JPH0311575B2 - - Google Patents
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- JPH0311575B2 JPH0311575B2 JP57500872A JP50087282A JPH0311575B2 JP H0311575 B2 JPH0311575 B2 JP H0311575B2 JP 57500872 A JP57500872 A JP 57500872A JP 50087282 A JP50087282 A JP 50087282A JP H0311575 B2 JPH0311575 B2 JP H0311575B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- resistor
- circuit
- voltage
- emitter
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/615—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
請求の範囲
１ 電流給電電圧源と、
パワトランジスタT3と、
ドライバトランジスタT2とを有しており、前
記パワトランジスタT3のコレクタと前記ドライ
バトランジスタT2のコレクタは一緒に接続され
ており、前記パワトランジスタT3のベースと前
記ドライバトランジスタT2のエミツタは一緒に
接続されており、前置トランジスタT1を有して
おり、該前置トランジスタT1のコレクタは前記
パワトランジスタT3のコレクタに接続されてお
り、前記前置トランジスタT1のエミツタは前記
ドライバトランジスタT2のベースに接続されて
おり、前記前置トランジスタT1のベースに入力
トリガ信号を供給する手段T0を有している、誘
導性負荷ZSのスイツチング用のダーリントント
ランジスタ回路において、 第１の抵抗R1と第２の抵抗R2とからなる分圧
器が設けられている直列回路を有しており、該直
列回路は前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との間
にタツプないし接続点を有しており、該タツプな
いし接続点は前記ドライバトランジスタT2のベ
ースに接続されており、前記直列回路は更にツエ
ナダイオードZDを有しており、 前記第１の抵抗R1の、前記タツプないし接続
点とは別の端子は前記ツエナダイオードZDのア
ノードに接続されており、前記ツエナダイオード
のカソードは前記誘導性負荷を介して前記電流給
電電圧源の端子B+に接続されており、 前記第２の抵抗R2の、前記タツプないし接続
点とは別の端子は前記ドライバトランジスタT2
のエミツタに接続されており、従つて、前記第２
の抵抗R2は前記ドライバトランジスタのベース
−エミツタ路に並列に接続されており、 その際、前記第１の抵抗R1と前記第２の抵抗
R2との抵抗比は前記ツエナダイオードZDのカソ
ードでの選択された温度／ターンオン電圧関係に
応じて選定されていることを特徴とするダーリン
トントランジスタ回路。
記パワトランジスタT3のコレクタと前記ドライ
バトランジスタT2のコレクタは一緒に接続され
ており、前記パワトランジスタT3のベースと前
記ドライバトランジスタT2のエミツタは一緒に
接続されており、前置トランジスタT1を有して
おり、該前置トランジスタT1のコレクタは前記
パワトランジスタT3のコレクタに接続されてお
り、前記前置トランジスタT1のエミツタは前記
ドライバトランジスタT2のベースに接続されて
おり、前記前置トランジスタT1のベースに入力
トリガ信号を供給する手段T0を有している、誘
導性負荷ZSのスイツチング用のダーリントント
ランジスタ回路において、 第１の抵抗R1と第２の抵抗R2とからなる分圧
器が設けられている直列回路を有しており、該直
列回路は前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との間
にタツプないし接続点を有しており、該タツプな
いし接続点は前記ドライバトランジスタT2のベ
ースに接続されており、前記直列回路は更にツエ
ナダイオードZDを有しており、 前記第１の抵抗R1の、前記タツプないし接続
点とは別の端子は前記ツエナダイオードZDのア
ノードに接続されており、前記ツエナダイオード
のカソードは前記誘導性負荷を介して前記電流給
電電圧源の端子B+に接続されており、 前記第２の抵抗R2の、前記タツプないし接続
点とは別の端子は前記ドライバトランジスタT2
のエミツタに接続されており、従つて、前記第２
の抵抗R2は前記ドライバトランジスタのベース
−エミツタ路に並列に接続されており、 その際、前記第１の抵抗R1と前記第２の抵抗
R2との抵抗比は前記ツエナダイオードZDのカソ
ードでの選択された温度／ターンオン電圧関係に
応じて選定されていることを特徴とするダーリン
トントランジスタ回路。
２ 第２の分圧器R3，R4が設けられており、該
第２の分圧器は誘導性負荷を介して電流給電電圧
源に接続されており、 前記第２の分圧器のタツプないし接続点はツエ
ナダイオードのカソードに接続されており、前記
第２の分圧器の、前記タツプないし接続点とは別
の一方の端子はパワトランジスタT3のコレクタ
に接続されており、前記第２の分圧器の、前記タ
ツプないし接続点とは別の他方の端子は前記パワ
トランジスタのエミツタに接続されている請求の
範囲１記載のダーリントントランジスタ回路。
