JPH03116630A - ガス放電型表示パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電型表示パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH03116630A JPH03116630A JP25383689A JP25383689A JPH03116630A JP H03116630 A JPH03116630 A JP H03116630A JP 25383689 A JP25383689 A JP 25383689A JP 25383689 A JP25383689 A JP 25383689A JP H03116630 A JPH03116630 A JP H03116630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- display panel
- cathode electrode
- electric discharge
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- -1 hydroxysilane compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000003414 extremity Anatomy 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガス放電型表示パネルに関し、詳細には、そ
のカソード電極に関するものである。
のカソード電極に関するものである。
従来のこの種のガス放電型表示パネルとしては特公昭6
3−62858号公報に記載のものがある。この表示パ
ネルは、2枚の基板間に放電空間を有し、この放電空間
内で対向する電極間にプラズマ放電を生じさせて表示す
るものである。そして、カソード電極の材料としては、
N1を主成分とした材料が用いられている。
3−62858号公報に記載のものがある。この表示パ
ネルは、2枚の基板間に放電空間を有し、この放電空間
内で対向する電極間にプラズマ放電を生じさせて表示す
るものである。そして、カソード電極の材料としては、
N1を主成分とした材料が用いられている。
また、カソード電極の材料として耐スパツタ性に優れた
六ホウ化ランタン(L a Be )を用いる研究がテ
レビジョン学会技術報告、昭和63年11月24日発表
、デイクシ−株式会社、淡路則之他著、「印刷法L a
B e陰極を用いたDCプラズマデイスプレィ」、4
3〜48頁に記載されている。第2図はこの報告による
カソード電極部分の構造を示す断面図である。同図に示
されるように、この従来例では、基板11上にNi電極
12を有し、この上にL a B eからなる材料粒子
と、ビークルと、バインダとしての低融点ガラスとを混
合して得られたペーストをスクリーン印刷し、これを乾
燥し、500〜600℃で焼結して被膜13を形成して
いる。
六ホウ化ランタン(L a Be )を用いる研究がテ
レビジョン学会技術報告、昭和63年11月24日発表
、デイクシ−株式会社、淡路則之他著、「印刷法L a
B e陰極を用いたDCプラズマデイスプレィ」、4
3〜48頁に記載されている。第2図はこの報告による
カソード電極部分の構造を示す断面図である。同図に示
されるように、この従来例では、基板11上にNi電極
12を有し、この上にL a B eからなる材料粒子
と、ビークルと、バインダとしての低融点ガラスとを混
合して得られたペーストをスクリーン印刷し、これを乾
燥し、500〜600℃で焼結して被膜13を形成して
いる。
しかしながら、上記いずれの従来例においても、放電に
際してのイオン衝撃によりカソード電極が劣化すること
を防ぐために、イオン衝撃に対して緩衝作用を持つ水銀
を放電空間内に封入することが不可欠であった。そして
、この水銀は電極面積に応じた一定以上の量が必要とな
るが、大型の表示パネルでは水銀拡散の均一化が困難で
あるため水銀量の少ない部分が生じ、このような部分の
電極劣化が製品寿命を短くしているという問題があった
。
際してのイオン衝撃によりカソード電極が劣化すること
を防ぐために、イオン衝撃に対して緩衝作用を持つ水銀
を放電空間内に封入することが不可欠であった。そして
、この水銀は電極面積に応じた一定以上の量が必要とな
るが、大型の表示パネルでは水銀拡散の均一化が困難で
あるため水銀量の少ない部分が生じ、このような部分の
電極劣化が製品寿命を短くしているという問題があった
。
また、第2図の従来例は被膜に低融点ガラスを含むので
、500℃以上の焼成が必要であり、酸化されにくい材
料粒子を選択しなければならないという制約があるとい
う問題があった。また、下地電極であるNi電極との導
通を保つため低融点ガラスの量やその焼成温度に制限が
あるため、製作が困難であるという問題があった。
、500℃以上の焼成が必要であり、酸化されにくい材
料粒子を選択しなければならないという制約があるとい
