JPH03115321A - エポキシ樹脂成形材料の製造方法 - Google Patents
エポキシ樹脂成形材料の製造方法Info
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- JPH03115321A JPH03115321A JP7981990A JP7981990A JPH03115321A JP H03115321 A JPH03115321 A JP H03115321A JP 7981990 A JP7981990 A JP 7981990A JP 7981990 A JP7981990 A JP 7981990A JP H03115321 A JPH03115321 A JP H03115321A
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 23
- 239000012778 molding material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 14
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- -1 amino modified silicon Chemical class 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体素子などの電子部品の封止用に適し
たエポキシ樹脂成形材料に関する。
たエポキシ樹脂成形材料に関する。
コンデンサ、ダイオード、トランジスタ、サイリスク、
ホール素子などの個別半導体またはＩＣ、ＬＳＩなどの
集積回路においては、半導体を機械的、電気的に外的環
境から保護するためにしばしばエポキシ樹脂成形材料で
封止される。封止方法としては、気密封止、セラミック
封止、プラスチック封止が行なわれているが、量産性に
もすぐれ安価なプラスチック封止が最近の主流である。
ホール素子などの個別半導体またはＩＣ、ＬＳＩなどの
集積回路においては、半導体を機械的、電気的に外的環
境から保護するためにしばしばエポキシ樹脂成形材料で
封止される。封止方法としては、気密封止、セラミック
封止、プラスチック封止が行なわれているが、量産性に
もすぐれ安価なプラスチック封止が最近の主流である。
プラスチックの種類についていえば、エポキシ樹脂とシ
リコン樹脂があるが、シリコン樹脂は高価であり金属と
の密着性が悪いため、エポキシ樹脂封止がプラスチック
封止の主流である。しかし、エポキシ樹脂についても問
題がある。すなわち、まず、湿気に対する信頼性が悪い
ことである。さらに、シリコンチップ・リードフレーム
との線膨張係数の差が大きいため、成形後に内部応力が
発生して、ヒートサイクル試験やハンダ耐熱試験中にそ
の応力の増大により、半導体素子保護膜にキズや割れが
生じ、ついには半導体素子にタラツクが発生するという
具合に、不良品発生の原因となることである。
リコン樹脂があるが、シリコン樹脂は高価であり金属と
の密着性が悪いため、エポキシ樹脂封止がプラスチック
封止の主流である。しかし、エポキシ樹脂についても問
題がある。すなわち、まず、湿気に対する信頼性が悪い
ことである。さらに、シリコンチップ・リードフレーム
との線膨張係数の差が大きいため、成形後に内部応力が
発生して、ヒートサイクル試験やハンダ耐熱試験中にそ
の応力の増大により、半導体素子保護膜にキズや割れが
生じ、ついには半導体素子にタラツクが発生するという
具合に、不良品発生の原因となることである。
内部応力は一般に線膨張係数と曲げ弾性率、さらにはガ
ラス転移温度の積に比例することがわかっている。線膨
張係数を小さくするために無機充填材を添加することが
行なわれる。しかし、多量に添加して線膨張係数を小さ
くすると、曲げ弾性率が太き（なるばかりでなく、耐湿
性も低下する。
ラス転移温度の積に比例することがわかっている。線膨
張係数を小さくするために無機充填材を添加することが
行なわれる。しかし、多量に添加して線膨張係数を小さ
くすると、曲げ弾性率が太き（なるばかりでなく、耐湿
性も低下する。
逆に、曲げ弾性率を下げるためにある種の可撓性付与剤
を添加すると、十分に架橋密度が得られない状態でガラ
ス転移点の低下、線膨張係数の増加、さらには耐湿性の
低下という問題が起き、低応力を達成しようとするとど
うしても耐湿性が低下するという問題があった。要する
に、現在、低応力グレードで耐湿性にすぐれるものは存
在しないのである。
を添加すると、十分に架橋密度が得られない状態でガラ
ス転移点の低下、線膨張係数の増加、さらには耐湿性の
低下という問題が起き、低応力を達成しようとするとど
うしても耐湿性が低下するという問題があった。要する
に、現在、低応力グレードで耐湿性にすぐれるものは存
在しないのである。
この発明は、このような事情に鑑み、封止用エポキシ樹
脂成形材料において、低応力化を実現しつつ、耐湿性に
つきその低下を避は従来レベルを維持することを目的と
する。
脂成形材料において、低応力化を実現しつつ、耐湿性に
つきその低下を避は従来レベルを維持することを目的と
する。
このような目的は、エポキシ樹脂成形材料にシリコン中
間体を添加することによって達成されるしたがって、こ
の発明は、シリコン中間体が添加されていることを特徴
とするエポキシ樹脂成形材料をその要旨とする。以下に
これを詳しく述べる。
間体を添加することによって達成されるしたがって、こ
の発明は、シリコン中間体が添加されていることを特徴
とするエポキシ樹脂成形材料をその要旨とする。以下に
これを詳しく述べる。
主材料としてのエポキシ樹脂成形材料の構成そのものは
、従来と同様である。すなわち、樹脂分としてノボラッ
ク型、ビスフェノール型等のエポキシ樹脂を用い、硬化
剤、充てん材、顔料、離型剤、補強材などを必要に応じ
て配合する。混練粉砕なども従来と同様に行なわれる。
、従来と同様である。すなわち、樹脂分としてノボラッ
ク型、ビスフェノール型等のエポキシ樹脂を用い、硬化
剤、充てん材、顔料、離型剤、補強材などを必要に応じ
て配合する。混練粉砕なども従来と同様に行なわれる。
そして、このようにして成形材料が作られるいずれかの
段階でシリコン中間体が添加されるのである。
段階でシリコン中間体が添加されるのである。
この発明に用いるシリコン中間体としては、脂環式エポ
キシ変性、エポキシ変性、カルビトル変性、エポキシポ
リエーテル変性、アミノ変性などしたものがあるが、好
ましくはアミノ変性シリコン中間体である。アミノ変性
シリコン中間体としては、下記一般式で示されるものが
好ましく用いられる。
キシ変性、エポキシ変性、カルビトル変性、エポキシポ
リエーテル変性、アミノ変性などしたものがあるが、好
ましくはアミノ変性シリコン中間体である。アミノ変性
シリコン中間体としては、下記一般式で示されるものが
好ましく用いられる。
アミノ変性シリコン中間体としては、アミノ当量が６０
