JPH0310710B2 - - Google Patents

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JPH0310710B2
JPH0310710B2 JP59243544A JP24354484A JPH0310710B2 JP H0310710 B2 JPH0310710 B2 JP H0310710B2 JP 59243544 A JP59243544 A JP 59243544A JP 24354484 A JP24354484 A JP 24354484A JP H0310710 B2 JPH0310710 B2 JP H0310710B2
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JP
Japan
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wafer
source
dome
vacuum chamber
drive shaft
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JP59243544A
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JPS60200964A (ja
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Uorutaa Buraun Junia Uiriamu
Jakuson Karii Uein
Pii Daruke Geruharuto
Seodoa Rapuru Furanshisu
Ansonii Totsuta Hooru
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International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication of JPH0310710B2 publication Critical patent/JPH0310710B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7618Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating carrousel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/33Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H10P72/3306Horizontal transfer of a single workpiece

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被処理体(ワークピース)に材料の
層を真空蒸着するための装置に係り、更に具体的
に云うと本発明は付着させるべき材料の源(ソー
ス)上にワークピースを最適な状態に配置するた
めの装置に係る。
〔従来技術〕
適当なソースからワークピース上に材料の層を
真空蒸着する技術は多様な応用面に於いて用いら
れている。例えば、真空蒸着は光学レンズのコー
テイング、磁気ヘツドの製造、IC並びに同類の
デバイスの製造等に用いられる。半導体デバイス
の製造に於ける半導体ウエハ上に導電性の金属及
び誘電性薄膜を付着させる技術は広範囲に用いら
れている。被覆プロセスに於いて、半導体ウエハ
の基板上に蒸発したソース材料を付着する際に回
転されるウエハ・ドームの中に配置される。付着
工程に於けるウエハ・ドームの回転によつて半導
体ウエハのバツチ全体の付着厚の均質性が改良さ
れる。
しかしながら半導体のウエハの直径が増し、付
着装置の寸法が大きくなるにつれて、バツチ処理
される半導体ウエハに対して不均一な厚さの付着
が行なわれる傾向が増加する。今日製造されてい
る真空蒸着装置は真空チヤンバ内の種々の位置に
配置された複数のソース材を用いる。結果とし
て、バツチ処理される一群のウエハ上に付着され
る材料のソースの上にウエハ・ドームが中心合わ
せされず、よつて不均一な付着が生じる。不均一
な付着の問題はウエハの端部及びウエハを通るバ
イア(vias)に於いて特に顕著である。理想的に
はウエハ・ドームの中心を蒸発中の材料のソース
の中心の真上に配置する事が望ましい。その様な
配置によつて、およそ0゜に等しいウエハ上の蒸着