う問題があった。また、下地電極であるNi電極との導
通を保つため低融点ガラスの量やその焼成温度に制限が
あるため、製作が困難であるという問題があった。
そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、その目的とするところ
は、製品寿命が長く、製作が容易なガス放電型表示パネ
ルを提供することにある。
するためになされたものであり、その目的とするところ
は、製品寿命が長く、製作が容易なガス放電型表示パネ
ルを提供することにある。
本発明においては、絶縁基板と、上記絶縁基板上に形成
されたカソード電極とを有するガス放電型表示パネルに
おいて、上記カソード電極が、金属を含む下地電極と、
この下地電極上に形成されたS I O2を含む上地電
極とを有することを特徴としている。
されたカソード電極とを有するガス放電型表示パネルに
おいて、上記カソード電極が、金属を含む下地電極と、
この下地電極上に形成されたS I O2を含む上地電
極とを有することを特徴としている。
本発明においては、カソード電極を金属(例えば、Ni
)を含む下地電極と、その上のS l 02を含む上地
電極とから構成する。この上地N極のS I O2はバ
インダとして機能し、従来の低融点ガラス(焼成温度5
00℃以上)よりはるかに低い温度で焼成できる。また
、S l 02は一端焼成した後には高温に耐える特性
を有するので、イオンの衝撃による電極表面の劣化が生
じにくい。
)を含む下地電極と、その上のS l 02を含む上地
電極とから構成する。この上地N極のS I O2はバ
インダとして機能し、従来の低融点ガラス(焼成温度5
00℃以上)よりはるかに低い温度で焼成できる。また
、S l 02は一端焼成した後には高温に耐える特性
を有するので、イオンの衝撃による電極表面の劣化が生
じにくい。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第3図は本発明に係るガス放電型表示パネルの一実施例
を示す斜視図である。同図に示されるように、本実施例
の表示パネルは、複数本のカソード電極2(例えば、膜
厚28μm)と隔壁3とを有する背面ガラス1(例えば
、厚さ3mm)と、複数本のアノード電極5(例えば、
膜厚27μm)を有する前面ガラス4とを対向配置させ
、隔壁3により区分される放電セルにおいてカソード電
極2とアノード電極5とを対向(例えば、150μm間
隔)させて構成されている。そして、放電セルには、N
eにAr (0,3%)を混合した放電ガスを300T
orr封入する。尚、2aはカソード電極2に接続され
る接a端子(例えば、膜厚13μm)である。
を示す斜視図である。同図に示されるように、本実施例
の表示パネルは、複数本のカソード電極2(例えば、膜
厚28μm)と隔壁3とを有する背面ガラス1(例えば
、厚さ3mm)と、複数本のアノード電極5(例えば、
膜厚27μm)を有する前面ガラス4とを対向配置させ
、隔壁3により区分される放電セルにおいてカソード電
極2とアノード電極5とを対向(例えば、150μm間
隔)させて構成されている。そして、放電セルには、N
eにAr (0,3%)を混合した放電ガスを300T
orr封入する。尚、2aはカソード電極2に接続され
る接a端子(例えば、膜厚13μm)である。
第1図(a)、(b)は第3図のカソード電極部分を示
すものであり、同図(a)は第3図のニーI線断面図、
同図(b)は第3図の■−■線断面図である。
すものであり、同図(a)は第3図のニーI線断面図、
同図(b)は第3図の■−■線断面図である。
第1図に基づき本実施例のカソード電@2について説明
すると、このカソード電極2はNi (BSL (Et
ectro−science Laboratorie
s Inc、)社製、商品番号:#2554)を含む下
地電極6と、この下地電極6を覆うように形成されたS
iO2を含む上地電極7とを有している。そして、こ
の上地電極7は下地電極6上に5102を含有するペー
ストを塗布し、これを乾燥し、340℃で焼成(この温
度はペーストに含まれるオイル成分を焼結して除去する
温度であり、5lO7の焼成温度は200℃程度である
)して形成される。ここで、塗布されるペーストとして
は、例えば、次の組成(ペースト■とペースト■)のも
のがある。
すると、このカソード電極2はNi (BSL (Et
ectro−science Laboratorie
s Inc、)社製、商品番号:#2554)を含む下
地電極6と、この下地電極6を覆うように形成されたS
iO2を含む上地電極7とを有している。そして、こ
の上地電極7は下地電極6上に5102を含有するペー
ストを塗布し、これを乾燥し、340℃で焼成(この温
度はペーストに含まれるオイル成分を焼結して除去する
温度であり、5lO7の焼成温度は200℃程度である
)して形成される。ここで、塗布されるペーストとして
は、例えば、次の組成(ペースト■とペースト■)のも
のがある。
ベニ各土■
