JPH03116842A - ボンディング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ボンディング技術、特に、被ボンディング物
のボンダビリティ−の向上技術に関し、例えば、半導体
装置の製造工程において、ペレットとリードフレームと
をボンディングし、このペレットとリードフレームの各
リードとを電気的に接続するボンディング装置に利用し
て有効なものに関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程において、ペレットとリードフレ
ームの各リードとをワイヤにより電気的に接続する手段
として、特開昭６１−２５３８２４号公報、および特開
昭６１−２５３８２５号公報に記載されているように、
リードフレームが一方向に歩道送りされる搬送路（フィ
ーダ）を還元性ガスＳ囲気に保ち、リードフレームを歩
道送りする間に所定温度まで力ｎ熱した後、ボンディン
グステージにおいてワイヤボンディングが実行されるよ
うに構成されているワイヤボンディング装置、が使用さ
れている。

また、リードフレームの保管中における錆によるボンダ
ビリティ−の低下等を回避する技術として、例えば、特
開昭６３−１０５４７号公報に記載されているように、
リードフレームの表面に金属と有機物との化合物から成
る防錆処理剤を被着さ廿る技術が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前記したようなワイヤボンディング装置を使用
して、防錆処理剤が表面に被着されたリードフレームに
ワイヤボンディングを実施した場合、リードフレームの
表面に被着された防錆処理剤により、ボンディングワイ
ヤとリードフレームとの接合強度が低下するという問題
点があることが、本発明者によって明らかにされた。

本発明の目的は、表面に防錆処理剤が被着された被ボン
ディング物についてのボンダビリティ−を向上させるこ
とができるボンディング技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、表面に処理剤が被着された被ボンディング物
にボンディングが実施される前に、この被ボンディング
物を非酸化雰囲気中で加熱することにより、前記被着さ
れた処理剤を除去するようにしたものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、ボンディングが実施される前に
防錆処理剤が被ボンディング物の表面から除去されるた
め、防錆処理剤によるボンダビリティ−の低下は防止さ
れることになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるボンディング装置を示
す正面断面図、第２図はその一部省略一部切断斜視図、
第３図は第１図の［ｆ［−ＩＩＩ線に沿う側面断面図で
ある。

本実施例において、本発明に係るボンディング装置１は
半導体集積回路が作り込まれたベレット２を多連リード
フレーム３にボンディングし、このベレット２の電極パ
ッドと多連リードフレーム３のリード４とにワイヤ５を
それぞれボンディングすることにより、ベレット２と各
リード４とを電気的に接続するように構成されている。

ここで、多連リードフレーム３は複数個の単位リードフ
レーム３ａが一方向に規則的に配列されて一体的に構成
されており、このボンディング装置ｌｌにおいて、搬送
は多連リードフレーム３毎に行われる力（ベレットおよ
びワイヤボンディングは各単位リードフレーム３ａ毎に
行われるようになっている。

このボンディング装置１は多連リードフレーム３を一方
向に送るためのフィーダ６を備えており、フィーダ６は
多連リードフレーム３をガイドテーブル７により摺動自
在に載置しながら、適当な間欠送り手段（図示せず）に
より単位リードフレーム３ａのピッチをもって歩進送り
するように構成されている。フィーダ６における下流側
領域にはワイヤボンディングステージ２７が設定されて
おり、このワイヤボンディングステージ（後記される。

）２７の外部にはＸＹ子テーブルがＸＹ力方向移動し得
るように設備されており、ＸＹチーフル８上にはボンデ
ィングヘッド９が搭載されている。ボンディングヘッド
９にはボンディングアーム１０が基端を回転自在に軸支
されて支持されており、このアームｌＯはその先端に固
設されたキャピラリー１１が上下動されるように、カム
機構（図示せず）により駆動されるように構成されてい
る。ボンディングアーム１０の上側には一対のクランパ
アーム１２．１３がＮｍプランジャ機構等のような適当
な手段（図示せず）により作動されるように設備されて
おり、両アーム１２．１３の各先端はキャピラリー１１
の真上位置に配されてクランパ１４を形成している。ク
ランパ１４にはリール（図示せず）から操り出されるワ
イヤ５がガイド１５を介して挿通されており、ワイヤ５
ばさらにキャピラリー１１に挿通されている。

