JPH03108796A

JPH03108796A - 多層電子回路基板

Info

Publication number: JPH03108796A
Application number: JP1247048A
Authority: JP
Inventors: Kiyotaka Tsukada; 輝代隆塚田
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1989-09-22
Filing date: 1989-09-22
Publication date: 1991-05-08
Anticipated expiration: 2013-09-24
Also published as: JP2803755B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は２表面に導電性回路等の膜状素子を形成した。

放熱性、信頼性に優れた多層状の電子回路基板に関する
。

〔従来技術〕

近年、電子回路基板としては種々のものが知られ、かつ
実用化されており１例えばガラス・エポキシ複合体、ア
ルミナ質焼結体およびムライト質焼結体等を基板材料と
する電子回路基板が提案され使用されている。そして、
高集積化を促進する１つの方法として、シリコン集積回
路などを直接基板に搭載する実装方法が検討されている
。

しかしながら、ガラス・エポキシ複合体はシリコン集積
回路と熱膨張率が大きく異なるため、該基板に直接搭載
することのできるシリコン集積回路は極めて小さいもの
に限られている。そればかりでなく、ガラス・エポキシ
複合体のみからなる基板は１回路形成工程において寸法
が変化し易いため、特に微細で精密な回路が要求される
基板には適用が困難である。

また、これらの基板は、樹脂の割合が大きいため１熱伝
導率が高々０．５ｗ／ｍ−にと小さく近年の高密度のシ
リコン集積回路や抵抗部品などによる発熱に対して、充
分な放熱能ノコを有していない。

また　アルミナ質焼結体やムライｌ−質焼結体は硬度が
高く機械加工性に劣る。そのため１例えばスルーホール
等を設けるような磯波加工が必要な場合には、生成形体
の段階で加工した後焼成する方法が行われている。しか
し、焼成時の収縮を均一に生しさせることは困難であり
、特に高い寸法精度を要求されるものや寸法の大きなも
のを製造することは困難であった。

そこで　これらの問題に対処するため、特開昭６１、−
２８７１９０号あるいは特開昭６４−８２６８９号には
、多孔質セラミック焼結体の気孔に樹脂を含浸した基板
が提案されている。

この基板は、セラミックの気孔率を種々変化させること
で、実装する部品９例えばシリコン集積回路等の熱膨張
に合わせたもので、低膨張で寸法安定性に優れている。

また９ｍ械加工が容易で大型化及び軽量化に対応できる
。

一方、近年は、高集積化のために、電子回路基板を複数
枚重ねて多層電子回路基板とすることが多用されている
。

また、チップ抵抗、コンデンサー等のチンプ部品に代わ
り、これら素子を膜状に回路」二に形成した膜状素子を
有する電子回路基板が開発されている。

このように、膜状の導電性回路、抵抗体、コンデンサー
等の膜状素子を形成することにより、電子回路基板の小
型化、軽量化が図られる。

（解決しようとする課題〕しかしながら、上記の多孔質セラミックー樹脂含浸基板
に膜状素子を形成した電子回路基板は使用上の信頼性に
乏しい。

即ち、上記の樹脂含浸多孔質セラミック基板では、その
表面に形成した膜状素子が樹脂上に形成されるため、樹
脂の挙動により膜状素子が著しく影響を受ける。例えば
、高湿度、高温度により上記樹脂と接触している膜状素
子の初期特性１例えば、抵抗値、コンデンサー容量が大
きく変動するという大きな欠点がある。

また、複数枚の電子回路基板を積層してなる多層電子回
路基板においては、各電子回路基板の電子回路から発生
ずる熱を効率良く外部へ放出させる必要がある。特に多
層となるほど、各基板の電子回路から発生ずる熱は外部
へ放出され難くなる。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、上記の樹脂含浸
多孔質セラミック焼結体基板の長所を生かした。耐高温
度性、耐高温度性及び放熱性に優れた。信頼性の高い多
層電子回路基板を提供しようとするものである。

