JPH0311592A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH0311592A JPH0311592A JP1146982A JP14698289A JPH0311592A JP H0311592 A JPH0311592 A JP H0311592A JP 1146982 A JP1146982 A JP 1146982A JP 14698289 A JP14698289 A JP 14698289A JP H0311592 A JPH0311592 A JP H0311592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- insulating layer
- emitting layer
- light emitting
- alkaline earth
- Prior art date
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- Granted
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、電界の印加に応答してＥＬ発光を呈する薄膜
ＥＬ素子に係り、特に発光特性の長期信頼性を向上させ
た薄膜ＥＬ素子に関する。
ＥＬ素子に係り、特に発光特性の長期信頼性を向上させ
た薄膜ＥＬ素子に関する。
［従来の技術］
従来から薄膜ＥＬ素子の多色化に関して種々の研究が行
われ、発光層の母材としてＳｒやＣａのようなアルカリ
土類金属の硫化物である硫化ストロンチウム（Ｓ ｒ
Ｓ）や硫化カルシウム（ＣａＳ）が用いられている。こ
のような薄膜ＥＬ素子を長期的に安定して発光させるに
は、発光層とこれを両面から挟持する絶縁層との間に良
好な界面を形成する必要がある。このためたとえは特開
昭６２−５５９６に記載されているように、５ｉ３Ｎａ
。
われ、発光層の母材としてＳｒやＣａのようなアルカリ
土類金属の硫化物である硫化ストロンチウム（Ｓ ｒ
Ｓ）や硫化カルシウム（ＣａＳ）が用いられている。こ
のような薄膜ＥＬ素子を長期的に安定して発光させるに
は、発光層とこれを両面から挟持する絶縁層との間に良
好な界面を形成する必要がある。このためたとえは特開
昭６２−５５９６に記載されているように、５ｉ３Ｎａ
。
ＡＱＮまたはＢＮ等の窒化物からなる絶縁層を用いた素
子が提案されている。
子が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記構造の薄膜ＥＬ素子においては、発光
層を両面から挟持する絶縁層に窒化物を用いても、発光
層母材のＳｒＳまたはＣａＳが大気中の水分、ＣＯ２等
によって反応し、部分的にＳｒＯまたはＣａＯ等の酸化
物、或はＳ ｒ Ｃ，０３゜ＣａＣＯ３のような炭酸塩
を生して経時変化するため、短時間のうちに輝度が低下
してしまうという問題点がある。
層を両面から挟持する絶縁層に窒化物を用いても、発光
層母材のＳｒＳまたはＣａＳが大気中の水分、ＣＯ２等
によって反応し、部分的にＳｒＯまたはＣａＯ等の酸化
物、或はＳ ｒ Ｃ，０３゜ＣａＣＯ３のような炭酸塩
を生して経時変化するため、短時間のうちに輝度が低下
してしまうという問題点がある。
本発明は上記従来の問題点に着目し、長期的に安定した
輝度を維持することができるような薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的とする。
輝度を維持することができるような薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明に係る薄膜ＥＬ素子は
、対向する一対の電極間に発光層と絶縁層との重畳体を
介設してなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層かアル
カリ土類金属の硫化物を母材とし、発光層と接する絶縁
層が前記アルカリ土類金属の硫酸塩または炭酸塩である
構成とした。
、対向する一対の電極間に発光層と絶縁層との重畳体を
介設してなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層かアル
カリ土類金属の硫化物を母材とし、発光層と接する絶縁
層が前記アルカリ土類金属の硫酸塩または炭酸塩である
構成とした。
［作用］
上記構成によれば、絶縁層として用いたアルカリ土類金
属の硫酸塩または炭酸塩が安定した化合物であるため、
大気中の水分、ＣＯ２等で侵されることはない。また絶
縁層はアルカリ土類金属の硫化物を母材とする発光層と
同じ元素を含んでいるため、良好な界面を形成すること
かでき、発光層の経時変化を防止することができる。
属の硫酸塩または炭酸塩が安定した化合物であるため、
大気中の水分、ＣＯ２等で侵されることはない。また絶
縁層はアルカリ土類金属の硫化物を母材とする発光層と
同じ元素を含んでいるため、良好な界面を形成すること
かでき、発光層の経時変化を防止することができる。
［実施例］
以下に本発明に係る薄膜ＥＬ素子の実施例について、図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
第１図において、ガラス基板１の上にＩ ｎ ２０３１
Ｓｎ０２等の透明電極２か形成され、その上にはＳｒＳ
Ｏ４またはＳｒＣＯ３等アルカリ土類金属の硫酸塩から
なる第１絶縁層３かスパッタ法等で積層形成されている
。更にその」−にＳｒＳを母材とし、発光中心としてＣ
ｅとＣＱとを添加してなるＳｒＳ： Ｃｅ、ＣＱの発光
層４が真空蒸着等で形成され、その上に第１絶縁層と同