キャピラリー１１の近傍には放電電極１６が独立して設
備されており、この放電電極１６はその上端部が回転自
在に軸支されることにより、その先端部がキャピラリー
１１の下方位置、すなわち、ワイヤ５の先端の真下位置
と、このキャピラリ−１１の側方位置（退避位置）との
間を移動されるように構成されている。また、この放１
ａＴｉ極１６と前記クランパ１４との間には＠’ｄｉ回
路１７が接続されており、これにより、クランパ１４、
すなわち、これに挿通されるワイヤ５を陽極とするとと
もに、電極１６を陰極とし、電極１６からワイヤ５に向
かって放電アークが生成されるようになっている。

前記フィーダ６上にはカバー１８がフィーダ６を送られ
る多連リードフレーム３を略全体にわたって被覆し得る
ように設備されており、このカバー１８には略長方形形
状の開口部１９がワイヤボンディングステージとなる位
置に配されて、単位リードフレーム３ａの被ボンディン
グ領域をカバーし得るように開設されている。開口部１
９には略長方形枠形状に形成されたリードフレーム押さ
え部材２０が昇降自在に嵌合されており、この押さえ部
材２０はカム機構等の適当な駆動手段（図示せず）によ
りフィーダ６の歩道送り作動に連携して昇蹄するように
構成されている。

一方、フィーダ６のガイドテーブル７にはヒートブロッ
ク２１がワイヤボンディングステージに配されて設備さ
れており、ヒートブロック２１はヒータ２１ａにより温
度制御されるように構成されている。ワイヤボンディン
グステージ、すなわち、開口部１９が含まれる領域に配
設されているし−トブロツク２Ｉには、多連リードフレ
ーム３の酸化を防止するためのリードフレーム酸化防止
用ガス２２を供給する手段としてのガス供給装置２３が
設備されており、この供給装置２３は吹出口２４を備え
ている。吹出口２４は多連リードフレーム３の周囲にリ
ードフレーム酸化防止用ガス２２を緩やかに吹き出し得
るように、ヒートプロｔり２１の上面に複数個開設され
ており、この吹出口２４群にはガス供給路２５が接続さ
れている。

ガス供給路２５はガス供給ユニット２６に接続されてお
り、ガス供給ユニット２Ｇはり一ドフレーム酸化防止用
ガス、例えば、窒素（Ｎ１）ガス等のような不活性ガス
を、予め設定された流量をもって供給し得るように構成
されている。そして、ヒートブロック２１が設備されて
いる領域はワイヤボンディングステージ２７を実質的に
構成している。

また、このフィーダ６におけるワイヤボンディングステ
ージ２７の上流側領域にはペレットボンディングステー
ジ３０が設定されており、このステージ３０には第２ヒ
ートブロツク３１が、ガイドレール７に前記ワイヤボン
ディングステージ２７における第１ヒートブロツク２１
に隣合うように配されて設備されている。この第２ヒー
トブロツク３】はそのヒータ３１ａにより、第１ヒート
ブロツク２１とは各別に温度制御されるように構成され
ている。第２ヒートブロツク３１には多連リードフレー
ム３の酸化を防止するための酸化防止用ガス３２を供給
する手段としてのガス供給装置３３が設備されでおり、
この供給装置３３は吹出口３４を備えている。吹出口３
４は多連リードフレーム３の周囲に酸化防止用ガス３２
を緩やかに゛吹き出し得るように、ヒートブロック３１
の上面に複数個開設されており、この吹出口３４群には
ガス供給路３５が接続されている。ガス供給路３５はガ
ス供給ユニット３６に接続されており、ガス供給路３６
ば酸化防止用ガス、例えば、窒素ガスを予め設定されて
いる流量をもって供給し得るように構成されている。

