JPH03116817A - 荷電ビーム描画装置 - Google Patents
荷電ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH03116817A JPH03116817A JP1253876A JP25387689A JPH03116817A JP H03116817 A JPH03116817 A JP H03116817A JP 1253876 A JP1253876 A JP 1253876A JP 25387689 A JP25387689 A JP 25387689A JP H03116817 A JPH03116817 A JP H03116817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- deflection
- circuit
- converter
- distortion correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はマルメ処理誤差を小さくした荷電ビーム描画装
置に関する。
置に関する。
［従来の技術］
最近、ＬＳＩ素子や超ＬＳＩ素子の製作手段として荷電
ビーム描画装置が脚光を浴びている。
ビーム描画装置が脚光を浴びている。
第２図は荷電ビーム描画装置の一例として示した電子ビ
ーム描画装置の概略図で、図中１は電子銃、２は集束レ
ンズ、３は位置決め用偏向器（実際はＸ、 Ｙ方向の偏
向器が設けられているが、便宜上１つで表わした）、４
はステージ（図示せず）上に設けられた材料である。
ーム描画装置の概略図で、図中１は電子銃、２は集束レ
ンズ、３は位置決め用偏向器（実際はＸ、 Ｙ方向の偏
向器が設けられているが、便宜上１つで表わした）、４
はステージ（図示せず）上に設けられた材料である。
斯くの如き装置により、例えば、第３図に示す、フィー
ルドＦ内の各サブフィールドＳＦ＋、ＳＦ２、ＳＦ、内
における各パターンＰ−，，Ｐ、、Ｐ３ ＋ Ｐ４
＊ Ｐ５を描く場合（実際には、通常、各サブフィール
ド内には多数のパターンが描かれる）、以下の様にして
描画する。尚、フィールドＦの大きさはビームの走査丈
でパターンが描ける大きさ（例えば、２．５ｍｍＸ２．
５ｍｍ）の領域であり、サブフィールドは例えば１００
μｍ×１００μｍ程度の大きさの領域である。
ルドＦ内の各サブフィールドＳＦ＋、ＳＦ２、ＳＦ、内
における各パターンＰ−，，Ｐ、、Ｐ３ ＋ Ｐ４
＊ Ｐ５を描く場合（実際には、通常、各サブフィール
ド内には多数のパターンが描かれる）、以下の様にして
描画する。尚、フィールドＦの大きさはビームの走査丈
でパターンが描ける大きさ（例えば、２．５ｍｍＸ２．
５ｍｍ）の領域であり、サブフィールドは例えば１００
μｍ×１００μｍ程度の大きさの領域である。
先ず、パターンデータ発生装置５からフィールドＦの位
置（原点）に対するサブフィールドＳＦ１の特定位置デ
ータ（Ｘｏ＋、 Ｙｏｕ）が主偏向歪補正演算回路６と
主偏向歪補正値デープル７に供給される。該テーブルに
は、予め、種々の主偏向歪値に対応した歪補正値が記憶
されており、前記特定位置データ（Ｘｏ＋、 Ｙｏｕ）
をアドレスとして適宜歪補正値が前記主偏向歪補正演算
回路６に送られる。該回路の出力、即ち、歪補正が施さ
れた主偏向位置データはマルメ処理回路８で、主偏向用
ＤＡ変換器９の最小分解値未満を四捨五入して加算回路
１０へ供給する。続いて、同様に、前記パターンデータ
発生装置５からサブフィールドＳＦｌの特定位置（Ｘ
ｏ Ｉ、 Ｙ ｏ ＋ ）に対するパターンＰ、を描
画する為のビームの位置を示すデータ（Ｘ＋１＋ＹＩυ
（パターンＰ１の特定の位置を示すデータとビームの
走査幅データから成り、以後、パターン描画位置データ
と称す）が副偏向歪補正演算回路１１と副偏向歪補正値
デープル１２に供給される。該テーブルには、予め、種
々の副偏向歪値に対応した歪補正値が記憶されており、
前記パターン描画位置データ（Ｘ＋＋、Ｙｚ）をアドレ
スとして適宜歪補正値が前記副偏向歪補正演算回路１１
に送られる。該回路の出力、即ち、歪補正が施された副
偏向位置データはマルメ処理回路１３で、副偏向用ＤＡ
変換器１４の最小分解値未満を四捨五入して加算回路１
０へ供給する。該加算回路１０で加算されたデータは、
