JPH03116411A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH03116411A JPH03116411A JP25367389A JP25367389A JPH03116411A JP H03116411 A JPH03116411 A JP H03116411A JP 25367389 A JP25367389 A JP 25367389A JP 25367389 A JP25367389 A JP 25367389A JP H03116411 A JPH03116411 A JP H03116411A
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- magnetic
- gap
- magnetic gap
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果素子を感磁
部として有する水平型の薄膜磁気ヘッドに係わる。
部として有する水平型の薄膜磁気ヘッドに係わる。
本発明は薄膜磁気ヘッドに係わり、磁気ギャップを有す
る薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に平行に配置され、こ
れに重ね合わせられるように磁気ギャップ上を横切って
非磁性層を介して静磁的に結合する磁気抵抗薄膜の積層
構造による薄膜磁気抵抗効果素子が配置されると共に、
薄膜磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与えるバイアス
磁界発生用導体が配置されてなり、薄膜磁気抵抗効果素
子への通電方向を磁気ギャップ上を横切る方向に選定す
るものであって、このようにすることによって高密度記
録に伴うトラック幅の狭小化による再生感度の低下、バ
ルクハウゼンノイズ等を効果的に回避することができる
ようにする。
る薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に平行に配置され、こ
れに重ね合わせられるように磁気ギャップ上を横切って
非磁性層を介して静磁的に結合する磁気抵抗薄膜の積層
構造による薄膜磁気抵抗効果素子が配置されると共に、
薄膜磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与えるバイアス
磁界発生用導体が配置されてなり、薄膜磁気抵抗効果素
子への通電方向を磁気ギャップ上を横切る方向に選定す
るものであって、このようにすることによって高密度記
録に伴うトラック幅の狭小化による再生感度の低下、バ
ルクハウゼンノイズ等を効果的に回避することができる
ようにする。
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）を感磁部とし
、さらに水平型構成を有する薄膜磁気ヘッドが１９８９
年インターマグ・ダイジェスト（Ｉｎｔｅｒ−ｍａ・ｇ
Ｄｉｇｅｓｔ’８９ Ａ ＮＥＷ ＡＰＰＲＯＡＣＨ
Ｔｏ ＭＡＫＩＮＧ ＴＨＩＮＦＩＬＭ ＨＩＥＡＤ
／５ＬＩＤＥｉＲＤＥＶＩＣＥＳ、 Ｄａｎｉｅｌ
Ｗ、 Ｃｈａｐｍａｎ及び＾ＮＥＷ ＨＯＲＩＺＯＮＴ
ＡＬ ＭＲＨＥＡＤ ５ＴＲＩＪＣＴＲＥ、 Ｄａｎ
ｉｅｌＷ、Ｃｈａｐｍａｎ、 ａｎｄ Ｍ、 Ｉ、 Ｗ
ｉｌｌｉａｍｓ）に開示されている。
、さらに水平型構成を有する薄膜磁気ヘッドが１９８９
年インターマグ・ダイジェスト（Ｉｎｔｅｒ−ｍａ・ｇ
Ｄｉｇｅｓｔ’８９ Ａ ＮＥＷ ＡＰＰＲＯＡＣＨ
Ｔｏ ＭＡＫＩＮＧ ＴＨＩＮＦＩＬＭ ＨＩＥＡＤ
／５ＬＩＤＥｉＲＤＥＶＩＣＥＳ、 Ｄａｎｉｅｌ
Ｗ、 Ｃｈａｐｍａｎ及び＾ＮＥＷ ＨＯＲＩＺＯＮＴ
ＡＬ ＭＲＨＥＡＤ ５ＴＲＩＪＣＴＲＥ、 Ｄａｎ
ｉｅｌＷ、Ｃｈａｐｍａｎ、 ａｎｄ Ｍ、 Ｉ、 Ｗ