コバルト粉末(フルウチ化学社製、製品番号:C0M−
23010A)100gと、ビークル(ESL社製、製
品番号:#405)100gと、S I O2系被膜形
成用塗布液(東京応化工業社製、ヒドロキシシラン化合
物のアルコール溶液、商品番号:0CDtype−7−
20000)5〜20gを混合したもの。
23010A)100gと、ビークル(ESL社製、製
品番号:#405)100gと、S I O2系被膜形
成用塗布液(東京応化工業社製、ヒドロキシシラン化合
物のアルコール溶液、商品番号:0CDtype−7−
20000)5〜20gを混合したもの。
笠二困五望
L a B e粉末(日本新金属株式会社製、粒径1゜
8μm>125gと、ビークル(ESL社製、製品番号
:#405)100gと、S i02系被膜形成用塗布
液(東京応化工業社製、ヒドロキシシラン化合物のアル
コール溶液、商品番号:0CDtype−7−2000
0)5〜20gを混合したもの。
8μm>125gと、ビークル(ESL社製、製品番号
:#405)100gと、S i02系被膜形成用塗布
液(東京応化工業社製、ヒドロキシシラン化合物のアル
コール溶液、商品番号:0CDtype−7−2000
0)5〜20gを混合したもの。
ここで、S10□系被膜形成用塗布液(以下、OCDと
略す)の量を増加させると、粒子の下地に対する密着性
や粒子間の結合力は強くなり、印刷性が低下しくビーク
ルの割合が低くなるため)、放電電圧が高くなる。また
、OCDの量を減少させると放電電圧は低くなるが、粒
子間の結合が弱くなり、放電の広がりも低下する。従っ
て、用いる粒子及びビークルの粘度などによりOCDの
量を適宜調節する。また、S z 02系被膜形成用塗
布液としては、上記しドロキシシラン化合物のアルコー
ル溶液の他に、SLの有機酸金属塩(例えば、オクチル
酸けい素)の有機溶媒(エタノール。
略す)の量を増加させると、粒子の下地に対する密着性
や粒子間の結合力は強くなり、印刷性が低下しくビーク
ルの割合が低くなるため)、放電電圧が高くなる。また
、OCDの量を減少させると放電電圧は低くなるが、粒
子間の結合が弱くなり、放電の広がりも低下する。従っ
て、用いる粒子及びビークルの粘度などによりOCDの
量を適宜調節する。また、S z 02系被膜形成用塗
布液としては、上記しドロキシシラン化合物のアルコー
ル溶液の他に、SLの有機酸金属塩(例えば、オクチル
酸けい素)の有機溶媒(エタノール。
イソプロパツール、トルエン、キシレン等など)溶液や
S1アルコキシド(例えば、シリコンエトキシド)の有
機溶媒(エタノール、イソプロパツール、トルエン、キ
シレン等など)溶液がある。
S1アルコキシド(例えば、シリコンエトキシド)の有
機溶媒(エタノール、イソプロパツール、トルエン、キ
シレン等など)溶液がある。
尚、第1図(b)において、8は接続端子2aとカソー
ド電[2との接続部を覆うカソードオーバコートである
。
ド電[2との接続部を覆うカソードオーバコートである
。
また、第4図は本実施例の表示パネルの製造工程を示す
フローチャートである0本実施例の表示パネルの製造は
以下のようになされる。
フローチャートである0本実施例の表示パネルの製造は
以下のようになされる。
先ず、同図に示されるステップ10.11により、背面
ガラス上にN1ペーストを塗布し、これを乾燥、焼成し
て下地電極を形成し、次に銀ペースト(BSL社製、商
品番号:#590)を塗布し、これを乾燥、焼成して端
子@極2aを形成する0次のステップ12により放電に
寄与する部分のみを露出させ、且つ、シール部を封着す
るためのオーバコート0 (Dupont社製、商品番
号:9741)を形成する0次のステップ13により放
電セルに封入ガスを導入するためのガラス製の排気管を
設置し鉛ガラスに460°Cの熱処理を加えて固定する
。その後、ステップ14により下地電極上にSiO□を
含有するペーストを塗布し、これを乾燥し、340℃で
焼成して上地電極を形成する。
ガラス上にN1ペーストを塗布し、これを乾燥、焼成し
て下地電極を形成し、次に銀ペースト(BSL社製、商
品番号:#590)を塗布し、これを乾燥、焼成して端
子@極2aを形成する0次のステップ12により放電に
寄与する部分のみを露出させ、且つ、シール部を封着す
るためのオーバコート0 (Dupont社製、商品番
号:9741)を形成する0次のステップ13により放
電セルに封入ガスを導入するためのガラス製の排気管を
設置し鉛ガラスに460°Cの熱処理を加えて固定する
。その後、ステップ14により下地電極上にSiO□を
含有するペーストを塗布し、これを乾燥し、340℃で
焼成して上地電極を形成する。
一方、ステップ20乃至23により、前面ガラス上にN
iペーストよりアノード電極を形成し、銀ペーストより
アノード端子を形成し、遮光膜(奥野製薬社製、商品名
ニオクツ503)を備え付け、封止用のオーバコートを
備えたスペーサリブを形成する。
iペーストよりアノード電極を形成し、銀ペーストより
アノード端子を形成し、遮光膜(奥野製薬社製、商品名
