JPH0310503A - 電圧制御発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波無線装置等で使用きれるストリップ線路
を利用した電圧制御発振器（以下１ｖＣＯ」と称する）
に関するものである。

〔従来技術〕

従来、例えばＵＨＦ帯に属する発振信号を出力するよう
なｖＣＯにおいては、ＵＨＦ帯の周波数が高く、使用す
る共振回路のインダクタンス及びキャバスタンスは小さ
くなるため、所定出力を安定に得るように構成しようと
すると、共振回路の構成が複雑になる。そのため、従来
、共振回路部分にストリップ線路を用いて所定特性をで
きるだけ簡易な構成で得るようにしたものがある（例え
ば本出願人が先にに出願した特願昭６２−１８５４５６
号参照）。

第２図はこのｖＣＯの回路構成を示す回路図である。同
図に示すように、ｖＣＯは発振部１０と増幅部２０とか
らなる。

発振部１０はトランジスタＱ、と、そのコレクタ・エミ
ッタ間に接続された第１の容量素子ＣＩと、そのベース
・エミッタ間に接続された容量素子Ｃ１と、そのベース
に接続されたストリップ線路り、と、直流カット用容量
素子Ｃ４と、可変容量ダイオードＶＤ、と、バイアスコ
ンデンサＣ３とてフルビッツ発振器を構成している。な
お、Ｒ２はエミッタ抵抗器、Ｒｓ、Ｒ＝はトランジスタ
Ｑ、のベースに所定の電圧を印加するための抵抗器であ
る。トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間及びベー
ス・エミッタ間には、それぞれコルピッツ５発振回路を
形成し、その発振周波数は容量素子Ｃ３及び容量素子Ｃ
１で決定される。トランジスタＱ、のベースには、同様
にコルピッツ発振回路を形成し、その発振周波数は可変
容量ダイオードＶＤ１と直流カット用容量素子Ｃ４とス
トリップ線路Ｌ工で構成される誘導性リアクタンス部で
決定される。

制御電圧信号ＣＯＮが変化すると、これに応じて可変容
量ダイオードＶＤ、の値が変化し、誘導性リアクタンス
も変化し、発振回路の発振周波数もこの制御電圧信号Ｃ
ＯＮに応じて変化する。

増幅部２０は、Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　＊と、該Ｆ　Ｅ　Ｔ　
Ｑ　＊のゲートバイアス抵抗器Ｒ１と、ソース抵抗器Ｒ
４と、バイパスコンデンサＣ１と、ストリップ線路Ｌｔ
ｌＬ、と、容量素子Ｃ７とで構成されている。ここでス
トリップ線路Ｌｍ、Ｌｍ及び容量素子Ｃ７はＦＥＴ　Ｑ
　ｔの出力整合回路を構成している。Ｃ６は直流カット
用容量素子、Ｃ６は発振部１０と増幅部２０を結合する
結合容量である。

第３図は上記回路構成のｖＣＯの構造を示す図である。

図示するように、ｖＣＯは発振部１０を構成するストリ
ップ線路り、及び電子部品１１゜１２と、増幅部２０を
構成するストリップ線路Ｌ１＋Ｌ３及び電子部品２１を
基板１に実装し、その上に当該■ＣＯを用いる装置内の
他の部品との間に電気的空間結合等が生じないようにす
るため一個の金属ケース２で覆った構造である。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら上記構造のｖＣＯにおいて、次のような問
題がある。

第３図において、金属ケース２の高さｈは発振部１０の
所望の振動試験条件内で、金属ケース２が振動してＶＣ
ＯのＳ／Ｎ特性に影響がないように設定している。即ち
、一般に発振部１０と金属ケース２の上面との間で空間
的にコンデンサが形成きれ、金属ケース２の上面が振動
することにより、第４図の如く金属ケース２の上部が動
く為、この空間的コンデンサを介して振動が発振部１０
に伝わり、Ｓ／Ｎ特性が劣化する。この為金属ケース２
の高感は金属ケース２の振動が発振部１０５　の発振に
与える影響ができるだけ小さくなるように設定している
。しかしながら、そのため金属ケース２の体積、即ちｖ
ＣＯの全体体積が大きく、ＶＣＯの小型化の支障となる
という問題があった本発明は上述の点に鑑みて成された
もので、上記問題点を除去し、金属ケースの振動が発振
部の発振に与える影響を極力小さくし、且つ小型化が可
能な電圧制御発振器を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するため本発明は、基板上に、発振部を
構成するストリップ線路及び各種電子部品と、増幅部を
構成するストリップ線路及び各種電子部品を搭載し、そ
の上を金属ケースで覆った構造の電圧制御発振器におい
て、金属ケースを発振部を覆う部分と増幅部を覆う部分
とに分割すると共に、発振部を覆う金属ケースの高さを
該発振部が発振することにより振動して当該電圧制御発
振器のＳ／Ｎ特性に悪影響を与えない高さとしたことを
特徴とする。