ｉｌｌｉａｍｓ）に開示されている。
この水平型薄膜磁気ヘッドは、第５図にその路線的断面
図を示すように、表面が鏡面とされた鎖線で示すシリコ
ン基体（１）上に、ＳｉＯ□絶縁層（２）を形成し、そ
の一部をエツチングによって除去し、この除去部を通じ
てシリコン基体（１）上に直接的に接するように例えば
帯状のパーマロイ等の磁性材よりなる対の薄膜磁気コア
部（３Ｉ）及び（３□）を両者間に磁気ギャップｇを形
成するように全面例えば蒸着、或いはスパッタ後のフォ
トリソグラフィ技術による選択的エツチング等によって
パターン化して形成した薄膜磁気コア（３）が形成され
てなる。
図を示すように、表面が鏡面とされた鎖線で示すシリコ
ン基体（１）上に、ＳｉＯ□絶縁層（２）を形成し、そ
の一部をエツチングによって除去し、この除去部を通じ
てシリコン基体（１）上に直接的に接するように例えば
帯状のパーマロイ等の磁性材よりなる対の薄膜磁気コア
部（３Ｉ）及び（３□）を両者間に磁気ギャップｇを形
成するように全面例えば蒸着、或いはスパッタ後のフォ
トリソグラフィ技術による選択的エツチング等によって
パターン化して形成した薄膜磁気コア（３）が形成され
てなる。
そしてこの薄膜磁気コア（３）の表面に３１０２膜の絶
縁層（４）を被着形成し、これの上に各薄膜磁気コア部
（３，）及び（３２）上において、磁気ギャップｇに臨
む部分上にそのトラック幅方向にすなわち第５図におい
て紙面と直交する方向に延在する対の薄膜ＭＲ素子Ｍ
Ｒ＋ 及びＭ Ｒ２を形成する。そしてこれら薄膜ＭＲ
素子Ｍ Ｒ＋ 及びＭＲ，上を覆って同様に５Ｉ０２等
の絶縁層（６）を被着形成し、これの上に記録コイル（
７）を所定のパターンに形成する。さらに、これの上に
５ｉ０２等の絶縁層（８）を被着形成し、これら絶縁層
（８）、 （６）、 （４）に各薄膜磁気コア部（
３Ｉ）及び（３□）の外端上に窓開けを行って、これら
窓を通じて薄膜状の上部磁気コア（３Ｃ）を被着し、こ
れの上に絶縁層（９）をオーバーコートし、更にこれの
上にフォトフオームグラス等の絶縁板（１０）を接合す
る。
縁層（４）を被着形成し、これの上に各薄膜磁気コア部
（３，）及び（３２）上において、磁気ギャップｇに臨
む部分上にそのトラック幅方向にすなわち第５図におい
て紙面と直交する方向に延在する対の薄膜ＭＲ素子Ｍ
Ｒ＋ 及びＭ Ｒ２を形成する。そしてこれら薄膜ＭＲ
素子Ｍ Ｒ＋ 及びＭＲ，上を覆って同様に５Ｉ０２等
の絶縁層（６）を被着形成し、これの上に記録コイル（
７）を所定のパターンに形成する。さらに、これの上に
５ｉ０２等の絶縁層（８）を被着形成し、これら絶縁層
（８）、 （６）、 （４）に各薄膜磁気コア部（
３Ｉ）及び（３□）の外端上に窓開けを行って、これら
窓を通じて薄膜状の上部磁気コア（３Ｃ）を被着し、こ
れの上に絶縁層（９）をオーバーコートし、更にこれの
上にフォトフオームグラス等の絶縁板（１０）を接合す
る。
この絶縁板（１０）、絶縁層（９）等を貫通して記録コ
イル（７）等の端子（１１）の導出がなされる。そして
このように構成された磁気ヘッドからシリコン基体（１
）をエツチング除去することによってこのシリコン基体
（１）の鏡面上に形成された絶縁層（２）及び薄膜磁気
コア！（３，）及び（３□）が基体（１）の鏡面を踏襄
することによって鏡面な平滑面として磁気記録媒体との
対向面（１２）が形成されるものである。
イル（７）等の端子（１１）の導出がなされる。そして
このように構成された磁気ヘッドからシリコン基体（１
）をエツチング除去することによってこのシリコン基体
（１）の鏡面上に形成された絶縁層（２）及び薄膜磁気
コア！（３，）及び（３□）が基体（１）の鏡面を踏襄
することによって鏡面な平滑面として磁気記録媒体との
対向面（１２）が形成されるものである。
