JPH03112949U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による一部破断を含む一実施例
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′側断面図、
第３図は第２図のＢ−Ｂ′断面平面図、第４図は
第２図の蓋を除く要部平面図、第５図は従来技術
による一部破断を含む平面図、第６図は第５図の
Ｃ−Ｃ′側断面図、第７図は第６図の蓋を除く要
部平面図である。 図において、１はパツケージ、１ａはくぼみ、
１ｂはストリツプライン、１ｂ−１は信号パター
ン、１ｂ−２はランド、１ｂ−３は外部接続部（
リード）、１ｂ−４は接地層、１ｂ−４ａは網目
、１ｃは絶縁層、２は半導体素子、２ａは電極、
３は導線、を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 パツケージ１のくぼみ１ａに収納した半導体素
   子２の電極２ａに対応するランド１ｂ−２とその
   外部接続部１ｂ−３をそれぞれ線幅を拡幅して両
   端に接続する信号パターン１ｂ−１と、該信号パ
   ターン１ｂ−１の下に絶縁層１ｃを介し平行対向
   する接地層１ｂ−４とで構成するストリツプライ
   ン１ｂを前記くぼみ１ａの周囲に備え、半導体素
   子２の電極２ａとランド１ｂ−２とを導線３で接
   続してなる半導体素子のパツケージ構造において
   、 前記線幅を拡幅したランド１ｂ−２及び外部接
   続部１ｂ−３に平行対向する接地層１ｂ−４の一
   部を、実質的に同じ対向面積となるに網目１ｂ−
   ４ａに形成することを特徴とする半導体素子のパ
   ツケージ構造。