JPH0311308A - 光モジュールの光結合部形成方法 - Google Patents
光モジュールの光結合部形成方法Info
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- JPH0311308A JPH0311308A JP14608789A JP14608789A JPH0311308A JP H0311308 A JPH0311308 A JP H0311308A JP 14608789 A JP14608789 A JP 14608789A JP 14608789 A JP14608789 A JP 14608789A JP H0311308 A JPH0311308 A JP H0311308A
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- Japan
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- optical
- forming
- substrate
- cutting groove
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
光ファイバと受発光素子からなる光モジュールの光結合
部形成方法に関し、 受発光素子に対する光ファイバの位置合わせ作業の容易
化と光結合特性の向上を図ることを目的とし、 基板に固定された光ファイバの端部と該基板に搭載する
受発光素子との光結合部の形成方法であって、光ファイ
バを固定した基板に、該光ファイバに直交し且つ該光フ
ァイバを切断する所定深さの該光ファイバ切断溝を形成
した後、該切断溝の深さを維持した状態で、該切断溝の
幅を拡げる如くに受発光素子搭載面を形成して構成する
。
部形成方法に関し、 受発光素子に対する光ファイバの位置合わせ作業の容易
化と光結合特性の向上を図ることを目的とし、 基板に固定された光ファイバの端部と該基板に搭載する
受発光素子との光結合部の形成方法であって、光ファイ
バを固定した基板に、該光ファイバに直交し且つ該光フ
ァイバを切断する所定深さの該光ファイバ切断溝を形成
した後、該切断溝の深さを維持した状態で、該切断溝の
幅を拡げる如くに受発光素子搭載面を形成して構成する
。
また、基板に固定された光ファイバの端部と該基板に搭
載する受発光素子との光結合部の形成方法であって、光
ファイバを固定した基板に、該光ファイバに直交し且つ
少な（とも該光ファイバを切断する深さの咳光ファイバ
切断溝を形成した後、他端に繋がる上記光ファイバが露
出する該切断溝の壁面側から該切断溝の幅方向に所定値
を残して、該切断溝より深い所定位置に受発光素子搭載
面を形成して構成する。
載する受発光素子との光結合部の形成方法であって、光
ファイバを固定した基板に、該光ファイバに直交し且つ
少な（とも該光ファイバを切断する深さの咳光ファイバ
切断溝を形成した後、他端に繋がる上記光ファイバが露
出する該切断溝の壁面側から該切断溝の幅方向に所定値
を残して、該切断溝より深い所定位置に受発光素子搭載
面を形成して構成する。
本発明は光ファイバと受発光素子との光結合系に係り、
特に光ファイバと受発光素子の位置合わせ作業の容易化
と光結合特性の向上を図った光モジュールの光結合部形
成方法に関する。
特に光ファイバと受発光素子の位置合わせ作業の容易化
と光結合特性の向上を図った光モジュールの光結合部形
成方法に関する。
一般に、光ファイバとフォトダイオード（Ｐ、Ｄ）や発
光ダイオード（Ｌ、Ｄ）のような受発光素子とからなる
光モジュールにおいては、光結合部分で光ファイバの光
軸すなわちコア軸と受発光素子の光軸とを合致させると
共に、両者の対向する面の接触による損傷を避けるため
両対向面間に１０〜２０μｍ程度の間隙を持たせて平行
にすることが必要であるが、その位置合わせ作業が容品
でないことから効率的な光結合方法の開発が強く望まれ
ている現状にある。
光ダイオード（Ｌ、Ｄ）のような受発光素子とからなる
光モジュールにおいては、光結合部分で光ファイバの光
軸すなわちコア軸と受発光素子の光軸とを合致させると