この種の水平型ＭＲ磁気ヘッドにおける薄膜ＭＲ素子Ｍ
Ｒ，及びＭＲ２は、第６図にその平面図を示すように、
薄膜磁気コア部（３Ｉ）及び（３゜）間の磁気ギャップ
ｇを挟んで対向するようにトラック幅方向に薄膜ＭＲ素
子ＭＲ，及びＭＲ，が平行配列され、電極層（１３）に
よってその一端が相互に接続されて両ＭＲ素子ＭＲ，及
びＭ Ｒ２が直列に接続されて、その直列接続の両端間
に通電がなされて、それぞれの素子ＭＲ＋ 及びＭ Ｒ
２に逆向きに長手方向に、センス電流■、が通ずるよう
になされる。これら薄膜ＭＲ素子Ｍ ＲＩ 及びＭＲ，
はその長手方向に磁化容易軸方向ｅ、ａを有し、そして
このＭＲ素子ＭＲＩ 及びＭ Ｒ２の出力電圧Ｖ１及び
Ｖ２ は、差動増幅器（３３）に入力されて差動的に出
力Ｖｔが取り出される。
Ｒ，及びＭＲ２は、第６図にその平面図を示すように、
薄膜磁気コア部（３Ｉ）及び（３゜）間の磁気ギャップ
ｇを挟んで対向するようにトラック幅方向に薄膜ＭＲ素
子ＭＲ，及びＭＲ，が平行配列され、電極層（１３）に
よってその一端が相互に接続されて両ＭＲ素子ＭＲ，及
びＭ Ｒ２が直列に接続されて、その直列接続の両端間
に通電がなされて、それぞれの素子ＭＲ＋ 及びＭ Ｒ
２に逆向きに長手方向に、センス電流■、が通ずるよう
になされる。これら薄膜ＭＲ素子Ｍ ＲＩ 及びＭＲ，
はその長手方向に磁化容易軸方向ｅ、ａを有し、そして
このＭＲ素子ＭＲＩ 及びＭ Ｒ２の出力電圧Ｖ１及び
Ｖ２ は、差動増幅器（３３）に入力されて差動的に出
力Ｖｔが取り出される。
このような＊ｊｌｊ、ｒｚよれば、磁気記録媒体からの
磁気ギャップｇを横切る方向の磁束による信号磁界によ
って第６図に示すようにセンス電流の通電方向に対しθ
１及びθ２の磁化Ｍ＋ 及びＭ２ が生じたとすると、
この時の出力Ｖｆ は次のように与えられる。この場合
両ＭＲ素子ＭＲ１及びＭ Ｒ２はそれぞれ同一の長さ！
、幅Ｗ１厚みｔを有してなるものとする。
磁気ギャップｇを横切る方向の磁束による信号磁界によ
って第６図に示すようにセンス電流の通電方向に対しθ
１及びθ２の磁化Ｍ＋ 及びＭ２ が生じたとすると、
この時の出力Ｖｆ は次のように与えられる。この場合
両ＭＲ素子ＭＲ１及びＭ Ｒ２はそれぞれ同一の長さ！
、幅Ｗ１厚みｔを有してなるものとする。
ここにＲ１及゛びＲ２は各ＭＲ素子ＭＲＭＲ２の抵抗で
あり、 及び ｔ ｗ ここに、Ｒｏ はＭＲ素子ＭＲ，及びＭ Ｒ２の抵抗の
初期値。そして出力ｖ７ は、 ｔ ｗ ・・・・・・（１） で与えられる。ここに出力ＶＴ は第７図Ａに示すよう
に、磁気記録媒体Ｓの記録磁化を第７図Ａにおいて太線
矢印で示すように磁化の向きが反転した位置に磁気ギャ
ップｇが来るとき、ＭＲ累子Ｍ Ｒ＋ 及びＭＲ２に互
いに逆向きの磁化が与えられることから、第７−８に示
すように最大の出力が得られ、これより遠ざかるに従っ
て漸次出力が低、下する。
あり、 及び ｔ ｗ ここに、Ｒｏ はＭＲ素子ＭＲ，及びＭ Ｒ２の抵抗の
初期値。そして出力ｖ７ は、 ｔ ｗ ・・・・・・（１） で与えられる。ここに出力ＶＴ は第７図Ａに示すよう
に、磁気記録媒体Ｓの記録磁化を第７図Ａにおいて太線
矢印で示すように磁化の向きが反転した位置に磁気ギャ
ップｇが来るとき、ＭＲ累子Ｍ Ｒ＋ 及びＭＲ２に互
いに逆向きの磁化が与えられることから、第７−８に示
すように最大の出力が得られ、これより遠ざかるに従っ
て漸次出力が低、下する。
ところが、上述した水平型ＭＲ磁気ヘッドにおいては、
トラック幅方向に各薄膜ＭＲ素子ＭＲ。
トラック幅方向に各薄膜ＭＲ素子ＭＲ。
及びＭＲ，が配置されるために記録密度の向上を図って
トラック幅（第６図においてＷｔ ）を狭小化する場合
、これに伴って薄膜ＭＲ素子ＭＲ，及びＭ Ｒ２の長さ
ｌが短くなることから、前記（１）式から明らかなよう
に出力ＶＴが小さくなる。
