JPH03114310A - 弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法Info
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- JPH03114310A JPH03114310A JP25306789A JP25306789A JPH03114310A JP H03114310 A JPH03114310 A JP H03114310A JP 25306789 A JP25306789 A JP 25306789A JP 25306789 A JP25306789 A JP 25306789A JP H03114310 A JPH03114310 A JP H03114310A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は弾性表面波フィルター用基板およびその製造方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術）
近年、圧電基板の表面を伝搬する弾性表面波を利用した
弾性表面波フィルターが開発されている。
弾性表面波フィルターが開発されている。
このような弾性表面波フィルターとしては次のようなも
のがある。
のがある。
第８図は従来の弾性表面波フィルターを示す図である。
同図に示すように、このフィルターは、圧電基板１の表
面上に、櫛状電極２．３により構成される入出カドラン
スデューサ４．５において、入カドランスデューサ４に
加えられた電気信号が圧電基板１の表面を伝搬する弾性
表面波に変換され、これが出カドランスデューサ５によ
って再び電気信号に変換されるものである。
面上に、櫛状電極２．３により構成される入出カドラン
スデューサ４．５において、入カドランスデューサ４に
加えられた電気信号が圧電基板１の表面を伝搬する弾性
表面波に変換され、これが出カドランスデューサ５によ
って再び電気信号に変換されるものである。
ところで、この弾性表面波フィルターは入カドランスデ
ューサ４から弾性表面波の他にも圧電基板１の中を伝わ
るバルク波も放射する。そしてこのバルク波が圧電基板
１の平な裏面で反射されることにより、再び表面におい
て入出カドランスデューサ５に到達して検出される。こ
のため、弾性表面波フィルターの特性にバルクスプリア
スを生じさせフィルター特性を悪化させていた。
ューサ４から弾性表面波の他にも圧電基板１の中を伝わ
るバルク波も放射する。そしてこのバルク波が圧電基板
１の平な裏面で反射されることにより、再び表面におい
て入出カドランスデューサ５に到達して検出される。こ
のため、弾性表面波フィルターの特性にバルクスプリア
スを生じさせフィルター特性を悪化させていた。
そこで、これらを防止するよう第９図に示すように、圧
電基板１の櫛状電極２．３を形成した表面１ａに対向す
る裏面１ｂに溝や穴などの凹部６を規則的に多数形成す
ることか行われている。
電基板１の櫛状電極２．３を形成した表面１ａに対向す
る裏面１ｂに溝や穴などの凹部６を規則的に多数形成す
ることか行われている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した従来の基板の裏面加工は、砥粒
によりランダムに粗らす方法やダイシングやホーニング
により溝加工を行なっている。
によりランダムに粗らす方法やダイシングやホーニング
により溝加工を行なっている。
前者はランダムな粗らしのため、厚さバラツキが生じや
すく、さらには全面の粗らしにより加工歪みが大きく、
基板が割れやすいという課題がある。
すく、さらには全面の粗らしにより加工歪みが大きく、
基板が割れやすいという課題がある。
後者も一部分粗らさないところはあるが窪みが連続した
り、溝部分はどうしても弱くなりウェハプロセスやデバ
イスプロセスでの割れる原因となっている。
り、溝部分はどうしても弱くなりウェハプロセスやデバ
イスプロセスでの割れる原因となっている。
本発明は上述した従来の課題を解決するためのもので、
バルク波等の不要波を良好に除去することができ、しか
も基板の所定の面の平面度を向上させることのできる弾
性表面波フィルター用基板およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
バルク波等の不要波を良好に除去することができ、しか
も基板の所定の面の平面度を向上させることのできる弾