アンプ１５を介して前記位置決め用偏向器３に送られる
。而して、ビームはパタン領域内の特定位置から該パタ
ン領域内を走査するので、パターンＰ１が描画される。
置（原点）に対するサブフィールドＳＦ１の特定位置デ
ータ（Ｘｏ＋、 Ｙｏｕ）が主偏向歪補正演算回路６と
主偏向歪補正値デープル７に供給される。該テーブルに
は、予め、種々の主偏向歪値に対応した歪補正値が記憶
されており、前記特定位置データ（Ｘｏ＋、 Ｙｏｕ）
をアドレスとして適宜歪補正値が前記主偏向歪補正演算
回路６に送られる。該回路の出力、即ち、歪補正が施さ
れた主偏向位置データはマルメ処理回路８で、主偏向用
ＤＡ変換器９の最小分解値未満を四捨五入して加算回路
１０へ供給する。続いて、同様に、前記パターンデータ
発生装置５からサブフィールドＳＦｌの特定位置（Ｘ
ｏ Ｉ、 Ｙ ｏ ＋ ）に対するパターンＰ、を描
画する為のビームの位置を示すデータ（Ｘ＋１＋ＹＩυ
（パターンＰ１の特定の位置を示すデータとビームの
走査幅データから成り、以後、パターン描画位置データ
と称す）が副偏向歪補正演算回路１１と副偏向歪補正値
デープル１２に供給される。該テーブルには、予め、種
々の副偏向歪値に対応した歪補正値が記憶されており、
前記パターン描画位置データ（Ｘ＋＋、Ｙｚ）をアドレ
スとして適宜歪補正値が前記副偏向歪補正演算回路１１
に送られる。該回路の出力、即ち、歪補正が施された副
偏向位置データはマルメ処理回路１３で、副偏向用ＤＡ
変換器１４の最小分解値未満を四捨五入して加算回路１
０へ供給する。該加算回路１０で加算されたデータは、
アンプ１５を介して前記位置決め用偏向器３に送られる
。而して、ビームはパタン領域内の特定位置から該パタ
ン領域内を走査するので、パターンＰ１が描画される。
尚、前記例においてはマルメ処理回路はＤＡ変換器の最
小分解値未満を四捨五入する様に動作しているが、切上
げ若しくは切下げの動作をさせる様にしても良い。この
様な、データの四捨五入、切上げ若しくは切下げの処理
をマルメ処理と称している。
小分解値未満を四捨五入する様に動作しているが、切上
げ若しくは切下げの動作をさせる様にしても良い。この
様な、データの四捨五入、切上げ若しくは切下げの処理
をマルメ処理と称している。
以下、同様にして、パターンデータ発生装置らから各サ
ブフィールドの特定位置データが主偏向歪補正演算回路
６と主偏向歪補正値デープル７に、各サブフィールドの
特定位置に対する各パターンを描画する為のビームの位
置を示すパターン描画位置データが副偏向歪補正演算回
路１１と副偏向歪補正値デープル１２に供給され、全て
のパターンが描画される。
ブフィールドの特定位置データが主偏向歪補正演算回路
６と主偏向歪補正値デープル７に、各サブフィールドの
特定位置に対する各パターンを描画する為のビームの位
置を示すパターン描画位置データが副偏向歪補正演算回
路１１と副偏向歪補正値デープル１２に供給され、全て
のパターンが描画される。
さて、この様な描画装置においてパターンを描画する場
合、前記した様に、パターンの位置をサブイールドの特
定位置と、該特定位置に対する相対的位置で表し、各々
専用の主偏向用ＤＡ変換器９、副偏向用ＤＡ変換器１４
に人力している。この場合、主偏向用ＤＡ変換器として
は高ビット（例えば１４〜１６ビツト）の高精度ＤＡ変
換器を使用し、副偏向用ＤＡ変換器としては該主偏向用
ＤＡ変換器より低ビット（例えば９〜１２ビツト）の高
速ＤＡ変換器を使用する事により、高速且つ高精度パタ
ーン描画を行なっている（特公昭５３−１１８３０号、
特公昭５３−２４７９２号参照）。そして、前記した様
に、サブフィールドの特定位置データ、即ち、主偏向用
データとパターン描画位置データ、即ち、副偏向用デー
タを夫々マルメ処理している。このマルメ処理は各ＤＡ
変換器のビット長に制限がある事から、分解出来る最小
値が存在する為に行なうもので、各ＤＡ変換器の最小分
解ビット未満をマルメ処理している。
合、前記した様に、パターンの位置をサブイールドの特
定位置と、該特定位置に対する相対的位置で表し、各々
専用の主偏向用ＤＡ変換器９、副偏向用ＤＡ変換器１４
に人力している。この場合、主偏向用ＤＡ変換器として
は高ビット（例えば１４〜１６ビツト）の高精度ＤＡ変
