JPH03108391A - 光集積回路装置及び集積回路用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光集積回路を配線基板上に実装して成る光集
積回路素子、及び光集積回路素子、半導体集積回路素子
等を収納する集積回路用パッケージに関する。

〔発明の概要〕

本発明は、光集積回路を基板上に実装して成る光集積回
路装置において、基板を光集積回路の光路を横切るよう
に配置し、基板の上記光路に対応する位置に光学的透孔
を設けて構成することによって、光集積回路の迷光成分
の低減、光入出力間のストロークの低減等を可能にした
ものである。

また、本発明は、集積回路用パッケージ即ち光集積回路
素子、半導体集積回路素子等の集積回路素子を収納する
中空パッケージにおいて、外部リード電極をパッケージ
本体の側壁に沿って蓋体（窓を含む）側に延長形成して
構成することによって、パッケージの配線基板に対する
実装、集積回路素子の針量てによる検査測定、ソケット
を用いた検査測定の場合の該ソケット設計等を容易に行
えるようにしたものである。

（従来の技術〕 近時、光集積回路の開発が進められている。光集積回路
素子を配線基板に実装する際には、通常の高速半導体集
積回路と同様に機能部を配線基板上に配し半田付けを行
うことが多い。第１３図はその一例を示すものであり、
同図中、（１）は光ファイバを用いない光集積回路、（
２）は光ファイバ（３）を用いた光集積回路、（４）は
配線基板を示す。光集積回路（１）は例えば外部リード
（６）を導出したパッケージ（７）内に発光素子、又は
／及び受光素子、周辺回路等を組込んだ光集積回路素子
（８）が封入され、入出力光（１０）が窓部（９）を通
して得られるように構成される。また、光ファイバーを
用いた光集積回路（２）は発光素子又は／及び受光素子
（１１）を有する光集積回路素子（１２）を、外部リー
ド（６）が導出されたパッケージ（３）内に封入し、パ
ッケージ（１３）内より外部に延在する光ファイバー（
３）の一端を発光素子又は／及び受光素子（１１）に近
接して構成される。

そして、光集積回路（１）は窓部（９）を上に向けるよ
うにして外部リード（６）を配線基板（４）の配線パタ
ーン（４ａ）に半田付けして実装される。

また、光ファイバー（３）を用いた光集積回路（２）に
おいてもパッケージ（１３）の裏面を配線基板（４）に
対向するようにして外部リード（６）を配線基板（４）
の配線パターン（４ａ）に半田付けして実装される。

一方、上述のような光集積回路素子、或は通常の半導体
集積回路素子を封入する中空パッケージとしては第１４
図に示すようなものが知られている。

この中空パッケージ（２１）はパッケージ本体（２２）
と窓ガラス或はキャップ等による所謂蓋体（２３）から
成り、外部リード（２４）が集積回路素子（例えば■Ｃ
Ｃペッツ　（２５）　）のグイボンド・パッド側に導出
して構成される。ＩＣベレット（２５）はパッケージ本
体（２２）内にグイボンドされると共に、内部リード（
２６）にワイヤーリード（２７）を介して接続され、パ
ッケージ本体（２２）上部に蓋体（２３）が配されて封
入される。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述の光集積回路、例えば光ファイバを用いない光集積
回路（１）においては、光入出力が能動素子側にあるた
め、迷光信号の混入や光入出力間のクロストーク等が発
生する危険性があった。また、画集積回路（１）及び（
２）共に、パッケージ裏面が配線基［（４）に近接対向
しているので、パッケージ裏面からの中空への熱放散性
が良くないことも多い。

配線基板（４）の熱伝導性が悪い場合、又は配線基板（
４）の局所的温度上昇を嫌う場合には特に不都合が生じ
ていた。更に、第１３図の実装では、配線基板側の配線
パターン（４ａ）とパッケージ側の外部リード（６）と
の相互関係、パッケージ（７）、　（１３）と光集積回
路素子（８）、　（１２）との相互関係で誤差が発生す
るため、光集積回路素子の配線基板（４）上の位置精度
が出しにくいものであった。