性表面波フィルター用基板およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の弾性表面波フィルター用基板は、圧電基板の主
面に櫛状電極パターンが形成され、この櫛状電極パター
ンが形成された主面を除く面に多分域層が形成されると
ともに、前記多分域層か形成される前記基板の面が非平
面とされたものである。
面に櫛状電極パターンが形成され、この櫛状電極パター
ンが形成された主面を除く面に多分域層が形成されると
ともに、前記多分域層か形成される前記基板の面が非平
面とされたものである。
また本発明の弾性表面波フィルター用基板の製造方法は
、圧電基板の主面に櫛状電極パターンを形成し、この基
板を溶媒液中に浸漬し、前記基板の櫛状電極パターンを
形成した主面を除く面にレーザ光を照射して前記主面を
除く面を非平面とするとともに、厚さ２０μｍ〜３００
μ０の多分域層を形成することを特徴としている。
、圧電基板の主面に櫛状電極パターンを形成し、この基
板を溶媒液中に浸漬し、前記基板の櫛状電極パターンを
形成した主面を除く面にレーザ光を照射して前記主面を
除く面を非平面とするとともに、厚さ２０μｍ〜３００
μ０の多分域層を形成することを特徴としている。
（作 用）
本発明では、弾性表面波フィルター用基板の櫛状ｆ−３
ｉｆｆのパターン形成部分を除く箇所に適度なレーザ照
射を行うことにより、部分的に多分域層を形成し、厚み
方向のバルク波を押さえることが出来る。
ｉｆｆのパターン形成部分を除く箇所に適度なレーザ照
射を行うことにより、部分的に多分域層を形成し、厚み
方向のバルク波を押さえることが出来る。
さらには側面や、電極面のチップの端面側周辺部をも多
分域化することにより、レーリー波の反射も防止可能と
なり、良好なフィルター特性が得られる。また、ウェハ
自体も外的な加工歪みを受けず、ウェハプロセスでの歩
留りも向上し、デバイスプロセスでの割れも減少させる
ことができる。
分域化することにより、レーリー波の反射も防止可能と
なり、良好なフィルター特性が得られる。また、ウェハ
自体も外的な加工歪みを受けず、ウェハプロセスでの歩
留りも向上し、デバイスプロセスでの割れも減少させる
ことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の弾性表面波フィルター用基
板を示す側面断面図である。
板を示す側面断面図である。
同図において、１１は圧電基板を示している。
この圧電基板１１の一方の面上には、櫛状電極１２．１
３が形成されている。また、圧電基板１１の他方の面に
は、レーザ光を照射することにより形成された凹凸部分
を有する多分域層１４が設けられている。
３が形成されている。また、圧電基板１１の他方の面に
は、レーザ光を照射することにより形成された凹凸部分
を有する多分域層１４が設けられている。
次に、上述の圧電基板１１に多分域層１４を形成する際
に使用するレーザ加工装置について第２図を用いて説明
する。
に使用するレーザ加工装置について第２図を用いて説明
する。
同図において、２１はレーザ発振器を示している。この
レーザ発振器２１からレーザ光は、反射鏡２２により反
射されてビーム走査ユニット２３に導入される。また、
２４は水中容器を示しており、この水中容器２４のウェ
ハ固定台２５上には、圧電基板となるウェハ２６が固定
されている。また、水中容器２４内には、たとえば水、
シリコンオイルなどの溶媒２７が収容されている。
レーザ発振器２１からレーザ光は、反射鏡２２により反
射されてビーム走査ユニット２３に導入される。また、
２４は水中容器を示しており、この水中容器２４のウェ
ハ固定台２５上には、圧電基板となるウェハ２６が固定
されている。また、水中容器２４内には、たとえば水、
シリコンオイルなどの溶媒２７が収容されている。
そして、ビーム走査ユニット２３により走査されるレー
ザ光は、溶媒２７を介してウェハ２６に照射される。
ザ光は、溶媒２７を介してウェハ２６に照射される。
次に、本発明の弾性表面波フィルター用基板の製造方法
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
（実施例１）
ＬｉＮｂＯｚ単結晶７６φＸ Ｏ，６２ｍｍ ｔの
１２８９Ｙ板のスライスウェハをＧＣＩＩ２５００の砥
粒で両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍｍ ｔに
整える。このウェハを上述したレーザ加工装置の水中加