一方、このペレットボンディングステージ３０における
カバー１８には、デイスペンサ用の挿入口３７およびコ
レット用の挿入口３８が上流寄り位置に配されて、単位
リードフレーム３ａの被ボンディング領域をカバーし得
るようにそれぞれ開設されている。デイスペンサ用挿入
口３７の真上にはデイスペンサ３９が、この挿入口３７
に対して出没し得るように設備されており、このデイス
ペンサ３７はペレットボンディング材料としてのｉｆｆ
（Ａｇ）ペースト４０を単位リードフレーム３ａにおけ
るタブ上に塗布し得るように構成されている。また、コ
レット用挿入口３Ｂの真上にはコレット４１が、この挿
入口３８に対して出没し得るように設備されており、こ
のコレット４１はフィーダ６の近傍に置かれた（図示せ
ず）ベレツト２をピンクアップした後、これを保持した
状態で挿入口３８から挿入して、単位リードフレーム３
ａにおけるタブに塗布されたＡｇペースト４０上にポン
ディングし得るように構成されている。

さらに、本実施例においては、フィーダ６におけるペレ
ットポンディングステージ３０の土浦側領域には防錆処
理剤除去ステージ５０が設定されており、このステージ
５０には第３ヒートブロンク５１が、ガイドレール７に
前記ペレットポンディングステージ３０における第２ヒ
ートブロツク３１に隣合うように配されて設備されてい
る。この第３ヒートブロツク５１はそのヒータ５１ａに
より、第１ヒートブロツク２１および第２ヒートブロツ
ク３１とは各別に温度制御されるように構成されている
。

この防錆処理剤除去ステージ５０の領域に配設されてい
るｍ３ヒートブロツク５１には、防錆処理剤を除去し、
かつ、多連リードフレーム３を還元するための還元性ガ
ス５２を供給する手段としてのガス供給装置５３が設備
されており、この供給装置５３は吹出口５４を備えてい
る。吹出口５４は多連リードフレーム３の周囲に還元性
ガス５２を暖やかに吹き出し得るように、ヒートブロッ
ク５１の上面に複数個開設されており、この吹出口５４
群にはガス供給路５５が接続されている。

ガス供給路５５はガス供給ユニット５６に接続されてお
り、ガス供給ユニット５６は還元性ガス、例えば、窒素
ガスおよび水素ガスから成る混合ガスを、予め設定され
た流量もって供給し得るように構成されている。

そして、フィーダ６上に被せられたカバー１８の内面に
は、ガス流障害部１８ａが第２ヒートブロツク３１と第
３ヒートプロンク５１との略境目の位置に横断するよう
に配されて、第２ヒートブロツク３１側のガス流と第３
ヒートブロツク５１側のガス流との混流を可及的に防止
するように下向きに突設されている。

次に、前記構成に係るポンディング装置の作用を説明す
ることにより、本発明に係るポンディング方法の一実施
例を説明する。

表面に金属と有機物とから成る防錆剤被膜３ｂを被着さ
れた多連リードフレーム３は、フィーダ６の上流端に設
備されたローディング装置（図示せず）によりそのガイ
ドテーブル７上に設定された防錆剤除去ステージ５０に
供給されて来る。

なお、防錆剤を構成する有機物としては、ベンゾトリア
ゾール（Ｃ４Ｈｓ　Ｎｓ　）　、ドデシルメルカプタン
（Ｃ＋ｚ［ｚｓＳＨ）　、プロパルギルアルコール（Ｃ
，Ｈ，ＯＨ）等が挙げられる。また、これらから成る防
錆剤被膜３ｂはリードフレームに浸漬法等のような適当
な手段により、約２０人程度の厚さに被着されている。

この除去ステージ５０には還元性ガス５２が還元性ガス
供給ユニット５６によりガス供ＭｒＢ５５を介して吹出
口５４群から吹き出されており、吹き出された還元性ガ
ス５２がカバー１Ｂにより散逸を防止されるため、還元
ステージ５０には還元性ガス雲囲気が形成されているこ
とになる。ちなみに、ベレットボンディングステージ３
０側へのガスの散逸はカバー１８に突設されたガス流障
害部１８ａにより防止される。