の入射角が生じる。ウエハに対する入射角が増す
につれて、不均一の問題が悪化する。蒸着の入射
角はソースの中心からウエハ・ドームの中心に伸
びる線とウエハ・ドームに接する線に垂直なソー
スの中心から伸びる線との間の角度差として定義
される。
多重ソース付着装置に於いて、例えばPb/Sn、
Cr、MgO及びSiの様な広範囲の異なる材料を蒸
発させる事は普通行なわれない。これらの異なる
ソース材料は異なつた蒸発レートを有し、蒸発さ
れるソースから半導体ウエハまでの距離をソース
材料に依存して変える事が必要である。結果とし
て、ウエハ・ドームを蒸発されるソースの上に中
心合わせするだけでなく、ウエハ・ドームと蒸発
されるソースとの間の距離を変更しうる様にする
事が必要である。
従来の付着装置に於いては、ウエハ・ドームの
様な基板ホルダーの線形的及び回転的な移動が行
なわれる。即ち、ウエハ・ドームを蒸発ソースの
まわりに回転させる事ができ、更にウエハ・ドー
ムをソースから異なる距離のところに配置する事
ができる。しかながら、従来の装置に於いては、
ウエハ・ドームを蒸発ソースの上に中心合わせ
し、更にソースに関してウエハ・ドームを回転移
動及び線形移動させるものは存在しない。結果と
して、ウエハの表面上の蒸発物質の入射角の調整
が行なわれない事になる。複数のソースを用いる
真空蒸着装置に於いて、これらのソースのうちの
いくつかがウエハ・ドームの中心から12度あるい
はこれより大きい角度すれる事が考えられる。バ
ツチ処理される一群のウエハ全体にわたつて生じ
る厚さ分布は現在の高密度ICに対しては全く受
容れ難いものである。
チヤンバ内でウエハ・ドームを動かすための遊
星駆動機構を有する真空蒸着装置も同様に不適切
である。遊星駆動機構は真空装置内部に於いて粒
子を生じる。粒子は蒸着されているウエハに付着
し、遊星装置内部に於いて蒸着をうけているバツ
チ処理される一群のウエハから形成されるICを
動作の不可能なものにする。この粒子発生問題
は、より微細な幾何パターンを有するICに於い
て特に顕著になる。蒸発されるソースと半導体ウ
エハとの間の入射角が12゜にもなり得る点からし
て、これらの遊星駆動システムには更に厳しい問
題が存在する。バツチ処理によつて蒸着された一
群のウエハ全体の厚さ分布が非常に広範囲にな
る。前述の様に、この厚さ分布の不均一の問題は
ウエハの直径が増すにつれて増大する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明が解決しようとする問題点即ち本発明の
目的は、半導体ウエハの様なワークピースが蒸発
ソースのまわりに回転され、該ソースの上に於い
て中心合わせされ、そしてソースから異なる距離
の位置に移動される様な真空蒸着装置を提供する
事である。
本発明の更に他の目的は、蒸着を行うワークピ
ースを複数のソースのうちの選択されたソースの
上に中心合わせする事ができる多重ソースを用い
た真空蒸着装置を提供する事である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は真空状態の下に於いて半導体ウエハの
様なワークピース上に均一な材料の層を付着させ
るための装置に係る。真空蒸着は半導体ウエハへ
付着される1個以上のソースを用いる真空チヤン
バ内において行なわれる。バツチ処理する一群の
ウエハを蒸着プロセスの間ウエハ・ドームに固定
しておく。ウエハ・ドームは蒸発されるソースか
ら異つた距離まで移動させる事ができる。ウエ
ハ・ドームはソースまわりに回転させる事も可能
である。更にウエハ・ドーム全体が蒸発されるソ
ースに対して整列される。
真空チヤンバの頂上部に円形の開口が設けられ
る。一端がウエハ・ドームへ接続された駆動シヤ
フトがチヤンバの中心軸に対して偏心した状態で
その開口を通り、真空チヤンバの外部迄伸びる。
駆動シヤフトは更に回転シーリング組立体、回転
線形シーリング・アクチユエータを通り、DCモ
ータがそのシヤフトの他端に接続される。ステン
レス・スチールの支持プレートが真空チヤンバの
頂上部にろう付けされる。支持プレートは真空チ
ヤンバに於ける開口と一致した孔を有している。
上記プレートはウエハ・ドームを駆動するための
真空チヤンバの外部に配置された装置を支持する
のに必要な機械的な強度を与える。
回転シーリング組立体は3個の別個の部分から
成る。第1の部分はステンレス・スチール支持プ
レートにボルト付けされた環状の取付組立体であ
る。円形の回転シーリング組立体は真空密封シー
ルを呈する様に取付組立体に嵌合される。円形回
転シーリング組立体は、ステンレス・スチール製