〔課題の解決手段〕

本発明は、多孔質セラミック焼結体の表面に膜状の導電
性回路、抵抗体、コンデンサー等の膜状素子を直接形成
すると共に該多孔質セラミンク焼結体に放熱体を接着し
た電子回路基板を作製しその後該電子回路基板を積層す
ると共に該電子回路基板の間に無機質又は金属の多孔質
中間層を介在させて接着し１次いで上記多孔質セラミン
ク焼結体の気孔内に樹脂を充填してなることを特徴とす
る多層電子回路基板にある。

本発明において最も注目すべきことは、多孔質セラミン
ク焼結体の表面に直接膜状素Ｙを形成すると共に該焼結
体に放熱体を接着した電子回路基板を複数枚用い、これ
らの間に前記多孔質中間層を介在させて、積層、接着し
２次いで前記焼結体の気孔内に樹脂を含浸したことであ
る。

即ち９本発明の電子回路基板においては、多孔質セラミ
ック焼結体の表面の気孔及び凹凸に、導電性回路等の膜
状素子がくさび状に入り込んで直接密着している。また
、放熱体も、直接に、或いは接着層を介して、上記気孔
及び凹凸にくさび状に入り込んで密着している。一方、
膜状素子形成部分以外の気孔内には１電子回路基板を積
層した後に樹脂が充填される。

多孔質セラミック焼結体の表面に導電性回路等の膜状素
子を形成する方法としては、まずセラミックの生成形体
に膜状素子を形成する粒子を含んだペーストを、印刷な
どの方法により塗布し１次いでセラミックの生成形体を
焼結体が形成される温度で焼成する方法がある。

また、他の方法としては、まず多孔質セラミック焼結体
を作成しておいた後、その表面に前記ペーストを塗布し
１次いで焼つける方法がある。

更に、多孔質セラミック焼結体の表面に回路となる部分
以外をマスクして、蒸着、スパッター等により導電性回
路等の膜状素子を形成し、その後前記マスクを除去する
方法がある。

いずれの方法においても、多孔質セラミック焼結体と膜
状素子が、直接密着していることが重要である。

」二連のように多孔質セラミックと膜状素子が直接密着
していることで、膜状素子は温度、湿度などの環境変化
に対して極めて安定になる。

ここに膜状素子とは、前記のごとき導電性回路膜状抵抗
体、膜状コンデンサーなど、基板上に膜状に形成する電
子部品をいう。また、これらの膜状素子は、電子回路基
板の片面又は両面に形成する。

放熱体としては、後述するごとき、セラミック焼結体、
ダイヤモンド、金属膜などがある。またこれらの放熱体
は、多孔質セラミック焼結体に直接、或いは接着層を介
して接着する。

即ち、多孔質セラミック焼結体の表面に直接放熱体を接
着する方法としては、セラミックの生成形体に予めざく
りやバンチングによる開口部を設けておき、一方で準備
しておいた放熱体を該開口部に挿入し２次いでこれらを
焼結することで前記放熱体を焼締め、嵌合する。また、
ホントプレス等により、加圧しながら接合する方法があ
る。」二足放熱体としては、高放熱性セラミック焼結体
であるアルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム。

酸化へリリウムなどのセラミック焼結体がある。

また、他の方法としては多孔質セラミック焼結体の表面
に、ＣＶＤなどにより、高放熱性セラミック例えば、ダ
イヤモンド、炭化ケイ素、窒化アルミニウムなどの膜状
放熱体を形成する方法がある。更には、溶射、蒸着、ス
パッタリングにより各種の金属或いは無機質膜の放熱体
を形成する方法がある。

一方、多孔質セラミック焼結体と放熱体とを接着する接
着剤としては、金属或いは／及び無機材料の接着剤があ
る。

かかる接着剤による接着方法としては、セラミンク焼結
体に予め、上記接着剤の粉末を塗布しておき、前記放熱
体を接触して配置した後、上記接着剤粉末が溶融する温
度まで、加熱する方法がある。この時、多孔質セラミッ
ク焼結体と放熱体とは、その熱膨張率が、近い方が良い
が、そうで無い場合には放熱体を小片として、熱膨張差
を小さくする。或いは、金属と無機材料粉末の割合を変
えて熱膨張率を調節したり、金属或いば／及び無機材料
の層を数段階に炭化さセて形成し、多孔質セラミック焼
結体と放熱体との中間的な熱膨張率とし２両者の熱応力
を緩和することが好ましい。

