JPH03106018A - 減圧化学気相成長装置 - Google Patents
減圧化学気相成長装置Info
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- JPH03106018A JPH03106018A JP24553089A JP24553089A JPH03106018A JP H03106018 A JPH03106018 A JP H03106018A JP 24553089 A JP24553089 A JP 24553089A JP 24553089 A JP24553089 A JP 24553089A JP H03106018 A JPH03106018 A JP H03106018A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、減圧化学気相成長装置、特に昇温状態且つ炉
内を大気開放状態にてウェノ１−を入炉し、その後炉内
を減圧して或膜を行う減圧化学気相戒長装置に関する。
内を大気開放状態にてウェノ１−を入炉し、その後炉内
を減圧して或膜を行う減圧化学気相戒長装置に関する。
第２図に従来の減圧化学気相成長装置の断面図を示す。
同図において、炉芯管１内にキャップ３を付犀したウェ
ハー装填治具５に、被加工の多数の半導体ウェハー６を
セットし、炉口部から入炉し、炉口をキャップ３で密閉
し、キャップ３に設けてある反応ガス導入管４から反応
ガスを導入し、ウェハー６の表面に前記反応ガスの化学
反応により所望の被膜を戊長させる。また、ウェハ一人
炉時には、炉口の反対側の炉後端側に設けている不活性
ガス導入管のバルブ８を開いて、炉後端側から炉口側へ
の不活性ガスの流れをつくって炉内への大気の浸入を防
止している。なお、図において、２は炉内を高温にする
ための加熱ヒータ、７は炉内圧力制御用バルブ、１０は
排気部である。
ハー装填治具５に、被加工の多数の半導体ウェハー６を
セットし、炉口部から入炉し、炉口をキャップ３で密閉
し、キャップ３に設けてある反応ガス導入管４から反応
ガスを導入し、ウェハー６の表面に前記反応ガスの化学
反応により所望の被膜を戊長させる。また、ウェハ一人
炉時には、炉口の反対側の炉後端側に設けている不活性
ガス導入管のバルブ８を開いて、炉後端側から炉口側へ
の不活性ガスの流れをつくって炉内への大気の浸入を防
止している。なお、図において、２は炉内を高温にする
ための加熱ヒータ、７は炉内圧力制御用バルブ、１０は
排気部である。
上述した従来の減圧化学気相成長装置では、入炉が或膜
時に近い高温状態で行われ、且つ大気開放状態で行われ
る為、大気中の酸素が炉内に侵入し、ウェハー表面が入
炉時に徐々に酸化される。
時に近い高温状態で行われ、且つ大気開放状態で行われ
る為、大気中の酸素が炉内に侵入し、ウェハー表面が入
炉時に徐々に酸化される。
そこで、この酸化を防ぐために、炉芯管密閉用のキャッ
プ３を脱去し開口すると同時に、不活性ガス導入用バル
ブ８を開けて、炉後端側から不活性ガスを導入している
が、炉口の開口面積が非常に大きいため、大気の侵入を
十分には防ぎ切れなかった。また入炉の際ウェハー面は
炉芯管軸方向に対し、垂直またはほぼ垂直に近い状態に
あり、炉後端側から導入する不活性ガスの流れ方向をさ
えぎる状態となり、炉内壁付近はある程度不活性ガスに
て置換されるが、各ウェハー間については大気が停留し
たままの状態で炉内に持込まれ、やはりウェハー表面が
酸化されてしまうという欠点がある。
プ３を脱去し開口すると同時に、不活性ガス導入用バル
ブ８を開けて、炉後端側から不活性ガスを導入している
が、炉口の開口面積が非常に大きいため、大気の侵入を
十分には防ぎ切れなかった。また入炉の際ウェハー面は
炉芯管軸方向に対し、垂直またはほぼ垂直に近い状態に
あり、炉後端側から導入する不活性ガスの流れ方向をさ
えぎる状態となり、炉内壁付近はある程度不活性ガスに
て置換されるが、各ウェハー間については大気が停留し
たままの状態で炉内に持込まれ、やはりウェハー表面が
酸化されてしまうという欠点がある。
本発明の減圧化学気相成長装置は、炉芯管開口部付近に
不活性ガス吹き出し部と排気部を不活性ガスの流れが各
ウェハー面とほぼ平行となるように対に設けて、炉口直
前にて各ウェハー間の停留大気を不活性ガスにて置換す
るようにしてい．る。
不活性ガス吹き出し部と排気部を不活性ガスの流れが各
ウェハー面とほぼ平行となるように対に設けて、炉口直
前にて各ウェハー間の停留大気を不活性ガスにて置換す
るようにしてい．る。
更に、このようにしても不活性ガス吹き出しの際に同時
に大気を巻き込み、各ウェハー間に微量の大気が停留し
てしまうので、炉内の炉口付近においても不活性ガスの
吹き出し部と排気部を設けた二重の不活性ガス置換構造
としている。そのため、従来見逃されていた各ウェハー
間に停留する酸素も完全に不活性ガスで置換される。
に大気を巻き込み、各ウェハー間に微量の大気が停留し
てしまうので、炉内の炉口付近においても不活性ガスの
吹き出し部と排気部を設けた二重の不活性ガス置換構造
としている。そのため、従来見逃されていた各ウェハー
間に停留する酸素も完全に不活性ガスで置換される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。第１図にお
いて、炉芯管１は、ヒータ２により加熱され、ウェハー
６の入炉時は、キャップ３がウェハー装填治具５と共に
上方に移動し、炉芯管開口端を密閉する。モして膜成長
時には反応ガス導入部４から反応ガスを導入し、炉内圧
力は、炉内圧力制御用バルブ７により調整する。ここで
ウェハ一人炉（上昇）時には、炉内圧力制御用バルブ７
は閉じており、炉内への大気侵入を防ぐための不活性ガ
ス導入用バルブ８が開き不活性ガスが矢印に沿って炉内
を開口端に向かって流れていく。
いて、炉芯管１は、ヒータ２により加熱され、ウェハー
６の入炉時は、キャップ３がウェハー装填治具５と共に