一方、第１４図に示す従来のパッケージ（２１）では、
熱放散性が悪（、またパッケージ内に封入した後の集積
回路素子（２５）に対する針立て検査測定が困難である
。ところで、熱放散性と集積回路素子の針立て検査測定
を容易にし、或はソケットを用いても検査測定し易いよ
うなパッケージを設計しようとすると、例えば第１５図
に示すように、セラミックのパッケージ本体（２２）の
底部に集積回路素子（２５）をグイボンドするためのメ
タル・グイボンドパッド部（２８）を有し、内部リード
（２６）に連続してメタライズ層による外部リード（２
９）をパッケージ本体（２２）の側壁に沿ってグイボン
ドパッド部（２８）側に延在せしめて成るパッケージ（
３０）が考えられる。

しかし乍ら、このようなパッケージ（３０）においては
、配線基板に対しての半田付けが困難であること、また
、検査測定用のソケットの構造設計が困難であり、針立
て検査測定も無理である等の欠点があった。

本発明は、上述の点に鑑み、特に迷光成分の低減、光入
出力間のストロークの低減等を可能にした光集積回路装
置を提供するものである。

又、本発明は、配線基板に対しての半田付けが容易に行
え、針立て検査測定、検査測定用のソケットの設計等が
容易に行い得るようにした集積回路用パッケージを提供
するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光集積回路装置は、光集積回路（７２）を、そ
の光集積回路の光路を横切るように配置した基板（７３
）上に実装し、基板（７３）の上記光路に対応する位置
に光学的透孔（７９）を設けて構成する。基板（７３）
としてはプリント配線基板の他フレキシブル配線基板、
ハイブリッドＩＣ用金属基板、　Ｓｔ基板等を適用でき
る。

また、本発明の集積回路用パッケージは、集積回路素子
を収納する中空パッケージにおいて、外部リード電極（
３９）をパッケージ本体（３４）の側壁に沿って蓋体（
３５）側に延長形成して構成する。

〔作用〕

上述の光集積回路装置によれば、光集積回路（７２）の
光路を横切るように配した基板（７３）上に光集積回路
（７２）を実装し、基板の光路に対応する位置に光学的
透孔（７９）を設けるようにしたので、光集積回路（７
２）の光入力又は／及び光出力は基板（７３）の透孔（
７９）を選択的に通過する。従って、例えば光入力につ
いてみれば、入力信号光以外の迷光成分は基板（７３）
により遮蔽され、透孔（７９）のみを通過する入力信号
光への迷光成分の混入が防止される。また、光入出力間
のストロークも低減される。

光集積回路素子（７６）はパッケージ（７５）内に収納
されているが、光路が基板（７３）に向いているために
光集積回路素子（７６）のグイボンドパッド側（即ちパ
ッケージ裏面側）は基板（７３）と対向していない。従
ってパッケージ裏面側に放熱フィン（８２）等を付加し
易く、また基板側への放熱が抑制される等、熱放散性が
向上する。

次に、上述の集積回路用パッケージ（３６）　（４７）
によれば、外部リード電極（３９）をパッケージ本体（
３４）　（４５）の側壁にそって蓋体（３５）　（４６
）側に延長形成して構成されるので、配線基板上に実装
する際に、配線基板の配線パターンに対しての半田付け
が容易となる。また、計重て検査測定が容易になり、ソ
ケットを用いた検査測定でのソケットの設計が容易とな
る。さらに、配線基板への実装では集積回路素子のグイ
ボンドパッド側が配線基板より離れるので、熱放散性が
よく、配線基板に対しでも熱的影響を与えない。

〔実施例〕

先ず、第６図乃至第１２図を用いて本発明に係る集積回
路用パッケージの実施例について説明する。

この集積回路用パッケージは、半導体集積回路。

光集積回路等に適用されるものである。

第６図の実施例においては、底部（３２）と周側壁（３
３）が一体層された例えばセラミック等の絶縁材からな
るパッケージ本体（３４）と、パッケージ本体（３４）
の上部開口部を閉塞する例えばセラミック等によるキャ
ップ（或は窓ガラス）等の所謂蓋体（３５）とにより中
空パッケージ（３６）が構成される。