工容器に装着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。
１２８９Ｙ板のスライスウェハをＧＣＩＩ２５００の砥
粒で両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍｍ ｔに
整える。このウェハを上述したレーザ加工装置の水中加
工容器に装着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。
レーザ装置を発振させ、ＬＯＷの連続出力（ＣＷ）で安
定させる。
定させる。
次にＱ−スイッチを５ｋＨｚで稼働させた。加工送り速
度を５ｍｍ／ｓにしてピッチ０．６ｎ＋ｌｕの溝状の加
工を行った。
度を５ｍｍ／ｓにしてピッチ０．６ｎ＋ｌｕの溝状の加
工を行った。
結果は表面に溶融物はなかった、またこのウェハはチッ
ピングもなく、そりも３μｍと良好であった。このウェ
ハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作し
たところ、バルク波による反射波か効率良く除去でき、
従来の０点トラップが一４５ｄＢに対し一５０ｄＢまで
落ちて良好なＳＡＷフィルターが得られた。また、加工
歪みも少なく割れにく（デバイスプロセス歩留りも１０
％以上の向上が得られた。またこのチップの断面を鏡面
研磨して１２０℃にて１時間フッ硝酸でエツチングした
ところ、第３図に示すように、チップ３１のフィルター
を構成する櫛状電極形成面３１ａを除く面にレーザ照射
により分極反転されて多分域層ａ１が厚さ３０μｍで形
成されるとともに、溝状に照射したレーザ焦点近傍が溝
状に分極反転し多分域層ｂ１が幅６００μｍ１厚さ １
００μｍに形成されていた。
ピングもなく、そりも３μｍと良好であった。このウェ
ハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作し
たところ、バルク波による反射波か効率良く除去でき、
従来の０点トラップが一４５ｄＢに対し一５０ｄＢまで
落ちて良好なＳＡＷフィルターが得られた。また、加工
歪みも少なく割れにく（デバイスプロセス歩留りも１０
％以上の向上が得られた。またこのチップの断面を鏡面
研磨して１２０℃にて１時間フッ硝酸でエツチングした
ところ、第３図に示すように、チップ３１のフィルター
を構成する櫛状電極形成面３１ａを除く面にレーザ照射
により分極反転されて多分域層ａ１が厚さ３０μｍで形
成されるとともに、溝状に照射したレーザ焦点近傍が溝
状に分極反転し多分域層ｂ１が幅６００μｍ１厚さ １
００μｍに形成されていた。
（実施例２）
ＬｉＮｂ０３単結晶゛７６φＸ Ｏ，６２ｍｍ ｔの
１２８°Ｙ板のスライスウェハをＧＣＩＩ２５００の
砥粒で両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍｍ ｔ
に整える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器
に装着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ
加工装置を発振させ、ＬＯＷの連続出力で安定させる。
１２８°Ｙ板のスライスウェハをＧＣＩＩ２５００の
砥粒で両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍｍ ｔ
に整える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器
に装着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ
加工装置を発振させ、ＬＯＷの連続出力で安定させる。
次にＱ−スイッチを５ｋ）Ｉｚで稼働させた。加工送り
速度を３ｍｆｆ１／ｓにしてピッチ０．５ｍｍの溝状の
加工を行った。
速度を３ｍｆｆ１／ｓにしてピッチ０．５ｍｍの溝状の
加工を行った。
結果は表面に溶融物はなかった。またこのウェハはチッ
ピングもなく、そりも４μＩと良好であった。このウェ
ハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作し
たところバルク波による反射波が効率良く除去できて従
来の０点トラップが一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落
ちて良好なＳＡＷフィルター特性が得られた。また、加
工歪みも少なく割れにく（デバイスプロセス歩留りも１