第２の分圧器は誘導性負荷を介して電流給電電圧
源に接続されており、 前記第２の分圧器のタツプないし接続点はツエ
ナダイオードのカソードに接続されており、前記
第２の分圧器の、前記タツプないし接続点とは別
の一方の端子はパワトランジスタT3のコレクタ
に接続されており、前記第２の分圧器の、前記タ
ツプないし接続点とは別の他方の端子は前記パワ
トランジスタのエミツタに接続されている請求の
範囲１記載のダーリントントランジスタ回路。
３ 誘導性負荷ZSはパワトランジスタT3のエミ
ツタ−コレクタ路と直列に接続されており、 その際、トリガ回路はスイツチングトランジス
タT0を有しており、該スイツチングトランジス
タは前記誘導性負荷ZSのターンオフに基いて前
置トランジスタT1のベース−エミツタ路を短絡
する回路に接続されており、それにより短いスイ
ツチング時間が得られる請求の範囲２記載のダー
リントントランジスタ回路。
ツタ−コレクタ路と直列に接続されており、 その際、トリガ回路はスイツチングトランジス
タT0を有しており、該スイツチングトランジス
タは前記誘導性負荷ZSのターンオフに基いて前
置トランジスタT1のベース−エミツタ路を短絡
する回路に接続されており、それにより短いスイ
ツチング時間が得られる請求の範囲２記載のダー
リントントランジスタ回路。
４ 誘導性負荷ZSはパワトランジスタT3のエミ
ツタ−コレクタ路に直列に接続されており、 その際、入力トリガ信号は前記誘導性負荷のタ
ーンオフに基いて前置トランジスタT1のベース
に該前置トランジスタT1のエミツタに関して負
の電圧を供給し、それにより短いターンオフスイ
ツチング時間が得られる請求の範囲１記載のダー
リントントランジスタ回路。
ツタ−コレクタ路に直列に接続されており、 その際、入力トリガ信号は前記誘導性負荷のタ
ーンオフに基いて前置トランジスタT1のベース
に該前置トランジスタT1のエミツタに関して負
の電圧を供給し、それにより短いターンオフスイ
ツチング時間が得られる請求の範囲１記載のダー
リントントランジスタ回路。
５ 更に、第５の抵抗R5を有しており、該第５
の抵抗はパワトランジスタT3のベース−エミツ
タ路に並列に接続されており、前記第５の抵抗
R5は分圧器R1，R2の各抵抗のいずれの抵抗値よ
りも低い値を有している請求の範囲１記載のダー
リントントランジスタ回路。
の抵抗はパワトランジスタT3のベース−エミツ
タ路に並列に接続されており、前記第５の抵抗
R5は分圧器R1，R2の各抵抗のいずれの抵抗値よ
りも低い値を有している請求の範囲１記載のダー
リントントランジスタ回路。
６ パワトランジスタT3、ドライバトランジス
タT2、前置トランジスタT1、ツエナダイオード
ZD、第１の抵抗R1、第２の抵抗R2はモノリシツ
ク集積構造体を形成する請の求範囲１記載のダー
リントントランジスタ回路。
タT2、前置トランジスタT1、ツエナダイオード
ZD、第１の抵抗R1、第２の抵抗R2はモノリシツ
ク集積構造体を形成する請の求範囲１記載のダー
リントントランジスタ回路。
７ 前記第５の抵抗R5はモノリシツク集積構造
体の一部を形成する請求の範囲５記載のダーリン
トントランジスタ回路。
体の一部を形成する請求の範囲５記載のダーリン
トントランジスタ回路。
技術水準
本発明は、請求範囲１の上位概念に記載のダー
リントントランジスタ回路に関する。米国特許第
2663806号明細書、第８図から、この種のダーリ
ントントランジスタ回路が既に公知である。しか
し、この回路は、外部接続のための特別な手段が
設けられていないという欠点を有している。
リントントランジスタ回路に関する。米国特許第
2663806号明細書、第８図から、この種のダーリ
ントントランジスタ回路が既に公知である。しか
し、この回路は、外部接続のための特別な手段が
設けられていないという欠点を有している。
発明の効果
それに対して、請求の範囲１の特徴を備えた本
発明のダーリントントランジスタ回路は、ツエナ
ダイオードのカソードにおいて所定の電圧に達し
た際にドライバトランジスタとパワトランジスタ
が導通接続され、かつ第１の抵抗と第２の抵抗と
の抵抗比によつてこの導通接続電圧の温度依存度
が調整され得るという利点を有している。請求範
囲２により、この導通接続電圧は第３の抵抗と第
４の抵抗とから構成された分圧器の分圧比を介し
てコレクタ−エミツタ限界電圧として高圧変換さ
れるという別の利点が得られる。請求範囲３また
は４の特徴により、誘導性負荷の遮断の際スイツ
チング時間が短絡される。請求範囲５により、付
加的にスイツチング時間を短絡でき、ダーリント
ン回路のエネルギ配分を改善できる。請求範囲６
により、回路素子のいくつかがモノリシツク集積
され得る。
発明のダーリントントランジスタ回路は、ツエナ
ダイオードのカソードにおいて所定の電圧に達し
た際にドライバトランジスタとパワトランジスタ
が導通接続され、かつ第１の抵抗と第２の抵抗と
の抵抗比によつてこの導通接続電圧の温度依存度
が調整され得るという利点を有している。請求範
囲２により、この導通接続電圧は第３の抵抗と第
４の抵抗とから構成された分圧器の分圧比を介し
てコレクタ−エミツタ限界電圧として高圧変換さ
れるという別の利点が得られる。請求範囲３また
は４の特徴により、誘導性負荷の遮断の際スイツ
チング時間が短絡される。請求範囲５により、付
加的にスイツチング時間を短絡でき、ダーリント
ン回路のエネルギ配分を改善できる。請求範囲６
により、回路素子のいくつかがモノリシツク集積