なお、前記金属あるいは／及び無機材料からなる接着剤
層は、なるべく、緻密質であることが好ましい。この理
由は優れた放熱性を発揮させるためである。そのために
は、気孔率は３０％以下であることが好ましい。

また、上記多孔質セラミック焼結体の材質としては、コ
ージェライト、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト
、チタン酸マグネシウム、ヂタン酸アルミニウム、二酸
化ケイ素、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化へリリウム、酸化錫
、酸化バリウム５酸化マグネシウム、酸化カルシウムの
いずれか少なくとも１種を主成分とするセラミックスな
どがある。この中、コージェライトは、熱膨張率がシリ
コン集積回路のそれに近く、好ましい材料である。

本発明において、前記多孔質セラミック焼結体は、平均
気孔径が０．２μｍ以上であることが好ましい。この理
由は、平均気孔径が０．２μｍよりも小さいと、前記放
熱体と多孔質セラミック焼結体との密着力が低下するか
らである。即ち、密着力向上のための模効果が低下する
ためである。

また２本発明においては、気孔率が５％（容量比）以上
であることが好ましい。この理由は、気孔率が５％より
小さいと、前記放熱体と多孔Ｍセラミック焼結体との接
触面積が小さくなり、接着力が低下するからである。

しかして、上記のごとく放熱体と膜状素子とを設けた電
子回路基板は、その複数枚を積層状に重ね、これらの間
を前記多孔質中間層により接合して多層体とし、その後
多孔質セラミック焼結体の気孔に樹脂を含浸させて、多
層電子回路基板とする（第１図参照）。

即ち、」二足積層体は、上記電子回路基板の間に多孔質
中間層を介在させて各基板間を接着することにより形成
する。

」二足多孔質中間層としては、ガラス等の無機質又は金
属の多孔質体を用いる。かかる多孔質中間層としては、
比較的融点の低いガラス、或いはセラミンク、アルミニ
ウム、金、銀、銅、タングステンなどがある。また、上
記のごとく多孔質状とするためには１例えば粉末状の粒
子を基板面に塗布して、基板を重ね合わゼた後、融点以
下の温度で加熱焼結する手段を用いる。また、このよう
に中間層を多孔質とするのは、後工程で多孔質焼結体基
板の中に樹脂を含浸させ易くするためである。

また、該多孔質中間層の気孔率は、熱伝導率の低下を防
止する点と、熱膨張差から生ずる応力を緩和する理由か
ら、５〜５０％であることが好ましい。

また、かかる多孔質中間層は、電子回路基板の生成形体
を積層して高温に焼成することにより形成することもで
きる。つまり、各電子回路基板はセラミックでできてい
るため、この焼成により両型子回路基板間が焼結し合っ
て多孔質中間層を形成する。

なお、上記多孔質中間層として金属を用いる場合、該中
間層に面する基板面」−に前記膜状素子がある場合には
１両者の間に電気絶縁層を介在さ−ける。

上記焼結体中に含浸させる樹脂としては、エポキシ樹脂
、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリハラハン酸樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、エポキシシ
リコン樹脂、アクリル酸樹脂、メタクリル酸樹脂、アニ
リン酸樹脂、フェノル樹脂、ウレタン系樹脂、フラン系
樹脂、フッ２素樹脂などがある。

また、これら樹脂を多孔質焼結体中に含浸させる方法と
しては、樹脂を加熱溶融しておき、この中に電子回路基
板の積層体を浸漬する方法がある。

また、樹脂を溶媒に溶かして含浸させる方法、モノマー
状態の樹脂を含浸させた後ポリマー化する方法などがあ
る。この含浸により、多孔質中間層の気孔も−Ｆ記樹脂
により含浸される。

また５積層体の接着は、実施例に示すごとく加圧焼成、
多孔質中間層の焼イ」等により行う。

また、上記のごとくして得た多層電子回路基板の表面に
は、絶縁層を設け、その」−に更に導体層を形成するこ
ともできる（第４図参照）。

上記絶縁層としては、樹脂又は樹脂と無機稲科との複合
＋Ａを用いる。該樹脂としては、エボギシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂などを用いる。樹脂と無機＋
Ａ　Ｆｌとの複合相としてＧＪ　　エポキシ樹脂とガラ
スファイバー、ガラス粒子入りポリイミド樹脂などを用
いる。

