JPH0311319A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
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- JPH0311319A JPH0311319A JP14732389A JP14732389A JPH0311319A JP H0311319 A JPH0311319 A JP H0311319A JP 14732389 A JP14732389 A JP 14732389A JP 14732389 A JP14732389 A JP 14732389A JP H0311319 A JPH0311319 A JP H0311319A
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- Japan
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- waveguide
- tunnel
- waveguides
- carrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光変調素子に関し、特にキャリア注入効果を
用いた外部光変調器に関するものである。
用いた外部光変調器に関するものである。
半導体レーザ光の直接変調が困難な場合や、特殊な変調
には電気光学効果あるいはキャリア注入効果などを用い
た外部変調の方法が用いられる。
には電気光学効果あるいはキャリア注入効果などを用い
た外部変調の方法が用いられる。
中でも導波路型の光変調器は狭い導波路に光が閉じ込め
られているので回折現象がなく、狭い間隔の電極間に印
加電界を加えるので、印加電圧を小さくできる特徴があ
る。
られているので回折現象がなく、狭い間隔の電極間に印
加電界を加えるので、印加電圧を小さくできる特徴があ
る。
第３図（ａ）は例えばオプチカル アンド クオンタム
エレクトロニクス１７ （１９８５）ρｐ４４９〜
４５５ （Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １７ （１９８５）ｐｐ４４
９〜４５５）に記載された従来の導波路型光変調器の基
本的な構成を示す図であり、図において、３２はＩｎＧ
ａＡｓＰで形成されたりッジ導波路で、４３の角度２θ
で交叉しており、バンドギャップ波長は１．２μｍにな
るようにその組成が選ばれている。３１はｎ型１ｎＰ基
板である。導波路３２の交叉部上にはクラッド層をのせ
た電極部分４２が形成されており、第３図ら）はこの部
分の断面図である。第３図山）において、３３はｐ−１
ｎＰクラッド層、３４は電極のコンタクトをとるための
ｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層である。これらｐ−１ｎ
Ｐクラッド層３３．ＩｎＧａＡｓＰ導波路３２．ｎ−１
ｎＰ基板３１により、ｐ−１ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ
／ｎ−１ｎＰダブルへテロ構造が形成され、部分３６の
屈折率は等節約にそれ以外の部分よりも高くなる。３５
はマスク用のＳｔＯ，膜である。
エレクトロニクス１７ （１９８５）ρｐ４４９〜
４５５ （Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １７ （１９８５）ｐｐ４４
９〜４５５）に記載された従来の導波路型光変調器の基
本的な構成を示す図であり、図において、３２はＩｎＧ
ａＡｓＰで形成されたりッジ導波路で、４３の角度２θ
で交叉しており、バンドギャップ波長は１．２μｍにな
るようにその組成が選ばれている。３１はｎ型１ｎＰ基
板である。導波路３２の交叉部上にはクラッド層をのせ
た電極部分４２が形成されており、第３図ら）はこの部
分の断面図である。第３図山）において、３３はｐ−１
ｎＰクラッド層、３４は電極のコンタクトをとるための
ｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層である。これらｐ−１ｎ
Ｐクラッド層３３．ＩｎＧａＡｓＰ導波路３２．ｎ−１
ｎＰ基板３１により、ｐ−１ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ
／ｎ−１ｎＰダブルへテロ構造が形成され、部分３６の
屈折率は等節約にそれ以外の部分よりも高くなる。３５
はマスク用のＳｔＯ，膜である。
入射光４１は第１のボート３７又は第２のボート３８か
ら素子内に入り、後述するような動作原理によって第３
のボート３９又は第４のボート４０から出射光として出
てくる。
ら素子内に入り、後述するような動作原理によって第３
のボート３９又は第４のボート４０から出射光として出
てくる。
次に動作について説明する。
入射光の波長がＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップ波長よ
りも長い（例えば１．５μｍ）時、光は比較的低い損失
で導波路内に閉じ込められる。キャリアが電極４２から
ｐｎ接合を介して導波路層３２に注入されると、部分６
６の屈折率はプラズマ効果により低下する。
りも長い（例えば１．５μｍ）時、光は比較的低い損失
で導波路内に閉じ込められる。キャリアが電極４２から
ｐｎ接合を介して導波路層３２に注入されると、部分６
６の屈折率はプラズマ効果により低下する。
今、半導体レーザの出力光が第１のボート３７から入射
したとする。キャリアの注入を行わない場合、導波路内
に入った光はその大部分が第３のボート３９から出てく
る。一方、キャリアの注入を行うと、ＩｎＰクラッド層
３３の接合平面に沿ったキャリア濃度の空間的変化、従
って屈折率の空間的変化が急峻となり、交叉角４３が適
当な値であれば、大部分の入射光が第４のボート４０か
ら出てくるようにすることができる。即ち、第１のボー
ト３７に入射した光を部分３６に注入する電流値を変え
ることによって、第３のボート３９第４のボート４０に
出てくる光のパワーの比を変えることができる。
したとする。キャリアの注入を行わない場合、導波路内
に入った光はその大部分が第３のボート３９から出てく
る。一方、キャリアの注入を行うと、ＩｎＰクラッド層
３３の接合平面に沿ったキャリア濃度の空間的変化、従
って屈折率の空間的変化が急峻となり、交叉角４３が適
当な値であれば、大部分の入射光が第４のボート４０か
ら出てくるようにすることができる。即ち、第１のボー
ト３７に入射した光を部分３６に注入する電流値を変え
ることによって、第３のボート３９第４のボート４０に
出てくる光のパワーの比を変えることができる。
上記のような原理で、入射光のスイッチングを行うこと
ができる。
ができる。
次に第４図（ａ）はアプライド フィジクス レターズ
５２ （１９８８） ｐｐ１６０８〜１６１０ （Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５２
（１９８８） ｐｐ１６０８〜１６１０）に記載された
従来のパイボーラトンネリング電界効果トランジスタ（
以下ＢｉＴＦＥＴと記す）の基本的な構成を示す模式図
である０図において、１はソース電極、２はゲート電極
、３はドレイン電極、４は基板裏面に設けられた電極で
ある。を極にコンタクトをとるために設けられたのが、
ｎ″層１３、ｐ゛層２１である。１４はｎ−層、２２は
ｐ−層であり、例えばイオン注入法によってｎ゛層１３
及びｐ゛層２１を形成した場合に自然に生じる。
５２ （１９８８） ｐｐ１６０８〜１６１０ （Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５２
（１９８８） ｐｐ１６０８〜１６１０）に記載された
従来のパイボーラトンネリング電界効果トランジスタ（
以下ＢｉＴＦＥＴと記す）の基本的な構成を示す模式図
である０図において、１はソース電極、２はゲート電極
、３はドレイン電極、４は基板裏面に設けられた電極で
ある。を極にコンタクトをとるために設けられたのが、
ｎ″層１３、ｐ゛層２１である。１４はｎ−層、２２は
ｐ−層であり、例えばイオン注入法によってｎ゛層１３
及びｐ゛層２１を形成した場合に自然に生じる。
結晶の層構造としてはゲート電極２に近い方からｎ−−
１ｎＰ層２０、ノンドープＩｎＧａＡｓ層１９、ｎ”−
１ｎＧａＡｓｉｉ１Ｂ、ｐ”−１ｎＧａＡｓ層１７、ノ
ンドープＩ ｎＧａＡｓ層２３、ｐ−−ＩｎＰ層５とな
っている。ｉＥ子１５はソースｍ１ｌｌから供給され、
正孔１６はドレイン電極３から供給される。
１ｎＰ層２０、ノンドープＩｎＧａＡｓ層１９、ｎ”−
１ｎＧａＡｓｉｉ１Ｂ、ｐ”−１ｎＧａＡｓ層１７、ノ