０％以上の向上が見られた。また、このチップの断面を
鏡面研磨して１２０℃にて１時間フッ硝酸でエツチング
したところ、第４図に示すように、チップ３１のフィル
ターを構成する櫛状電極形成面３１ａを除く面にレーザ
照射により分極反転されて多分域層ａ２が厚さ４０μｍ
で形成されるとともに、溝状に照射したレーザ焦点近傍
が溝状に分極反転し多分域層ｂ２が幅５００μｍ１厚さ
１５０μｍに形成されていた。
ピングもなく、そりも４μＩと良好であった。このウェ
ハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作し
たところバルク波による反射波が効率良く除去できて従
来の０点トラップが一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落
ちて良好なＳＡＷフィルター特性が得られた。また、加
工歪みも少なく割れにく（デバイスプロセス歩留りも１
０％以上の向上が見られた。また、このチップの断面を
鏡面研磨して１２０℃にて１時間フッ硝酸でエツチング
したところ、第４図に示すように、チップ３１のフィル
ターを構成する櫛状電極形成面３１ａを除く面にレーザ
照射により分極反転されて多分域層ａ２が厚さ４０μｍ
で形成されるとともに、溝状に照射したレーザ焦点近傍
が溝状に分極反転し多分域層ｂ２が幅５００μｍ１厚さ
１５０μｍに形成されていた。
（実施例３）
ＬｉＴａ０３単結晶７６φＸ Ｏ，８２ｔａｎ ｔの
Ｘ板のスライスウェハをＧＣｌｔ ２５００の砥粒で両
面ラップ加工により厚みを０．５２ ｔｎＩＩｌｔに整
える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器に装
着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ加工
装置を発振させ、２０Ｖの連続出力で安定させる。
Ｘ板のスライスウェハをＧＣｌｔ ２５００の砥粒で両
面ラップ加工により厚みを０．５２ ｔｎＩＩｌｔに整
える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器に装
着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ加工
装置を発振させ、２０Ｖの連続出力で安定させる。
次に、Ｑ−スイッチを５ｋＨｚで稼働させた。加工送り
速度を３ａｕｎ／ｓにしてピッチ０．５１の溝状の加工
を行った。
速度を３ａｕｎ／ｓにしてピッチ０．５１の溝状の加工
を行った。
結果は表面に溶融物はなかった。またこのウェハはチッ
ピングもなく、そりも３μｍと良好であった。このウェ
ハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作し
たところバルク波による反射波が効率良く除去できて従
来の０点トラップか一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落
ちて良好なＳＡＷフィルター特性が得られた。また、加
工歪みも少なく割れに（くデバイスプロセス歩留りも１
０％以上の向上が見られた。また、このチップの断面を
鏡面研磨して１２０℃にて１時間フッ硝酸でエツチング
したところ、第４図と同様に、チップ３１のフィルター
を構成する櫛状電極形成面３１ｇを除く面にレーザ照射
により分極反転されて多分域層ａ２が厚さ４０μｍで形
成されるとともに、溝状に照射したレーザ焦点近傍が溝
状に分極反転し多分域層ｂ２が幅５００μ１１厚さ １
５０μｍに形成されていた。
ピングもなく、そりも３μｍと良好であった。このウェ
ハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作し
たところバルク波による反射波が効率良く除去できて従
来の０点トラップか一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落
ちて良好なＳＡＷフィルター特性が得られた。また、加
工歪みも少なく割れに（くデバイスプロセス歩留りも１
０％以上の向上が見られた。また、このチップの断面を
鏡面研磨して１２０℃にて１時間フッ硝酸でエツチング
したところ、第４図と同様に、チップ３１のフィルター
を構成する櫛状電極形成面３１ｇを除く面にレーザ照射
により分極反転されて多分域層ａ２が厚さ４０μｍで形
成されるとともに、溝状に照射したレーザ焦点近傍が溝
状に分極反転し多分域層ｂ２が幅５００μ１１厚さ １