共に、両者の対向する面の接触による損傷を避けるため
両対向面間に１０〜２０μｍ程度の間隙を持たせて平行
にすることが必要であるが、その位置合わせ作業が容品
でないことから効率的な光結合方法の開発が強く望まれ
ている現状にある。
第３図は従来の受発光素子と光ファイバとの結合方法を
説明する図である。
説明する図である。
なお、以下受発光素子に半導体レーザを使用した場合に
ついて説明する。
ついて説明する。
第３図で、（１）に示す例えばシリコン（Ｓｔ）等から
なる基板ｌの片面には、半導体レーザを搭載する素子搭
載面１ａと光ファイバを固定する光ファイバ固定面１ｂ
とが段差を持って形成されている。
なる基板ｌの片面には、半導体レーザを搭載する素子搭
載面１ａと光ファイバを固定する光ファイバ固定面１ｂ
とが段差を持って形成されている。
そこで（２）に示すように、上記光ファイバ固定面ｌｂ
上に所定の光ファイバを固定するための溝ＩＣをダイシ
ング・ソー等で形成するが、この場合特に浅溝１０の幅
ａは使用する光ファイバの外径とほぼ等しくし、また深
さｄは浅溝ＩＣに上記光ファイバを固定したときの咳光
ファイバの光軸の上記素子搭載面１ａからの高さと、上
記素子搭載面１ａに半導体レーザ２を搭載したときの該
素子搭載面１ａから発光領域２ａまでの高さｈが等しく
なるようにしている。
上に所定の光ファイバを固定するための溝ＩＣをダイシ
ング・ソー等で形成するが、この場合特に浅溝１０の幅
ａは使用する光ファイバの外径とほぼ等しくし、また深
さｄは浅溝ＩＣに上記光ファイバを固定したときの咳光
ファイバの光軸の上記素子搭載面１ａからの高さと、上
記素子搭載面１ａに半導体レーザ２を搭載したときの該
素子搭載面１ａから発光領域２ａまでの高さｈが等しく
なるようにしている。
次いで（３）に示す如く、素子搭載面１ａには所定の上
記半導体レーザ２をその発光領域２ａが上記光ファイバ
固定面ｌｂ側を向くように載置し、また上記の溝１０に
は外径がＤの光ファイバ３をその先端端面３ａが段差形
成面１ｄとほぼ同一面に位置するように浅溝１ｃの上部
から挿入して更に紫外線硬化型樹脂の如き接着剤で固定
する。
記半導体レーザ２をその発光領域２ａが上記光ファイバ
固定面ｌｂ側を向くように載置し、また上記の溝１０に
は外径がＤの光ファイバ３をその先端端面３ａが段差形
成面１ｄとほぼ同一面に位置するように浅溝１ｃの上部
から挿入して更に紫外線硬化型樹脂の如き接着剤で固定
する。
この時点では、半導体レーザ２の光軸と光ファイバ３の
光軸は同一面上に位置している。
光軸は同一面上に位置している。
そこで、光ファイバ３の図示されない他端部で伝送され
てくる光量を検知しながら上記半導体レーザ２を該素子
搭載面ｌａ上で移動させて、該半導体レーザ２の光軸と
光ファイバ３の光軸すなわちコア３ｂの合致する位置を
見出し、そのままの状態で該半導体レーザ２を素子搭載
面１ａに接着固定するようにしている。
てくる光量を検知しながら上記半導体レーザ２を該素子
搭載面ｌａ上で移動させて、該半導体レーザ２の光軸と
光ファイバ３の光軸すなわちコア３ｂの合致する位置を
見出し、そのままの状態で該半導体レーザ２を素子搭載
面１ａに接着固定するようにしている。
図（４）はこの状態を表わしたもので、４は（３）で説
明した接着剤を示している。
明した接着剤を示している。
かかる結合方法の場合には、上記溝ＩＣに対する光ファ
イバ３の位置決めに工数がかかると共に、該光ファイバ
３の光軸に半導体レーザ２の光軸を合致させるのに該半
導体レーザ２を二次元方向に移動させなければならない
欠点がある。
イバ３の位置決めに工数がかかると共に、該光ファイバ
３の光軸に半導体レーザ２の光軸を合致させるのに該半
導体レーザ２を二次元方向に移動させなければならない
欠点がある。
なお、上記半導体レーザに代えてＬＥＤの如き受光素子
を使用しても同様の効果を呈する。
を使用しても同様の効果を呈する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の光モジュールの光結合部形成方法では、光ファイ
バを固定するのに工数がかかると言う問題があり、また
光ファイバに対して受発光素子を所定位置に位置決めす