ンドープＩ ｎＧａＡｓ層２３、ｐ−−ＩｎＰ層５とな
っている。ｉＥ子１５はソースｍ１ｌｌから供給され、
正孔１６はドレイン電極３から供給される。
次に動作について説明する。熱平衡状態において、高濃
度ドープされた２つの層、即ちｐ”−１ｎＧａＡｓ層１
７及びｎ” −Ｉ ｎＧａＡｓ１ｌ ８は完全に空乏化
して空間電荷令頁域が形成され、ドナー２７及びアクセ
プタ２８が第４図（ｂ）に示すように残る。キャリアは
出払ってノンドープＩｎＧａＡｓ層１９には電子が、ノ
ンドープＩｎＧａＡｓ層２３には正孔が拡散する。この
結果、第４回し）に示すように変調ドーピングの場合と
同様に、電子と正孔は縮退したチャネルを形成し、トン
ネル接合の２次元電極として働（、ｐｎ接合に順バイア
スをかけると、を流はソース電１１． ドレイン電極
３からコンタクト層であるｎ゛層１３．ｐ”層２１を通
ってチャネルに低い入力抵抗で流れ込む、キャリアは２
次元チャネル内で縮退しており、ソース電極１．ドレイ
ン電極３の間のわずかなバイアスでも通常のトンネルダ
イオードにおけるトンネルｉ！Ａ程と同様のメカニズム
で、電子が接合部をトンネルして電流が流れる。
度ドープされた２つの層、即ちｐ”−１ｎＧａＡｓ層１
７及びｎ” −Ｉ ｎＧａＡｓ１ｌ ８は完全に空乏化
して空間電荷令頁域が形成され、ドナー２７及びアクセ
プタ２８が第４図（ｂ）に示すように残る。キャリアは
出払ってノンドープＩｎＧａＡｓ層１９には電子が、ノ
ンドープＩｎＧａＡｓ層２３には正孔が拡散する。この
結果、第４回し）に示すように変調ドーピングの場合と
同様に、電子と正孔は縮退したチャネルを形成し、トン
ネル接合の２次元電極として働（、ｐｎ接合に順バイア
スをかけると、を流はソース電１１． ドレイン電極
３からコンタクト層であるｎ゛層１３．ｐ”層２１を通
ってチャネルに低い入力抵抗で流れ込む、キャリアは２
次元チャネル内で縮退しており、ソース電極１．ドレイ
ン電極３の間のわずかなバイアスでも通常のトンネルダ
イオードにおけるトンネルｉ！Ａ程と同様のメカニズム
で、電子が接合部をトンネルして電流が流れる。
一方、２次元電子と正孔のエネルギーレベルの重なる部
分がなくなると、トンネル電流は急激に減少し、負性抵
抗特性が現われる。このとき、電子と正孔の基準エネル
ギーレベルの差はゲート電極２．基板電極４間に逆バイ
アスをかけることによって増加させることができ、その
結果、電子と正孔のエネルギーレベルの重なり合う部分
が大きくなって、再び電流が増加する。これらの電極の
作用によって製作プロセスに依存するドーピング濃度プ
ロファイルで決定される。電子と正孔の工ネルギーレベ
ルを外部から制御することができ、三端子の食性抵抗素
子として使用することが可能となる。
分がなくなると、トンネル電流は急激に減少し、負性抵
抗特性が現われる。このとき、電子と正孔の基準エネル
ギーレベルの差はゲート電極２．基板電極４間に逆バイ
アスをかけることによって増加させることができ、その
結果、電子と正孔のエネルギーレベルの重なり合う部分
が大きくなって、再び電流が増加する。これらの電極の
作用によって製作プロセスに依存するドーピング濃度プ
ロファイルで決定される。電子と正孔の工ネルギーレベ
ルを外部から制御することができ、三端子の食性抵抗素
子として使用することが可能となる。
バンドギャップの大きい層、即ちｐ−−ＩｎＰ層５及び
ｎ−ＩｎＰ層２０中に存在するＰ−層２２及びｎ−層１
４はそれぞれへテロ接合を介してファウラー・ノルドハ
イム型トンネリングを防止する役目を果たしている。
ｎ−ＩｎＰ層２０中に存在するＰ−層２２及びｎ−層１
４はそれぞれへテロ接合を介してファウラー・ノルドハ
イム型トンネリングを防止する役目を果たしている。
ＢｉＴＦＥＴは電流スイッチ素子として使うことが可能
である。この使用法においてはソース電ｆｆ１ｌとドレ
イン電極３の間の電圧は負性抵抗が現われる所に設定さ
れ、ゲー）’ｔｉ２と基板電極４の間の電圧を変化させ
て負性抵抗特性が現われる直前の高い電流レベルと、負
性抵抗特性が現れた直後の低い電流レベルとを切り換え
ることができる。
である。この使用法においてはソース電ｆｆ１ｌとドレ
イン電極３の間の電圧は負性抵抗が現われる所に設定さ
れ、ゲー）’ｔｉ２と基板電極４の間の電圧を変化させ
て負性抵抗特性が現われる直前の高い電流レベルと、負
性抵抗特性が現れた直後の低い電流レベルとを切り換え
ることができる。
