JPH03112170A - 加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
加速度センサおよびその製造方法Info
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- JPH03112170A JPH03112170A JP24906489A JP24906489A JPH03112170A JP H03112170 A JPH03112170 A JP H03112170A JP 24906489 A JP24906489 A JP 24906489A JP 24906489 A JP24906489 A JP 24906489A JP H03112170 A JPH03112170 A JP H03112170A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は地震、物体の移動、衝突等の加速度を検出する
加速度センサおよびその製造方法に関するものである。
加速度センサおよびその製造方法に関するものである。
第６図は従来の加速度センサの一例を示す断面図である
。同図において、１はシリコン基板、２はシリコン基板
１の裏面側に四角形状にわたって断面がほぼ台形状にエ
ツチング加工によシ形成された溝、３はシリコン基板１
への溝２の形成によシ台形の島状に形成された厚肉状の
慣性質量部、４はシリコン基板１に対して溝２の形成に
よって慣性質量部３を懸架して支持する可動部としての
薄肉状起歪部であシ、これらのシリコン基板１゜溝２．
慣性質量部３および起歪部４によりセンサチップ５を構
成している。また、６はシリコン基板１の表面側に形成
された電極域シ出し部、７はシリコン基板１の表面側に
上記慣性質量部３を被覆して固定配置された上部キャッ
プ、８は上部キャップＴの内面に慣性質量部３と対向し
て形成された上部電極、９はシリコン基板１の裏面側に
慣性質量部３を被覆して固定配置された下部キャップ、
１０は下部キャップ９の内面に慣性質量部３と対向して
形成された下部電極、１１は空隙部からなる容量形成部
である。
。同図において、１はシリコン基板、２はシリコン基板
１の裏面側に四角形状にわたって断面がほぼ台形状にエ
ツチング加工によシ形成された溝、３はシリコン基板１
への溝２の形成によシ台形の島状に形成された厚肉状の
慣性質量部、４はシリコン基板１に対して溝２の形成に
よって慣性質量部３を懸架して支持する可動部としての
薄肉状起歪部であシ、これらのシリコン基板１゜溝２．
慣性質量部３および起歪部４によりセンサチップ５を構
成している。また、６はシリコン基板１の表面側に形成
された電極域シ出し部、７はシリコン基板１の表面側に
上記慣性質量部３を被覆して固定配置された上部キャッ
プ、８は上部キャップＴの内面に慣性質量部３と対向し
て形成された上部電極、９はシリコン基板１の裏面側に
慣性質量部３を被覆して固定配置された下部キャップ、
１０は下部キャップ９の内面に慣性質量部３と対向して
形成された下部電極、１１は空隙部からなる容量形成部
である。
このような構成において、センサに加速度が加わると、
慣性質量部３の位置が変位し、対向する上部電極８と下
部電極１０との間で容量値が変化して加速度が検出され
ることになる。一方、過大な加速度が加わった場合には
、上、下のキャップ７．９がストッパーの役割を果たし
、起歪部４の過度な変形による破壊を防ぐ構造になって
いる。
慣性質量部３の位置が変位し、対向する上部電極８と下
部電極１０との間で容量値が変化して加速度が検出され
ることになる。一方、過大な加速度が加わった場合には
、上、下のキャップ７．９がストッパーの役割を果たし
、起歪部４の過度な変形による破壊を防ぐ構造になって
いる。
しかし々がら、このように構成された加速度センサは、
センサチップ５と上部キャップ７と下部キャップ９との
３点の主構成部材から構成されておシ、これらの３点の
構成部材にはそれぞれ寸法上のばらつきを有しているこ
とから、次のような問題があった。すなわち、 （＆）３点の構成部品の組み付は時の位置合わせが極め
て困難であった。
センサチップ５と上部キャップ７と下部キャップ９との
３点の主構成部材から構成されておシ、これらの３点の
構成部材にはそれぞれ寸法上のばらつきを有しているこ
とから、次のような問題があった。すなわち、 （＆）３点の構成部品の組み付は時の位置合わせが極め
て困難であった。
（ｂ）上部キャップ７および下部キャップ９とセンサチ
ップ５との間隙の完成寸法が大きくばらつくことから、
耐圧に余裕をもたせる必要があシ、高感度な加速度セン
サの設計が困難であった。
ップ５との間隙の完成寸法が大きくばらつくことから、
耐圧に余裕をもたせる必要があシ、高感度な加速度セン