そして、この還元性ガス５２は第３ヒートブロツク５１
により、最も効果的に防錆剤除去作用が発揮される温度
（例えば、防錆剤の有機物がベンゾトリアゾールの場合
、２５０℃）であって、多連リードフレーム３に悪影響
を及ぼさない温度（３５０℃）以下に加熱される。しか
も、還元性ガス５２は第３ヒートブロツク５１の内部を
流通されるため、効果的に、かつ、安定的に加熱される
ことになる。

このようにして最も効果的に還元反応が活性化された還
元性ガス５２の雰囲気に、前記防錆剤液Ｈ３ｂが被着さ
れた多連リードフレーム３が供給されると、ｖｉ請剤被
膜３ｂは効果的に分解されて完全に除去される。また、
例えば、酸化し易い銅系（ｔｌｉｉまたは銅合金）材料
が使用されている場合であっても、防錆剤被膜３ｂが除
去されたリードフレーム３の表面は確実に酸化を防止さ
れ、また、還元されることになる。

また、多連リードフレーム３は第３ヒートブロンク５１
によって加熱されることにより、次のベレットボンディ
ング作業番こ対して予熱されることになる。

そして、防錆剤除去ステージ５０に供給された多連リー
ドフレーム３は前述した防錆剤除去、還元および予熱作
用を受けながら、フィーダ６によって歩進送りされるこ
とにより、ペレットボンディングステージ３０へ順次供
給されて行く。

このベレットボンディングステージ３０にはリードフレ
ーム酸化防止用ガス３２が、ガス供給装置ユニット３６
により供給路３５を介して吹出口３４から吹き出されて
おり、吹き出された酸化防止用ガス３２がカバー１８に
より散逸を防止されるため、ペレットボンディングステ
ージ３０には酸化防止用ガス雰囲気が形成されているこ
とになる。したがって、防錆剤被膜が除去されたリード
フレーム３はこのベレットボンディングステージ３０１
こ送り込まれた後も、酸化されるのを防止される。

ベレットボンディングステージ３０に送給された多連リ
ードフレーム３には単位リードフレーム３ａ毎に、デイ
スペンサ３９によりタブ上にＡｇペースト４０が塗布さ
れた後、ペレット２がＡｇペースト４０上にコレット４
１により挿着される。

ペレット２がＡｇペースト４０を介してボンディングさ
れた多連リードフレーム３は、フィーダ６によりワイヤ
ボンディングステージ２７の方向へ次第に歩道送りされ
る。この送り中、多連り−ドフレーム３が第２ヒートブ
ロツク３１によりＡｇ４０の硬化温度に加熱されるため
、Ａｇペースト４０は加熱硬化される。その結果、ペレ
ット２はＡｇペースト４０から成るボンディング層によ
りリードフレームにペレットボンディングされるシとに
なる。

このようにして、ベレットボンディングステージ３０に
おいて、ペレットボンディングを実施された多連リード
フレーム３は硬化作用を受けながら、フィーダ６によっ
て歩進送りされることにより、ワイヤボンディングステ
ージ２７に順次供給されて行く。

このボンディングステージ２７にはリードフレーム酸化
防止用ガス２２がガス供給装置ユニット２６により供給
路２５を介して吹出口２４群から吹き出されており、吹
き出された酸化防止用ガス２２がカバー１８により散逸
を防止されるため、ボンディングステージ２７には酸化
防止用ガス雰囲気が形成されていることになる。

フィーダ６におけるワイヤボンディングステージ２７に
おいて、リードフレーム押さえ部材２０の中空部内に単
位リードフレーム３ａが整合すると、多連リードフレー
ム３は間欠停止される。