るのに少なくとも平面的な二次元方向に該受発光素子を
移動させなければならず更に光軸の多少の傾きによって
光結合特性にばらつきが生ずると言う問題があった。
バを固定するのに工数がかかると言う問題があり、また
光ファイバに対して受発光素子を所定位置に位置決めす
るのに少なくとも平面的な二次元方向に該受発光素子を
移動させなければならず更に光軸の多少の傾きによって
光結合特性にばらつきが生ずると言う問題があった。
上記問題点は、基板に固定された光ファイバの端部と該
基板に搭載する受発光素子との光結合部の形成方法であ
って、光ファイバを固定した基板に、該光ファイバに直
交し且つ該光ファイバを切断する所定深さの該光ファイ
バ切断溝を形成した後、該切断溝の深さを維持した状態
で、該切断溝の幅を拡げる如くに受発光素子搭載面を形
成することを特徴とした光モジュールの光結合部形成方
法によって解決される。
基板に搭載する受発光素子との光結合部の形成方法であ
って、光ファイバを固定した基板に、該光ファイバに直
交し且つ該光ファイバを切断する所定深さの該光ファイ
バ切断溝を形成した後、該切断溝の深さを維持した状態
で、該切断溝の幅を拡げる如くに受発光素子搭載面を形
成することを特徴とした光モジュールの光結合部形成方
法によって解決される。
また、基板に固定された光ファイバの端部と該基板に搭
載する受発光素子との光結合部の形成方法であって、光
ファイバを固定した基板に、該光ファイバに直交し且つ
少なくとも該光ファイバを切断する深さの該光ファイバ
切断溝を形成した後、他端に繋がる上記光ファイバが露
出する該切断溝の壁面側から該切断溝の幅方向に所定値
を残して、該切断溝より深い所定位置に受発光素子搭載
面を形成することを特徴とした光モジュールの光結合部
形成方法によって解決される。
載する受発光素子との光結合部の形成方法であって、光
ファイバを固定した基板に、該光ファイバに直交し且つ
少なくとも該光ファイバを切断する深さの該光ファイバ
切断溝を形成した後、他端に繋がる上記光ファイバが露
出する該切断溝の壁面側から該切断溝の幅方向に所定値
を残して、該切断溝より深い所定位置に受発光素子搭載
面を形成することを特徴とした光モジュールの光結合部
形成方法によって解決される。
光ファイバを基板と共に切断すると該基板の切断面に上
記光ファイバの切断面が露出する。
記光ファイバの切断面が露出する。
また、受発光素子を一次元方向にのみ移動させるだけで
所要の位置決めが行えれば、光ファイバと受発光素子の
位置合わせ作業の容易化を図ることができる。
所要の位置決めが行えれば、光ファイバと受発光素子の
位置合わせ作業の容易化を図ることができる。
本発明では、光ファイバを基板に固定した状態でダイシ
ング・ソー等によって該光ファイバを基板と共に切断し
、該基板の切断面上に上記光ファイバの切断端面を露出
させるようにしている。
ング・ソー等によって該光ファイバを基板と共に切断し
、該基板の切断面上に上記光ファイバの切断端面を露出
させるようにしている。
また、上記光ファイバの切断端面と該端面に直交する受
発光素子搭載面との交差線上に、光ファイバの端面と受
発光素子間の所定の間隔に相等する凸の段差を形成する
ようにしている。
発光素子搭載面との交差線上に、光ファイバの端面と受
発光素子間の所定の間隔に相等する凸の段差を形成する
ようにしている。
従って、光ファイバ固定面に対する光ファイバの位置決
め作業を不要とすることができる。
め作業を不要とすることができる。
また、受発光素子搭載面上の受発光素子を上記の凸の段
差壁に沿って移動させるだけで該受発光素子の位置決め
が実現できることから、光ファイバと受発光素子の位置
合わせ作業の容易化と光結合特性のばらつきを抑制する
ことができる。
差壁に沿って移動させるだけで該受発光素子の位置決め
が実現できることから、光ファイバと受発光素子の位置
合わせ作業の容易化と光結合特性のばらつきを抑制する
ことができる。
第１図は本発明を説明する工程図である。
第２図は他の実施例を説明する図である。
第１図■で、１０は例えばセラミックやガラス等からな
る絶縁基板である。
る絶縁基板である。