〔作用〕

上記の如く構成することにより、金属ケースを発振部を
覆う部分と増幅部を覆う部分とに２分割するので、発振
部の発振に影響を与える発振部を覆う金属ケースの水平
断面積が小さくなり、内部にリブ等を設けることにより
、スティフネスの高いケースとすることができるから、
従来の基板全部を覆う金属ケースに比較し、高さもある
程度小さくでき、更に増幅部を覆う金属ケースはＳ／Ｎ
特性の劣化等に影響しないから、実装した部品を覆うス
ペースのみを考えればよく、その高さを極めて小さくす
ることができる。従って、ｖＣＯ全体として小型化が可
能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係る電圧制御発振器の構造を示す断面
図である。同図において、１はガラスエポキシ樹脂等か
らなる基板であり、該基板１の上には発振部１０を構成
するストリップ線路Ｌ＋及び電子部品１１．１２と、増
幅部２０を構成するストリップ線路Ｌｘ、Ｌ＝及び電子
部品２１が実装されている。この電子部品１１．１２は
第２図のトランジスタＱ、や可変容量ダイオード■Ｄ４
等に相当し、電子部品２１はＦＥＴＱ、等に相当する発
振部１０の部品が実装きれた基板１の上部は１個の金属
ケース２−１で覆われており、増幅の部品が実装された
基板１の上部は別の金属ケース２−２で覆われている。

発振部１０を覆う金属ケース２−１の高さは、振動時に
ｖＣＯの劣化が起こらないような充分な高さに設定する
。

ところで、振動時に金属ケースの振動がＳ／Ｎ特性の劣
化等に影響を与えるのは、発振部１０を覆う金属ケース
２−１だけであり、増幅部２０を覆う金属ケース２−２
はその振動によるＳ／Ｎ特性の劣化等の影響は全く与え
ないから、金属ケース２−２は充分小さくすることがで
きる。即ち、増幅部２０を覆う金属ケース２−２はＳ／
Ｎ特性劣化に関係ないため部品スペースによる実装体積
を考えればよく、金属ケース２−１に対して高さの低い
金属ケースとすることができる。

ｖＣＯの実装体積を最小にするには、前述のようにｖＣ
ＯのＳ／Ｎ特性に影響を与えない最低の金属ケース高さ
が限界である。実験結果によれば、その金属ケースの高
さ７〜９ｎｍｌであるから、高さに制限のある発振部１
０を覆う金属ケース２−１の内部にリブ３，３を設け、
スティフネスの高い金属ケースとすることにより、Ｓ／
Ｎ特性への影響を抑制することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、金属ケースを発振
部を覆う部分と増幅部を覆う部分とに分割すると共に、
発振部を覆う金属ケースの高さを発振部が発振すること
によりケース上部が振動してＳ／Ｎ特性に悪影響を与え
ない高さとしたので、電圧制御発振器を小型化すること
ができるという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る電圧制御発振器の構造を示す断面
図、第２（２）はこのｖＣＯの回路構成を示す回路図、
第３図は従来の電圧制御発振器の構造を示す断面図、第
４図はその金属ケースの振動状態を示す断面図である。 図中、１・・・・基板、２−１．２−２・・・・金属製
ケース、３・・・・リブ、１０・・・・発振部、１１，
１２・・・・電子部品、２０・・・・増幅部、２１・・
・・電子部品、Ｌ、、　Ｌｆｆｉ＋　Ｌｓ・・・・スト
リップ線路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に、発振部を構成するストリップ線路及び各種
   電子部品と、増幅部を構成するストリップ線路及び各種
   電子部品を搭載し、その上を金属ケースで覆った構造の
   電圧制御発振器において、前記金属ケースを前記発振部
   を覆う部分と前記増幅部を覆う部分とに分割すると共に
   、前記発振部を覆う金属ケースの高さを該発振部が発振
   することにより振動して当該電圧制御発振器のＳ／Ｎ特
   性に悪影響を与えない高さとしたことを特徴とする電圧
   制御発振器。