され得る。
図 面
本発明のダーリントントランジスタ回路の実施
例を、図示し、次にその詳細について説明する。
図は本発明のダーリントントランジスタ回路の電
気回路図を示す。
例を、図示し、次にその詳細について説明する。
図は本発明のダーリントントランジスタ回路の電
気回路図を示す。
実施例の説明
第１の作動電流線１０は正の作動電圧の端子
B+と接続されている。第２の作動電流線１１は
アースに接続されている。npnパワトランジスタ
T3のエミツタは第２の作動電流線１１に接続さ
れ、npnパワトランジスタT3のコレクタは誘導性
負荷ZSを介して第１の作動電流線１０に接続さ
れている。npnパワトランジスタT3にはnpnドラ
イバトランジスタT2が前置接続されている。そ
の際、両トランジスタT2とT3のコレクタは相互
に接続され、ドライバトランジスタT2のエミツ
タはパワトランジスタT3のベースに接続されて
いる。npnドライバトランジスタT2にはnpn前置
トランジスタT1が前置接続されている。その際、
両トランジスタT2とT1とのコレクタも相互に接
続され、前置トランジスタT1のエミツタはドラ
イバトランジスタT2のベースに接続されている。
３つのトランジスタT1，T2およびT3から構成さ
れた回路装置は一般に３段ダーリントン回路と呼
ばれる。その際、前置トランジスタT1のベース
は入力信号によつて制御可能である。
B+と接続されている。第２の作動電流線１１は
アースに接続されている。npnパワトランジスタ
T3のエミツタは第２の作動電流線１１に接続さ
れ、npnパワトランジスタT3のコレクタは誘導性
負荷ZSを介して第１の作動電流線１０に接続さ
れている。npnパワトランジスタT3にはnpnドラ
イバトランジスタT2が前置接続されている。そ
の際、両トランジスタT2とT3のコレクタは相互
に接続され、ドライバトランジスタT2のエミツ
タはパワトランジスタT3のベースに接続されて
いる。npnドライバトランジスタT2にはnpn前置
トランジスタT1が前置接続されている。その際、
両トランジスタT2とT1とのコレクタも相互に接
続され、前置トランジスタT1のエミツタはドラ
イバトランジスタT2のベースに接続されている。
３つのトランジスタT1，T2およびT3から構成さ
れた回路装置は一般に３段ダーリントン回路と呼
ばれる。その際、前置トランジスタT1のベース
は入力信号によつて制御可能である。
ドライバトランジスタT2のベースには、ドラ
イバトランジスタT2のベースに直接接続された
第１の抵抗R1とツエナダイオードZDとの直列回
路が接続され、その際、ツエナダイオードZDの
アノードが抵抗R1と接続されている。更に、ド
ライバトランジスタT2のエミツタ−ベース区間
に並列に第２の抵抗R2が接続されている。ツエ
ナダイオードZDと抵抗R1とR2の接続によつて、
ツエナダイオードZDのカソードにおいて所定の
電圧に達した際ドライバトランジスタT2とパワ
トランジスタT3とを導通接続し、かつ抵抗R1と
R2の抵抗比によつてこの導通接続電圧の温度依
存度を調整できる。その様な作用効果が奏される
理由は次の通りである。このような作用効果は、
実験的に次のようにして証明することができる。
即ち、両抵抗R1およびR2のうち少なくとも１つ
の抵抗を（半固定的）に変化調整し、その際、上
述の両抵抗に対して各々調整選定した両抵抗値か
ら計算によつて抵抗比を形成し、そのようにして
計算された両抵抗R1およびR2の抵抗比に依存し
てトランジスタT2，T3の導通接続（スイツチオ
ン）電圧の温度依存度が変化することが証明され
るのであつた、相応の実験、調査によつて、トラ
ンジスタT2およびT3の導通接続電圧の温度特性
は両抵抗R1およびR2の抵抗比に直接依存するこ
とが示された。
イバトランジスタT2のベースに直接接続された
第１の抵抗R1とツエナダイオードZDとの直列回
路が接続され、その際、ツエナダイオードZDの
アノードが抵抗R1と接続されている。更に、ド
ライバトランジスタT2のエミツタ−ベース区間
に並列に第２の抵抗R2が接続されている。ツエ
ナダイオードZDと抵抗R1とR2の接続によつて、
ツエナダイオードZDのカソードにおいて所定の
電圧に達した際ドライバトランジスタT2とパワ
トランジスタT3とを導通接続し、かつ抵抗R1と
R2の抵抗比によつてこの導通接続電圧の温度依
存度を調整できる。その様な作用効果が奏される
理由は次の通りである。このような作用効果は、
実験的に次のようにして証明することができる。
即ち、両抵抗R1およびR2のうち少なくとも１つ
の抵抗を（半固定的）に変化調整し、その際、上
述の両抵抗に対して各々調整選定した両抵抗値か
ら計算によつて抵抗比を形成し、そのようにして
計算された両抵抗R1およびR2の抵抗比に依存し
てトランジスタT2，T3の導通接続（スイツチオ
ン）電圧の温度依存度が変化することが証明され
るのであつた、相応の実験、調査によつて、トラ
ンジスタT2およびT3の導通接続電圧の温度特性
は両抵抗R1およびR2の抵抗比に直接依存するこ
とが示された。
ツエナダイオードZDのカソードは、第３の抵
抗R3と第４の抵抗R4から構成された分圧器のタ
ツプに接続されている。抵抗R3の自由端はパワ
トランジスタT3のコレクタに接続され、抵抗R4
の自由端は作動電流線１１に接続されている。分
圧器R3，R4の接続によつて、ドライバトランジ
スタT2とパワトランジスタT3を導通接続する導
通接続電圧がこの分圧器の分圧比によりコレクタ
−エミツタ限界電圧として高圧変換される。