続いて、リードフレーム押さえ部材２０が下降されて、
中空部内における単位リードフレーム３ｉの外周辺部が
押さえられる。そして、このボンディングステージ２７
には酸化防止用ガス雰囲気が形成されているため、単位
リードフレーム３ａは酸化防止用ガス雰囲気内に浸漬さ
れる。したがって、防錆剤除去ステージ３０において既
に防錆剤液１１１ｉ３ｂを除去された多連リードフレー
ム３は酸化を確実に防止されることになる。

一方、キャピラリー１１においては、放！電極１６がワ
イヤ５の下端に接近されてｉｉｔ源回路１７が閉じられ
ることにより、ワイヤ５の先端にボール５ａが溶融形成
される。このとき、ボンディングステージ２７に従来例
のように還元性ガス雰囲気が形成されていると、放！電
極１６のアークにより還元性ガスに含まれている水素ガ
スのような可燃性ガスが引火される危険がある。

しかし、本実施例においては、ボンディングステージ２
７には窒素ガス等のような不活性ガスによる酸化防止用
ガス雰囲気が形成されているに過ぎないため、引火の危
険性はな（、作業上、きわめて安全である。

続いて、キャピラリー１１がボンディングヘッド９によ
り下降されてカバー１８の開口部１９に挿通され、ワイ
ヤ５の先端部に形成されたポール５ａが開口部１９に整
合した単位リードフレーム３ａにおけるベレット２のパ
ッドにｊｌｆ１着される。

このとき、ベレット２が第１ヒートブロック２１によっ
て加熱されているため、ポール５ａはベレット２のパッ
ド上に熱圧着される。

第１ボンディング部が形成された後、キャピラリー１１
がＸＹ子テーブルおよびボンディングヘッド９により開
口部１９内において３次元的に相対移動され、開口部１
９に整合した単位リードフレーム３ａにおける所定のり
一ド４にワイヤ５の中間部を挿着させる。このとき、リ
ード４が第１ヒートブロツク２１によって加熱されてい
るため、ワイヤ５はリード４上に熱圧着される。

ちなみに、第１ヒートブロツク２１は還元性ガスを活性
化させる必要がないため、その加熱温度は、半導体装置
に悪影響を及ぼさない温度であって、前記第１および第
２ボンディング部の熱圧着′４（、確保される温度、例
えば、１６０″Ｃ〜３４０　”Ｃに設定すればよい。

第２ボンディングが終了すると、クランパ１４によりワ
イヤ５が把持され、クランパ１４はキャピラリー１１と
ともに第２ボンディング部に対して離反移動される。こ
の離反移動により、ワイヤ５は第２ボンディング部から
引き千切られる。その後、クランパ１４によるワイヤ５
の把持が解除されるとともに、キャピラリー１１が若干
上昇されることにより、ワイヤ５の先端部がポール５ａ
の成形に必要な長さだけ突き出される（テール出し）。

以後、前記作動が繰り返されることにより、第１番目の
単位リードフレーム３ａにおける各パッドおよびリード
についてワイヤボンディング作業が順次実施される。

第１番目の単位リードフレーム３ａについてのワイヤボ
ンディングが完了すると、リードフレーム押さえ部材２
０が上昇される。リードフレーム押さえ部材２０が上死
点まで上昇すると、フィーダ６により多連リードフレー
ム３が１ピンチ先方に送られ、新規の単位リードフレー
ム３ａが押さえ部材２０内に対応するボンディングステ
ージに供給される。

以後、前記作動が操り返されることにより、多連リード
フレーム３における全ての単位リードフレーム３ａにつ
いてワイヤボンディング作業が実施される。

ところで、リードフレームとして銅系のリードフレーム
が使用され、ボンディング部に部分銀めっき等が施され
ておらず、しかも、防錆剤被膜が除去されている場合、
銅は酸化され易く、酸化膜がボンディング面に厚く形成
されるため、第２ボンディングにおけるボンダビリティ
−が低下する。