５０μｍに形成されていた。
（実施例４）
ＬｉＮｂ０３単結晶７６φＸ Ｏ，６２ｍｍ ｔの１
２８°Ｙ板のスライスウェハをＧＣ１２５００の砥粒で
両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍ＋ｎ ｔに整
える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器に装
着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ加工
装置を発振させ、３０Ｗの連続出力（ＣＷ）で安定させ
る。
２８°Ｙ板のスライスウェハをＧＣ１２５００の砥粒で
両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍ＋ｎ ｔに整
える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器に装
着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ加工
装置を発振させ、３０Ｗの連続出力（ＣＷ）で安定させ
る。
次にＱ−スイッチを５ｋｌｌｚで稼働させた。加工送り
速度をＬＯｍｍ／ｓにしてピッチ ０．６ｍｍの溝状の
加工を行った。
速度をＬＯｍｍ／ｓにしてピッチ ０．６ｍｍの溝状の
加工を行った。
結果は表面に溶融物もなく、また第５図に示すように、
チップ５１に対して溝状に照射したレーザ焦点近傍が幅
４００μｆ１１〜５００μｍ（Ｗ）、深さ６０μｍ〜１
００μｌｌ１（Ｄ）の溝５２か形成され、この溝５２の
内壁面に厚さ４０μｆｆ１〜５０μＧ＋ （Ｃ）の多
分域層５３が形成されていた。このウェハの表面を、コ
ロイダル５ｉ０２にて１０μｍ〜２０μｍのポリッシン
グを行った。このウェハはチッピングの発生もなく、そ
りも１０μｍと良好であった。このウェハを使い、鏡面
側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作したところバルク
波による反射波が効率良く除去できて従来の０点トラッ
プが一４５ｄＢに対し一５５ｄＢまで落ちて良好なＳＡ
Ｗフィルター特性が得られた。また、加工歪みも少なく
割れにくくデバイスプロセス歩留りも１０％以上の向上
が得られた。
チップ５１に対して溝状に照射したレーザ焦点近傍が幅
４００μｆ１１〜５００μｍ（Ｗ）、深さ６０μｍ〜１
００μｌｌ１（Ｄ）の溝５２か形成され、この溝５２の
内壁面に厚さ４０μｆｆ１〜５０μＧ＋ （Ｃ）の多
分域層５３が形成されていた。このウェハの表面を、コ
ロイダル５ｉ０２にて１０μｍ〜２０μｍのポリッシン
グを行った。このウェハはチッピングの発生もなく、そ
りも１０μｍと良好であった。このウェハを使い、鏡面
側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作したところバルク
波による反射波が効率良く除去できて従来の０点トラッ
プが一４５ｄＢに対し一５５ｄＢまで落ちて良好なＳＡ
Ｗフィルター特性が得られた。また、加工歪みも少なく
割れにくくデバイスプロセス歩留りも１０％以上の向上
が得られた。
（実施例５）
ＬｉＴａＪ Ｑｉ結晶７６φＸ Ｑ、４’ｌ ＋＋＋ａ
＋ ｔＯＸ板のスライスウェハをＧＣ＄ ２５００の砥
粒で両面ラップ加工により厚みを０．４０１１１ｍ ｔ
に整える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器
に装着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ
加工装置を発振させ、４０Ｗの連続出力（ＣＷ）で安定
させる。
＋ ｔＯＸ板のスライスウェハをＧＣ＄ ２５００の砥
粒で両面ラップ加工により厚みを０．４０１１１ｍ ｔ
に整える。このウェハをレーザ加工装置の水中加工容器
に装着し、冷却装置を稼働させ水を循環させる。レーザ
加工装置を発振させ、４０Ｗの連続出力（ＣＷ）で安定
させる。
次に、Ｑ−スイッチを５ ｋ Ｈｚで稼働させた。加工
送り速度を８＋ｎ＋ｕ／ｓにしてピッチ０．６１の溝状
の加工を行った。
送り速度を８＋ｎ＋ｕ／ｓにしてピッチ０．６１の溝状
の加工を行った。
結果は表面に溶融物もなく、第５図と同様に、チップ５
１に溝状に照射したレーザ焦点近傍が幅３００μＩｌ〜
４００μｌｌ１（Ｗ）、深さ６０μＩＩＩ〜８０μ１（
Ｄ）の溝５２が形成され、この溝５２の内壁面に厚さ２