パッケージ本体（３４）の開口部側の上部では、蓋体（
３５）が嵌着するように蓋体（３５）の厚みｔに対応す
る段差部（３７）が形成される。そして、パッケージ本
体（３４）の内底面には所定パターンの内部リード（３
日）が導電層（例えばメタライズ層）により形成される
と共に、内部リード電極（３８）に連続する外部リード
電極（３９）が側壁（３３）のスルーホール（４０）を
通して側壁（３３）の外面に沿って開口部側に延長し、
さらに側壁上面即ち蓋体の枠に相当する上面に延長する
ように形成される。この外部リード電極（３９）は導電
層（例えばメタライズ層）にて形成される。このパッケ
ージ（３６）では、例えばＩＣＣペッツ　（２５）がパ
ッケージ本体（３４）の内底面にグイボンドされ、ＩＣ
ベレン）　（２５）の各電極とパッケージ側の内部リー
ド電極（３８）間がワイヤリード（２７）を介して接続
される。そして、パッケージ本体（３４）の上部段差部
（３７）に蓋体（３５）が封止される。

第７図の実施例においては、底部中央が例えばリードフ
レームによるメタル・グイボンドパッド部（４２）で形
成され、底部周辺（４３）と周側壁（４４）がセラミッ
ク等の絶縁材で形成されたパッケージ本体（４５）と、
パッケージ本体（４５）の上部開口部を閉塞する窓ガラ
ス或はセラミック等によるキャップ等の所謂蓋体（４６
）とにより中空パッケージ（４７）が構成される。そし
て、上側と同様にパッケージ本体（４５）の開口部側の
上部では蓋体（４６）が嵌着するように段差部（３７）
が形成される。

また、パッケージ本体（４５）のセラミックの内底部（
４３）に所定パ・ターンの内部リード電極（４８）が導
電層（例えばメタライズ層）により形成されると共に、
内部リード電極（４８）に連続する導電層からなる外部
リード電極（４９）がスルーホール（５０）を通してパ
ッケージ本体（４５）の側壁（４４）の外面に沿って開
口部側に延長し、さらに側壁上面に延長するように形成
される。このパッケージ（４７）では、例えばＩＣペレ
ット（２５）がパッケージ本体（４５）内のメタル・ダ
イボンドパッド部（４２）上にグイボンドされ、ＩＣペ
レット（２５）の各電極と内部リード電極（４８）間が
ワイヤリード（２７）を介して接続され、蓋体（４６）
がパッケージ本体（４５）の段差部（３７）に封止され
る。

この第７図のパッケージ（４７）の具体例を第９図〜第
１２図に示す。この具体例においては、第９図及び第１
０図に示すように互に積層する３つのセラミックの枠状
板（５２）　（５３）　（５４）と、最下層の第１の枠
状板（５２）の裏面に之を閉塞するように接合されたリ
ードフレームよりなるメタル・ダイボンドパッド部（４
２）とによりパッケージ本体（４５）が形成される。

３つの枠状板（５２）、　（５３）及び（５４）は夫々
その枠幅（ｄ、）、　（ｄｘ）　、　（ａ３）がｄｌ＞
ｄｚ＞ｄ３となるように形成され、上層の第３及び第２
の枠状板（５４）及び（５３）によって蓋体（４６）が
嵌着される段差部（３７）が形成される。

なお、下層の第１の枠状板（５２）においては一方の相
対向する辺の枠幅ｄ、がその上の第２の枠状板（５３）
の対応する辺の枠幅ｄ２より大となってここに第１２図
に示すような所定パターンの内部リード電極（４８）が
形成されるも、他方の相対向する辺の枠幅は第２の枠状
板（５３）の枠幅ｄ２と同一に形成される。

枠状板（５２）〜（５３）で構成したパッケージ本体（
４５）の一方の相対向する外側壁には内部リード電極（
４８）の数に対応して複数の溝部（５６）が全高さにわ
たって等間隔をもって形成される。

そして、各内部リード電極（４８）に接続するように、
パッケージ本体（４５）の外側壁の溝部（５６）内を開
口部側に沿って、さらに第３の枠状板（５４）の上面に
まで延長するように導電層（例えばメタライズ層）から
なる外部リード電極（４９）が形成される。

この溝部（５６）は後の針立て検査測定に際して測定探
子（電極）のガイドとしても作用する。

このようなパッケージ本体（４５）の形成は、第１１図
に示すようにメタル・グイボンドパッド部となるリード
フレーム（５８）上に内部リード電極（４８）及び外部
リード電極（４９）を形成してなる３つの枠状板（５２
）　＜５３）及び（５４）を一体層したものを、複数個
配置接合して後、リードフレーム（５８）の連結部を切
断して複数個同時に形成するようになす。