ニオクツ503)を備え付け、封止用のオーバコートを
備えたスペーサリブを形成する。
そして、ステップ30乃至33により、上記背面ガラス
と前面ガラスを重ね、周囲を封着し、放電ガスを封入し
て、表示パネルを完成させる。
と前面ガラスを重ね、周囲を封着し、放電ガスを封入し
て、表示パネルを完成させる。
次に、本実施例の性能を確認するための実験例について
説明する。
説明する。
火成1
上地電極をコバルト粉末を含むペースト■の組成とした
場合(実施例)と、上地電極をL a B e粉末を含
むペースト■の組成とした場合(実施例)と、カソード
電極をNi厚膜のみで形成した場合(従来例)について
、放電セル内にHgを拡散させて、印加電圧対放電電流
特性を測定した。第5図はこの測定結果を示すグラフで
ある。
場合(実施例)と、上地電極をL a B e粉末を含
むペースト■の組成とした場合(実施例)と、カソード
電極をNi厚膜のみで形成した場合(従来例)について
、放電セル内にHgを拡散させて、印加電圧対放電電流
特性を測定した。第5図はこの測定結果を示すグラフで
ある。
犬肢λ
上地電極をコバルト粉末を含むペースト■の組成とした
場合(実施例)と、上地電極をLaB6粉末を含むペー
スト■の組成とした場合(実施例)と、カソード電極を
N1厚膜のみで形成した場合(従来例)について、放電
セル内にHgを封入しない状態で、印加電圧対放電電流
特性を測定した。
場合(実施例)と、上地電極をLaB6粉末を含むペー
スト■の組成とした場合(実施例)と、カソード電極を
N1厚膜のみで形成した場合(従来例)について、放電
セル内にHgを封入しない状態で、印加電圧対放電電流
特性を測定した。
第6図はこの測定結果を示すグラフである。
第5図及び第6図よりペースト■とペースト■の場合に
は、Ni厚膜による場合よりも印加電圧に対しての放電
電流が大きくなることが確認された。ここで、放電電流
の増加は輝度と効率の向上を意味するので、Ni厚膜の
みの場合に比べて放電特性が向上したことが確認された
。
は、Ni厚膜による場合よりも印加電圧に対しての放電
電流が大きくなることが確認された。ここで、放電電流
の増加は輝度と効率の向上を意味するので、Ni厚膜の
みの場合に比べて放電特性が向上したことが確認された
。
また、第5図と第6図の比較よりHg封入の有無による
放電電流特性の違いが小さく、Hgを封入しなくても良
好な放電電流特性が得られることが確認された。
放電電流特性の違いが小さく、Hgを封入しなくても良
好な放電電流特性が得られることが確認された。
さらに、本実施例の寿命試験(実験3.4)を実施しな
。
。
天職ユ
上地電極をコバルト粉末を含むペースト■の組成とした
場合(実施例)と、上地電極をL a B 6粉末を含
むペースト■の組成とした場合(実施例)と、カソード
電極をNi厚膜のみで形成した場合(従来例)について
、放電セル内にHgを拡散(250℃、2時間)させて
、放電広がりの経時変化を観測しな。
場合(実施例)と、上地電極をL a B 6粉末を含
むペースト■の組成とした場合(実施例)と、カソード
電極をNi厚膜のみで形成した場合(従来例)について
、放電セル内にHgを拡散(250℃、2時間)させて
、放電広がりの経時変化を観測しな。
いづれの表示パネルについても放電の広がりは良好であ
り、1ケ月経過後であっても電極劣化は生じなかった。
り、1ケ月経過後であっても電極劣化は生じなかった。
天贋ユ
上地電極をコバルト粉末を含むペースト■の組成とした
場合(実施例)と、上地電極をL a B e粉末を含
むペースト■の組成とした場合(実施例)と、カソード
電極をNi厚膜のみで形成した場合(従来例)について
、放電セル内にHgを封入せず、放電広がりの経時変化
を観測した。
場合(実施例)と、上地電極をL a B e粉末を含
むペースト■の組成とした場合(実施例)と、カソード
電極をNi厚膜のみで形成した場合(従来例)について
、放電セル内にHgを封入せず、放電広がりの経時変化
を観測した。
ペースト■とペースト■については、変化がみられず、
放電の広がりは良好であり、1ケ月経過後であっても電
極劣化は生じなかった。
放電の広がりは良好であり、1ケ月経過後であっても電
極劣化は生じなかった。
これは本実施例の上地電極が鉛ガラスの代わりにS i
02を用いたことによるものであり、このS i O
2は高温に強く、耐スパツタ性が高いからである。尚、
通常のペースト(金属粉、ビークル、鉛ガラスから成る
)に8102を加えても、長寿命化の効果が確認された
。
02を用いたことによるものであり、このS i O
2は高温に強く、耐スパツタ性が高いからである。尚、
通常のペースト(金属粉、ビークル、鉛ガラスから成る
)に8102を加えても、長寿命化の効果が確認された
。
これに対し、Ni厚膜のみの場合はエージングの後、測
定を行い、250■で寿命試験を行った結果(8インチ
パネル640X640、線順次駆動Ne−Ar混合ガス
を封入)1日で、輝度むらが生じ、寿命となった。