サの設計が困難であった。
（、）慣性質量部３の底面が直接ストッパに当る構成に
なっているため、慣性質量部３の形状や下側プレートの
形状の設計の自由度が小さかった。
なっているため、慣性質量部３の形状や下側プレートの
形状の設計の自由度が小さかった。
したがって本発明は、前述した従来の課題を解決するた
めに表されたものであシ、その目的は、加速度に対する
感度を向上させかつ小屋でしかも高耐圧で量産を可能と
した加速度センサおよびその製造方法を提供することに
ある。
めに表されたものであシ、その目的は、加速度に対する
感度を向上させかつ小屋でしかも高耐圧で量産を可能と
した加速度センサおよびその製造方法を提供することに
ある。
このような課題を解決するために本発明による加速度セ
ンサは、シリコン基板内に一定の間隙幅を有するＬ字状
の断面構造をもつ溝を形成し、このシリコン基板の表面
部分にシリコン薄肉状の一対の起歪部を形成し、との起
歪部間にシリコン厚肉状の慣性質量部を懸架支持させた
ものである。
ンサは、シリコン基板内に一定の間隙幅を有するＬ字状
の断面構造をもつ溝を形成し、このシリコン基板の表面
部分にシリコン薄肉状の一対の起歪部を形成し、との起
歪部間にシリコン厚肉状の慣性質量部を懸架支持させた
ものである。
また、本発明による加速度センサの製造方法は、第１の
シリコン基板の一方の面に溝を形成した後、その上に起
歪部となる第２のシリコン基板を接着し、他方の面から
上記の溝と連結する溝を形成してＬ字状の断面構造をも
つ溝を形成することにより、シリコン基板の表面部分に
シリコン薄肉状の起歪部が形成される。
シリコン基板の一方の面に溝を形成した後、その上に起
歪部となる第２のシリコン基板を接着し、他方の面から
上記の溝と連結する溝を形成してＬ字状の断面構造をも
つ溝を形成することにより、シリコン基板の表面部分に
シリコン薄肉状の起歪部が形成される。
本発明においては、シリコン基板内にＬ字状の溝が一定
の間隙幅を有して高精度で形成される。
の間隙幅を有して高精度で形成される。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による加速度センサの一実施例を示す断
面図であシ、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、シリコン基板１０表面と平行とな
る裏面を結晶面の（１１０）面とし、この裏面側には結
晶面の（１１０）面と垂直方向に結晶面の（１１２）軸
に涜って異方性エツチングによシ食刻されて断面がはｔ
Ｘ逆り字状の一対のＬ字状溝２ｍ’＋２ｂ’が一定の間
隙を有して平行に形成されている。そして、この逆り字
状の溝２ａ／。
面図であシ、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、シリコン基板１０表面と平行とな
る裏面を結晶面の（１１０）面とし、この裏面側には結
晶面の（１１０）面と垂直方向に結晶面の（１１２）軸
に涜って異方性エツチングによシ食刻されて断面がはｔ
Ｘ逆り字状の一対のＬ字状溝２ｍ’＋２ｂ’が一定の間
隙を有して平行に形成されている。そして、この逆り字
状の溝２ａ／。
２ｂ／の形成によってシリコン基板１の上部にはシリコ
ン基板１の薄肉部からなる一対の起歪部４ｔｈ。
ン基板１の薄肉部からなる一対の起歪部４ｔｈ。
４ｂが形成されるとともにこの一対の起歪部４ｍ＋４ｂ
との間にはｔｌぼ直方体を有するシリコン基板１の厚肉
部からなる慣性質量部３′が支持されて形成され、さら
にこの慣性質量部３／の表面には対向する下部電極１０
が形成されている。
との間にはｔｌぼ直方体を有するシリコン基板１の厚肉
部からなる慣性質量部３′が支持されて形成され、さら
にこの慣性質量部３／の表面には対向する下部電極１０
が形成されている。
このような構成によれば、慣性質量部３′がメサ型では
なく、任意の大きさの直方体状で形成されるので、その
質量が増加し、感度向上が計れる。
なく、任意の大きさの直方体状で形成されるので、その
質量が増加し、感度向上が計れる。
また、一対の溝２ａ’１２ｂ’をシリコン基板１内に逆
り字状に形成したことによシ、容量形成部１１に加速度
が加わり、慣性質量部３／が下方向に慣性力Ｆが与えら
れても第２図に示すように一対の薄肉状起歪部４ｍ、４
ｂが逆り字状溝２ａ’１２ｂ’内のそれぞれの角部１ａ
ｒ１ｂに当接して支持され、さらに大きな加速度が加わ
）、第３図に示すように慣性質量部３１に多大な慣性力
Ｆ′が与えられても一対の薄肉状起歪部４ｍ 、 ４ｂ
がそれぞれ４Ａ、４Ｂを支点としてそれぞれ角部１ａ、
ｌｂに当接して慣性質量部３′の底面が基台に接触する
範囲まで支持させることができる。したがって過大な加
速度に対しても、２段構えの最終ストッパとしての機能