換器を使用し、副偏向用ＤＡ変換器としては該主偏向用
ＤＡ変換器より低ビット（例えば９〜１２ビツト）の高
速ＤＡ変換器を使用する事により、高速且つ高精度パタ
ーン描画を行なっている（特公昭５３−１１８３０号、
特公昭５３−２４７９２号参照）。そして、前記した様
に、サブフィールドの特定位置データ、即ち、主偏向用
データとパターン描画位置データ、即ち、副偏向用デー
タを夫々マルメ処理している。このマルメ処理は各ＤＡ
変換器のビット長に制限がある事から、分解出来る最小
値が存在する為に行なうもので、各ＤＡ変換器の最小分
解ビット未満をマルメ処理している。
［発明が解決しようとする問題点〕
しかし、この様に、主偏向用データと副偏向用データを
夫々別々にマルメ処理している事から、位置ぎめ用偏向
器３に供給される最終的なパターン位置データは各々の
マルメ処理により発生する誤差（マルメ誤差）が加算さ
れたデータとなる。
夫々別々にマルメ処理している事から、位置ぎめ用偏向
器３に供給される最終的なパターン位置データは各々の
マルメ処理により発生する誤差（マルメ誤差）が加算さ
れたデータとなる。
その為、描画位置精度の向上に問題となっている。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
ある。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明の荷電ビーム描画装置は、荷電ビーム発
生手段、該手段からのビームを材料上に集束させる為の
レンズ、サブフィールド特定位置データ及びパターン描
画位置データを発生するパターンデータ発生装置、前記
サブフィールド特定位置データに偏向歪補正を施す主偏
向歪補正演算回路、該主偏向歪補正演算回路の出力デー
タを主偏向用ＤＡ変換器の最小分解値を境に分離し、該
最小分解値以上のデータを該主偏向用ＤＡ変換器に送る
分離回路、前記パターン描画位置データに偏向歪補正を
施す副偏向歪補正演算回路、該副偏向歪補正演算回路の
出力データと前記分離回路からの最小分解値より小さい
データとを加算する加算回路、該加算回路の出力データ
のマルメ処理を行なうマルメ処理回路、該マルメ処理回
路の出力をアナログ値に変換する為の副偏向用ＤＡ変換
器、前記主偏向用ＤＡ変換器の出力と副偏向用ＤＡ変換
器の出力に基づいて材料上をビームで走査させる偏向器
を備えた。
生手段、該手段からのビームを材料上に集束させる為の
レンズ、サブフィールド特定位置データ及びパターン描
画位置データを発生するパターンデータ発生装置、前記
サブフィールド特定位置データに偏向歪補正を施す主偏
向歪補正演算回路、該主偏向歪補正演算回路の出力デー
タを主偏向用ＤＡ変換器の最小分解値を境に分離し、該
最小分解値以上のデータを該主偏向用ＤＡ変換器に送る
分離回路、前記パターン描画位置データに偏向歪補正を
施す副偏向歪補正演算回路、該副偏向歪補正演算回路の
出力データと前記分離回路からの最小分解値より小さい
データとを加算する加算回路、該加算回路の出力データ
のマルメ処理を行なうマルメ処理回路、該マルメ処理回
路の出力をアナログ値に変換する為の副偏向用ＤＡ変換
器、前記主偏向用ＤＡ変換器の出力と副偏向用ＤＡ変換
器の出力に基づいて材料上をビームで走査させる偏向器
を備えた。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示した電子ビーム描画装置
の概略図である。図中前記第２図にて使用した番号の付
されたものは同一構成要素である。
の概略図である。図中前記第２図にて使用した番号の付
されたものは同一構成要素である。
図中１６はデータ分離回路、１７は加算回路である。
斯くの如き装置により、例えば、第 図に示す、フィー
ルドＦ内の各サブフィールドＳＦ＋、ＳＦ２、ＳＦ、内
における各パターンｐ、、ｐ２．ｐ３ ＋ Ｐ４ ＋
Ｐ ５を描く場合、以下の様にして描画する。
ルドＦ内の各サブフィールドＳＦ＋、ＳＦ２、ＳＦ、内
における各パターンｐ、、ｐ２．ｐ３ ＋ Ｐ４ ＋
Ｐ ５を描く場合、以下の様にして描画する。
先ず、パターンデータ発生装置５からフィールドＦの位
置（原点）に対するサブフィールドＳＦ１の特定位置デ
ータ（Ｘ ｏ Ｉ、 Ｙ ｏ １）が主偏向歪補正演算
回路６と主偏向歪補正値デープル７に供給される。該テ
