JPH0311093B2 - - Google Patents

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JPH0311093B2
JPH0311093B2 JP61214239A JP21423986A JPH0311093B2 JP H0311093 B2 JPH0311093 B2 JP H0311093B2 JP 61214239 A JP61214239 A JP 61214239A JP 21423986 A JP21423986 A JP 21423986A JP H0311093 B2 JPH0311093 B2 JP H0311093B2
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JP
Japan
Prior art keywords
alumina
holes
etching
ethylenediaminetetraacetic acid
bath
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP61214239A
Other languages
English (en)
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JPS62104037A (ja
Inventor
Aran Batsutori Danieru
Toofuitsuku Kuraunbi Mohamatsudo
Rarufu Meruroi Ooen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS62104037A publication Critical patent/JPS62104037A/ja
Publication of JPH0311093B2 publication Critical patent/JPH0311093B2/ja
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5338—Etching
    • C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明はアルミナの層中に貫通孔をエツチング
する方法に関する。
Ｂ 従来技術 電子部品の製造の多くの段階で、アルミナが金
属層間の絶縁スペーサとして使用されている。こ
のとき、アルミナの層中に貫通孔を与えて金属層
間を接続する必要がしばしばある。現在この様な
貫通孔を設けるのに最も普通に使用している方法
は熱いリン酸を使用するものである。しかしなが
らこの方法はいくつかの重大な欠点がある。特
に、この酸は金属の下層を侵食するという欠点が
ある。
チタンのエツチング剤としてエチレンジアミン
テトラ酢酸を使用する方法は米国特許第3923559
号、第4251621号及び第4339281号に開示される。
米国特許第4461818号は多成分エツチング溶液の
一部としてエチレンジアミンテトラ酢酸を使用し
て印刷板をエツチする方法を開示している。
特開昭51−149830号公報にはエチレンジアミン
テトラ酢酸を使用してアルミニウム上の黒の変色
薄膜を除去することが開示されている。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点 本発明の目的はアルミナの層中に貫通孔をエツ
チングする方法を与える事にある。
Ｄ 問題点を解決するための手段 本発明によれば、アルミナ層中の貫通孔がPHが
９以上のエチレンジアミンテトラ酢酸のエツチヤ
ント浴を使用してエツチングされる。
Ｅ 実施例 本発明に従い、アルミナ層中の貫通孔はアルミ
ナ層の選択した領域にPHが６以上のエチレンジア
ミンテトラ酢酸の水溶液を接触させる事によつて
エツチされる。この処理は25℃もしくはそれ以上
の温度で遂行する事が好ましく、又この条件で浴
をかきまぜながら行うのが最も好ましい。エツチ
浴のPHは水酸化ナトリウムを加える事によつて所
望のレベルに調節される。浴に表面活性剤を加え
る事も望ましい。
エチレンジアミンテトラ酢酸の濃度は厳密でな
くて良い。飽和溶液が満足すべきものであり、希
釈溶液でも効果があるが緩衝溶液程には良好でな
い。このために、濃縮溶液が好ましい。
貫通孔は標準のホトリソグラフイ方法によつて
画定され、これに続いて露出アルミナをエツチヤ
ント浴でエツチする。本発明のエツチヤント浴は
アルミナは侵食するが、下の金属層は侵食しな
い。さらにこのエツチングは高速で、毒性がな
い。
本発明の好ましい方法の実施例は次の通りであ
る。浴は水中に１当り52ｇのジナトリウム・エ
チレンジアミンテトラ酢酸を含み、水酸化ナトリ
ウムでPHを調節したものである。PHが10の時はエ
ツチ速度は夫々50℃及び55℃の温度で365Å／分
から1070Å／分に変る。PHは10.7に増大すると、
エツチ速度は50℃で550Å／分になる。浴に少量
の表面活性剤（FC−95）を加えると、エツチ速
度が減少して、均一性が増大する。表面活性剤は
表面に気泡が付着するのを防止するので使用する
事が好ましい。
Ｆ 発明の効果 以上のように、本発明によれば、基板を侵食し
ないでアルミナの層中に貫通孔をエツチングする
方法が与えられる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ アルミナ層の選択した領域に、PHが９以上の
    エチレンジアミンテトラ酢酸の水溶液より成るエ
    ツチヤント浴を接触させる工程を含む、アルミナ
    層中に貫通孔を形成する方法。
JP61214239A 1985-10-29 1986-09-12 アルミナ層中に貫通孔を形成する方法 Granted JPS62104037A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US792409 1985-10-29
US06/792,409 US4619731A (en) 1985-10-29 1985-10-29 Process for etching via holes in alumina

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62104037A JPS62104037A (ja) 1987-05-14
JPH0311093B2 true JPH0311093B2 (ja) 1991-02-15

Family

ID=25156804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61214239A Granted JPS62104037A (ja) 1985-10-29 1986-09-12 アルミナ層中に貫通孔を形成する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4619731A (ja)
EP (1) EP0221327B1 (ja)
JP (1) JPS62104037A (ja)
DE (1) DE3678791D1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
US4619731A (en) 1986-10-28
EP0221327B1 (en) 1991-04-17
EP0221327A1 (en) 1987-05-13
DE3678791D1 (de) 1991-05-23
JPS62104037A (ja) 1987-05-14

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