トラック幅（第６図においてＷｔ ）を狭小化する場合
、これに伴って薄膜ＭＲ素子ＭＲ，及びＭ Ｒ２の長さ
ｌが短くなることから、前記（１）式から明らかなよう
に出力ＶＴが小さくなる。
またこの場合両薄膜ＭＲ素子ＭＲ，及びＭＲ。
の長さｌがトラック幅の狭小化に伴って狭小化してその
長さ！≦１０μｍにおいて、その幅ＷがＷ≦５μｍとす
るとき両薄膜ＭＲ素子ＭＲ，及びＭＲ。
長さ！≦１０μｍにおいて、その幅ＷがＷ≦５μｍとす
るとき両薄膜ＭＲ素子ＭＲ，及びＭＲ。
には磁壁が発生しバルクハウゼンノイズが発生すること
が予想される。また磁気ギャップｇの狭ギャップ化によ
ってギャップ長！、が例えばβ９≦０、５ μｍ とす
る場合、両ＭＲ素子ＭＲ１及びＭ Ｒ２の間隔がこれに
対応して近接配置する必要が生じてくることからその加
工性にも問題が生じる。
が予想される。また磁気ギャップｇの狭ギャップ化によ
ってギャップ長！、が例えばβ９≦０、５ μｍ とす
る場合、両ＭＲ素子ＭＲ１及びＭ Ｒ２の間隔がこれに
対応して近接配置する必要が生じてくることからその加
工性にも問題が生じる。
本発明においては、上述した水平型薄膜ＭＲ磁気ヘッド
においてその狭トラツク化に伴う再生出力の低下、さら
にバルクハウゼンノイズの増大化また狭ギャップ化に伴
うＭＲ薄膜素子の加工上の問題等を解決することをその
目的とする。
においてその狭トラツク化に伴う再生出力の低下、さら
にバルクハウゼンノイズの増大化また狭ギャップ化に伴
うＭＲ薄膜素子の加工上の問題等を解決することをその
目的とする。
本発明においては、第１図に示すように磁気ギャップｇ
を有する薄膜磁気コア（３）が磁気記録媒体面（図示せ
ず）にすなわち磁気記録媒体との対向面（１２）に平行
に配置され、この薄膜磁気コア（３）に重ね合わせられ
るように磁気ギャップｇを横切って第３図にその側面図
を示すように、非磁性層（２２）を介して互いに静磁的
結合する磁気抵抗薄膜ＭＲＡ及びＭＲ，の積層構造によ
るＭＲ素子ＭＲが配置され、このＭＲ素子ＭＲにバイア
ス磁界を与えるバイアス磁界発生用導体（２１）がこの
ＭＲ素子に重ねられるように配置されてなり、ＭＲ素子
ＭＲすなわち両薄膜ＭＲＡ及びＭＲ，に対する通電方向
Ｉ、を第２図に示すように磁気ギヤツブｇ上を横切る方
向に選定する。
を有する薄膜磁気コア（３）が磁気記録媒体面（図示せ
ず）にすなわち磁気記録媒体との対向面（１２）に平行
に配置され、この薄膜磁気コア（３）に重ね合わせられ
るように磁気ギャップｇを横切って第３図にその側面図
を示すように、非磁性層（２２）を介して互いに静磁的
結合する磁気抵抗薄膜ＭＲＡ及びＭＲ，の積層構造によ
るＭＲ素子ＭＲが配置され、このＭＲ素子ＭＲにバイア
ス磁界を与えるバイアス磁界発生用導体（２１）がこの
ＭＲ素子に重ねられるように配置されてなり、ＭＲ素子
ＭＲすなわち両薄膜ＭＲＡ及びＭＲ，に対する通電方向
Ｉ、を第２図に示すように磁気ギヤツブｇ上を横切る方
向に選定する。
上述の本発明構成によれば、磁気ギャップｇを横切る方
向すなわちトラック幅方向ｗ丁 と直交する方向に磁気
ギャップＭＲ素子ＭＲが配置されることによってその長
さβをトラック幅ｗＴ と係わりな（充分大に選定する
ことができることから、大きな再生出力を取り出すこと
ができ、また加工上の問題の改善をはかることができる
。
向すなわちトラック幅方向ｗ丁 と直交する方向に磁気
ギャップＭＲ素子ＭＲが配置されることによってその長
さβをトラック幅ｗＴ と係わりな（充分大に選定する
ことができることから、大きな再生出力を取り出すこと
ができ、また加工上の問題の改善をはかることができる
。
更に、本発明によれば、ＭＲ素子をギャップｇを横切る
方向に配置したことによってその寸法の選定の自由度が
高められたことと、このＭＲ素子を静磁的に結合するよ
うに、すなわち交換結合より静磁的結合が支配的とされ