そこで図■に示す如く、厚さｔが２００μｍ位の例えば
ダイシング・ソー１１をｒ１方向に１００００〜２００
００ｒｐ−位に高速回転させながら矢印ｒ！の方向に移
動させて、該絶縁基板１０上に幅が上記厚さもすなわち
２００μ−で所定深さｄ例えば１２５μ−の溝１０ａを
形成する。
ダイシング・ソー１１をｒ１方向に１００００〜２００
００ｒｐ−位に高速回転させながら矢印ｒ！の方向に移
動させて、該絶縁基板１０上に幅が上記厚さもすなわち
２００μ−で所定深さｄ例えば１２５μ−の溝１０ａを
形成する。
その後浅溝１０ａの所定位置に第３図同様の外径が１２
５μ−の光ファイバ３を挿入した後、浅溝１０ａと光フ
ァイバ３の隙間に例えば紫外線硬化型樹脂のような接着
剤４を充填して該光ファイバ３を溝１０ａに固定するが
、図■はこの状態を示したものである。
５μ−の光ファイバ３を挿入した後、浅溝１０ａと光フ
ァイバ３の隙間に例えば紫外線硬化型樹脂のような接着
剤４を充填して該光ファイバ３を溝１０ａに固定するが
、図■はこの状態を示したものである。
次いで図■に示すように、該基板１ｏまたは上記タイシ
ンク・ソー１１を９０度回転させた後、上記光ファイバ
３の該基板ＩＯ上の端面を含む位置で上記溝１０ａと直
交し且つ浅溝１０ａより深い所定深さの溝１０ｂを上記
図■と同様の方法で該基板ｌｏ上に形成するが、この状
態で浅溝１０ｂの壁面には上記光ファイバ３の光軸すな
わちコア軸に対して直交する該光ファイバ３の切断端面
が露出することになる。
ンク・ソー１１を９０度回転させた後、上記光ファイバ
３の該基板ＩＯ上の端面を含む位置で上記溝１０ａと直
交し且つ浅溝１０ａより深い所定深さの溝１０ｂを上記
図■と同様の方法で該基板ｌｏ上に形成するが、この状
態で浅溝１０ｂの壁面には上記光ファイバ３の光軸すな
わちコア軸に対して直交する該光ファイバ３の切断端面
が露出することになる。
更に上記ダイシング・ソー１１をその回転軸方向（図示
ｒ、力方向に例えば数１０μｍ位ずつ移動させて浅溝１
０ｂを拡げると破線から上部の斜線で示す領域Ａが削除
されて受発光素子搭載面１０ｃが形成されて図■に示す
状態となる。
ｒ、力方向に例えば数１０μｍ位ずつ移動させて浅溝１
０ｂを拡げると破線から上部の斜線で示す領域Ａが削除
されて受発光素子搭載面１０ｃが形成されて図■に示す
状態となる。
特にこの場合の上記搭載面１０ｃの溝１０ｂの深さひい
ては絶縁基板１０表面からの段差量りは、該搭載面１０
ｃから上記光ファイバ３の光軸までの高さｈｏと第３図
で説明した所定の受発光素子（図では半導体レーザ）２
の底面から光軸（図では発光領域）２ａまでの高さｈが
等しくなるように設定している。
ては絶縁基板１０表面からの段差量りは、該搭載面１０
ｃから上記光ファイバ３の光軸までの高さｈｏと第３図
で説明した所定の受発光素子（図では半導体レーザ）２
の底面から光軸（図では発光領域）２ａまでの高さｈが
等しくなるように設定している。
図■は上記図■の光ファイバ３をその長手方向に沿う垂
直面で切断した後上記搭載面１０ｃ上に所定の半導体レ
ーザ２を固定した状態を示したものである。
直面で切断した後上記搭載面１０ｃ上に所定の半導体レ
ーザ２を固定した状態を示したものである。
この場合には図■で説明した如く、該搭載面１０Ｃから
光ファイバ３の光軸までの高さｈｏと半導体レーザ２の
底面から発光領域２ａまでの高さｈが等しいため、半導
体レーザ２を該搭載面１０ｃ上に載置した状態で該半導
体レーザ２を移動させるだけで光軸合わせ作業を実施す
ることができる。
光ファイバ３の光軸までの高さｈｏと半導体レーザ２の
底面から発光領域２ａまでの高さｈが等しいため、半導
体レーザ２を該搭載面１０ｃ上に載置した状態で該半導
体レーザ２を移動させるだけで光軸合わせ作業を実施す
ることができる。
従って、第３図で説明したような光ファイバ３の位置決
め作業を行う必要がない。
め作業を行う必要がない。
他の実施例を説明する第２図で、（１）は第１図同様の
絶縁基板２０の表面に第１図■で説明したのと同様のダ
イシング・ソー１１を使用して幅かもで深さがｄの溝２
０ａを形成した後に浅溝２０ａに所定の光ファイバ３を
接着剤４で接着固定し、更に該基板２０またはダイシン