上述の第６図及び第７図（具体例第９図）のパッケージ
（３６）、　（３７）によれば、いずれも導電層による
外部リード電極（３９）をパッケージ本体（３４）。

（４５）の側壁に沿って蓋体（３５）、　（４６）側に
延長して形成したので、例えば第８図に示すように配線
基板（６０）上に実装する際、配線パターン（６０ａ）
に対する外部リード電極（４９）との半田付け（６１）
が容易且つ確実に行うことができる。

また、ＩＣペレット（２５）をパッケージ（３６）　、
　（４７）内に封入した後のＩＣペレット（２５）の検
査測定に際して、針立てによる検査測定を容易に行うこ
とができる。この外部リード電極においては上からの針
立て検査測定等を容易にする。

また、ソケットによる検査測定の場合においててもその
ソケット設計が容易となり、ソケットとパッケージの外
部リード電極（３９）間のコンタクトの信鯨性を向上す
ることができる。

さらに第７図（具体例第９図）においてはメタル・ダイ
ボンドパッド部（４２）を有しており、配線基板（６０
）に対する実装では、このメタル・ダイボンドパッド部
（４２）が配線基板（６０）の反対側に存するので熱放
散性が良好となると共に、配線基板（６０）に対する熱
的影響を回避することができる。

なお、上側では外部リード電極（３９）を蓋体（３５）
。

（４６）側だけに延長形成したが、その他ソケットのコ
ンタクト性を考慮したときには図示せざるも、外部リー
ド電極（３９）を蓋体側と共に、グイボンドパッド側に
も延長形成するようにしてもよい。

また、上側では外部リード電極（３９）をパンケージ本
体（３４）　、　−（４５）の上面にまで延長して形成
したが、場合によってはこの上面の外部リード電極を省
略することも可能である。

次に、第１図乃至第５図を用いて本発明に係る光集積回
路装置の実施例を説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すもので、光入出力の方
向が同じ場合である。同図中、（７１）は光集積回路装
置を全体として示し、（７２）はその光集積回路、（７
３）はこれを実装する配線基板を示す。

光集積回路（７２）は光学的窓部（７４）を有するパ・
ノケージ（７５）内に例えば発光素子、受光素子１周辺
回路等を一体に形成した光集積回路素子（７６）が収納
され、パッケージ（７５）の外部リード（７７）が窓部
（７４）側に折曲されて成る。光集積回路素子（７６）
の入出力光（信号）　（７Ｂ）は窓部（７４）を通過す
るようになされる。

このパッケージされた光集積回路（７２）は、配線基板
（７３）上に窓部（７４）が配線基板（７３）と対向す
るように配され、その外部リード（７７）と配線基板（
７３）の配線パターン（７３ａ）とを半田付は若しくは
銀ペースト付は等により接続して実装される。そして配
線基板（７３）には光集積回路（７２）の入出力光（７
８）の光路に対応する位置に透孔（７９）が形成され、
光集積回路（７２）の入出力光（７Ｂ）が選択的にこの
透孔（７９）を通過するようになされる。即ち、換言す
れば配線基板（７３）は光集積回路（７２）の光路を垂
直に横切るように配置されて、その光路と配線基板の透
孔（７９）とが一致する位置に光集積回路（７２）が実
装される。外部リード（７７）としては、デュアルイン
　ライン型、ハーメチックリード、ガルウィング型等、
種々の場合に適用可能である。

かかる構成の光集積回路装置（７１）によれば、入出力
光（７８）は配線基板（７３）の透孔（７９）を選択的
に通過することになり、信号光（７８）以外の所謂迷光
成分は配線基板（７３）により遮蔽され、従って信号光
（７８）に迷光成分が混入するを防止することができる
。特に入力信号光に対する迷光成分の混入が防止される
。また入出力間のクロストークを低減することができる
。

なお、通常の配線基板では光学的に完全な遮蔽力のない
材料が多いので、光学的遮蔽力を確実にするためには配
線パターンを透孔（７９）の周囲に存するようにパター
ニングして、配線メタルの光学的遮蔽力を利用するを可
とする。

また、配線基板（７３）としては電子素子の場合と同様
、両面配線基板又は多層配線基板とすることが可能であ
り、この場合には光集積回路と半導体集積回路とのハイ
ブリッド化等が可能となる。

さらに、光集積回路（７２）の配線基板（７３）への実
装に際しても、配線基板（７３）の透孔（７９）と光集
積回路（７２）の信号光（７８）の光路を一致させるよ
うにして実装するので、光集積回路（７２）の配線基板
（７３）上の位置精度が得られ、半田付は作業性も向上
する。

第２図の実施例は、前述の第７図に示すと同様なセラミ
ックＬ　ＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒ
ｉｅｒ）パッケージ（４７）を用いた場合である。即ち
パッケージ（４７）は、メタル・グイボンドパッド部（
４２）と、セラミックの周側壁及び底部周辺（４３）か
らなるパッケージ本体（４５）と、ガラス板から成る窓
部（４６）とからなり、パッケージ本体（４５）の外側
壁に沿って窓部（４６）側に延長するように外部リード
電極入出力光（７８）の光路に対応する位置に透孔（７
９）を設けた配線基板（７３）に実装される。この例で
はメタルダイボンドパッド部（４２）の外面にさらに放
熱フィン（８２）が取り付けられる。

かかる構成の光集積回路装置（８４）においては、前述
の第１図の場合と同様に迷光成分の混入防止。

光人出間のクロストークの低減、光集積回路と半導体集
積回路のハイブリッド化等の効果を有すると共に、さら
に、パッケージ（４７）と配線基板（７３）がより近接
した状態で実装されるので、光集積回路の配線基板への
位置精度が良好となり、また、放熱、フィン（８２）が
付は易くなり、配線基板（７３）への放熱を抑制するこ
とができるので熱放散性が向上する。外部リードがパッ
ケージで規定されているため、例えば前述の第９図及び
第１０図のようなパッケージを用いることで、本効果が
更にはっきり現われる。′なお、パッケージ（４７）と
してはＬＣＣパッケージの他、Ｐ　Ｌ　Ｌ　Ｃ（Ｐｌａ
ｓｔｉｃ　ＬｅａｄｌｅｓｓＣｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ
）パッケージを用いることも可能である。

第３図の実施例は、光ファイバを用いて光入出力の方向
を互に異なるようにした場合である。本例においては、
受光素子（９１）、発光素子（９２）及び周辺回路が組
込まれた光集積回路素子（９３）を光学的窓部（９４）
を有したパッケージ（９５）内に封入し、入力光（９６
）を窓部（９４）を通して受光素子（９１）に入射し、
発光素子（９２）からの出力光（９７）を光ファイバ（
９８）を通して出射するように構成した光集積回路（１
００）が設けられる。この光集積回路（１００）は、そ
の入力光（９６）の光路を垂直に横切るように配した配
線基板（７３）に外部リード（９９）を介して実装され
、入力光（９６）の光路に対応する配線基板（７３）の
位置に入力光（９６）を通過する透孔（７９）が設けら
れる。

かかる構成の光集積回路装置（１０１）においても、第
１図の実施例と同様の効果を奏するものである。

尚、各土偶では配線基板に光集積回路を実装したが、配
線基板の他、フレキシブル配線基板、ハイブリッドＩＣ
用金属基板、　Ｓｔ基板等に実装する場合にも本発明は
適用できる。

本発明に係る光集積回路装置の応用例を第４図及び第５
図に示す。この例は光ピツクアップを構成する光集積回
路装置に適用した場合である。同図中、（１０３）は光
ピツクアップの全体を示し、（１０４）はその光集積回
路（１０５）とフレキシブル配線基板（１０６）からな
る光集積回路装置、（１０７）　（１０８）は反射ミラ
ー、（１０９）は対物レンズ、（１１０）はディスクを
示す、光集積回路素子（１１１）は、第５図に示すよう
に半導体（シリコン）基板（１１２）の主面に例えばＰ
ＩＮダイオードからなる２つの光検出器（１１３）及び
（１１４）が形成され、内部に光検出器（１１３）　（
１１４）からの信号が入力される作動アンプ（図示せず
）が形成されてなり、この半導体基板（１１２）の光検
出器（１１３）　（１１４）を含む表面に角θ４５゜の
半透過反射面（１１５ａ）を有するプリズム（１１５）
が固定され、このプリズム（１１５）と対向する位置に
通称Ｌ　ＯＰ　（Ｌａｓｅｒ　ｏｎ　Ｐｈｏｔｏｄｉｏ
ｄ）チップの形で半導体レーザ（１１６）が固定されて
成る。この光集積回路素子（１１１）が前述の第９図及
び第１０図に示すパッケージ（４７）に収納されて光集
積回路（ＩＤ）が構成される。