上記導体層とは、電子回路導体をいう。該導体層の形成
方法としては１例えば金層箔をラミ不１・する方法、蒸
着法、スパッタリング法がある。

なお、上記のごとく形成した多層電子回路裁板に対して
は、樹脂を充填した後にスルーポールを形成し、無電解
消メツキ等で回路間の導通を取ることができる。

（作用及び効果）本発明の多層電子回路基板は、各電子回路基板が、多孔
質セラミック焼結体の表面に、膜状素子を直接形成させ
ているため、膜状素子が上記焼結体の粒子の間にくさび
状に強固に密着、結合している。そのため、膜状素子が
剥離することはない。

また、膜状素子が形成されていない部分は、気孔内に樹
脂が充填されているので、耐高湿度性、耐高温度性にも
優れている。

また、放熱体も、同様に多孔質セラミック焼結体に密着
接合さセているため、焼結体の粒子間にくさび状に強固
に結合している。そのため、基板上の膜状素子から発生
ずる熱を効率良く放熱体に伝熱させることができる。

また、樹脂を充填させることで基板全体の強度を増加さ
せ１割れに（くすると同時に機械加工を容易にし、カケ
、チッピング等の加工欠陥を防くことができる。また、
気体の透過を防ぎ使用環境からの影響を低減することに
効果的である。

また、積層されている各電子回路基板の間は前記多孔質
中間層によって接着されている。そして該多孔質中間層
は、無機質又は金属により構成しであるので伝熱性が良
い。それ故、各電子回路基板で発生した熱は多孔質中間
層からも外部へ効率良く放熱される。

また　このように放熱性に優れているので１本発明の多
層電子回路基板は発熱量の大きいシリコン集積回路や高
抵抗素子を数多（搭載することができ、小型化、高集積
化に対処することができる。

また、電源モジュールや赤外線発生装置等の発熱の大き
な装置の電子回路基板としても有用である。

したがって２本発明によれば、耐高温度性、耐高温度性
、放熱性及び機械加工性に優れた。信頼性の高い多層電
子回路基板を提供することができ〔実施例〕第１実施例本発明の実施例にかかる多層電子回路基板につき、第１
図〜第３図を用いて説明する。

該多層電子回路基板は、第１図に示すごとく中央の電子
回路基板５２の上下に電子回路基板５１．５３を積層し
、これらの間に多孔質中間層６を介設して、一体向に接
着し、更にその上下の表面に絶縁層３を介して導体層３
５を形成し、８層回路としたものである。各電子回路基
板は、下記のごとく、放熱体を有する。

上記電子回路基板５１ば、第２図に示すごとく基板とし
ての多孔質セラミック焼結体１１の表側面に２膜状導電
性回路５１２と膜状抵抗体５１３を、また裏側面にも同
様に膜状素子を密着形成したものである。また、上記多
孔質セラミンク焼結体１１には、その裏側面にザグリ加
工して設けた凹所１６内にガラス接着剤４８を介して金
属放熱体４１を接合し、また開口部Ｊ７にはセラミック
５放熱体４２を接合している。更に、多孔質セラミック焼
結体１１の表側面には、金属接着剤４９を介して金属放
熱体４３を接合している。

また　」二足膜状素子の密着状態は、第３図に示すごと
く、多孔質セラミンク焼結体】１を構成する多数のセラ
ミック粒子１０の間の凹凸表面部分に、膜状導電性回路
５１２．膜状抵抗体５１３の下面がくさび状に喰い込ん
だ状態にある。

また、第４図に示すごとく、金属放熱体４１を接合して
いる接着剤４８も、多孔質セラミック焼結体１】のセラ
ミック粒子１０の間に、くさび状に密着接合している。

また、第５図に示すごとく、多孔質セラミック焼結体１
１の開口部１７とセラミック放熱体４２の間も、該放熱
体４２の側面が上記開口部１７のセラミック粒子１００
間にくさび状に密着接合している。