のシーリング・プレートが密封しうる様に取付け
られた外方に伸びる唇状部を有している。シーリ
ング・プレートは開口を有しており、この開口を
通して駆動シヤフトが伸びている。
回転−線形シーリング・アクチユエータはこの
開口まわりにシーリング・プレートの上部に於い
て密封する様にボルト付けされる。駆動シヤフト
はこの回転−線形シーリング・アクチユエータを
通つてDCモータまで伸びている。このシーリン
グ・アクチユエータは駆動シヤフトまわりの真空
密封手段となる。DCモータは駆動シヤフトひい
てはウエハ・ドームを回転させる。回転−線形シ
ーリング・アクチユエータに隣接してステンレ
ス・スチールのシーリング・プレート上に空気シ
リンダが設けられる。空気シリンダは空気によつ
て働く棒状体を備えている。棒状体はその移動に
よつてDCモータを内部へ向つて及び外部へ向つ
て移動させるためにモータに隣接するプレートと
係合する。従つて、空気シリンダによつて真空チ
ヤンバ内のウエハ・ドームが内部方向へ及び外部
方向へ移動される。
更にシーリング・プレートに対してギヤ駆動機
構が接続される。この機構がシーリング・プレー
トと回転シーリング組立体を360゜回転させる。こ
の360゜の回転によつて、駆動シヤフト上に取付け
たウエハ・ドームは真空チヤンバの内部まわりに
偏心回転する。この偏心回転は真空チヤンバの中
心長手軸に関して駆動シヤフトをオフセツト即ち
片寄つて取付けする事によつて可能となる。ギヤ
駆動機構は回転シーリング組立体全体を歩進的に
回転させるおステツパ・モータによつて駆動され
る。
〔実施例〕
第1図及び第2図に示す様に、真空チヤンバ1
0内に蒸発体のソース17−20が配置されてい
る。ワークピース・ホルダ即ちウエハ・ドーム1
1はチヤンバ10のの内部に於いて駆動シヤフト
13によつて支持されている。矢印15及び16
によつて示すように、駆動シヤフト13ひいては
ウエハ・ドーム11は線形駆動(上下移動)され
ると共に回転される。図示してない半導体ウエハ
の様な1個以上のワークピースがウエハ・ドーム
11の下側に固定される。この様にして、ソース
17−20からの蒸発体がこれらのワークピース
即ちウエハ上に蒸着される。
駆動シヤフト13及びウエハ・ドーム11は矢
印15及び16で示す運動の他に真空チヤンバ1
0内に於いて偏心運動を呈する。例えば破線12
は、駆動シヤフト13が破線14で図示する位置
まで偏心回転される場合にウエハ・ドーム11が
移動される位置を示す。この偏心回転の細部を以
下に於いて説明する。
ステンレス・スチールの支持プレート21が真
空チヤンバ10の頂上部にろう着されている。こ
れによつて駆動シヤフト13及びドーム11を移
動させるための装置の支持体ができる。開口部4
1(第2図)がチヤンバ10及びステンレス・ス
チールの支持プレート21の一致した位置に形成
される。真空チヤンバの外部に於いて支持プレー
ト21に対して環状取付組立体22をボルト付け
する。円形のシーリング組立体23が取付組立体
22に嵌合されて真空シールを提供する。O状リ
ング36は取付組立体22及び支持プレート21
の間の真空密封を助長する。シーリング組立体2
3は取付組立体22内に於いて360゜にわたつて自
由に回転する。回転シーリング組立体23にスロ
ツトが設けられ、それを通して駆動シヤフトが伸
びている。このスロツトはシーリング組立体23
及び真空チヤンバ10の両者の中心の長手軸に関
してオフセツトした状態即ち片寄つた状態に設け
られる。ウエハ・ドーム11の所要のの偏心回転
を行わせるために、駆動シヤフト13はシーリン
グ組立体23及び真空チヤンバ10の両者の中央
長手軸に関してオフセツト状態に即ち偏心した状
態に設けられねばならない。シーリング組立体2
3及び真空チヤンバ10は同じ中央長手軸を有し
てもよいし、そうでなくてもよい。
シーリング・プレート24はシーリング組立体
23にボルト付けされる。Oリング37が組付組
立体23に対するシーリング・プレート24の真
空密封体として働らく。シーリング・プレート2
4は取付組立体23に固定されるので、両者は共
に回転する。
回転−線形シーリング・アクチユエータ25が
Oリング38を用いてシーリング・プレート24
に対して密封状態に取付けられる。駆動シヤフト
13は回転−線形シーリング・アクチユエータ2
5の全長を通して伸びている。駆動シヤフト13
はDCモータ26に於いて成端している。DCモー
タ26はシヤフト13及びドーム11を選択され
たソース17−20の1つのまわりに於いて回転
させる。シヤフト13のまわりに取付けた一方向