０μＩｌｌ〜３０μｌの多分域層５３が形成されていた
。このウェハの表面を、コロイダル５ｉ０２にて１０μ
ｍ〜２０μｍのポリッシングを行った。またこのウェハ
はチッピングもなく、そりも２０μｍと良好であった。
１に溝状に照射したレーザ焦点近傍が幅３００μＩｌ〜
４００μｌｌ１（Ｗ）、深さ６０μＩＩＩ〜８０μ１（
Ｄ）の溝５２が形成され、この溝５２の内壁面に厚さ２
０μＩｌｌ〜３０μｌの多分域層５３が形成されていた
。このウェハの表面を、コロイダル５ｉ０２にて１０μ
ｍ〜２０μｍのポリッシングを行った。またこのウェハ
はチッピングもなく、そりも２０μｍと良好であった。
このウェハを使い、鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイ
ス製作したところバルク波による反射波か効率良く除去
できて従来の０点トラップが一４５ｄＢに対し一５２ｄ
Ｂまで落ちて良好なＳＡＷフィルター特性が得られた。
ス製作したところバルク波による反射波か効率良く除去
できて従来の０点トラップが一４５ｄＢに対し一５２ｄ
Ｂまで落ちて良好なＳＡＷフィルター特性が得られた。
また、加工歪みも少なく割れにくくデバイスプロセス歩
留りも８％以上の向上が得られた。
留りも８％以上の向上が得られた。
（比較例１）
ＬｉＮｂ０３単結晶７６φＸ Ｏ，６２ｍｍ ｔの
１２８８Ｙ板のスライスウェハをＧＣ＄２５００の砥粒
で両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍｍ ｔに整
える。このウェハをレーザ加工装置にセットし、レーザ
加工装置を発振させ、ＬＯＷの連続出力で安定させる。
１２８８Ｙ板のスライスウェハをＧＣ＄２５００の砥粒
で両面ラップ加工により厚みを０．５２ ｍｍ ｔに整
える。このウェハをレーザ加工装置にセットし、レーザ
加工装置を発振させ、ＬＯＷの連続出力で安定させる。
次にＱ−スイッチを５ｋｌｌｚて稼働させた。加工送り
速度をＬＯｍｍ／ｓにしてピッチ０．５ｍｍの溝状の加
工を行った。
速度をＬＯｍｍ／ｓにしてピッチ０．５ｍｍの溝状の加
工を行った。
結果は表面に溶融物が付着し、クラックが各所に発生し
、加工歩留は１０％以下であった。このウェハを使い、
鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作したところ一
部はバルク波による反射波か除去でき、従来の０点トラ
ップが一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落ちたＳＡＷフ
ィルター特性が得られたが、加工歪みも多く割れ易くデ
バイスプロセス歩留りも２０％と低下°した。また、こ
のチップの断面を鏡面研磨して１２０℃にてフッ硝酸で
エツチングしたところ、レーザ照射部が溝状に多分域化
され３５０μｍの深さとなっていた。一部は多分域層が
表面層まで達していた。
、加工歩留は１０％以下であった。このウェハを使い、
鏡面側にＴＶ用ラフイルターデバイス製作したところ一
部はバルク波による反射波か除去でき、従来の０点トラ
ップが一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落ちたＳＡＷフ
ィルター特性が得られたが、加工歪みも多く割れ易くデ
バイスプロセス歩留りも２０％と低下°した。また、こ
のチップの断面を鏡面研磨して１２０℃にてフッ硝酸で
エツチングしたところ、レーザ照射部が溝状に多分域化
され３５０μｍの深さとなっていた。一部は多分域層が
表面層まで達していた。
（比較例２）
ＬｉＴａＯ３単結晶７６φＸ Ｏ，６２ｍｍ ｔのＸ
板のスライスウェハをＧＣ＃２５００の砥粒で両面ラッ
プ加工により厚みを０．５２ ｍｔｎ ｔに整える。こ
のウェハをレーザ加工装置にセットし、レーザ加工装置
を発振させ、１５Ｗの連続出力で安定させる。
板のスライスウェハをＧＣ＃２５００の砥粒で両面ラッ
プ加工により厚みを０．５２ ｍｔｎ ｔに整える。こ
のウェハをレーザ加工装置にセットし、レーザ加工装置
を発振させ、１５Ｗの連続出力で安定させる。
次に、Ｑ−スイッチを５ ｋ ｔｌ ｚで稼働させた。
加工送り速度を１０ｍ＋ｎ／ｓにしてピッチ０．５ｎｕ
＋＋の溝状の加工を行った。
＋＋の溝状の加工を行った。
結果は表面に溶融物が付着し、クラックが各所に発生し
、加工歩留は１０％以下であった。このウェハを使い、
鏡面側にＴＶ用フィルターデバイスを製作したところ一
部はバルク波による反射波が除去でき、従来の０点トラ