更に、第６図に示すごとく、金属放熱体４３を接合して
いる接着剤４９と多孔質セラミック焼結体］１との間も
、該接着剤４９がセラミ・ンク粒子１０の間にくさび状
に接合している。

また、多孔質セラミック焼結体１１の内部においては　
セラミック粒子１０の間に形成された気孔内に、積層後
において含浸された樹脂１４が充填されている（第３図
参照）。多孔質中間層６の気孔内にも、同様に樹脂が含
浸されている。

また　他の電子回路基板５２．５３においても上記電子
回路基板５１と同様である。即ち、上記の各電子回路基
板５１，５２．５３は、膜状導電性回路５１２，５２２
．５３２．膜状抵抗体５１３　５２３　５３３を、その
表面に形成している。

また　各電子回路基板は、上記のごとく放熱体をイ１す
る。また、電子回路基板５］、、５２．５３における膜
状導電性回路、膜状抵抗体の間、更に最表面の導体層３
５との間には、基板一基板導通スルーボール５５．基板
内スルーホール５７がそれぞれ設けである。

また、各電子回路基板５１．．５２．５３の間には多孔
質中間層６が介在されている。上記多孔質中間層は、セ
ラミック系飼料で構成されＣいる。

また、該多層電子回路基板は、積層体とした後に、その
全体を溶融樹脂中に浸漬して該樹脂を含浸させているの
で、その表面が該樹脂により被覆された状態にある。

しかして２本実施例にかかる多層電子回路基板は、それ
を構成する各電子回路基板に密着性良く膜状素子、放熱
体が接合してあり、また各電子回路基板の間には伝熱性
の良い多孔質中間層が配置されている。また、多孔質セ
ラミック焼結体の気孔内には樹脂が含浸されている。そ
れ故、該多層電子回路基板は、耐高温度性、耐高温度性
、放熱性及び機械加工性に優れ、信頼性が高い。

第２実施例前記第１実施例に示したものとＩＩＪの８Ｎ回路の多層
電子回路基板（第１図参照）を作製し、テストを行った
。

該多層電子回路基板は、まず電子回路基板Ａと電子回路
基板Ｂとを作製しておき、電子回路基板への上下に電子
回路基板Ｂ、Ｂを積層することにより作製した。

即し、電子回路基板Ａを作製するため、平均粒径が１．
８μｍのコージェライト粉末１００重量部に対してポリ
ビニールアルコール２重量部、ポリエチレングリコール
１重量部、ステアリン酸０５重量部及び水１００重量部
を配合し、ボールミル中で３時間混合した後、噴霧乾燥
した。

この乾燥物を適量採取し、金属製押し型を用いて］、Ｏ
ｔ／ｃＪの圧力で成形し、大きさが２２０ｍｍＸ　２５
０ｍｍＸ　１　、　２ｍｍ、密度］、５ｇ／ｃＪ（６０
ｖｏ　１％）のセラミックス生成形体を得た。

この生成形体に穴明けをし、２０Ｘ２０ｍｍの開口部を
設けた。

一方、放熱体４２（第２図参照）を作るため平均粒径が
０．３０μｍのアルミナ粉末１００重量部とポリアクリ
ル酸エステル１２重量部、ポリエステル分散剤１重量部
、ジブチルフタレート２重量部及び酢酸エチル５０重量
部を配合し　ポルミル中で３時間混合した後、シート成
形し生成形体を得た。この生成形体を空気中で１６５０
°Ｃで焼成した。

９０その結果、密度４．０２ｇ／ｃゴ、気孔率０．２％の緻
密質アルミナ焼結体を得た。その後、１９゜２Ｘ１９．
２ｍｍに切断し、放熱体４２となして前記コージェライ
ト生成形体の開口部１７に装填した（第２図参照）。