クラツチ31によつてこの回転が行なわれる。モ
ータ26に対する電力はケーブル51によつて供
給される。
空気シリンダ27がシーリング・プレート24
に取付けられ、駆動シヤフト13ひいてはウエ
ハ・ドーム11を線形運動させる。空気シリンダ
27の棒状体29がプレート28に係合してお
り、プレート28はモータ26に接続されてい
る。空気導入管32及び33が空気シリンダ27
の内部への及び外部への棒状体29の駆動を制御
する。真空チヤンバ10に於いてウエハ・ドーム
11を上げたい場合、棒状体が空気シリンダ27
から外へ伸びて、プレート28ひいてはモータ2
6を押す。駆動シヤフト13へ接続したモータ2
6のこの運動によつて、チヤンバ10に於いてウ
エハ・ドーム11が上がる。ウエハ・ドームを下
げたい場合には、棒状体29を空気シリンダ27
内へ引戻す。この時モータ26も下がる。これに
よつて、シヤフト13がモータ26に接続されて
いるので、ウエハ・ドーム11はチヤンバ11の
内部に於いて下降する。
ステンレス・モータ35及びシーリング・プレ
ート24の間に設けられたギヤ駆動機構34によ
つて、真空チヤンバ10の開口41内に於けるシ
ーリング部材23及びシーリング・プレート24
の回転が可能となる。ギヤ駆動機構34に結合さ
れたステツプ・モータ35によつてシーリング組
立体23及びシーリング・プレート24の360゜の
歩進的回転運動が行なわれる。結果として、ウエ
ハ・ドーム11はチヤンバ10内において完全に
360゜動かされる。DCモータ26及び空気シリン
ダ27と共に、ステンレス・モータ35及びギヤ
駆動機構34によつてウエハ・ドーム11はチヤ
ンバ10内において360゜の回転路の任意の位置ま
で移動でき、その位置のまわりに回転され、そし
てチヤンバ10内において内部方向へ及び外部方
向へ移動され、従つて真空チヤンバ10内のソー
ス17−20から任意の距離のところに配置され
る。
夫々ステンレス・スチールのプレート21に対
する取付組立体22のシーリング組立体23に対
するシーリング・プレート24の並びにステンレ
スのシーリング・プレート24に対する回転一線
形シーリング・アクチユエータ25の密封は全て
いわゆるフエロフルイド・シール(ferrofluidic
seals)を用いて行なう。公知の様にフエロフル
イド・シールは主要な密封防壁として磁性流体の
非摩耗性Oリングを用いる。このシールは動的な
シール部材として磁性液体を捕獲する一連の高強
度の磁界を生じる。磁性液体即ちフエロフルイド
はキヤリヤ液体中に於ける磁性粒子のコロイド懸
濁体である。
動作を説明すると、例えば半導体ウエハの様な
ワークピースをウエハ・ドーム11の中に装荷す
る。蒸発体を蒸着させるウエハの表面はソース1
7−20に向ける。駆動ギヤ34及びステツピン
グ・モータ35を用いて、蒸発されている特定の
ソースの中心と整列される様にウエハ・ドーム1
1の中心を歩進的にステツプ動作させる。例えば
第1図に示す様に、ソース18をウエハに蒸着さ
せる場合、ウエハ・ドーム11を破線12で示す
位置まで移動させる。駆動シヤフト13は破線1
4(シヤフト13の新規な位置を示している)で
示す様にソース18と整列される。実施例に於い
ては、ソース17−20はチヤンバ10内の円の
周辺に沿つて配置されている。結果として、駆動
シヤフト13(シーリング組立体23の中心に対
して片寄つた位置に取付けられている)はこれと
同じ円形の通路を辿る。ウエハ・ドーム11の中
心を蒸発させているソースの上に配置する事によ
つて、ウエハ・ドーム11内のウエハ全体にソー
ス17−20の1つから蒸発体の不均一な蒸着が
実質的に回避される。
蒸発されているソースの上にウエハ・ドーム1
1が一旦中心合わせされると、チヤンバ10の内
部に於いてウエハ・ドーム11を内部へ向つて及
び外部へ向つて移動させる様に空気シリンダ27
が駆動される。ソース17−20から異なつた距
離の位置にウエハ・ドーム11を配置する必要性
は蒸発体がソース17−20の各々から生成され
る速度が異なる事によつて生じる。
第2図はソース18上にウエハ・ドーム11が
中心合わせされた様子を明示している。ソース1
8の中心は点43で示す十字マークの交点によつ
て示す。図示する様ににウエハ・ドーム11はソ
ース18の上に中心合せされている。もしもソー
ス17,19もしくは20の1つを半導体ウエハ
上に蒸着したい場合には、夫々ソース17,19
もしくは20の中心点44,46もしくは45の
上にウエハ・ドーム11の中心が配置される様に
ウエハ・ドーム11を移動させる。点42は開口