定を行い、250■で寿命試験を行った結果(8インチ
パネル640X640、線順次駆動Ne−Ar混合ガス
を封入)1日で、輝度むらが生じ、寿命となった。
以上の結果より、Hgが封入されていなければNi厚膜
の寿命は大巾に縮まるが、コバルト又はLaB 粉末
とSiO□を含有するM%では劣化が生しにくいことが
確認された。よって、本実施例によれば、Hgを含まな
くとも、優れた特性と、長寿命を得ることができる。ま
た、本実施例においては低温の焼成工程で済むS i
O2をバインダとしているので、酸化されにくい金属で
なければならないという材料粒子選択上の制約がなく、
また、焼成温度が低いので製作が容易である。
の寿命は大巾に縮まるが、コバルト又はLaB 粉末
とSiO□を含有するM%では劣化が生しにくいことが
確認された。よって、本実施例によれば、Hgを含まな
くとも、優れた特性と、長寿命を得ることができる。ま
た、本実施例においては低温の焼成工程で済むS i
O2をバインダとしているので、酸化されにくい金属で
なければならないという材料粒子選択上の制約がなく、
また、焼成温度が低いので製作が容易である。
以上説明したように、本発明によれば、水銀を含まなく
とも、良好な放電の広がりが得られ、また、長寿命にす
ることができる。また、材料粒子選択上の制約や焼成温
度の制限が小さいので製作が容易であり、酸化されやす
いコバルト粉末なども陰極として適用できるという効果
がある。
とも、良好な放電の広がりが得られ、また、長寿命にす
ることができる。また、材料粒子選択上の制約や焼成温
度の制限が小さいので製作が容易であり、酸化されやす
いコバルト粉末なども陰極として適用できるという効果
がある。
第1図(a)、(b)は本発明に係るガス放電型表示パ
ネルの一実施例のカソード電極部分を示す断面図、 第2図は従来のカソード電極の構造を示す断面図、 第3図は本実施例のガス放電型表示パネルの斜視図、 第4図は本実施例の表示パネルを製造する工程を示すフ
ローチャート、 第5図は本実施例の効果を確認するための実験結果(H
gを封入させた場合)を示すグラフ、第6図は本実施例
の効果を確認するための実験結果(Hgを封入しない場
合)を示すグラフである。 1・・・背面ガラス、 2・・・カソード電極、 3・・・隔壁、 4・・・前面ガラス、 5・・・アノード電極、 6・・・下地電極、 7・・・上地電極。
ネルの一実施例のカソード電極部分を示す断面図、 第2図は従来のカソード電極の構造を示す断面図、 第3図は本実施例のガス放電型表示パネルの斜視図、 第4図は本実施例の表示パネルを製造する工程を示すフ
ローチャート、 第5図は本実施例の効果を確認するための実験結果(H
gを封入させた場合)を示すグラフ、第6図は本実施例
の効果を確認するための実験結果(Hgを封入しない場
合)を示すグラフである。 1・・・背面ガラス、 2・・・カソード電極、 3・・・隔壁、 4・・・前面ガラス、 5・・・アノード電極、 6・・・下地電極、 7・・・上地電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁基板と、 上記絶縁基板上に形成されたカソード電極とを有するガ
ス放電型表示パネルにおいて、 上記カソード電極が、金属を含む下地電極と、この下地
電極上に形成されたSiO_2を含む上地電極とを有す
ることを特徴とするガス放電型表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1253836A JP2511152B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | ガス放電型表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1253836A JP2511152B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | ガス放電型表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116630A true JPH03116630A (ja) | 1991-05-17 |
| JP2511152B2 JP2511152B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=17256811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1253836A Expired - Fee Related JP2511152B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | ガス放電型表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511152B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336578A (en) * | 1992-01-13 | 1994-08-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phthalocyanine mixed crystal and electrophotographic photoreceptor containing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63938A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | Hitachi Ltd | ガス放電型表示パネルの陰極 |