次いで１　このコージェライト成形体を空気中１４００
　’Ｃで焼成して、多孔質コージェライト焼結体を形成
した。

得られた多孔質コージェライ１〜焼結体は、厚み０．２
５ｍｍ、密度１．８ｇ／ｃＩｌ−気孔率３０％平均気孔
径３．２μｍであった。

また、前記緻密質アルミナ焼結体からなる放熱体と多孔
質コージェライト焼結体との接合強度は８．９ｋｇ／ｍ
ｍ２と極めて強固に接合していた。

次いで、この多孔質コージェライト焼結体の表面に　平
均粒径１１μｍの銀−パラジウム粒子を４８％含んだ粘
度８０Ｐａ・Ｓのペーストを、３２５メツシユのスクリ
ーンで印刷を行い、導体回路を形成した。次いで、平均
粒径１６μｍの酸化ルテニウム粒子を３８％含んだ粘度
１７０ＰａＳのペーストを、３２５メソシユのスクリー
ンで印刷を行い、前記導体上に薄膜の抵抗体を形成した
。

以上により、電子回路基板Ａを作製した。

次に、電子回路基板Ｂを作製するため、平均粒径が０．
６８μｍのアルミナ粉末５０重量部に対して、平均粒径
が０．３２７１ｍのアルミナ粉末５０重量部とポリアク
リル酸エステル１２重量部ポリエステル分散剤１重量部
、ジブチルフタレート２重量部及び酢酸エチル５０重量
部を配合しボールミル中で３時間混合した後、ソート成
形した。

この生成形体に２０Ｘ２０ｍ、深さ０．２ｍｍのざくり
を行い、凹所１６（第２図参照）を形成した。

次いで、このものを空気中、１５５０°Ｃで１時間焼成
して多孔質アルミナ焼結体とした。

該焼結体は、厚み０．４５ｍｍ、密度２．９［／ｃＪ気
孔気孔率２５平、平均気孔径０９μｍであった。

この多孔質アルミナ焼結体の表面に、前記多孔質コージ
エライＩ・焼結体の表面に印刷したと同様の銀−パラジ
ウム粒子を塗布し回路を形成した。

次いで、平均粒径１６μｍの酸化ルテニウム粒子を３８
％含んだ粘度１７０Ｐａ−ｓのペーストを３２５メツシ
ユのスクリーンで印刷を行い、前記導体上に薄膜の抵抗
体を形成した。

次いで、前記多孔質アルミナ焼結体のざくり凹所１６に
、接着剤としてのＫｚ　ＯＳ　ｉ　０７−ＰｂＯ系の平
均粒径１３μｍのガラス粉末を厚み３０μｍに置き、そ
の上に放熱体４１　（第２図参照）としての４２アロイ
板にッケルー鉄合金）を置き、加熱し、固定した。なお
、４２７０イ板の表面は、り１コム酸で粗化しである。

以上により、電子回路基板Ｂを作製した。

次に、前記多孔質コージェライト焼結体からなる電子回
路基板Ａ（第２層）と、前記多孔質アルミナ焼結体から
なる電子回路基板Ｂ（第１．第３層）を前記第１図のよ
うに３層に積層した。

このとき、多孔質中間層６（第１図参照）を形成するた
め、各層間に平均粒径１３μｍのＡ１２０ｚ−３ｉ０２
−Ｔｉｅ２系セラミック粉末を約１００μｍ塗布し、各
焼結体を張り合わせた。これを空気中で８２０°Ｃで焼
きつりだ。この時の代表的抵抗値は１３５０Ω／口であ
った。

この結果、第１．第３層の多孔質アルミナ焼結体にガラ
スを介して接着された放熱体と、多孔質アルミナ焼結体
との密着強度は４．３ｋｇ／ｍｍ２であり、接着層の気
孔率は１３％であった。

また、多孔質中間層は、平均気孔径、気孔率が５．０μ
ｍ３３５％の多孔質層であり、焼結体間の密着度は２．
　５ｋｇ／ｍｍ２で良好な密着性を有していた。

次いで、放熱板を接着するために、この積層体の表裏面
に、まずスパッタリングにより、２％２ｍｍの正方形を
した９５％５ｎ−５％Ｐｂ半田を縦横各５個づつ１４Ｘ
１４ｍｍの正方形に配列した。

次いで、１５Ｘ１５ｍｍの厚さ１　ｍｍの放熱用銅板を
前記半田面に装着して、２６０’Ｃで加熱して接着した
。この密着強度は１２ｋｇ／ｍｍ”で、半田は約３６％の気孔を有して接着していた。