０〜３０００の範囲のものが好ましい。
０〜３０００の範囲のものが好ましい。
６００未満になるとアミノ量増大による耐湿性の低下や
硬化挙動の変化が発生し、３０００を越えるようになる
と、添加量との関係にもよるが、成型品表面にムラが発
生しやすく、また、曲げ弾性率の低下も満足いくもので
なくなるからである。
硬化挙動の変化が発生し、３０００を越えるようになる
と、添加量との関係にもよるが、成型品表面にムラが発
生しやすく、また、曲げ弾性率の低下も満足いくもので
なくなるからである。
シリコン中間体をエポキシ樹脂１００重量部あたり１〜
１５重量部添加することにより、曲げ弾性率は低下し、
外観にムラなどが発生することがなく、かつ耐湿性も低
下することがなくして、応力を下げることができる。ア
ミノ変性シリコン中間体の添加量が１重量部未満だと、
曲げ弾性率の低下への寄与が少なく、１５重量部を越え
ると成型品外観にムラが発生する。
１５重量部添加することにより、曲げ弾性率は低下し、
外観にムラなどが発生することがなく、かつ耐湿性も低
下することがなくして、応力を下げることができる。ア
ミノ変性シリコン中間体の添加量が１重量部未満だと、
曲げ弾性率の低下への寄与が少なく、１５重量部を越え
ると成型品外観にムラが発生する。
シリコン中間体の添加方法としては、材料配合品中に添
加してブレンドする方法がある。さらに、第１ステツプ
として、硬化剤に使用するフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂と予め溶融混合させておき、そののち添加する
方法がある。熔融温度としては１００〜１６０℃の範囲
が採用される。アミンシリコン濃度としては、１０〜３
０重量％の配合が好ましい。このような前処理をするこ
とにより、フェノールとアミノ基が多い結合で結ばれ、
エポキシ樹脂との反応の際、骨格の中心にとりこまれや
すくなり、シリコン中間体の効果がより向上するのであ
る。
加してブレンドする方法がある。さらに、第１ステツプ
として、硬化剤に使用するフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂と予め溶融混合させておき、そののち添加する
方法がある。熔融温度としては１００〜１６０℃の範囲
が採用される。アミンシリコン濃度としては、１０〜３
０重量％の配合が好ましい。このような前処理をするこ
とにより、フェノールとアミノ基が多い結合で結ばれ、
エポキシ樹脂との反応の際、骨格の中心にとりこまれや
すくなり、シリコン中間体の効果がより向上するのであ
る。
この発明にかかるエポキシ樹脂成形材料は、このように
シリコン中間体を配合するようにしているため、耐湿性
を変化（劣化）させないで、かつ、線膨張係数、ガラス
転移点や成形収縮率も変化させないで、曲げ弾性率の低
下を達成することができた。
シリコン中間体を配合するようにしているため、耐湿性
を変化（劣化）させないで、かつ、線膨張係数、ガラス
転移点や成形収縮率も変化させないで、曲げ弾性率の低
下を達成することができた。
以下に実施例を比較例と併せて述べる。
（以 下 余 白）
第
表
（単位
重量部）
第１表の配合品を８０〜１１０℃の熱ロール上で混練し
、得られたシートを冷却し、粉砕して、試験に供した。
、得られたシートを冷却し、粉砕して、試験に供した。
その結果は第２表のとおりであり、実施例はいずれも、
比較例に比し、他の物性の点で劣ることがなく、しかも
曲げ弾性率および熱応力の点で低かった。
比較例に比し、他の物性の点で劣ることがなく、しかも
曲げ弾性率および熱応力の点で低かった。
第 ２ 表
手続補正書（自発
事件の表示
特願平０２
０７９８１９号
補正をする者
１到牛との謀Ｙ系
Claims (3)
- （１）シリコン中間体をフェノールノボラック樹脂と予
め熔融混合しておいてエポキシ樹脂に添加するようにす
るエポキシ樹脂成形材料の製造方法。 - （２）シリコン中間体の添加量がエポキシ樹脂１００重
量部あたり１〜１５重量部である特許請求の範囲第１項
記載のエポキシ樹脂成形材料の製造方法。 - （３）シリコン中間体が濃度１０〜３０重量％となるよ
うにフェノールノボラック樹脂と予め溶融混合しておく
特許請求の範囲第１項または第２項記載のエポキシ樹脂
成形材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079819A JPH0660233B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079819A JPH0660233B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP439183A Division JPS59129252A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03115321A true JPH03115321A (ja) | 1991-05-16 |
| JPH0660233B2 JPH0660233B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=13700814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079819A Expired - Lifetime JPH0660233B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660233B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821417A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6315295A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | 松下電器産業株式会社 | 音声認識装置 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2079819A patent/JPH0660233B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821417A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6315295A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | 松下電器産業株式会社 | 音声認識装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660233B2 (ja) | 1994-08-10 |
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