抗R3と第４の抵抗R4から構成された分圧器のタ
ツプに接続されている。抵抗R3の自由端はパワ
トランジスタT3のコレクタに接続され、抵抗R4
の自由端は作動電流線１１に接続されている。分
圧器R3，R4の接続によつて、ドライバトランジ
スタT2とパワトランジスタT3を導通接続する導
通接続電圧がこの分圧器の分圧比によりコレクタ
−エミツタ限界電圧として高圧変換される。
前置トランジスタT1のベースはnpn制御トラン
ジスタT0のコレクタに接続され、npn制御トラン
ジスタT0のエミツタは第２の作動電流線１１に
接続され、npn制御トランジスタT0のコレクタは
コレクタ抵抗R6を介して第１の作動電流線１０
に接続されている。
ジスタT0のコレクタに接続され、npn制御トラン
ジスタT0のエミツタは第２の作動電流線１１に
接続され、npn制御トランジスタT0のコレクタは
コレクタ抵抗R6を介して第１の作動電流線１０
に接続されている。
パワトランジスタT3のエミツタ−ベース区間
に並列に、数オームの範囲内の抵抗R5が接続さ
れている。その結果、付加的にスイツチング時間
を短縮でき、ダーリントン回路のエネルギ配分を
改善できる。
に並列に、数オームの範囲内の抵抗R5が接続さ
れている。その結果、付加的にスイツチング時間
を短縮でき、ダーリントン回路のエネルギ配分を
改善できる。
モノリシツク集積される回路素子が破線１２で
囲まれている。
囲まれている。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3123667.7 | 1981-06-15 | ||
| DE3123667A DE3123667C2 (de) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Darlington-Transistorschaltung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58500922A JPS58500922A (ja) | 1983-06-02 |
| JPH0311575B2 true JPH0311575B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=6134736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57500872A Granted JPS58500922A (ja) | 1981-06-15 | 1982-03-05 | ダーリントントランジスタ回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4539492A (ja) |
| EP (1) | EP0080462B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58500922A (ja) |
| DE (2) | DE3123667C2 (ja) |
| WO (1) | WO1982004509A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564771A (en) * | 1982-07-17 | 1986-01-14 | Robert Bosch Gmbh | Integrated Darlington transistor combination including auxiliary transistor and Zener diode |
| US4616144A (en) * | 1983-01-12 | 1986-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High withstand voltage Darlington transistor circuit |
| DE3334833A1 (de) * | 1983-09-27 | 1985-04-04 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Ansteuerschaltung fuer einen leistungstransistor |
| DE3431676A1 (de) * | 1984-08-29 | 1986-03-13 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Integrierte leistungsendstufe |
| DE3439366A1 (de) * | 1984-10-27 | 1986-04-30 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Darlington-transistorschaltung |
| JPS6294019A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-04-30 | Fuji Electric Co Ltd | スイッチング回路 |
| GB2228639B (en) * | 1989-02-17 | 1992-07-15 | Motorola Semiconducteurs | Protected darlington transistor arrangement |
| US5045734A (en) * | 1990-06-08 | 1991-09-03 | Sundstrand Corporation | High power switch |