グ・ソー１１を９０度回転させた後少なくとも上記光フ
ァイバ３の該基板２０上の端面を含む位置で浅溝２０ａ
の深さｄより深く前記第１図■で説明した所定深さの溝
１０ｂよりも多少浅い深さの溝２０ｂを該基板２０上に
形成したものである。
絶縁基板２０の表面に第１図■で説明したのと同様のダ
イシング・ソー１１を使用して幅かもで深さがｄの溝２
０ａを形成した後に浅溝２０ａに所定の光ファイバ３を
接着剤４で接着固定し、更に該基板２０またはダイシン
グ・ソー１１を９０度回転させた後少なくとも上記光フ
ァイバ３の該基板２０上の端面を含む位置で浅溝２０ａ
の深さｄより深く前記第１図■で説明した所定深さの溝
１０ｂよりも多少浅い深さの溝２０ｂを該基板２０上に
形成したものである。
従って浅凹（１）は第１図■に対応する場合を示してい
る。
る。
次いで、該ダイシング・ソー１１をその回転軸方向（図
示ｒ、力方向に例えば１０μ−移動させると共に該ダイ
シング・ソー１１を第１図■で説明した所定深さまで下
げた状態で溝２０ｃを形成すると、図（２）に示す如く
上記溝２０ｂと２０ｃで形成される溝の断面は底部に段
差面２０ｂ“と２０ｃ“を有する形状となる。
示ｒ、力方向に例えば１０μ−移動させると共に該ダイ
シング・ソー１１を第１図■で説明した所定深さまで下
げた状態で溝２０ｃを形成すると、図（２）に示す如く
上記溝２０ｂと２０ｃで形成される溝の断面は底部に段
差面２０ｂ“と２０ｃ“を有する形状となる。
なおこの場合の２０ｂ１面の光ファイバ３に沿う方向の
幅２０ｄは１０μｍである。
幅２０ｄは１０μｍである。
以後、第１図で説明したように上記ダイシング・ソー１
１を回転軸方向すなわち図のｒ、方向に移動させながら
浅溝２０ｃを拡げると、破線から上の斜線で示す領域Ａ
°が削除されて段差面２０ｃ°が拡大された受発光素子
搭載面２０ｄ゛が形成されて図（３）の状態とすること
ができる。
１を回転軸方向すなわち図のｒ、方向に移動させながら
浅溝２０ｃを拡げると、破線から上の斜線で示す領域Ａ
°が削除されて段差面２０ｃ°が拡大された受発光素子
搭載面２０ｄ゛が形成されて図（３）の状態とすること
ができる。
この場合、上記溝２０ｃの深さひいては受発光素子搭載
面２０ｄ°の絶縁基板２０表面からの段差ｌｉＤ°は第
１図■における段差量Ｄ４等しくなるように設定してい
る。
面２０ｄ°の絶縁基板２０表面からの段差ｌｉＤ°は第
１図■における段差量Ｄ４等しくなるように設定してい
る。
このことは、該搭載面２０ｄ９の表面から光ファイバ３
の光軸までの高さｈ １１が第１図■におけるｈｌと等
しいことを意味している。
の光軸までの高さｈ １１が第１図■におけるｈｌと等
しいことを意味している。
そこで図（４）に示す如く、第１図■の場合と同様の半
導体レーザ２を該搭載面２０ｄ ’上に載置し更に該半
導体レーザ２を段差面２０ｂ°の垂直壁面に接触させな
がら移動するだけで、光ファイバ３の端面と１０μｍの
間隔を維持しながら該半導体レーザ２の光軸合わせ作業
を実施することが可能となる。
導体レーザ２を該搭載面２０ｄ ’上に載置し更に該半
導体レーザ２を段差面２０ｂ°の垂直壁面に接触させな
がら移動するだけで、光ファイバ３の端面と１０μｍの
間隔を維持しながら該半導体レーザ２の光軸合わせ作業
を実施することが可能となる。
特にこの場合には、該半導体レーザ２は一次元方向の移
動で所定の位置決め作業が実施できることから極めて容
易に光モジュールの光結合部を形成することができると
共に、光ファイバ３の端面との間に常時１０μ−の間隙
が維持されることになって光軸が傾いて光結合特性がば
らついたり、また該半導体レーザ２が光ファイバ３の端
面と接触して該端面を損傷することがない。
動で所定の位置決め作業が実施できることから極めて容
易に光モジュールの光結合部を形成することができると
共に、光ファイバ３の端面との間に常時１０μ−の間隙
が維持されることになって光軸が傾いて光結合特性がば
らついたり、また該半導体レーザ２が光ファイバ３の端
面と接触して該端面を損傷することがない。
上述の如く本発明により、光ファイバと受発光素子の位
置合わせ作業の容易化と光結合特性の向上を図った光モ
