透磁率の劣化を招くという問題点
がある。
本発明は上記問題点に鑑み、磁性層の表面のくぼみを解
消し磁性層の透磁率を向上させる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供するものである。
消し磁性層の透磁率を向上させる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の薄膜磁気ヘッドの製
造方法は、ρ線層上・に薄１摸コイルを形成した後、薄
膜コイル導体間の凹部に位置するように、９りえばＳ
＋ ０２等の絶縁材料から成る凸形状パターンを形成す
るとともに、薄膜コイル及び凸状パターン上にフォトレ
ジスト層を介して磁性層を形成する構成となっている。
造方法は、ρ線層上・に薄１摸コイルを形成した後、薄
膜コイル導体間の凹部に位置するように、９りえばＳ
＋ ０２等の絶縁材料から成る凸形状パターンを形成す
るとともに、薄膜コイル及び凸状パターン上にフォトレ
ジスト層を介して磁性層を形成する構成となっている。
作 用
この構成により、薄膜コイル絶縁層の上面は従来のもの
に比べてくぼみが小さくなり、その上にｆｌＪｔはスピ
ンコードしたフォトレジストを形成する状態では、表面
にくぼみは殆んど生じない。
に比べてくぼみが小さくなり、その上にｆｌＪｔはスピ
ンコードしたフォトレジストを形成する状態では、表面
にくぼみは殆んど生じない。
従って、イオンビームエツチングを行い、所定形状に加
工した後の薄膜コイル絶縁層上にくぼみは見られず、そ
の上に形成される磁性層もまた、その表面が平坦化し透
磁率の劣化を防ぎ、書き込み効率の向上が実現できる。
工した後の薄膜コイル絶縁層上にくぼみは見られず、そ
の上に形成される磁性層もまた、その表面が平坦化し透
磁率の劣化を防ぎ、書き込み効率の向上が実現できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明を行う。第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッド
における磁性層の形成プロセスの断面図を示すものであ
る。
明を行う。第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッド
における磁性層の形成プロセスの断面図を示すものであ
る。
第１図において、１は高透磁率強磁性体基板、２はＳｉ
Ｏ２等の絶縁層、３はＡ、！、Ａｕ等の薄膜コイル、４
は３１０２等の薄膜コイル絶縁層、５け薄膜コイル絶縁
層上面を平坦にするために用いるネガ型の７オトレジス
ト、６は磁性層で、以上は従来の構成と同じものである
。了）ま薄膜コイル導体間凹部略平坦化させるために配
された３ １０２等の絶縁材料からなる凸形状パターン
である。
Ｏ２等の絶縁層、３はＡ、！、Ａｕ等の薄膜コイル、４
は３１０２等の薄膜コイル絶縁層、５け薄膜コイル絶縁
層上面を平坦にするために用いるネガ型の７オトレジス
ト、６は磁性層で、以上は従来の構成と同じものである
。了）ま薄膜コイル導体間凹部略平坦化させるために配
された３ １０２等の絶縁材料からなる凸形状パターン
である。
以上のような構成の薄膜磁気ヘッドについて、第１図を
参照しながら、・頂に説明を行う。
参照しながら、・頂に説明を行う。
第１図ａでは高透磁率強磁性体基板１上に絶縁層２を形
成している。第１図すでは絶縁層２上にＡ２を形成し、
微細エツチング加工により薄膜コイル３を形成し、その
後、薄膜コイル形成と同様に微細エツチング加ニレζよ
り、凸形状パターンを形成する。この時、凸形状パター
ンと薄膜コイル導体との距離は各々２〜３７ｚｍに縮小
されている。
成している。第１図すでは絶縁層２上にＡ２を形成し、
微細エツチング加工により薄膜コイル３を形成し、その
後、薄膜コイル形成と同様に微細エツチング加ニレζよ
り、凸形状パターンを形成する。この時、凸形状パター
ンと薄膜コイル導体との距離は各々２〜３７ｚｍに縮小
されている。
次に薄膜コイル３及び凸形状パターンγ上に、磁性層６
にχＪする絶縁として薄膜コイル絶縁層４を形成する。
にχＪする絶縁として薄膜コイル絶縁層４を形成する。
この状態を第１図Ｃに示す。薄膜コイル導体間に凸形状
パターンが設けられたため、薄膜コイル絶縁層４上部に
おける溝も小さくなる。
パターンが設けられたため、薄膜コイル絶縁層４上部に
おける溝も小さくなる。
第１図ｄＫ薄膜コイル絶縁層４上にフォトレジスト５を
スピンコードで形成した状態を示す。この状態における
フォトレジスト６の上面は、薄膜コイル絶縁層４の上面
における溝が充分に小さくなっているため、ｔの厚み、
硬化温度、スピンコード条件を最適化することによって
平坦化することは可能である。ここで、第１図ｄにおけ
る形状のものにエツチングを行なうと、第１図ｅに示す
形状のものが得られる。尚、エツチングはイオンビーム
ミリング装置を用いた。第１１２１ｄにおけるフォトレ
スト６の上面形状をそのま１．推持し所定形状に仕上げ
るには、フォトレジスト５とコイル絶縁層４のエツチン
グレートが等速である条件、すなわちビームの試料角度
等の諸条件を設定しなければならない。
スピンコードで形成した状態を示す。この状態における
フォトレジスト６の上面は、薄膜コイル絶縁層４の上面
における溝が充分に小さくなっているため、ｔの厚み、
硬化温度、スピンコード条件を最適化することによって
平坦化することは可能である。ここで、第１図ｄにおけ
る形状のものにエツチングを行なうと、第１図ｅに示す
形状のものが得られる。尚、エツチングはイオンビーム
ミリング装置を用いた。第１１２１ｄにおけるフォトレ
スト６の上面形状をそのま１．推持し所定形状に仕上げ
るには、フォトレジスト５とコイル絶縁層４のエツチン
グレートが等速である条件、すなわちビームの試料角度
等の諸条件を設定しなければならない。
第３図にミ＋）ングレート特性を示す。この場合、試料
角度が７５度において、Ｓ ｚ ０２ とネガ型レジス
トのミリングレートが等速となる。そこで、この条件で
第１図ｅにおける形状までミリングを行う。フォトレジ
スト５は全てミリングで、剥離されるため新たに剥離す
る必要はない。第１図ｅにおいて、薄膜コイル絶縁層４
の上面は平坦化されている。この薄膜コイル絶縁層４上
に磁性層６を形成すると第１図ｆに示すように１その上
面が平坦となっている磁性層６を持つ薄膜磁気ヘッドが
製造される。従って、透磁率の劣化もなく記録再生の磁
束が容易に流れ、書き込み効率の向上が実現できる。
角度が７５度において、Ｓ ｚ ０２ とネガ型レジス
トのミリングレートが等速となる。そこで、この条件で
第１図ｅにおける形状までミリングを行う。フォトレジ
スト５は全てミリングで、剥離されるため新たに剥離す
る必要はない。第１図ｅにおいて、薄膜コイル絶縁層４
の上面は平坦化されている。この薄膜コイル絶縁層４上
に磁性層６を形成すると第１図ｆに示すように１その上
面が平坦となっている磁性層６を持つ薄膜磁気ヘッドが
製造される。従って、透磁率の劣化もなく記録再生の磁
束が容易に流れ、書き込み効率の向上が実現できる。
尚、本実施例では、単体の高透磁率基板を用いているが
、基板として非磁性基板上に高透磁率材料薄膜を形成し
たものを用いても良い。更に、エツチング過程において
、イオンビームミリング装置を用いたが、他にドライエ
ツチング、プラズマエツチングを用いた場合も、絶縁薄
膜とフォトレジストのエツチング速度が等速度となるよ
うな条件下で平坦化加工を行ってもよい。
、基板として非磁性基板上に高透磁率材料薄膜を形成し
たものを用いても良い。更に、エツチング過程において
、イオンビームミリング装置を用いたが、他にドライエ
ツチング、プラズマエツチングを用いた場合も、絶縁薄
膜とフォトレジストのエツチング速度が等速度となるよ
うな条件下で平坦化加工を行ってもよい。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄
膜コイル導体間凹部に位置するようＫ、例えば、３１０
２等の絶縁材からなる凸形状ノζターンを形成し、薄膜
コイル導体間知形成される凹部距離を縮小することによ
り、基板上を略平坦化することができる。このこと罠よ
り、薄膜コイル上部に形成さバる薄膜コイル絶縁層の上
部表面の溝を小さくすることができ、フォトレジストを
用いて最終的に平坦化を行った場合、上部表面が平坦な
磁性層を得、透磁率の劣化がなく、書き込み効率を飛躍
的に向上した薄膜磁気ヘッドを実現できる。
膜コイル導体間凹部に位置するようＫ、例えば、３１０
２等の絶縁材からなる凸形状ノζターンを形成し、薄膜
コイル導体間知形成される凹部距離を縮小することによ
り、基板上を略平坦化することができる。このこと罠よ
り、薄膜コイル上部に形成さバる薄膜コイル絶縁層の上
部表面の溝を小さくすることができ、フォトレジストを
用いて最終的に平坦化を行った場合、上部表面が平坦な
磁性層を得、透磁率の劣化がなく、書き込み効率を飛躍
的に向上した薄膜磁気ヘッドを実現できる。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法の磁性層形成プロセスを示す薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図は従来の磁性層形成プロセスを示す薄膜磁
気ヘッドの断面図、第３図はミリングレート特性図であ
る。 １・・・・・・高透磁率強磁性体基板、２・・・・・−
絶縁層、３・・・・・・薄膜コイル、４・・・・・・薄
膜コイル絶縁層、６・・・・・・フォトレジスト、６・
・・・・・磁性層、７・・・・・・凸形状パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 仄！′Ｉ−汚濁 Ｑ（窪）
造方法の磁性層形成プロセスを示す薄膜磁気ヘッドの断
面図、第２図は従来の磁性層形成プロセスを示す薄膜磁
気ヘッドの断面図、第３図はミリングレート特性図であ
る。 １・・・・・・高透磁率強磁性体基板、２・・・・・−
絶縁層、３・・・・・・薄膜コイル、４・・・・・・薄
膜コイル絶縁層、６・・・・・・フォトレジスト、６・
・・・・・磁性層、７・・・・・・凸形状パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 仄！′Ｉ−汚濁 Ｑ（窪）
Claims (1)
- 高透磁率強磁性体基板上に絶縁層を形成し、上記絶縁層
上に導電体で薄膜コイルを形成し、前記薄膜コイルの導
電体によって形成された導電体間の凹部に位置する如く
、前記導電体間に上記薄膜コイルとは電気的に絶縁され
た凸状パターンを形成するとともに、前記薄膜コイル及
び前記凸状パターン上にフォトレジスト層を介して磁性
層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164107A JPS6320710A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164107A JPS6320710A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320710A true JPS6320710A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15786890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61164107A Pending JPS6320710A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10369137B2 (en) | 2008-07-08 | 2019-08-06 | Incyte Corporation | 1,2,5-Oxadiazoles as inhibitors of indoleamine 2,3-dioxygenase |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611613A (en) * | 1979-07-04 | 1981-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS5974608A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | 配線構造体の成形方法 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61164107A patent/JPS6320710A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611613A (en) * | 1979-07-04 | 1981-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS5974608A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | 配線構造体の成形方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10369137B2 (en) | 2008-07-08 | 2019-08-06 | Incyte Corporation | 1,2,5-Oxadiazoles as inhibitors of indoleamine 2,3-dioxygenase |
| US10653677B2 (en) | 2008-07-08 | 2020-05-19 | Incyte Holdings Corporation | 1,2,5-oxadiazoles as inhibitors of indoleamine 2,3-dioxygenase |
| US11207302B2 (en) | 2008-07-08 | 2021-12-28 | Incyte Corporation | 1,2,5-oxadiazoles as inhibitors of indoleamine 2,3-dioxygenase |
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