すなわち、酸化膜が形成されると、ワイヤとの金属結合
性が低下するため、ボンダビリティ−が低下する。

しかし、本実施例においては、リードフレームは防錆剤
除去ステージにおいてきわめて効果的に還元されるとと
もに、ペレットおよびワイヤボンディングステージに供
給された後は、酸化防止ガス雰囲気に浸漬されることに
より酸化を効果的に防止されているため、酸化され易い
銅系リードフレームが使用され、かつ、防錆処理剤が除
去されていでも、その表面に酸化膜が形成されることは
なく、その結果、ワイヤ５は良好なボンダビリティ−を
もってリード４上にボンディングされることになる。

ちなみに、ワイヤのリードへのボンディング時に、リー
ド４の表面に防錆剤被膜３ｂが被着されたままであると
、前記第２ボンディング時において、その防錆剤がワイ
ヤ５とリード４との接合面間に介在することにより、第
２ボンディング部における接合強度が低下ないしは接合
が不能になる。

しかし、本実施例においては、既に、多連リードフレー
ム３の表面から防錆剤は完全に除去されているため、こ
のような防錆剤の介在よるボンダビリティ−の低下は未
然に回避されることになる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

０）　　表面にｖ３ＤＩ剤等の処理剤が被着された被ボ
ンディング物にボンディングが実施される前に、この被
ボンディング物を非酸化雰囲気中で加熱して前記被着さ
れた処理剤を除去することにより、この被ボンディング
物に対するボンディング実施時に処理剤が介在するのを
回避することができるため、その処理剤介在によるボン
ダビリティ−の低下を防止することができる。

（２）前記（１）により、半導体装置の品質および信鯨
性を高めることができる。

（３）　　リードフレームの表面に被着された防錆剤被
膜を除去するための防錆剤除去ステージをボンディング
ステージの前段階に設けるとともに、この防錆剤除去ス
テージに供給する酸化防止用ガスとして還元性ガスを使
用することにより、還元性ガスの使用量を抑制しながら
、リードフレームの適正なボンダビリティ−を確保する
ことができるため、所期の品質および信顛性を確保しな
がら、コストを低減させることができる。

（滲　防錆剤除去ステージの温度１ｉ１Ｊ御がペレット
およびワイヤボンディングステージから独立して実行さ
れるように構成することにより、両ボンディングステー
ジの温度に規制されずに還元性ガスの還元反応を最も効
果的に活性化させることができるため、防錆剤除去作用
売高めることができる。

（５）防錆剤除去ステージとボンディングステージとの
境界にガス流障害部を介設することにより、還元性ガス
のボンディングステージへの散逸を抑制することができ
るため、還元性ガスの使用量をより一層低減させること
ができる。

（６）　　ボンディングステージを酸化防止ガス雰囲気
に形成することにより、還元性ガスに含まれている水素
等のような可燃性ガスの引火を回避することができるた
め、ネイルボール形成のための放電電極やトーチを使用
するワイヤボンディング作業の安全性を高めることがで
きる。

（７）　　リードフレームを効果的に還元させるととも
に、酸化膜の形成を確実に防止することにより、良好な
金属結合性を維持して適正なボンディング、強いては製
品の品質および信較性を高めることができ、また、銅系
のように酸化され易いリードフレームであっても酸化膜
の形成を確実に防止することができるため、銅系のリー
ドフレームの使用を実現化することにより、コストの低
減化等を促進させることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、被ボンディング物表面から処理剤を除去する工
程は、ペレットおよびワイヤボンディング工程にオンラ
インに設定するに限らず、オフラインに設定してもよい
。

また、処理剤除去工程は、ペレットボンディング工程よ
りも前に設定するに限らず、ペレットボンディング工程
とワイヤボンディング工程との間に設定してもよい。

処理剤除去ステージに供給される酸化防止用ガスとして
は、還元性ガスを使−用するに限らず、窒素等のような
不活性ガスを使用してもよい。

ペレットボンディング材料としては、Ａｇペーストを使
用するに限らず、はんだ材料を使用してもよい、はんだ
材料が使用される場合、リードフレームが処理剤除去ス
テージによって還元されることにより、ボンディング床
のはんだ濡れ性が高められるため、ベレ・ントポンディ
ングの接合性を高めることができる。