た磁気抵抗薄膜ＭＲＡ及びＭ Ｒｓ の積層構造とした
ことが相俟って、バルクハウゼンノイズの改善をはかる
ことができる。
方向に配置したことによってその寸法の選定の自由度が
高められたことと、このＭＲ素子を静磁的に結合するよ
うに、すなわち交換結合より静磁的結合が支配的とされ
た磁気抵抗薄膜ＭＲＡ及びＭ Ｒｓ の積層構造とした
ことが相俟って、バルクハウゼンノイズの改善をはかる
ことができる。
すなわち、第３図に示すように両薄膜ＭＲＡ及びＭ Ｒ
ａ に同一方向のセンス電流ｌ、を通ずることによって
外部磁界を与えない状態では、互いに他方の磁気抵抗薄
膜ＭＲ，及びＭ ＲＡ においてそれぞれその幅方向に
、したがって第２図に示すようにこの幅方向を磁化容易
軸方向ｅ、ａに選定しておけば、第３図に示すようにこ
の方向ｅ、ａに、しかも互いに逆向きの磁界Ｈを与え、
これによって両薄膜ＭＲＡ及びＭＲ＠ に互いに反平行
の磁化が生じることがら磁壁が生じない。この状態でバ
イアス磁界発生用導体（２１）からのバイアス磁界及び
磁気記録媒体からの信号磁界が与えられると磁化が互い
に逆向きに回転するが、このとき各薄膜ＭＲＡ及びＭＲ
，の面内で回転して磁壁は発生しないのでバルクハウゼ
ンノイズが回避される。尚この積層構造によるバルクハ
ウゼンノイズの改善をはかったＭＲ素子については、す
でに例えば特開昭６２−１３４８１４号公開公報、特開
昭６２−３８５２０号公開公報等に開示されているとこ
ろである。
ａ に同一方向のセンス電流ｌ、を通ずることによって
外部磁界を与えない状態では、互いに他方の磁気抵抗薄
膜ＭＲ，及びＭ ＲＡ においてそれぞれその幅方向に
、したがって第２図に示すようにこの幅方向を磁化容易
軸方向ｅ、ａに選定しておけば、第３図に示すようにこ
の方向ｅ、ａに、しかも互いに逆向きの磁界Ｈを与え、
これによって両薄膜ＭＲＡ及びＭＲ＠ に互いに反平行
の磁化が生じることがら磁壁が生じない。この状態でバ
イアス磁界発生用導体（２１）からのバイアス磁界及び
磁気記録媒体からの信号磁界が与えられると磁化が互い
に逆向きに回転するが、このとき各薄膜ＭＲＡ及びＭＲ
，の面内で回転して磁壁は発生しないのでバルクハウゼ
ンノイズが回避される。尚この積層構造によるバルクハ
ウゼンノイズの改善をはかったＭＲ素子については、す
でに例えば特開昭６２−１３４８１４号公開公報、特開
昭６２−３８５２０号公開公報等に開示されているとこ
ろである。
本発明による薄膜磁気ヘッドの一例を第１図〜第３図を
参照してさらに詳細に説明する。第１図は本発明による
薄膜磁気ヘッドの路線的拡大断面図、第２図はその要部
の平面図、第３図はＭＲ素子の一例の側面図で、第１図
及び第２図において第５図及び第６図と対応する部分に
は同一符号を付して示す。
参照してさらに詳細に説明する。第１図は本発明による
薄膜磁気ヘッドの路線的拡大断面図、第２図はその要部
の平面図、第３図はＭＲ素子の一例の側面図で、第１図
及び第２図において第５図及び第６図と対応する部分に
は同一符号を付して示す。
すなわち、この場合においても表面が鏡面とされたシリ
コン基体（図示せず）上に、その表面を熱酸化してＳ１
０□絶縁層（２）を形成し、その一部をエツチングによ
って除去し、この除去部を通じてシリコン基体（１）上
に直接的に接するように例えば帯状のパーマロイ等の磁
性材よりなる対の薄膜磁気コア部（３１）及び（３□）
を両者間に磁気ギャップｇを形成するように全面蒸着、
あるいはスパッタして後フォトリングラフィ技術による
選択的エツチング等によってパターン化して形成した薄
膜磁気コア（３）が形成されてなる。
コン基体（図示せず）上に、その表面を熱酸化してＳ１
０□絶縁層（２）を形成し、その一部をエツチングによ
って除去し、この除去部を通じてシリコン基体（１）上