が得られ、それ以上の変形による破壊を防止することが
できる。
り字状に形成したことによシ、容量形成部１１に加速度
が加わり、慣性質量部３／が下方向に慣性力Ｆが与えら
れても第２図に示すように一対の薄肉状起歪部４ｍ、４
ｂが逆り字状溝２ａ’１２ｂ’内のそれぞれの角部１ａ
ｒ１ｂに当接して支持され、さらに大きな加速度が加わ
）、第３図に示すように慣性質量部３１に多大な慣性力
Ｆ′が与えられても一対の薄肉状起歪部４ｍ 、 ４ｂ
がそれぞれ４Ａ、４Ｂを支点としてそれぞれ角部１ａ、
ｌｂに当接して慣性質量部３′の底面が基台に接触する
範囲まで支持させることができる。したがって過大な加
速度に対しても、２段構えの最終ストッパとしての機能
が得られ、それ以上の変形による破壊を防止することが
できる。
第１図は本発明による加速度セ／すの他の実施例を示す
断面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付し
である。同図において、第１図と異なる点は、シリコン
基板１０表面が（１００）面である点でこの結晶面の（
１００）面に対して異方性エツチングを行なって結晶面
の（１１０）軸方向に沿った溝２＆’ｊ２ｂ’が形成さ
れて加速度センサが構成されている。
断面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付し
である。同図において、第１図と異なる点は、シリコン
基板１０表面が（１００）面である点でこの結晶面の（
１００）面に対して異方性エツチングを行なって結晶面
の（１１０）軸方向に沿った溝２＆’ｊ２ｂ’が形成さ
れて加速度センサが構成されている。
このような構成においても前述と全く同等の効果が得ら
れる。
れる。
第５図（、）〜０）は本発明による加速度センサの製造
方法の一実施例を説明する工程の断面図である。
方法の一実施例を説明する工程の断面図である。
同図において、まず、同図（畠）に示すようにＰ型シリ
コン基板１０表面に例えばＳｉ３Ｎ４ などのエツチン
グマスク材２１を成膜した後、このエツチングマスク材
２１に前記逆り字状溝２ｍ’＋ ２ｂ’内のシリコン基
板１表面と平行とカる部分に相当する一対の窓パターン
２１鼻、 ２１ｂを７オトリソグラフイ技術によυパタ
ーニングして形成し、この一対の窓パターン２１ｍ 、
２１ｂ内を例えばＫＯＨなどのエツチング液により異
方性エツチングを行なって一対の＃ ２２ｍ 、 ２２
ｂを形成した後、エツチングマスク材２１を除去する。
コン基板１０表面に例えばＳｉ３Ｎ４ などのエツチン
グマスク材２１を成膜した後、このエツチングマスク材
２１に前記逆り字状溝２ｍ’＋ ２ｂ’内のシリコン基
板１表面と平行とカる部分に相当する一対の窓パターン
２１鼻、 ２１ｂを７オトリソグラフイ技術によυパタ
ーニングして形成し、この一対の窓パターン２１ｍ 、
２１ｂ内を例えばＫＯＨなどのエツチング液により異
方性エツチングを行なって一対の＃ ２２ｍ 、 ２２
ｂを形成した後、エツチングマスク材２１を除去する。
次に同図（ｂ）に示すように一対の溝２２ｍ 、 ２２
ｂ内で前記逆り字状溝２ｍ’＋ ２ｂ’のシリコン基板
１表面と垂直となる部分に図示しないが例えば熱酸化膜
などのマスク材を成膜し、シリコン基板１０表面および
一対の溝２２ｍ 、 ２２ｂ内に例えばリンなどを熱拡
散してｎ型不純物拡散層２３を形成する。次にこのシリ
コン基板１の裏面側に前述と同様な方法によシ５１３Ｎ
４のエツチングマスク材を形成し、ＫＯＨで異方性エツ
チングを行なって前記慣性質量部３′となる部分に溝２
４を形成する。次に同図（ｄ）に示すよう表面に１１型
不純物拡散層２３を形成したシリコン基板１上に、一方
の面にｎ型エピタキシャル層２５を形成したＰ型シリコ
ン基板２６を例えば１０００〜１１００℃の酸化雰囲気
中で７ユージヨンボンドを行なってそのｎ型エピタキシ
ャル層２５側を直接接合し一体化する。次にこのｎ型エ
ピタキシャル層２５を形成したシリコン基板２６を例え
ばＫＯＨ溶液中に浸漬し、ｎ型不純物拡散層２３が形成
されたシリコン基板１に数〜ＩＯＶ程度の正電位を与え
てエツチングを行なうと、同図（・）に示すようにｎ型
エピタキシャル層２５の部分でエツチングが止シ、同図
（ｄ）に示したシリコン基板２６はエツチング除去され
る。次に同図（ｆ）に示すようにｎ型エピタキシャル層
２５の表面所定位置に下部電極１０および電極数シ出し
部６を形成した後、シリコン基板１の裏面側に前述と同
様な方法によ’り５ｔ３Ｎ＜のエツチングマスク材を形
成し、ＫＯＨ溶液中に浸漬し、ｎ型エピタキシャル層２
５に数〜１０数ボルト程度の正電位を与えてエツチング
を行なうと、ｎ型エピタキシャル層２５およびｎ型不純
物拡散層２３の部分でエツチングが止シ、前述した一対