リードフレームとしては銅系のものを使用するに限らず
、鉄−ニッケル系のリードフレーム等を使用してもよい
し、また、複数のリードフレームが一方向に配列されて
いる多連リードフレームを使用するに限らず、複数のリ
ードフレームが縦横に配列されたマルチリードフレーム
等を使用してもよい、ワイヤボンディングステージに設
置されるワイヤボンディング装置の数は、ペレットボン
ディングステージに設置されるペレットボンディング１
１ｔＭの数より′も多くしてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＡｇペーストによる
ペレットボンディング技術および熱圧着式ワイヤポンデ
ィング技ｉｈに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、超音波熱圧着式や超音波式
のワイヤボンディング技術単独、さらには、プリント配
線基板への電子部品の実装技ｆＲ等のようなボンディン
グ技術全般に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによつ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

表面に防錆等の処理剤が被着された被ボンディング物に
ボンディングが実施される前に、この被ボンディング物
を非酸化雰囲気中で加熱して前記被着された処理剤を除
去することにより、この被ボンディング物に対するボン
ディング実施時に処理剤が介在するのを回避することが
できるため、その処理剤介在によるボンダビリティ−の
低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるボンディング装置を示
す正面断面図、 第２図はその一部省略一部切断斜視図、第３図は第１図
の■−■線に沿う側面断面図である。 ｌ・・・ボンディング装置、２・・・ベレント、３・・
・多連リードフレーム（被ボンディング物）、３ａ・・
・単位リードフレーム、３ｂ・・−防錆剤被膜、４・・
・リード、５・・・ワイヤ、５ａ・・・ボール、６・・
・フィーダ、７・・・ガイドテーブル、８・・・ＸＹ子
テーブル９・・・ボンディングヘッド、１０・・・ボン
ディングアーム、１１・・・キャピラリー（ボンディン
グツール）、１２．１３・・・クランパアーム、１４・
・・クランパ、１５・・・ガイド、１６・・・放電電極
、１７・・・電源回路、１８・・・カバー　１８ａ・・
・ガス流障害部、１９・・・開口部、２０・・・リード
フレーム押さえ部材、２１・・・第１ヒートブワツク、
２２・・・リードフレーム酸化防止用ガス、２３・・・
酸化防止用ガス供給装置、２４・・・吹出口、２５・・
・供給路、２６・・・ガス供給ユニット、２７・・・ワ
イヤボンディングステージ、３０・・・ペレットボンデ
インダステージ、３１・・・第２ヒートブロツク、３２
・・・酸化防止用ガス、３３・・・酸化防止用ガス供給
装置、３４−吹出口、３５・・・供給路、３６・・・ガ
ス供給ユニット、３７・・・デイスペンサ用挿入口、３
日・・−コレット用挿入口、３９・・・デイスペンサ、
４０・・・Ａｇペースト（ベレントボンディング材）、
４１・・・コレット、５０・・・防錆剤除去ステージ、
５１・・−第３ヒートブロツク、５２・・・還元性ガス
、５３・・・還元性ガス供給装置、５４・・・吹出口、
５５・・・ガス供給路、５６・・・ガス供給ユニット。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、表面に処理剤が被着された被ボンディング物にボン
   ディングが実施される前に、この被ボンディング物を非
   酸化雰囲気中で加熱することにより、前記被着された処
   理剤を除去することを特徴とするボンディング方法。 ２、被ボンディング物に対するボンディングが実行され
   るボンディングステージの前段階に、被ボンディング物
   を加熱することにより、この被ボンディング物の表面に
   被着された処理剤を除去する処理剤除去ステージが設け
   られているとともに、この処理剤除去ステージには酸化
   防止用ガスが供給されるように構成されていることを特
   徴とするボンディング装置。 ３、前記処理剤除去ステージが、被ボンディング物を一
   方向に搬送するフィーダ上におけるボンディングステー
   ジの上流側に配設されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第２項記載のボンディング装置。