に直接的に接するように例えば帯状のパーマロイ等の磁
性材よりなる対の薄膜磁気コア部（３１）及び（３□）
を両者間に磁気ギャップｇを形成するように全面蒸着、
あるいはスパッタして後フォトリングラフィ技術による
選択的エツチング等によってパターン化して形成した薄
膜磁気コア（３）が形成されてなる。
そしてこの薄膜磁気コア（３）の表面にＳｉＯ□、 Ａ
ｆ、０３゜ＳｉＮ等の絶縁層（４）を被着形成し、これ
の上に各薄膜磁気コア部（３１）及び（３□）上におい
て、磁気ギャップｇを横切ってＭＲ素子ＭＲを配置形成
する。
ｆ、０３゜ＳｉＮ等の絶縁層（４）を被着形成し、これ
の上に各薄膜磁気コア部（３１）及び（３□）上におい
て、磁気ギャップｇを横切ってＭＲ素子ＭＲを配置形成
する。
そしてこのＭＲ素子ＭＲ上を覆って同様に５ｉ０２等の
絶縁層（１６）をスパッタ、ＣＶＤ （化学気相成長法
）等によって被着形成し、これの上にバイアス磁界発生
用導体（２１）を、例えばＣｕ層の蒸着及びリソグラフ
ィーによるパターンエツチング等によって形成する。そ
して更にこれの上に５ｉ０２等の絶縁層を被着し、これ
の上に記録コイル（７）を所定のパターンに形成する。
絶縁層（１６）をスパッタ、ＣＶＤ （化学気相成長法
）等によって被着形成し、これの上にバイアス磁界発生
用導体（２１）を、例えばＣｕ層の蒸着及びリソグラフ
ィーによるパターンエツチング等によって形成する。そ
して更にこれの上に５ｉ０２等の絶縁層を被着し、これ
の上に記録コイル（７）を所定のパターンに形成する。
さらに、これの上にＳｉＯ□等の絶縁層（８）を被着形
成し、これら絶縁層（８）、 （６）、（１６）。
成し、これら絶縁層（８）、 （６）、（１６）。
（４）に各薄膜磁気コア部（３１）及び（３□）の外端
上に窓開けを行って、これら窓を通じて薄膜状の上記磁
気コア（３Ｃ）を被着し、これの上に絶縁層（９）をオ
ーバーコートしこれの上にフォトフオームグラス等の絶
縁板（１０）を接合する。
上に窓開けを行って、これら窓を通じて薄膜状の上記磁
気コア（３Ｃ）を被着し、これの上に絶縁層（９）をオ
ーバーコートしこれの上にフォトフオームグラス等の絶
縁板（１０）を接合する。
この絶縁板（１０）、絶縁層（９）等を貫通して記録コ
イル（７）等の端子（１１）の導出がなされる。そして
このように構成された磁気ヘッドからシリコン基体をエ
ツチング除去することによってこのシリコン基体の鏡面
上に形成された絶縁層（２）及び薄膜磁気コア部（３１
）及び（３２）が鏡面な平滑面として磁気記録媒体との
対向面（１２）が形成されるものである。
イル（７）等の端子（１１）の導出がなされる。そして
このように構成された磁気ヘッドからシリコン基体をエ
ツチング除去することによってこのシリコン基体の鏡面
上に形成された絶縁層（２）及び薄膜磁気コア部（３１
）及び（３２）が鏡面な平滑面として磁気記録媒体との
対向面（１２）が形成されるものである。
このような本発明による薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子ＭＲ
は、第３図に示すように、例えば同一材料Ｎｉ Ｆｅ
より成り同一厚さ、形状を有し、かつそれぞれトラック
幅Ｗ丁方向に磁化容易軸ｅ、 ａを有する第１及び第２
のＭＲ薄膜Ｍ ＲＡ及びＭ Ｒｍが互いに静磁的結合が
生じるも交換相互作用がほとんど生じることのない例え
ば３０八程度のＳｉＯ□よりなる非磁性層（２２）を介
在させて積層して構成する。そしてこの場合ギャップｇ
を横切る方向に延長して形成されたＭＲ素子ＭＲの両端
に端子電極（２３，） 及び（２３，） を導出し、
両者間に通電を行ってＭＲ素子ＭＲのギャップｇを横切
る長手方向にセンス電流Ｉ、を通ずるようになす。
は、第３図に示すように、例えば同一材料Ｎｉ Ｆｅ
より成り同一厚さ、形状を有し、かつそれぞれトラック