の溝２２ｍ 、 ２２ｂにそれぞれ連通する一対の逆り
字状溝２６ｍ 、 ２６ｂが形成される。次に同図（ｘ
’）ＶＣ示すようにｎ型エピタキシャル層２５上に、内
面凹部に上部電極８を形成したパイレックス製キャップ
Ｔを陽極接合法によυ接合して第１図と同等の加速度セ
ンサが完成される。
ｂ内で前記逆り字状溝２ｍ’＋ ２ｂ’のシリコン基板
１表面と垂直となる部分に図示しないが例えば熱酸化膜
などのマスク材を成膜し、シリコン基板１０表面および
一対の溝２２ｍ 、 ２２ｂ内に例えばリンなどを熱拡
散してｎ型不純物拡散層２３を形成する。次にこのシリ
コン基板１の裏面側に前述と同様な方法によシ５１３Ｎ
４のエツチングマスク材を形成し、ＫＯＨで異方性エツ
チングを行なって前記慣性質量部３′となる部分に溝２
４を形成する。次に同図（ｄ）に示すよう表面に１１型
不純物拡散層２３を形成したシリコン基板１上に、一方
の面にｎ型エピタキシャル層２５を形成したＰ型シリコ
ン基板２６を例えば１０００〜１１００℃の酸化雰囲気
中で７ユージヨンボンドを行なってそのｎ型エピタキシ
ャル層２５側を直接接合し一体化する。次にこのｎ型エ
ピタキシャル層２５を形成したシリコン基板２６を例え
ばＫＯＨ溶液中に浸漬し、ｎ型不純物拡散層２３が形成
されたシリコン基板１に数〜ＩＯＶ程度の正電位を与え
てエツチングを行なうと、同図（・）に示すようにｎ型
エピタキシャル層２５の部分でエツチングが止シ、同図
（ｄ）に示したシリコン基板２６はエツチング除去され
る。次に同図（ｆ）に示すようにｎ型エピタキシャル層
２５の表面所定位置に下部電極１０および電極数シ出し
部６を形成した後、シリコン基板１の裏面側に前述と同
様な方法によ’り５ｔ３Ｎ＜のエツチングマスク材を形
成し、ＫＯＨ溶液中に浸漬し、ｎ型エピタキシャル層２
５に数〜１０数ボルト程度の正電位を与えてエツチング
を行なうと、ｎ型エピタキシャル層２５およびｎ型不純
物拡散層２３の部分でエツチングが止シ、前述した一対
の溝２２ｍ 、 ２２ｂにそれぞれ連通する一対の逆り
字状溝２６ｍ 、 ２６ｂが形成される。次に同図（ｘ
’）ＶＣ示すようにｎ型エピタキシャル層２５上に、内
面凹部に上部電極８を形成したパイレックス製キャップ
Ｔを陽極接合法によυ接合して第１図と同等の加速度セ
ンサが完成される。
このような方法によれば、慣性質量部３′を懸架支持す
る一対の逆り字状の溝２ｍ’ ＋ ２ｂ’が、シリコン
基板１の異方性エツチングおよび電界ストップエツチン
グ技術によシシリコン基板１０表面と平行な一対の溝２
２ｍ 、 ２２ｂおよび連通する垂直な溝２６＆ 、
２６ｂを食刻することにより形成できるので、シリコン
基板１の表面には一対の起歪部４＆。
る一対の逆り字状の溝２ｍ’ ＋ ２ｂ’が、シリコン
基板１の異方性エツチングおよび電界ストップエツチン
グ技術によシシリコン基板１０表面と平行な一対の溝２
２ｍ 、 ２２ｂおよび連通する垂直な溝２６＆ 、
２６ｂを食刻することにより形成できるので、シリコン
基板１の表面には一対の起歪部４＆。
４ｂが高感度構造で形成できるとともにこの一対の起歪
部４ｍ、４ｂと正確な位置に慣性質量部３′の過大変位
をストップさせる角部１ｍ、１ｂが高精度で形成するこ
とができる。また、上述した工程は、通常のＩＣ製造プ
ロセスと同様にφ４′ウェハから一度に５００〜１００
０個形成できるため、量産性もある。
部４ｍ、４ｂと正確な位置に慣性質量部３′の過大変位
をストップさせる角部１ｍ、１ｂが高精度で形成するこ
とができる。また、上述した工程は、通常のＩＣ製造プ
ロセスと同様にφ４′ウェハから一度に５００〜１００
０個形成できるため、量産性もある。
以上説明したように本発明によれば、シリコン基板内に
一定の間隙幅を有する一対のＬ字状の溝を形成し、この
シリコン基板の表面部分にシリコン薄肉状の一対の起歪
部を形成してこの一対の起歪部間にシリコン厚肉状の慣
性質量部を支持させたことによシ、高感度および高耐圧
が達成できるとともに高感度と高耐圧という相矛盾する
特性の設計自由度が大幅に拡大される。また、表面に下
部電極を形成したセンサチップと内面に上部電極を形成
したキャップとを対向配置させて構成されるので、主構
成部材が従来の３点から２点に軽減されるとともに小型
化が可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
一定の間隙幅を有する一対のＬ字状の溝を形成し、この
シリコン基板の表面部分にシリコン薄肉状の一対の起歪
部を形成してこの一対の起歪部間にシリコン厚肉状の慣
性質量部を支持させたことによシ、高感度および高耐圧
が達成できるとともに高感度と高耐圧という相矛盾する
特性の設計自由度が大幅に拡大される。また、表面に下
部電極を形成したセンサチップと内面に上部電極を形成