ジュールの光結合部形成方法を提供することができる。
置合わせ作業の容易化と光結合特性の向上を図った光モ
ジュールの光結合部形成方法を提供することができる。
第３図は従来の受発光素子と光ファイバとの結合方法を
説明する図、 である０図において、 ２は半導体レーザ、 ３は光ファイバ、 ２ａは発光領域、 ４は接着剤、 １０ｃは受発光素子搭載面、 ２０ｂ ′、 ２０ｃ ’は段差面、２０ｄ°は受
発光素子搭載面、 をそれぞれ表わす。
説明する図、 である０図において、 ２は半導体レーザ、 ３は光ファイバ、 ２ａは発光領域、 ４は接着剤、 １０ｃは受発光素子搭載面、 ２０ｂ ′、 ２０ｃ ’は段差面、２０ｄ°は受
発光素子搭載面、 をそれぞれ表わす。
Claims (2)
- （１）基板に固定された光ファイバの端部と該基板に搭
載する受発光素子との光結合部の形成方法であって、 光ファイバ（３）を固定した基板（１０）に、該光ファ
イバ（３）に直交し且つ該光ファイバ（３）を切断する
所定深さの該光ファイバ切断溝（１０ｂ）を形成した後
、 該切断溝（１０ｂ）の深さを維持した状態で、該切断溝
（１０ｂ）の幅を拡げる如くに受発光素子搭載面（１０
ｃ）を形成することを特徴とした光モジュールの光結合
部形成方法。 - （２）基板に固定された光ファイバの端部と該基板に搭
載する受発光素子との光結合部の形成方法であって、 光ファイバ（３）を固定した基板（２０）に、該光ファ
イバ（３）に直交し且つ少なくとも該光ファイバ（３）
を切断する深さの該光ファイバ切断溝（２０ｂ）を形成
した後、 他端に繋がる上記光ファイバが露出する該切断溝（２０
ｂ）の壁面側から該切断溝（２０ｂ）の幅方向に所定値
を残して、該切断溝（２０ｂ）より深い所定位置に受発
光素子搭載面（２０ｄ’）を形成することを特徴とした
光モジュールの光結合部形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14608789A JPH0311308A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 光モジュールの光結合部形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14608789A JPH0311308A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 光モジュールの光結合部形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311308A true JPH0311308A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15399837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14608789A Pending JPH0311308A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 光モジュールの光結合部形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311308A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63316009A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Nec Corp | 光結合構造 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14608789A patent/JPH0311308A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63316009A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Nec Corp | 光結合構造 |
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