ップが一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落ちたＳＡＷフ
ィルター特性が得られたが、加工歪みも多く割れ易くデ
バイスプロセス歩留りも１０％と低下した。また、この
チップの断面を鏡面研磨して１２０℃にてフッ硝酸でエ
ツチングしたところ、レーザ照射部が溝状に多分域化さ
れ３５０μｍの深さとなっていた。一部は多分域層が表
面層まで達していた。
、加工歩留は１０％以下であった。このウェハを使い、
鏡面側にＴＶ用フィルターデバイスを製作したところ一
部はバルク波による反射波が除去でき、従来の０点トラ
ップが一４５ｄＢに対し一５２ｄＢまで落ちたＳＡＷフ
ィルター特性が得られたが、加工歪みも多く割れ易くデ
バイスプロセス歩留りも１０％と低下した。また、この
チップの断面を鏡面研磨して１２０℃にてフッ硝酸でエ
ツチングしたところ、レーザ照射部が溝状に多分域化さ
れ３５０μｍの深さとなっていた。一部は多分域層が表
面層まで達していた。
なお、上述の多分域層の形成形状は上述した実施例に限
定されるものではなく、第６図に示すように、チップ６
１に幅２００ｐ ｍ 〜６（１０μｒｅ （Ｗ）、厚
さ １００μｌ〜３００μｍ （Ｔ）帯状の多分域層
６２を形成してもよく、また第７図に示すように、チッ
プ７１の櫛状電極を形成する面７１ａを除く全面に厚さ
２０μＩ１１〜５０μｍの多分域層７２を形成するとと
もに、溝状に照射したレーザ焦点近傍が幅１００μＩ１
１〜８００μ１（Ｗ）、深さ８０μｍ 〜１００μｍ
（Ｄ）の溝７３が形成された形状であってもよい。
定されるものではなく、第６図に示すように、チップ６
１に幅２００ｐ ｍ 〜６（１０μｒｅ （Ｗ）、厚
さ １００μｌ〜３００μｍ （Ｔ）帯状の多分域層
６２を形成してもよく、また第７図に示すように、チッ
プ７１の櫛状電極を形成する面７１ａを除く全面に厚さ
２０μＩ１１〜５０μｍの多分域層７２を形成するとと
もに、溝状に照射したレーザ焦点近傍が幅１００μＩ１
１〜８００μ１（Ｗ）、深さ８０μｍ 〜１００μｍ
（Ｄ）の溝７３が形成された形状であってもよい。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明の弾性表面波フィルター用基
板およびその製造方法は、弾性表面波フィルター用基板
を溶媒液中に浸漬し、この基板の櫛状電極のパターン形
成部分を除く箇所にレーザ光を照射して多分域層を形成
するので、多分域層が有するランダムな極性により多分
域層と単分域層との境界でバルク波やレーリー波等の不
要波の反射を防止することができ、良好なフィルター特
性が得られる。また、ウェハ自体も外的な加工歪みを受
けず、ウェハプロセスおよびデバイスプロセスでの歩留
りも大幅に向上させることができる。
板およびその製造方法は、弾性表面波フィルター用基板
を溶媒液中に浸漬し、この基板の櫛状電極のパターン形
成部分を除く箇所にレーザ光を照射して多分域層を形成
するので、多分域層が有するランダムな極性により多分
域層と単分域層との境界でバルク波やレーリー波等の不
要波の反射を防止することができ、良好なフィルター特
性が得られる。また、ウェハ自体も外的な加工歪みを受
けず、ウェハプロセスおよびデバイスプロセスでの歩留
りも大幅に向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例の弾性表面波フィルター用基
板を説明するための図、第２図は本実施例の製造方法に
適用されるレーザ加工装置を説明するための図、第３図
は本発明の一実施例の弾性表面波フィルター用基板の製
造方法により得られた基板を説明するための図、第４図
および第５図はそれぞれ本発明の他の実施例の弾性表面
波フィルター用基板の製造方法により得られた基板を説
明するための図、第６図および第７図は本発明の他の実
施例の弾性表面波フィルター用基板における多分域層の
形状を説明するだめの図、第８図および第９図はそれぞ
れ従来の弾性表面波フィルター用基板を示す図である。 １１・・・圧電基板、１２．１３・・・櫛状電極、１４
・・・多分域層、２１・・・レーザ発振器、２３・・・
ビーム走査ユニット、２４・・・水中容器、２６・・・
ウェハ、２７・・・溶媒。
板を説明するための図、第２図は本実施例の製造方法に
適用されるレーザ加工装置を説明するための図、第３図
は本発明の一実施例の弾性表面波フィルター用基板の製
造方法により得られた基板を説明するための図、第４図
および第５図はそれぞれ本発明の他の実施例の弾性表面