幅Ｗ丁方向に磁化容易軸ｅ、 ａを有する第１及び第２
のＭＲ薄膜Ｍ ＲＡ及びＭ Ｒｍが互いに静磁的結合が
生じるも交換相互作用がほとんど生じることのない例え
ば３０八程度のＳｉＯ□よりなる非磁性層（２２）を介
在させて積層して構成する。そしてこの場合ギャップｇ
を横切る方向に延長して形成されたＭＲ素子ＭＲの両端
に端子電極（２３，） 及び（２３，） を導出し、
両者間に通電を行ってＭＲ素子ＭＲのギャップｇを横切
る長手方向にセンス電流Ｉ、を通ずるようになす。
そして、バイアス磁界発生用導体（２１）は、ＭＲ素子
ＭＲのセンス電流Ｉ、の通電方向と直交し、ＭＲ素子に
与えられる磁気記録媒体からの信号磁界の方向と直交し
、ＭＲ素子の膜面に沿う方向に延在しかつこの方向に通
電がなされて、ＭＲ素子における磁界抵抗特性が直線性
を有し、かつ単調減少ないしは増加を示す特性部分で動
作がなされるようにする。
ＭＲのセンス電流Ｉ、の通電方向と直交し、ＭＲ素子に
与えられる磁気記録媒体からの信号磁界の方向と直交し
、ＭＲ素子の膜面に沿う方向に延在しかつこの方向に通
電がなされて、ＭＲ素子における磁界抵抗特性が直線性
を有し、かつ単調減少ないしは増加を示す特性部分で動
作がなされるようにする。
このような構成において今、外部磁界すなわち磁気記録
媒体から与えられる信号磁界によって磁化Ｍが生じたと
すると磁気モーメントが回転することに対する抵抗ρ（
θ）は ＝ρよ ＋ （ρＩ−ρ□）ｓｉｎ”θただしρ、及び
ρ７はそれぞれＭＲ素子ＭＲの長手方向及び垂直方向の
比抵抗を示す。このような構成によればその出力Ｖは β Ｖ＝ ｌ５Ｒ＝ １． Δρｓｉｎ’θ ・−
・−−−（２）ｔ となる。そしてこの場合の出力Ｖは、第４図Ａに示すよ
うに磁気記録媒体Ｓの太線で示す記録磁化の反転部に磁
気コア（３）の磁気ギャップｇが正対したときにＭＲ素
子にその中央から両端に向って互いに逆向きの磁界が与
えられ、また第４−８に示すように相対的に磁気記録媒
体Ｓが右方向に移動する場合、及び第４図Ｃに示すよう
に左方向に移動する場合にはそれぞれ一方向の信号磁界
が与えられることによってその出力は上昇するものであ
り、この磁気記録媒体上での出力Ｖの関係は、第４図り
に示すようになる。
媒体から与えられる信号磁界によって磁化Ｍが生じたと
すると磁気モーメントが回転することに対する抵抗ρ（
θ）は ＝ρよ ＋ （ρＩ−ρ□）ｓｉｎ”θただしρ、及び
ρ７はそれぞれＭＲ素子ＭＲの長手方向及び垂直方向の
比抵抗を示す。このような構成によればその出力Ｖは β Ｖ＝ ｌ５Ｒ＝ １． Δρｓｉｎ’θ ・−
・−−−（２）ｔ となる。そしてこの場合の出力Ｖは、第４図Ａに示すよ
うに磁気記録媒体Ｓの太線で示す記録磁化の反転部に磁
気コア（３）の磁気ギャップｇが正対したときにＭＲ素
子にその中央から両端に向って互いに逆向きの磁界が与
えられ、また第４−８に示すように相対的に磁気記録媒
体Ｓが右方向に移動する場合、及び第４図Ｃに示すよう
に左方向に移動する場合にはそれぞれ一方向の信号磁界
が与えられることによってその出力は上昇するものであ
り、この磁気記録媒体上での出力Ｖの関係は、第４図り
に示すようになる。
上述した本発明による薄膜磁気ヘッドによれば、磁気ギ
ャップｇを横切ってＭＲ素子を配置したので、幅Ｗ、と
係わりなくその長さｌを充分大に選定できるので前記（
２）式から明らかなように再生出力Ｖを充分大とするこ
とができる。
ャップｇを横切ってＭＲ素子を配置したので、幅Ｗ、と
係わりなくその長さｌを充分大に選定できるので前記（
２）式から明らかなように再生出力Ｖを充分大とするこ
とができる。
また磁気ギャップｇが狭小化されてもすなわちそのギャ
ップ長が狭ギャップ化されてもＭＲが分離されていない
ことからその加工性に問題が生ずることがない。またこ