トンネリング状態の２次元的性質により、電流のオン状
態とオフ状態の切り換えを行うために、量子化されたエ
ネルギーレベルをシフトさせるのに必要なゲート電圧の
変化はごくわずかで済む。
態とオフ状態の切り換えを行うために、量子化されたエ
ネルギーレベルをシフトさせるのに必要なゲート電圧の
変化はごくわずかで済む。
従って、電流利得は大きく、ｌｐｓ程度の高速のスイッ
チングが可能である。
チングが可能である。
従来の導波路型の光変調素子は以上のように構成されて
おり、このようなダブルへテロ接合では電流注入を停止
した後もキャリア再結合によって電子が消費されるまで
は電子が導波路に存在するため、スイッチ時間が変調器
内部のキャリア再結合時間（ＩｎＰの場合約５ｎｓ）で
制限されてしまうことが多く、より高速の変調が困難で
あるという問題点があった。
おり、このようなダブルへテロ接合では電流注入を停止
した後もキャリア再結合によって電子が消費されるまで
は電子が導波路に存在するため、スイッチ時間が変調器
内部のキャリア再結合時間（ＩｎＰの場合約５ｎｓ）で
制限されてしまうことが多く、より高速の変調が困難で
あるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、優れた高速応答性を持ち、わずかな電圧変化
で変調可能な光変調素子を得ることを目的とする。
たもので、優れた高速応答性を持ち、わずかな電圧変化
で変調可能な光変調素子を得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る光変調素子は、導波路を構成する半導体
層を挟んで上下に電子と正孔の２次元チャネル層を実現
し、両者の間での導波層を介した電子のトンネル伝導を
制御することにより、入射光の変調を実現するようにし
たものである。
層を挟んで上下に電子と正孔の２次元チャネル層を実現
し、両者の間での導波層を介した電子のトンネル伝導を
制御することにより、入射光の変調を実現するようにし
たものである。
この発明においては、導波路を構成する半導体層にＢｉ
ＴＦＥＴ構造の注入電流制御部分を設け、トンネル伝導
によって導波層にキャリアが注入されると、その部分の
等節約な屈折率が低下し、また制御電圧を変化させてト
ンネル伝導が起こらない状態を実現すると、導波層から
速やかにキャリアが引き抜かれる構成としたから、スイ
ッチング時間を大幅に短縮することができる。
ＴＦＥＴ構造の注入電流制御部分を設け、トンネル伝導
によって導波層にキャリアが注入されると、その部分の
等節約な屈折率が低下し、また制御電圧を変化させてト
ンネル伝導が起こらない状態を実現すると、導波層から
速やかにキャリアが引き抜かれる構成としたから、スイ
ッチング時間を大幅に短縮することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による導波路型光変調素子の
基本的な構成を示す斜視図である０図において、ｌはソ
ース！橋、２はゲート電極、３はドレイン電極、４は基
板裏面に設けられた電極である。結晶の層構造は大別す
るとｐ−−ＩｎＰ層５、ＩｎＣａＡｓｎＣａＡｓ導波ｌ
−６ｎＰ層７に分けられる。入射光１２は第１のボート
８又は第２のボート９から素子内に入り、後述するよう
な動作原理によって第３のボート１０又は第４のボート
１１から出射光として出てくる。
基本的な構成を示す斜視図である０図において、ｌはソ
ース！橋、２はゲート電極、３はドレイン電極、４は基
板裏面に設けられた電極である。結晶の層構造は大別す
るとｐ−−ＩｎＰ層５、ＩｎＣａＡｓｎＣａＡｓ導波ｌ
−６ｎＰ層７に分けられる。入射光１２は第１のボート
８又は第２のボート９から素子内に入り、後述するよう
な動作原理によって第３のボート１０又は第４のボート
１１から出射光として出てくる。
第２図は第１図Ａ−Ａ ′を結ぶ線に沿って基板に垂直
に切断したときの断面の模式図である。従来例で説明し
たＢｉＴＦＥＴ構造が導波路の交叉部に形成されている
０図において、記号はすべて第４図のものと対応する。
に切断したときの断面の模式図である。従来例で説明し
たＢｉＴＦＥＴ構造が導波路の交叉部に形成されている
０図において、記号はすべて第４図のものと対応する。
次に動作について説明する。
今、第１図で入射光１２が第１のボート８から入射する
ものとする。交叉部のＢｉＴＦＥＴのソース電極１とド