ーブルは、前記特定位置データ（Ｘ。Ｉｎ Ｙｏｔ）に
対する適宜歪補正値を主偏向歪補正演算回路６に送る。
置（原点）に対するサブフィールドＳＦ１の特定位置デ
ータ（Ｘ ｏ Ｉ、 Ｙ ｏ １）が主偏向歪補正演算
回路６と主偏向歪補正値デープル７に供給される。該テ
ーブルは、前記特定位置データ（Ｘ。Ｉｎ Ｙｏｔ）に
対する適宜歪補正値を主偏向歪補正演算回路６に送る。
該主偏向歪補正演算回路６の出力、即ち、歪補正が施さ
れた主偏向用データはデータ分離回路１６に送られる。
れた主偏向用データはデータ分離回路１６に送られる。
該データ分離回路は、該歪補正が施された主偏向用デー
タを主偏向用ＤＡ変換器９の最小分解値を境に分離し、
該最小分解値以上のデータを主偏向用ＤＡ変換器９に送
り、該最少分解値未満のデータを加算回路１７に送る。
タを主偏向用ＤＡ変換器９の最小分解値を境に分離し、
該最小分解値以上のデータを主偏向用ＤＡ変換器９に送
り、該最少分解値未満のデータを加算回路１７に送る。
続いて、同様に、前記パターンデータ発生装置５からサ
ブフィールドＳＦ、の特定位置（Ｘ ｏ ｒ 、 Ｙ
ｏ １）に対するパターンＰ１を描画する為のビームの
位置を示すデータ（Ｘ＋＋、Ｙ＋＋）が副偏向歪補正演
算回路１１と副偏向歪補正値デープル１２に供給される
。該テーブルは、該副偏向歪値に対応した歪補正値を前
記副偏向歪補正演算回路１１に送る。該回路の出力、即
ち、歪補正が施された副偏向用データは前記加算回路１
７に送られる。該加算回路は、該最小分解値未満のデー
タと前記歪補正が施された副偏向用データを加算し、マ
ルメ処理回路１３に送る。該マルメ処理回路１３は、副
偏向用ＤＡ変換器１４の最小分解値未満のデータを四捨
五入して加算回路１０へ供給する。該加算回路１０は該
マルメ処理回路１３の出力と前記主偏向用ＤＡ変換器９
の出力を加算し、アンプ１５を介して位置決め用偏向器
３に送る。
ブフィールドＳＦ、の特定位置（Ｘ ｏ ｒ 、 Ｙ
ｏ １）に対するパターンＰ１を描画する為のビームの
位置を示すデータ（Ｘ＋＋、Ｙ＋＋）が副偏向歪補正演
算回路１１と副偏向歪補正値デープル１２に供給される
。該テーブルは、該副偏向歪値に対応した歪補正値を前
記副偏向歪補正演算回路１１に送る。該回路の出力、即
ち、歪補正が施された副偏向用データは前記加算回路１
７に送られる。該加算回路は、該最小分解値未満のデー
タと前記歪補正が施された副偏向用データを加算し、マ
ルメ処理回路１３に送る。該マルメ処理回路１３は、副
偏向用ＤＡ変換器１４の最小分解値未満のデータを四捨
五入して加算回路１０へ供給する。該加算回路１０は該
マルメ処理回路１３の出力と前記主偏向用ＤＡ変換器９
の出力を加算し、アンプ１５を介して位置決め用偏向器
３に送る。
而して、ビームはパターン領域内の特定位置から該パタ
ーン領域内を走査するので、パターンＰ１が描画される
。
ーン領域内を走査するので、パターンＰ１が描画される
。
以下、同じ様な一連の動作を繰返す事により全てのパタ
ーンが描画される。
ーンが描画される。
尚、前記実施例では、主偏向側のマルメ処理を無くし、
副偏向例文でマルメ処理する様にしている。逆に、副偏
向側のマルメ処理を無くし、主偏向例文でマルメ処理す
る様にも出来るが、主偏向が１回動作すると、副偏向は
通常多数回動作するので、後者のマルメ処理を行なうの
は動作上得策ではない。
副偏向例文でマルメ処理する様にしている。逆に、副偏
向側のマルメ処理を無くし、主偏向例文でマルメ処理す
る様にも出来るが、主偏向が１回動作すると、副偏向は
通常多数回動作するので、後者のマルメ処理を行なうの
は動作上得策ではない。
又、本発明はイオンビーム描画装置の如き描画装置にも
応用可能である。
応用可能である。
［発明の効果コ
本発明では、主偏向用データの内、主偏向ＤＡ変換器の
最小分解値未満のデータを副偏向用データに加算し、該
加算したものを副偏向側でマルメ処理している事から、
位置ぎめ用偏向器に供給される最終的なパターン位置デ
ータは１つのマルメ処理により発生する誤差（マルメ誤
差）丈含むデ−夕となる。その為、主偏向側のマルメ処
理による誤差と副偏向側のマルメ処理による誤差を含む
従来の最終的パターン位置データに比べ、マルメ処理に
よる誤差が少ない。その為、データ描画位置精度がより