41及びシーリング組立体23の中心である。第
2図は開口41及びシーリング組立体23の中心
に対するウエハ・ドーム11の片寄つて配置され
る様子を明示している。
ウエハ・ドーム11がソース17−20のうち
の選択された1つのソースと整列する様移動さ
れ、ソース17−20のうちの選択された1つの
ソースから適当な距離の位置まで移動されたの
ち、ウエハ・ドーム11はその位置に於いてDC
モータ26によつて回転される。この時点に於い
て、ソース17−20のうちの選択されたソース
の蒸発が開始される。
たとえば多重蒸着プロセスが必要であつても、
真空チヤンバ10は蒸着プロセス相互間に於いて
開く必要がない。例えば、ソース18がドーム1
1に固定したウエハ上に蒸着されたのちに、ソー
ス19から同じウエハに蒸発体を蒸着したい場
合、ウエハ・ドーム11はソース19と整列する
様に移動される。次にウエハ・ドーム11はソー
ス19から適当な位置まで移動されて、第2の蒸
着プロセスが開始される。結果として、半導体ウ
エハ上に付着されるべき所定の蒸発体のソースが
チヤンバ10内に存在する限り、真空チヤンバ1
0内に接近する必要なく多重蒸着プロセスを実行
する事ができる。
〔発明の効果〕
上記の如く本発明によつてワークピースに於け
る不均一な蒸着が実質的に回避されると共に、本
発明に於いては真空チヤンバを各ソースの蒸着毎
に開ける必要を伴なう事なく多重ソースの蒸着を
実施する事ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による真空蒸着装置の図、第2
図はソースとウエハ・ドームの位置関係を説明す
る図である。 10……真空チヤンバ、11……ウエハ・ドー
ム、13……駆動シヤフト、17,18,19,
20……ソース、21……支持プレート、22…
…取付組立体、23……シーリング組立体、24
……シーリング・プレート、25……シーリン
グ・アクチユエータ、26……DCモータ、34
……ギヤ駆動機構、35……ステツプ・モータ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 真空チヤンバ内に於いてワークピースを少く
    とも偏心的に及び回転的に移させるためのワーク
    ピース移動装置であつて、 上記真空チヤンバ内に設けたワークピース・ホ
    ルダと、 一端が上記ワークピース・ホルダに接続され、
    上記真空チヤンバの長手中心軸に対して偏心した
    位置に於いて上記真空チヤンバに於ける開口を通
    して伸びる駆動シヤフトと、 上記真空チヤンバ内に於いて上記ワークピー
    ス・ホルダを偏心的に駆動するために上記駆動シ
    ヤフトに対して結合された第1の駆動手段と、 上記真空チヤンバ内に於いて上記ワークピー
    ス・ホルダを回転的に駆動するための、上記駆動
    シヤフトの他端に接続した第2の駆動手段とを有
    する事を特徴とするワークピース移動装置。
JP59243544A 1984-03-23 1984-11-20 ワ−クピ−ス移動装置 Granted JPS60200964A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US592964 1984-03-23
US06/592,964 US4583488A (en) 1984-03-23 1984-03-23 Variable axis rotary drive vacuum deposition system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60200964A JPS60200964A (ja) 1985-10-11
JPH0310710B2 true JPH0310710B2 (ja) 1991-02-14

Family

ID=24372789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59243544A Granted JPS60200964A (ja) 1984-03-23 1984-11-20 ワ−クピ−ス移動装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4583488A (ja)
EP (1) EP0158133B1 (ja)
JP (1) JPS60200964A (ja)
DE (1) DE3583056D1 (ja)

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