この光ピツクアップ（１０３）では、半導体レーザ（１
１６）からの光（１１７）がプリズム（１１５）の半透
過反射面（１１５ａ）にて反射され、バッヶー（４７）
の窓部（４６）を通過し、反射ミラー（１０７）及び（
１０８）にて反射され、対物レンズ（１０９）を経てデ
ィスク（１１０）上に集光される。ディスク（１１０）
を反射した戻り光ビームは対物レンズ（１０９）　、反
射ミラー（１０８）（１０７）を経てプリズム（１１５
）の半透過反射面（１１５ａ）において屈折されてプリ
ズム（１１５）内に入り込み、まず光検出器（１１３）
にて検知され、次いで反射して光検出器（１１４）にて
検知される。なお、（１１８）は半導体レーザから射出
されるレーザ光の光強度を検出するためのモニタ用フォ
トダイオードである。しかして、本例では光集積回路（
１０５）の光路に対応した位置にその入出力光のみを選
択的に通過する透孔（１１９）を設けて成るフレキシブ
ル配線基板（１０６）をパッケージ（４７）の窓部側に
配し、このフレキシブル配線基板（１０６）に光集積回
路（１０５）を実装するようになす。この光ピッダアッ
プを構成する光集積回路（１０５）の場合には光入出力
経路がほぼ同一となる。この構成によればフレキシブル
配線基板（１０６）の透孔（１１９）を通してのみ入力
光が入射され、信号光以外の迷光成分はフレキシブル配
線基板（１０６）で遮蔽されるので迷光成分のプリズム
（１１５）への進入が防止され本来の信号を高Ｓ／Ｎ比
で検知できるようになる。

〔発明の効果〕

本発明の光集積回路装置によれば、光集積回路を、その
光路を横切るように配した基板上に実装し、基板の上記
光路に対応する位置に光学的透孔を設けて構成したこと
により、光集積回路の迷光成分を低減し、光人出者のク
ロストークを低減することができる。

また、本発明の集積回路用パッケージによれば、中空バ
ッケτジにおける外部リード電極をパッケージ本体の側
壁に沿って蓋体側に延長形成して構成したことにより、
パッケージの配線基板に対する実装を容易に行うことが
できる。また集積回路素子の針量てによる検査測定、ソ
ケットを用いた検査測定の場合該ソケット設計等を容易
に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は夫々本発明に係る光集積回
路装置の実施例を示す断面図、第４図は本発明に係る光
集積回路装置を光ピツクアップに応用した場合の断面図
、第５図はその光集積回路素子の斜視図、第６図及び第
７図は夫々本発明に係る集積回路用パッケージの実施例
を示す断面図、第８図は本発明に係るパッケージを配線
基板に実装した状態の断面図、第９図は本発明に係る集
積回路用パッケージの具体例を示す斜視図、第１０図は
その断面図、第１１図はその製造過程の平面図、第１２
図はその内部リード電極のパターンを示す平面図、第１
３図は従来の光集積回路装置の例を示す断面図、第１４
図は従来の集積回路用パッケージの断面図、第１５図は
比較のための集積回路用パッケージの断面図である。 （２５）はＩＣペレット、（３４）はパッケージ本体、
（３５）は蓋体、（３８）は内部リード電極、（３９）
は外部リード電極、（７２）は光集積回路、（７３）は
配線基板、（７６）は光集積回路素子、（７８）は入出
力光、（７９）は透孔である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光集積回路が、該光集積回路の光路を横切るように
   配置した基板上に実装され、 該基板の上記光路に対応する位置に光学的透孔が設けら
   れて成る光集積回路装置。 ２、集積回路素子が収納される中空パッケージにおいて
   、 外部リード電極がパッケージ本体の側壁に沿って蓋体側
   に延長して形成されて成る集積回路用パッケージ。