向上した。
最小分解値未満のデータを副偏向用データに加算し、該
加算したものを副偏向側でマルメ処理している事から、
位置ぎめ用偏向器に供給される最終的なパターン位置デ
ータは１つのマルメ処理により発生する誤差（マルメ誤
差）丈含むデ−夕となる。その為、主偏向側のマルメ処
理による誤差と副偏向側のマルメ処理による誤差を含む
従来の最終的パターン位置データに比べ、マルメ処理に
よる誤差が少ない。その為、データ描画位置精度がより
向上した。
第１図は本発明の一実施例として示した電子ビーム描画
装置の概略図、第２図は従来例として示した電子ビーム
描画装置の概略図、第３図はフィルドＦ内におけるサブ
フィールドと、各サブフィールド内の各パターンの位置
関係を表わしたものである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３：位置決め用偏向
器 ４：材料 ５：パターンデータ発生装置 ６
：主偏向歪補正演算回路 ７主偏向歪補正値デープル
８：マルタ処理回路９：主偏向用ＤＡ変換器 １
０加算回路１１：副偏向歪補正演算回路 １２：副偏
向歪補正値デープル １３：マルメ処理回路１４：副
偏向用ＤＡ変換器 １５：アンプ１６：データ分離回
路 １７：加算回路
装置の概略図、第２図は従来例として示した電子ビーム
描画装置の概略図、第３図はフィルドＦ内におけるサブ
フィールドと、各サブフィールド内の各パターンの位置
関係を表わしたものである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３：位置決め用偏向
器 ４：材料 ５：パターンデータ発生装置 ６
：主偏向歪補正演算回路 ７主偏向歪補正値デープル
８：マルタ処理回路９：主偏向用ＤＡ変換器 １
０加算回路１１：副偏向歪補正演算回路 １２：副偏
向歪補正値デープル １３：マルメ処理回路１４：副
偏向用ＤＡ変換器 １５：アンプ１６：データ分離回
路 １７：加算回路
Claims (1)
- 荷電ビーム発生手段、該手段からのビームを材料上に集
束させる為のレンズ、サブフィールド特定位置データ及
びパターン描画位置データを発生するパターンデータ発
生装置、前記サブフィールド特定位置データに偏向歪補
正を施す主偏向歪補正演算回路、該主偏向歪補正演算回
路の出力データを主偏向用ＤＡ変換器の最小分解値を境
に分離し、該最小分解値以上のデータを該主偏向用ＤＡ
変換器に送る分離回路、前記パターン描画位置データに
偏向歪補正を施す副偏向歪補正演算回路、該副偏向歪補
正演算回路の出力データと前記分離回路からの最小分解
値より小さいデータとを加算する加算回路、該加算回路
の出力データのマルメ処理を行なうマルメ処理回路、該
マルメ処理回路の出力をアナログ値に変換する為の副偏
向用ＤＡ変換器、前記主偏向用ＤＡ変換器の出力と副偏
向用ＤＡ変換器の出力に基づいて材料上をビームで走査
させる偏向器を備えた荷電ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1253876A JPH03116817A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 荷電ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1253876A JPH03116817A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 荷電ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116817A true JPH03116817A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17257362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1253876A Pending JPH03116817A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 荷電ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002263055A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡先端フード |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1253876A patent/JPH03116817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002263055A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡先端フード |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102293626B1 (ko) | 묘화 데이터 생성 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 | |
| WO2019058782A1 (ja) | 描画データ生成方法、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、パターン検査装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH08222504A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| US4728797A (en) | Method for drawing a pattern by charged beam and its apparatus | |
| US10445450B2 (en) | Generating method of drawing data and charged particle beam drawing method | |
| JPS6298724A (ja) | 電子線描画装置 | |
| CN108717720B (zh) | 描绘数据制作方法 | |
| JPH02138723A (ja) | 電子線描画装置及び描画方法 | |
| CN114864129B (zh) | 波形生成装置、波形生成方法以及带电粒子束照射装置 | |
| JPH11329961A (ja) | 電子線描画装置，電子線描画システム、および描画方法 | |
| JPS636140B2 (ja) | ||
| JP6039970B2 (ja) | セトリング時間の設定方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP3169399B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法 | |
| JPH06267834A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH03179725A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH02102519A (ja) | ビーム描画装置の位置補正装置 | |
| JPS60244024A (ja) | 電子線露光装置 | |
| Ohyama et al. | High speed data control circuit for nanometric electron beam lithography | |
| JPH05144912A (ja) | 電子ビーム露光方法および電子ビーム露光装置 | |
| JPH11260692A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JP2827179B2 (ja) | 露光データ処理装置 | |
| JPS62257724A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH0328811B2 (ja) | ||
| JPS62149126A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JPH05136031A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置，その偏向データ作成方法 及び荷電粒子ビーム露光方法 |