したキャップとを対向配置させて構成されるので、主構
成部材が従来の３点から２点に軽減されるとともに小型
化が可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図は本発明による加速度センサの一実施例を示す断
面図、第２図および第３図は第１図の加速度センサの作
用を説明する断面図、第１図は本発明による加速度セン
サの他、の実施例を示す断面図、第５図（＆）〜（Ｘ）
は本発明による加速度センサの製造方法の一実施例を示
す工程の断面図、第６図は従来の加速度センサの構成を
示す断面図である。 １・ｅ・・シリコン基板、１畠、１ｂ−−・−角部、２
＆’＋ ２＆’＋ ２ｂ’、 ２ｂｌａ ＠ ＠ ａ溝
、３’＠＠＠・慣性質量部、４ｍ、４ｂ・・・・起歪部
、４Ａ、４ＢΦ・・・支点、６・−・・電極域シ出し部
、１−−・・上部シリコンキャップ、８・・・・上部電
極、１０・・・・下部電極、１１・・・・容量形成部、
２１・・・・エツチングマスク、２１ｍ。 ２１ｂ・・・・窓パターン、２２ｍ ＋ ２２ｂ・・・
ｅ溝、２３・・・ｅＨ型不純物拡散層、２４＠ｅ・・溝
、２５・・・・ｎ型エピタキシャル層、２６ｍ 、 ２
６ｂ・・・・逆り字状溝。
面図、第２図および第３図は第１図の加速度センサの作
用を説明する断面図、第１図は本発明による加速度セン
サの他、の実施例を示す断面図、第５図（＆）〜（Ｘ）
は本発明による加速度センサの製造方法の一実施例を示
す工程の断面図、第６図は従来の加速度センサの構成を
示す断面図である。 １・ｅ・・シリコン基板、１畠、１ｂ−−・−角部、２
＆’＋ ２＆’＋ ２ｂ’、 ２ｂｌａ ＠ ＠ ａ溝
、３’＠＠＠・慣性質量部、４ｍ、４ｂ・・・・起歪部
、４Ａ、４ＢΦ・・・支点、６・−・・電極域シ出し部
、１−−・・上部シリコンキャップ、８・・・・上部電
極、１０・・・・下部電極、１１・・・・容量形成部、
２１・・・・エツチングマスク、２１ｍ。 ２１ｂ・・・・窓パターン、２２ｍ ＋ ２２ｂ・・・
ｅ溝、２３・・・ｅＨ型不純物拡散層、２４＠ｅ・・溝
、２５・・・・ｎ型エピタキシャル層、２６ｍ 、 ２
６ｂ・・・・逆り字状溝。
Claims (2)
- （１）シリコン基板の一方の面と垂直方向に一定の間隙
幅を有して第１の溝を設けるとともにこの第１の溝の底
部と連結してこのシリコン基板面と平行方向に外側方向
へ向つて所定の間隙幅を有する第２の溝を設けてシリコ
ン基板と垂直方向の断面がＬ字状の溝を形成してシリコ
ン基板の他方の面に形成されたシリコン薄肉状の起歪部
と、この起歪部間に懸架支持されたシリコン厚肉状の慣
性質量部と、このシリコン基板の他方の面に形成された
下部電極と、とのシリコン基板の他方の面上に接着配置
されたキャップと、このキャップの内面に下部電極と対
向して配置された上部電極とを備えたことを特徴とする
加速度センサ。 - （２）第１の第１導電型のシリコン基板の一方の面に第
２の溝を形成する工程と、第２の溝内の一部分を除き第
１の第１導電型のシリコン基板の一方の面に第２導電型
の不純物拡散層を形成する工程と、第１の第１導電型の
シリコン基板の他方の面に第２の溝と所定の位置関係を
有して第３の溝を形成する工程と、一方の面に第２導電
型のエピタキシャル層を有する第２の第１導電型のシリ
コン基板をその第２導電型のエピタキシャル層を第１の
第１導電型のシリコン基板の第２導電型の不純物拡散層
形成面と接着する工程と、第２の第１導電型のシリコン
基板の第２導電型のエピタキシャル層に正電位を印加し
ながら第２の第１導電型のシリコン基板をエッチング除
去する工程と、第２導電型のエピタキシャル層の表面に
下部電極を形成する工程と、第２導電型のエピタキシャ
ル層に正電位を印加しながら第１の第１導電型のシリコ
ン基板の他方の面から第２の溝に対応する個所をエッチ
ングし第２の溝と連結する第１の溝を形成する工程と、
第２導電型のエピタキシャル層上に内面凹部に上部電極
を形成したキャップを接着する工程とからなる加速度セ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24906489A JPH0748566B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24906489A JPH0748566B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112170A true JPH03112170A (ja) | 1991-05-13 |