| JPS6413655U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1253836A patent/JP2511152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63938A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | Hitachi Ltd | ガス放電型表示パネルの陰極 |
| JPS6413655U (ja) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336578A (en) * | 1992-01-13 | 1994-08-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phthalocyanine mixed crystal and electrophotographic photoreceptor containing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2511152B2 (ja) | 1996-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930000380B1 (ko) | 방전표시장치의 제조방법 | |
| KR100351557B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP2633389B2 (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| JPH09326208A (ja) | 導電性焼成体およびそれを用いるガス放電表示パネル | |
| JPH03116630A (ja) | ガス放電型表示パネルの製造方法 | |
| JP3007117B2 (ja) | ガス放電表示装置およびその製造方法 | |
| JPH03116631A (ja) | ガス放電型表示パネル及びその製造方法 | |
| JP2940721B2 (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| JPH03145030A (ja) | ガス放電型表示パネルの製造方法 | |
| JPH03176945A (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| JPH0495332A (ja) | 放電電極 | |
| JPH06267424A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| US20020021080A1 (en) | Display apparatus and method for producing same | |
| JPH0728681Y2 (ja) | 直流型プラズマディスプレイパネル | |
| JP3115759B2 (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| JP2769933B2 (ja) | 直流型放電表示管およびその陰極形成用組成物 | |
| JP2705997B2 (ja) | ガス放電パネル | |
| JP3050462B2 (ja) | ガス放電表示パネルの陰極 | |
| JPH05225911A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP2009093911A (ja) | 透明電極及び透明電極を備えた表示装置 | |
| KR100301668B1 (ko) | 플라즈마 표시장치용 전극재료 | |
| JPS6029160Y2 (ja) | 放電表示板 | |
| JP3076649B2 (ja) | 冷陰極蛍光ランプ | |
| JP3703999B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用陰極の製造方法 | |
| JPH0334827Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |