JPH0310502A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH0310502A JPH0310502A JP14580689A JP14580689A JPH0310502A JP H0310502 A JPH0310502 A JP H0310502A JP 14580689 A JP14580689 A JP 14580689A JP 14580689 A JP14580689 A JP 14580689A JP H0310502 A JPH0310502 A JP H0310502A
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- Japan
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- section
- partition plate
- metal case
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 14
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 14
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波無線装置等で使用されるストリップ線路
を利用した電圧制御発振器(以下「vCO」と称する)
に関するものである。
を利用した電圧制御発振器(以下「vCO」と称する)
に関するものである。
従来、例えばUHF帯に属する発振信号を出力するよう
なvCOにおいては、UHF帯の周波数が高く、使用す
る共振回路のインダクタンス及びキャバスタンスは小さ
くなるため、所定出力を安定に得るように構成しようと
すると実際上共振回路の構成が複雑になる。そのため、
従来、共振回路部分にストリップ線路を用いて所定特性
をできるだけ簡易な構成で得るようにしたものがある(
例えば、本出願人が先に出願した特願昭62−1854
56号参照)。
なvCOにおいては、UHF帯の周波数が高く、使用す
る共振回路のインダクタンス及びキャバスタンスは小さ
くなるため、所定出力を安定に得るように構成しようと
すると実際上共振回路の構成が複雑になる。そのため、
従来、共振回路部分にストリップ線路を用いて所定特性
をできるだけ簡易な構成で得るようにしたものがある(
例えば、本出願人が先に出願した特願昭62−1854
56号参照)。
第2図はこのvCOの回路構成を示す回路図である。同
図に示すように、vcoは発振部1oと増幅部20とか
らなる。
図に示すように、vcoは発振部1oと増幅部20とか
らなる。
発振部10はトランジスタQ、と、そのコレクタ・エミ
ッタ間に接続された第1の容量素子clと、そのベース
・エミッタ間に接続された容量素子C8と、そのベース
に接続されたストリップ線路り、と、直流カット用容量
素子c4と、可変容量ダイオードVD、と、バイアスコ
ンデンサC1とでコルピッツ発振器を構成している。な
お、R1はエミッタ抵抗器、Rsl R4はトランジス
タQ1のベースに所定の電圧を印加するための抵抗器で
ある。トランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間及びベ
ース・エミッタ間には、それぞれコルピッツ発振回路を
形成し、その発振周波数は容量素子C1及び容量素子〇
、で決定きれる。トランジスタQ、のベースには、同様
にコルピッツ発振回路を形成し、その発振周波数は可変
容量ダイオードVD1と直流カット用容量素子C4とス
トリップ線路L1で構成される誘導性リアクタンス部で
決定される。
ッタ間に接続された第1の容量素子clと、そのベース
・エミッタ間に接続された容量素子C8と、そのベース
に接続されたストリップ線路り、と、直流カット用容量
素子c4と、可変容量ダイオードVD、と、バイアスコ
ンデンサC1とでコルピッツ発振器を構成している。な
お、R1はエミッタ抵抗器、Rsl R4はトランジス
タQ1のベースに所定の電圧を印加するための抵抗器で
ある。トランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間及びベ
ース・エミッタ間には、それぞれコルピッツ発振回路を
形成し、その発振周波数は容量素子C1及び容量素子〇
、で決定きれる。トランジスタQ、のベースには、同様
にコルピッツ発振回路を形成し、その発振周波数は可変
容量ダイオードVD1と直流カット用容量素子C4とス
トリップ線路L1で構成される誘導性リアクタンス部で
決定される。
制御電圧信号CONが変化すると、これに応じて可変容
量ダイオードV D tの値が変化し、誘導性リアクタ
ンスも変化し、発振回路の発振周波数もこの制御電圧信
号CONに応じ変化する。
量ダイオードV D tの値が変化し、誘導性リアクタ
ンスも変化し、発振回路の発振周波数もこの制御電圧信
号CONに応じ変化する。
増幅部20は、F E T Q *と、該F E T
Q *のゲートバイアス抵抗器R1と、ソース抵抗器R
4と、バイパスコンデンサC1と、ストリップ線路L
l eL、と、容量素子C,とで構成されている。ここ
でストリップ線路り、、L、及び容量素子C2はFET
Q、の出力整合回路を構成している。C6は直流カット
用容量素子、C6は発振部10と増幅部20を結合する
結合容量素子である。
Q *のゲートバイアス抵抗器R1と、ソース抵抗器R
4と、バイパスコンデンサC1と、ストリップ線路L
l eL、と、容量素子C,とで構成されている。ここ
でストリップ線路り、、L、及び容量素子C2はFET
Q、の出力整合回路を構成している。C6は直流カット
用容量素子、C6は発振部10と増幅部20を結合する
結合容量素子である。
しかしながら上記構成のvCOにおいて、基本回路を構
成する各種電子部品の搭載並びに基板パターンの引き回
し位置によって次のような問題がある。
成する各種電子部品の搭載並びに基板パターンの引き回
し位置によって次のような問題がある。
即ち、第3図に示すように発振部1oのストリップ線路
LIのインダクタンスと各種搭載部品31.32との間
で空間結合33.34が生じ、これが発振部10の発振
周波数特性に悪影響を与え、vCOの電気的特性である
S/N特性等が劣化する。
LIのインダクタンスと各種搭載部品31.32との間
で空間結合33.34が生じ、これが発振部10の発振
周波数特性に悪影響を与え、vCOの電気的特性である
S/N特性等が劣化する。
また、増幅部20のストリップ線路L*、Lsのインダ
クタンスと各種搭載部品31.32との間にも空間結合
35,36.37が生じ、これが増幅部20の前記出力
整合回路にインピーダンスに影響を与え、インピーダン
ス整合がとれず、vCOの電気的特性であるS/N特性
等が劣化する。
クタンスと各種搭載部品31.32との間にも空間結合
35,36.37が生じ、これが増幅部20の前記出力
整合回路にインピーダンスに影響を与え、インピーダン
ス整合がとれず、vCOの電気的特性であるS/N特性
等が劣化する。
本発明は上述の点に鑑みて成されたもので、発振部及び
増幅部のストリップ線路と各種搭載電子部品の空間結合
によるS/N等の特性劣化を除去する電圧制御発振器を
提供することにある。
増幅部のストリップ線路と各種搭載電子部品の空間結合
によるS/N等の特性劣化を除去する電圧制御発振器を
提供することにある。
上記課題を解決するため本発明は、基板上に、発振部を
構成するストリップ線路及び各種電子部品と、増幅部を
構成するストリップ線路及び各種電子部品を搭載し、そ
の上を金属ケースで覆った構造の電圧制御発振器におい
て、少なくとも発振部と増幅部の間の金属ケースと基板
の間に金属製の仕切板を設けたことを特徴とする。
構成するストリップ線路及び各種電子部品と、増幅部を
構成するストリップ線路及び各種電子部品を搭載し、そ
の上を金属ケースで覆った構造の電圧制御発振器におい
て、少なくとも発振部と増幅部の間の金属ケースと基板
の間に金属製の仕切板を設けたことを特徴とする。
上記の如く構成することにより、発振部のストリップ線
路のインダクタンスと増幅部の電子部品との間に空間結
合及び増幅部のストリップ線路と発振部の電子部品の空
間結合が金属製の仕切板により遮断されるから、vCO
のS/N等の特性劣化を防止できる。
路のインダクタンスと増幅部の電子部品との間に空間結
合及び増幅部のストリップ線路と発振部の電子部品の空
間結合が金属製の仕切板により遮断されるから、vCO
のS/N等の特性劣化を防止できる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係る電圧制御発振器の構造を示す断面
図である。同図において、1はガラスエポキシ樹脂等か
らなる基板であり、該基板1の上には発振部10を構成
するストリップ線路り、及び電子部品11.12と、増
幅部2oを構成するストリップ線路L*、Ls及び電子
部品21が実装されている。この電子部品11.12は
第2図のトランジスタQ、や可変容量ダイオードV D
+等に相当し、電子部品21はF E T Q *等
に相当する、基板1の上は金属ケース2で覆われており
、発振部10と増幅部20の間の基板1と金属ケース2
との間に仕切板3が設けられている。
図である。同図において、1はガラスエポキシ樹脂等か
らなる基板であり、該基板1の上には発振部10を構成
するストリップ線路り、及び電子部品11.12と、増
幅部2oを構成するストリップ線路L*、Ls及び電子
部品21が実装されている。この電子部品11.12は
第2図のトランジスタQ、や可変容量ダイオードV D
+等に相当し、電子部品21はF E T Q *等
に相当する、基板1の上は金属ケース2で覆われており
、発振部10と増幅部20の間の基板1と金属ケース2
との間に仕切板3が設けられている。
上記の如く発振部10と増幅部2oの間の基板1と金属
ケース2との間に仕切板3を設けることにより、該仕切
板3はストリップ線路L1のインダクタンスと電子部品
21の空間結合及びストリップ線路Lm、Lmのインダ
クタンスと電子部品11.12の空間結合を遮断する作
用を奏する。従って、発振部10の発振周波数特性、増
幅部2゜のインピーダンス整合性及びS/N特性等のv
cOの電気的特性に悪影響を与える空間的結合が遮断き
れるから、vCOの電気的特性は改善されることになる
。
ケース2との間に仕切板3を設けることにより、該仕切
板3はストリップ線路L1のインダクタンスと電子部品
21の空間結合及びストリップ線路Lm、Lmのインダ
クタンスと電子部品11.12の空間結合を遮断する作
用を奏する。従って、発振部10の発振周波数特性、増
幅部2゜のインピーダンス整合性及びS/N特性等のv
cOの電気的特性に悪影響を与える空間的結合が遮断き
れるから、vCOの電気的特性は改善されることになる
。
なお、上記実施例では発振部10と増幅部20の間の基
板1と金属ケース2との間に仕切板3を設けたが、仕切
板3はこの部分のみに限定されるものではなく、例えば
、発振部10のストリップ線路L1と電子部品11.1
2の間の基板1と金属ケース2との間、更には増幅部2
0のストリップ線路り、と電子部品21の間及びストリ
ップ線路L1と電子部品21の間の基板1と金属ケース
2との間に設けることにより、上記のような空間的結合
をより完全に遮断でき、vCOの電気的特性はさらに改
善されることになる。
板1と金属ケース2との間に仕切板3を設けたが、仕切
板3はこの部分のみに限定されるものではなく、例えば
、発振部10のストリップ線路L1と電子部品11.1
2の間の基板1と金属ケース2との間、更には増幅部2
0のストリップ線路り、と電子部品21の間及びストリ
ップ線路L1と電子部品21の間の基板1と金属ケース
2との間に設けることにより、上記のような空間的結合
をより完全に遮断でき、vCOの電気的特性はさらに改
善されることになる。
以上説明したように本発明によれば、少なくとも発振部
と増幅部の間の金属ケースと基板の間に金属製の仕切板
を設けたので、発振部のストリップ線路のインダクタン
スと増幅部の電子部品との間に空間結合及び増幅部のス
トリップ線路のインダクタンスと発振部の電子部品の空
間結合が、こ金属製の仕切板により防止されるから、v
COのS/N等の電気的特性が大幅に改善できる。
と増幅部の間の金属ケースと基板の間に金属製の仕切板
を設けたので、発振部のストリップ線路のインダクタン
スと増幅部の電子部品との間に空間結合及び増幅部のス
トリップ線路のインダクタンスと発振部の電子部品の空
間結合が、こ金属製の仕切板により防止されるから、v
COのS/N等の電気的特性が大幅に改善できる。
第1図は本発明に係る電圧制御発振器の構造を示す断面
図、第2図はこのvCoの回路構成を示す回路図、第3
図はvCOの各部品間の空間結合を説明するための図で
ある。 図中、1・・・・基板、2・・・・金属製ケース、3・
・・・仕切板、10・・・・発振部、11.12・・・
・電子部品、20・・・・増幅部、21・・・・電子部
品、Lll Lll Lm・・・・ストリップ線路。
図、第2図はこのvCoの回路構成を示す回路図、第3
図はvCOの各部品間の空間結合を説明するための図で
ある。 図中、1・・・・基板、2・・・・金属製ケース、3・
・・・仕切板、10・・・・発振部、11.12・・・
・電子部品、20・・・・増幅部、21・・・・電子部
品、Lll Lll Lm・・・・ストリップ線路。
Claims (1)
- 基板上に、発振部を構成するストリップ線路及び各種
電子部品と、増幅部を構成するストリップ線路及び各種
電子部品を搭載し、その上を金属ケースで覆った構造の
電圧制御発振器において、少なくとも前記発振部と前記
増幅部の間の前記金属ケースと基板の間に金属製の仕切
板を設けたことを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14580689A JPH0310502A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14580689A JPH0310502A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310502A true JPH0310502A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15393580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14580689A Pending JPH0310502A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2376207A (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-11 | Kyocera Corp | Ceramic laminates and laminated electronic parts |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14580689A patent/JPH0310502A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2376207A (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-11 | Kyocera Corp | Ceramic laminates and laminated electronic parts |
| GB2376207B (en) * | 2001-05-25 | 2005-03-30 | Kyocera Corp | Method of producing ceramic laminates,laminated electronic parts and method of producing the same |
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