次いで、前記積層体の表裏に、０．０５ｍｍのＢＴレジ
ン系プリプレグと１８μｍの銅箔を配置し真空プレスを
行って表裏に更に２層の導体層を形成した。

次いで、直径０．４０ｍｍのダイヤモンドドリルで表裏
及び中間層まで穴明けし、同様にして１５μｍの無電解
銅メツキを施して導通をとった後表裏導体層をエツチン
グにより回路形成を行った。

次に、二液性のエポキシ樹脂を含浸し１硬化して多層電
子回路基板を得た。この含浸ば、基板を真空下におき、
脱泡した樹脂を真空下で含浸し次いで熱硬化する方法に
より行った。

このようして得られた多層電子回路基板は８層回路であ
り、総厚みは１．５５ｍｍで極めて薄いものであった。

しかも、この多層電子回路基板は１　ｃｆ当たり膜状の
抵抗体が３５個、コンデンザー素子が８個内蔵された極
めて実装密度の高いものであった。

また、この多Ｎ電子回路基板の全体の熱伝導率は４８ｗ／ｍ−にであり、極めて熱放散性に優れていた。

この多層電子回路基板につき、２０°Ｃで３０秒２６０
　’Ｃで３０秒のオイルデイツプ繰り返し耐熱試験を実
施した。その結果、５００サイクルでも断線、基板間剥
離或いは放熱体の剥諦などの不良は何ら発生しなかった
。

また、この多層電子回路基板を８５°Ｃ８５％ＲＨで１
０００時間、高温、高温寿命試験を行ったところ、抵（
〕゛［値の変化率は、０．１．８％で極めて安定であっ
た。

また、前記の多層電子回路基板においては、それぞれ長
さ３５０ｍｍ、幅２５０ｍｍの基板に、１２万穴以上の
穴明を行うごとができた。このように本発明の電子回路
基板は強度が高＜、ｍ液加工性に優れている。

〔比較例〕

また　比較のために２」二足第２実施例において放熱体
を多孔質セラミック焼結体と直接接続するごとなく　ま
た金属あるいは無機材料の接着剤で接着することなく、
単に含浸樹脂で接着した。そして、第２実施例と同様の
多層電子回路基板を製造した。その結果１全体の熱伝導
率は２．６Ｗ／ｍ−にであった。

また放熱体を使用しなかった時は全体の熱伝導率は０．
９Ｗ／ｍ−にであった。いずれも、第２実施例の場合に
比して、放熱性が悪いことが分る。

更に、比較のために、上記第２実施例と同様にして多孔
質コージェライト焼結体を製作した後すくに同様の二液
性のエポキシ樹脂を含浸し、同時に銅箔を積層して基板
を得た。次いで、エツチングにより回路形成を行った。

この時のビール強度は１　、　８　ｋｇ　／　ｃｍで、
低かった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は第１実施例の多層電子回路基板を示し
、第１図はその断面図、第２図は１つの電子回路基板の
断面図、第３図〜第６図は膜状素子、各放熱体と多孔質
セラミック焼結体との接合状態を示す要部拡大断面図で
ある。１０、、、　セラミック粒子１１、、、多孔質セラミック焼結体１４、、、樹脂３３６．絶縁層、　　　３５．、、導体層４１．４２，
４３．、、放熱体５１　５２　５３電子回路基板５２２．５３２．、　　膜状導電性回路５１３．５２３
，５３３゜８．膜状抵抗体素子６１９．多孔質中間層　１２

Claims

【特許請求の範囲】

（１）多孔質セラミック焼結体の表面に膜状の導電性回
路，抵抗体，コンデンサー等の膜状素子を直接形成する
と共に該多孔質セラミック焼結体に放熱体を接着した電
子回路基板を作製し，その後該電子回路基板を積層する
と共に該電子回路基板の間に無機質又は金属の多孔質中
間層を介在させて接着し，次いで上記多孔質セラミック
焼結体の気孔内に樹脂を充填してなることを特徴とする
多層電子回路基板。
（２）第１請求項において，多層電子回路基板は，その
表面に樹脂又は樹脂と無機材料の複合材とからなる絶縁
層を介して，導体層を形成していることを特徴とする多
層電子回路基板。