のＭＲが小に構成された場合においても第３図で説明し
たように非磁性層（２２）を介在したＭＲＡ及びＭＲ，
の積層構造としたことによって磁壁の発生が抑制されバ
ルクハウゼンノイズが軽減される。
ップ長が狭ギャップ化されてもＭＲが分離されていない
ことからその加工性に問題が生ずることがない。またこ
のＭＲが小に構成された場合においても第３図で説明し
たように非磁性層（２２）を介在したＭＲＡ及びＭＲ，
の積層構造としたことによって磁壁の発生が抑制されバ
ルクハウゼンノイズが軽減される。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の路線的拡
大断面図、第２図はそのＭＲ素子部の路線的平面図、第
３図はＭＲ素子の路線的断面図、第４図はその動作の説
明図、第５図は従来の磁気ヘッドの路線的拡大断面図、
第６図はそのＭＲ素子の平面図、第７図はその動作の説
明図である。 （３，）、 （３２） は薄膜磁気コア部、（３）は
薄膜磁気コア、ＭＲは薄膜磁気抵抗効果素子、（７）は
記録コイル、ＭＲＡ及びＭＲＢ は磁気抵抗薄膜、（２
２）は非磁性層である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第４図 第１図 手続補正書
大断面図、第２図はそのＭＲ素子部の路線的平面図、第
３図はＭＲ素子の路線的断面図、第４図はその動作の説
明図、第５図は従来の磁気ヘッドの路線的拡大断面図、
第６図はそのＭＲ素子の平面図、第７図はその動作の説
明図である。 （３，）、 （３２） は薄膜磁気コア部、（３）は
薄膜磁気コア、ＭＲは薄膜磁気抵抗効果素子、（７）は
記録コイル、ＭＲＡ及びＭＲＢ は磁気抵抗薄膜、（２
２）は非磁性層である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第４図 第１図 手続補正書
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気ギャップを有する薄膜磁気コアが磁気記録媒体面に
平行に配置され、 上記薄膜磁気コアに重ね合わせられるように上記磁気ギ
ャップ上を横切って非磁性層を介して静磁的結合する磁
気抵抗薄膜の積層構造による薄膜磁気抵抗効果素子が配
置されると共に上記薄膜磁気抵抗効果素子にバイアス磁
界を与えるバイアス磁界発生用導体が配置され、 上記薄膜磁気抵抗効果素子の通電方向を上記磁気ギャッ
プ上を横切る方向に選定したことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25367389A JPH03116411A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25367389A JPH03116411A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116411A true JPH03116411A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17254576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25367389A Pending JPH03116411A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116411A (ja) |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP25367389A patent/JPH03116411A/ja active Pending
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