レイン１！掻３の間の電圧は先に説明したように負性抵
抗が現われる所に設定されている。まず、ゲート電極２
．基板電極４の間の電圧をチャネルに注入される電流レ
ベルが低くなるように調節しであるとする。この時、大
部分の入射光は直進して第３のボート１０から出てくる
。
ものとする。交叉部のＢｉＴＦＥＴのソース電極１とド
レイン１！掻３の間の電圧は先に説明したように負性抵
抗が現われる所に設定されている。まず、ゲート電極２
．基板電極４の間の電圧をチャネルに注入される電流レ
ベルが低くなるように調節しであるとする。この時、大
部分の入射光は直進して第３のボート１０から出てくる
。
次にゲート電極２．基板型ｉ４の間の電圧を変えて、チ
ャネルに注入される電流レベルが高くなるようにする。
ャネルに注入される電流レベルが高くなるようにする。
この場合には第２図のｎ”−１ｎＧａＡｓｉｌｌＢ、ｐ
”−１ｎＧａＡｓ層１７のチャネル部分にトンネル伝導
により大量のキャリアが注入されるため、この部分の屈
折率が低下する。
”−１ｎＧａＡｓ層１７のチャネル部分にトンネル伝導
により大量のキャリアが注入されるため、この部分の屈
折率が低下する。
従って、入射光１２から素子を見て左半分の導波路の等
節約な屈折率が低下するため、適当な導波路の形状を採
用すれば、大部分の入射光１２が第４のボート１１から
出てくるようにすることができる。ゲート・基板間電圧
をもとの値に戻せばトンネル伝導が起こらなくなり、導
波路部分の屈折率は従来例と比べて十分速やかにもとの
値に戻る。
節約な屈折率が低下するため、適当な導波路の形状を採
用すれば、大部分の入射光１２が第４のボート１１から
出てくるようにすることができる。ゲート・基板間電圧
をもとの値に戻せばトンネル伝導が起こらなくなり、導
波路部分の屈折率は従来例と比べて十分速やかにもとの
値に戻る。
このように本実施例ではゲート・基板間の制御電圧を変
化させて、キャリアの注入レベルを高速に制御し光のス
イッチング時間を大幅に短縮することができる。
化させて、キャリアの注入レベルを高速に制御し光のス
イッチング時間を大幅に短縮することができる。
なお、上記実施例では材料としてはＩ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ。
ｓ。
ＩｎＰを用いた場合を述べたが、ＧａＡｓ、ＡｆｆｉＧ
ａＡｓを材料としてもよい。
ａＡｓを材料としてもよい。
（発明の効果］
以上のように、この発明によれば導波路型の光変調素子
において、ＢｉＴＦＥＴ構造の電流注入領域を有し、ト
ンネル注入により電流を流すだけでな（、同じくトンネ
ル注入により高速で上記電流注入領域からキャリアを取
り出すことにより、導波路内の屈折率分布を変化させ、
入射光の変調を行う構成としたから、光変調素子の高速
変調特性を大幅に改善できる効果がある。
において、ＢｉＴＦＥＴ構造の電流注入領域を有し、ト
ンネル注入により電流を流すだけでな（、同じくトンネ
ル注入により高速で上記電流注入領域からキャリアを取
り出すことにより、導波路内の屈折率分布を変化させ、
入射光の変調を行う構成としたから、光変調素子の高速
変調特性を大幅に改善できる効果がある。
第１図、第２図はそれぞれこの発明の一実施例による導
波路型光変態素子の斜視図及び断面図、第３図（ａ）、
（ｂ）は従来の導波路型光変調素子の斜視図及び断面
図、第４図（ａ）、 （ｂ）はパイボーラトンネリング
電界効果トランジスタの基本的な構成、及び動作を説明
するための図である。 １はソース電極、２はゲート電極、３はドレイン電極、
４は基板電極、５はｐ−ＩｎＰ層、６はＩｎＧａＡｓ導
波層、７はｎ−−１ｎＰ層、８は第７のボート、９は第
２のボート、１０は第３のボート、１１は第４のボート
、１２は入射光、１３はｎ１層、１４はｎ−層、１５は
電子、１６は正孔、１７はｐ”−１ｎＧａＡｓ層、１８
はｎ”−Ｉ ｎＧａＡｓ層、１９はノンドープＩｎＧａ
Ａｓ層、２０はｎ−−１ｎＰ層、２１はｐ゛層、２２は
ｐ−層、２３はノンドープＩ ｎＧａＡｓ層、２７はド
ナー、２８はアクセプタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
波路型光変態素子の斜視図及び断面図、第３図（ａ）、
（ｂ）は従来の導波路型光変調素子の斜視図及び断面
図、第４図（ａ）、 （ｂ）はパイボーラトンネリング
電界効果トランジスタの基本的な構成、及び動作を説明