上方に移動し、炉芯管開口端を密閉する。モして膜成長
時には反応ガス導入部４から反応ガスを導入し、炉内圧
力は、炉内圧力制御用バルブ７により調整する。ここで
ウェハ一人炉（上昇）時には、炉内圧力制御用バルブ７
は閉じており、炉内への大気侵入を防ぐための不活性ガ
ス導入用バルブ８が開き不活性ガスが矢印に沿って炉内
を開口端に向かって流れていく。
また同時に、炉外不活性ガス吹き出し部９から不活性ガ
スを入炉中のウェハーに向けて吹き出し、その延長線上
に設置された炉外排気部１０から排気し、炉口付近の大
気を若干巻き込みながらも各ウェハー間の大気を不活性
ガスにある程度置換する。さらに炉内不活性ガス吹き出
し部１１から同様に不活性ガスを吹き出し、その延長線
上に設置された炉内排気部１２で排気して各ウェハー間
に僅かに停留した大気を不活性ガスにより置換する二重
の置換機構を設けている。
スを入炉中のウェハーに向けて吹き出し、その延長線上
に設置された炉外排気部１０から排気し、炉口付近の大
気を若干巻き込みながらも各ウェハー間の大気を不活性
ガスにある程度置換する。さらに炉内不活性ガス吹き出
し部１１から同様に不活性ガスを吹き出し、その延長線
上に設置された炉内排気部１２で排気して各ウェハー間
に僅かに停留した大気を不活性ガスにより置換する二重
の置換機構を設けている。
以上説明したように本発明は、炉後端側から不活性ガス
を導入し、炉口直前部分と炉内の炉口付近とに二重に不
活性ガス置換機構を有することにより、ウェハ一人炉時
の炉内への酸素持ち込み量を大幅に抑えることが可能と
なり、更に各ウェハー間の停留大気（特に酸素）も同様
に抑えられるため、入炉時のウェハー表面の酸化が十分
抑えられるという効果がある。従って、例えばシリコン
ウェハー上に多結晶シリコンを戒長させて、両者の導通
をとる場合、入炉時の酸素の侵入により二酸化ケイ素が
シリコンウェハー表面と多結晶シリコンの間に形成され
、その間の導通を妨げてしまうという問題が解決できる
。
を導入し、炉口直前部分と炉内の炉口付近とに二重に不
活性ガス置換機構を有することにより、ウェハ一人炉時
の炉内への酸素持ち込み量を大幅に抑えることが可能と
なり、更に各ウェハー間の停留大気（特に酸素）も同様
に抑えられるため、入炉時のウェハー表面の酸化が十分
抑えられるという効果がある。従って、例えばシリコン
ウェハー上に多結晶シリコンを戒長させて、両者の導通
をとる場合、入炉時の酸素の侵入により二酸化ケイ素が
シリコンウェハー表面と多結晶シリコンの間に形成され
、その間の導通を妨げてしまうという問題が解決できる
。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の減
圧化学気相戊長装置の断面図である。 １・・・・・・炉芯管、２・・・・・・ヒータ、３・・
・・・・キャップ、４・・・・・・反応ガス導入部、５
・・・・・・ウェハー装填治具、６・・・・・・ウェハ
ー ７・・・・・・炉内圧カ制御用バルブ、８・・・・
・・不活性ガス導入用バルブ、９・・・・・・炉外不活
性ガス吹き出し部、１ｏ・・・・・・炉外排気部、１１
・・・・・・炉内不活性ガス吹き出し部、１２・・・・
・・炉内排気部。
圧化学気相戊長装置の断面図である。 １・・・・・・炉芯管、２・・・・・・ヒータ、３・・
・・・・キャップ、４・・・・・・反応ガス導入部、５
・・・・・・ウェハー装填治具、６・・・・・・ウェハ
ー ７・・・・・・炉内圧カ制御用バルブ、８・・・・
・・不活性ガス導入用バルブ、９・・・・・・炉外不活
性ガス吹き出し部、１ｏ・・・・・・炉外排気部、１１
・・・・・・炉内不活性ガス吹き出し部、１２・・・・
・・炉内排気部。
Claims (1)
- 炉芯管を用いた減圧化学気相成長装置において、装填治
具にセットされて前記炉芯管に入炉される多数の半導体
ウェハー間の停留大気を不活性ガスにて置換するための
２重の不活性ガス吹出し、排気機構が前記炉芯管炉口近
傍に設けられていることを特徴とする減圧化学気相成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24553089A JPH0821551B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 減圧化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24553089A JPH0821551B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 減圧化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106018A true JPH03106018A (ja) | 1991-05-02 |
| JPH0821551B2 JPH0821551B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=17135063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24553089A Expired - Lifetime JPH0821551B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 減圧化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821551B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP24553089A patent/JPH0821551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821551B2 (ja) | 1996-03-04 |
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