| DE4030418A1 (de) * | 1990-09-26 | 1992-04-02 | Bosch Gmbh Robert | Leistungsendstufe mit einer darlington-schaltung zum schalten einer induktiven last, insbesondere der zuendspule einer brennkraftmaschine |
| DE4207349A1 (de) * | 1992-03-07 | 1993-09-09 | Telefunken Microelectron | Leistungs-spannungsbegrenzungsschaltung |
| EP1479108A1 (en) * | 2002-02-28 | 2004-11-24 | STMicroelectronics S.r.l. | Bipolar transistor structure |
| DE102021212215A1 (de) | 2021-10-29 | 2023-05-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Schalten eines Leistungstransistors |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE519804A (ja) * | 1952-05-09 | |||
| US3281639A (en) * | 1963-06-07 | 1966-10-25 | Union Carbide Corp | Battery charger |
| CH412142A (fr) * | 1965-02-25 | 1966-04-30 | Charmilles Sa Ateliers | Procédé d'usinage électrique par décharges intermittentes |
| DE1513491B2 (de) * | 1965-07-16 | 1971-10-28 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Schaltung zur begrenzung hoher gleichspannungen |
| US3390247A (en) * | 1966-06-27 | 1968-06-25 | Elox Inc | Coolant circulation system for electrical discharge machining apparatus |
| US3435295A (en) * | 1966-09-28 | 1969-03-25 | Mohawk Data Sciences Corp | Integrated power driver circuit |
| US3465480A (en) * | 1967-03-13 | 1969-09-09 | Elmer P Hausermann | Apparatus for shaping electrodes |
| DE2339896B2 (de) * | 1973-08-07 | 1977-12-08 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Zuendeinrichtung fuer brennkraftmaschinen |
| NL7508272A (nl) * | 1974-07-31 | 1976-02-03 | Ducellier & Cie | Elektronische ontsteekinrichting voor voertuigen met verbrandingsmotoren, in het bijzonder auto- mobielen. |
| US4013904A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-22 | Westinghouse Electric Corporation | Darlington transistor switching circuit for reactive load |
| GB2025180B (en) * | 1978-07-06 | 1982-08-25 | Standard Telephones Cables Ltd | Transistor electronicswitching circuits |
| GB2030765B (en) * | 1978-10-02 | 1983-04-27 | Lumenition Ltd | Darlington transistor pairs |
-
1981
- 1981-06-15 DE DE3123667A patent/DE3123667C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-03-05 EP EP82900789A patent/EP0080462B1/de not_active Expired
- 1982-03-05 WO PCT/DE1982/000045 patent/WO1982004509A1/de not_active Ceased
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