するための図である。 １はソース電極、２はゲート電極、３はドレイン電極、
４は基板電極、５はｐ−ＩｎＰ層、６はＩｎＧａＡｓ導
波層、７はｎ−−１ｎＰ層、８は第７のボート、９は第
２のボート、１０は第３のボート、１１は第４のボート
、１２は入射光、１３はｎ１層、１４はｎ−層、１５は
電子、１６は正孔、１７はｐ”−１ｎＧａＡｓ層、１８
はｎ”−Ｉ ｎＧａＡｓ層、１９はノンドープＩｎＧａ
Ａｓ層、２０はｎ−−１ｎＰ層、２１はｐ゛層、２２は
ｐ−層、２３はノンドープＩ ｎＧａＡｓ層、２７はド
ナー、２８はアクセプタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）Ｘ字状に交叉する導波路を構成する多層半導体層
を有し、 該導波路の交叉部にキャリアを注入することによって屈
折率を変化させ、上記導波路を伝搬する導波光の強度を
変化させるようにした光変調素子において、 上記導波路の交叉部において、ＢｉＴＦＥＴによりキャ
リアをトンネル伝導させて導波路内のキャリア密度を変
化させることを特徴とする光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732389A JP2735623B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732389A JP2735623B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 光変調素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311319A true JPH0311319A (ja) | 1991-01-18 |
| JP2735623B2 JP2735623B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15427587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14732389A Expired - Fee Related JP2735623B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735623B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006052A1 (fr) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Systeme de circuit optique et ses constituants |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14732389A patent/JP2735623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006052A1 (fr) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Systeme de circuit optique et ses constituants |
| US5757989A (en) * | 1992-09-10 | 1998-05-26 | Fujitsu Limited | Optical circuit system capable of producing optical signal having a small fluctuation and components of same |
| US6215585B1 (en) | 1992-09-10 | 2001-04-10 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same technical field |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
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| JP2735623B2 (ja) | 1998-04-02 |
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