波フィルター用基板の製造方法により得られた基板を説
明するための図、第６図および第７図は本発明の他の実
施例の弾性表面波フィルター用基板における多分域層の
形状を説明するだめの図、第８図および第９図はそれぞ
れ従来の弾性表面波フィルター用基板を示す図である。 １１・・・圧電基板、１２．１３・・・櫛状電極、１４
・・・多分域層、２１・・・レーザ発振器、２３・・・
ビーム走査ユニット、２４・・・水中容器、２６・・・
ウェハ、２７・・・溶媒。
Claims (2)
- （１）圧電基板の主面に櫛状電極パターンが形成され、
この櫛状電極パターンが形成された主面を除く面に多分
域層が形成されるとともに、前記多分域層が形成される
前記基板の面が非平面とされたことを特徴とする弾性表
面波フィルター用基板。 - （２）圧電基板の主面に櫛状電極パターンを形成し、こ
の基板を溶媒液中に浸漬し、前記基板の櫛状電極パター
ンを形成した主面を除く面にレーザ光を照射して前記主
面を除く面を非平面とするとともに、厚さ２０μｍ〜３
００μｍの多分域層を形成することを特徴とする弾性表
面波フィルター用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25306789A JPH03114310A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25306789A JPH03114310A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03114310A true JPH03114310A (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=17246031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25306789A Pending JPH03114310A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03114310A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013046107A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびモジュール |
| JP2018042209A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
| US10483941B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-11-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| CN111835313A (zh) * | 2019-04-23 | 2020-10-27 | 株式会社迪思科 | Saw滤波器的制造方法和saw滤波器 |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP25306789A patent/JPH03114310A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013046107A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびモジュール |
| US10483941B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-11-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| JP2018042209A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
| CN111835313A (zh) * | 2019-04-23 | 2020-10-27 | 株式会社迪思科 | Saw滤波器的制造方法和saw滤波器 |
| JP2020182035A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | 株式会社ディスコ | Ｓａｗフィルタの製造方法及びｓａｗフィルタ |
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