しく５ｒＳＯ＋等の第２絶縁層５と金属電極６とが成膜
されている。
Ｓｎ０２等の透明電極２か形成され、その上にはＳｒＳ
Ｏ４またはＳｒＣＯ３等アルカリ土類金属の硫酸塩から
なる第１絶縁層３かスパッタ法等で積層形成されている
。更にその」−にＳｒＳを母材とし、発光中心としてＣ
ｅとＣＱとを添加してなるＳｒＳ： Ｃｅ、ＣＱの発光
層４が真空蒸着等で形成され、その上に第１絶縁層と同
しく５ｒＳＯ＋等の第２絶縁層５と金属電極６とが成膜
されている。
第２図は本発明の第２実施例で、ガラス基板１の上にＩ
ｎ ２０３１ Ｓ ｎ ０２等の透明電極２が形成
され、透明電極２と第１絶縁層３との間および第２絶縁
層５と金属電極６との間にＴａ２’ｓ、５ｉＯＮ、Ｓｉ
Ｎ：Ｈ等の絶縁層３ａおよび５ａをそれぞれ形成し、複
合絶縁層としたものである。
ｎ ２０３１ Ｓ ｎ ０２等の透明電極２が形成
され、透明電極２と第１絶縁層３との間および第２絶縁
層５と金属電極６との間にＴａ２’ｓ、５ｉＯＮ、Ｓｉ
Ｎ：Ｈ等の絶縁層３ａおよび５ａをそれぞれ形成し、複
合絶縁層としたものである。
このように本実施例では、アルカリ土類金属の硫化物を
母材とする発光層を、アルカリ土類金属の硫酸塩または
炭酸塩からなる絶縁層で挟持する構成とした。
母材とする発光層を、アルカリ土類金属の硫酸塩または
炭酸塩からなる絶縁層で挟持する構成とした。
本実施例では発光層の発光中心にＣｅ、Ｃ２を用いたが
これに限るものではなく、発光色に対応して他の添加物
を選択することできる。
これに限るものではなく、発光色に対応して他の添加物
を選択することできる。
「発明の効果コ
以」二説明したように本発明によれば、安定した化合物
であるアルカリ土類金属の硫酸塩または炭酸塩を絶縁層
として用いたので、大気中の水分、ＣＯ２等による経時
変化の発生を防止する。また絶縁層はアルカリ土類金属
の硫化物を母材とする発光層と同し元素を含んでいて良
好な界面を形成するので、発光層の経時変化を防止し、
長期的に安定した輝度を維持する薄膜ＥＬ素子を得るこ
とがてきる。
であるアルカリ土類金属の硫酸塩または炭酸塩を絶縁層
として用いたので、大気中の水分、ＣＯ２等による経時
変化の発生を防止する。また絶縁層はアルカリ土類金属
の硫化物を母材とする発光層と同し元素を含んでいて良
好な界面を形成するので、発光層の経時変化を防止し、
長期的に安定した輝度を維持する薄膜ＥＬ素子を得るこ
とがてきる。
第１図は本発明の第１実施例に係る薄膜ＥＬ素子の構造
図、第２図はおなじく第２実施例に係る薄膜ＥＩ−素子
の構造図である。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・透明電極 ３・・・・・・第１絶縁層 ３ａ、５ａ・・・・・・絶縁層 ４−・・・・・・発光層 ５・・・・・・第２絶縁層 ６・・・・・・金属電極 −〇
図、第２図はおなじく第２実施例に係る薄膜ＥＩ−素子
の構造図である。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・透明電極 ３・・・・・・第１絶縁層 ３ａ、５ａ・・・・・・絶縁層 ４−・・・・・・発光層 ５・・・・・・第２絶縁層 ６・・・・・・金属電極 −〇
Claims (1)
- 対向する一対の電極間に発光層と絶縁層との重畳体を
介設してなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層４がア
ルカリ土類金属の硫化物を母材とし、発光層４と接する
絶縁層３，５が前記アルカリ土類金属の硫酸塩または炭
酸塩であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146982A JP2709343B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146982A JP2709343B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311592A true JPH0311592A (ja) | 1991-01-18 |
| JP2709343B2 JP2709343B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=15419952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1146982A Expired - Lifetime JP2709343B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2709343B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0555470A4 (en) * | 1990-11-02 | 1993-10-20 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1146982A patent/JP2709343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0555470A4 (en) * | 1990-11-02 | 1993-10-20 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2709343B2 (ja) | 1998-02-04 |
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