| JPH0748566B2 JPH0748566B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=17187472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24906489A Expired - Lifetime JPH0748566B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 加速度センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748566B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657718A1 (en) * | 1993-12-07 | 1995-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitance sensor and method of manufacturing the same |
| US7430915B2 (en) * | 2003-09-02 | 2008-10-07 | Hosiden Corporation | Vibration sensor |
| US20090309174A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Infineon Technologies Ag | Sensor module and semiconductor chip |
| JP2012181198A (ja) * | 2012-04-05 | 2012-09-20 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス |
| US9209319B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-12-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Sensor device manufacturing method and sensor device |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP24906489A patent/JPH0748566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657718A1 (en) * | 1993-12-07 | 1995-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitance sensor and method of manufacturing the same |
| US7430915B2 (en) * | 2003-09-02 | 2008-10-07 | Hosiden Corporation | Vibration sensor |
| US20090309174A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Infineon Technologies Ag | Sensor module and semiconductor chip |
| US8604566B2 (en) * | 2008-06-17 | 2013-12-10 | Infineon Technologies Ag | Sensor module and semiconductor chip |
| US9090453B2 (en) | 2008-06-17 | 2015-07-28 | Infineon Technologies Ag | Sensor module and semiconductor chip |
| US9533874B2 (en) | 2008-06-17 | 2017-01-03 | Infineon Technologies Ag | Sensor module and semiconductor chip |
| US9209319B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-12-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Sensor device manufacturing method and sensor device |
| JP2012181198A (ja) * | 2012-04-05 | 2012-09-20 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748566B2 (ja) | 1995-05-24 |
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