JPH0311720A - パターン露光装置 - Google Patents
パターン露光装置Info
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- JPH0311720A JPH0311720A JP1147469A JP14746989A JPH0311720A JP H0311720 A JPH0311720 A JP H0311720A JP 1147469 A JP1147469 A JP 1147469A JP 14746989 A JP14746989 A JP 14746989A JP H0311720 A JPH0311720 A JP H0311720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- projection lens
- focal length
- photomask
- pattern exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン露光装置に係り、特に１μｍ以下の超
微細パターン加工用に好適な高解像パターン露光装置に
関する。
微細パターン加工用に好適な高解像パターン露光装置に
関する。
従来この種の装置は、特開昭６３−２９５０５号公報に
記載の様にホトマスク基板に形成される金属クロム膜を
厚くして、その投影像の厚みを大きくしている。その結
果、段差上のホトレジスト膜に対しても良好なパターン
像が露光されるようになっていた。
記載の様にホトマスク基板に形成される金属クロム膜を
厚くして、その投影像の厚みを大きくしている。その結
果、段差上のホトレジスト膜に対しても良好なパターン
像が露光されるようになっていた。
上記従来技術は、フォトマスク基板上のクロム膜が厚く
なるとその加工が困難になり、微細パターンの加工精度
が劣化する問題があった。
なるとその加工が困難になり、微細パターンの加工精度
が劣化する問題があった。
本発明の目的は、加工が比較的容易な薄いクロム膜を用
いたフォトマスクを使用できるとともに、実効焦点深度
（ＤＥＦ）の大きなパターン露光装置を提供することに
ある。
いたフォトマスクを使用できるとともに、実効焦点深度
（ＤＥＦ）の大きなパターン露光装置を提供することに
ある。
上記目的は、ホトレジストを塗布したシリコンウェハへ
ＬＳ Ｉ（集積回路）回路パターンを露光している時間
中に投影レンズの焦点距離を１〜２μｍ変化させて、パ
ターンの結像位置をホトレジスト下部からホトレジスト
上部まで移動させることにより達成される。また、投影
レンズの焦点距離を変化させるためには、投影レンズ内
の気体、例えば空気の圧力を２０ｍｂ程度変化させれば
よい。
ＬＳ Ｉ（集積回路）回路パターンを露光している時間
中に投影レンズの焦点距離を１〜２μｍ変化させて、パ
ターンの結像位置をホトレジスト下部からホトレジスト
上部まで移動させることにより達成される。また、投影
レンズの焦点距離を変化させるためには、投影レンズ内
の気体、例えば空気の圧力を２０ｍｂ程度変化させれば
よい。
すなわち、本発明に係るパターン露光装置は、フォトマ
スクを照明する照明装置と、前記フォトマスクに当たっ
た前記照明装置からの光を受けて該フォトマスクのパタ
ーンをウェハに投影する投影レンズ装置と、前記フォト
マスクとウェハとの間の光路に設けられた焦点距離可変
装置と、を備えたものである。
スクを照明する照明装置と、前記フォトマスクに当たっ
た前記照明装置からの光を受けて該フォトマスクのパタ
ーンをウェハに投影する投影レンズ装置と、前記フォト
マスクとウェハとの間の光路に設けられた焦点距離可変
装置と、を備えたものである。
前記パターン露光装置において、焦点距離可変装置は投
影レンズ装置内の気体の屈折率を変化させるものである
のがよい。ここで、焦点距離可変装置は投影レンズ内の
気体の圧力を変化させて前記屈折率を変化させるもので
あるのがよい。また、焦点距離可変装置は、前記投影レ
ンズ内とは別個に前記光路に設けられた気体室内の圧力
を変化させて屈折率を変化させるものでもよい。
影レンズ装置内の気体の屈折率を変化させるものである
のがよい。ここで、焦点距離可変装置は投影レンズ内の
気体の圧力を変化させて前記屈折率を変化させるもので
あるのがよい。また、焦点距離可変装置は、前記投影レ
ンズ内とは別個に前記光路に設けられた気体室内の圧力
を変化させて屈折率を変化させるものでもよい。
また、前記パターン露光装置において、投影レンズの開
口数は０．４以上のものを用いることができる。
口数は０．４以上のものを用いることができる。
前記パターン露光装置において、焦点距離可変装置は、
気体室とバルブを介して連通された圧力タンクと、この
圧力タンクとバルブを介して連通された圧力ポンプと、
前記両バルブの開閉を規制する制御装置と、を備えたも
の、気体室と連通されたピストン及びシリンダと、ピス
トン駆動装置と、このピストン駆動装置を駆動させて前
記気体室内の圧力変化を規制する制御装置と、を備えた
もの、又は気体室と連通された伸縮性容器と、この伸縮
性容器を圧縮する圧縮装置と、この圧縮装置を駆動して
前記気体室内の圧力変化を規制する制御装置と、を備え
たものが挙げられる。
気体室とバルブを介して連通された圧力タンクと、この
圧力タンクとバルブを介して連通された圧力ポンプと、
前記両バルブの開閉を規制する制御装置と、を備えたも
の、気体室と連通されたピストン及びシリンダと、ピス
トン駆動装置と、このピストン駆動装置を駆動させて前
記気体室内の圧力変化を規制する制御装置と、を備えた
もの、又は気体室と連通された伸縮性容器と、この伸縮
性容器を圧縮する圧縮装置と、この圧縮装置を駆動して
前記気体室内の圧力変化を規制する制御装置と、を備え
たものが挙げられる。
多数の投影レンズから構成された投影レンズ筒内の気体
の圧力を変化させると、気体の密度が変化するため屈折
率が変化する。そのため、光学レンズの屈折率と周囲気
体の屈折率の比が変化することにより、投影レンズの焦
点距離が変わり、結像面が移動する０例えば空気の圧力
が１０ｍｂ変化すると焦点距離は約１．５μｍ変動する
。この値はホトレジスト塗布膜厚の平均的な値１．０μ
ｍに対して無視できない値である。
の圧力を変化させると、気体の密度が変化するため屈折
率が変化する。そのため、光学レンズの屈折率と周囲気
体の屈折率の比が変化することにより、投影レンズの焦
点距離が変わり、結像面が移動する０例えば空気の圧力
が１０ｍｂ変化すると焦点距離は約１．５μｍ変動する
。この値はホトレジスト塗布膜厚の平均的な値１．０μ
ｍに対して無視できない値である。
投影レンズ筒の気密性を保てる様に製造し、そこに圧力
を高めた空気を送り込むためのパイプ及び空気バルブ、
投影レンズ筒から空気を放出するためのバルブを取り付
ける。この二つの空気バルブを露光タイミングに合わせ
て開閉することにより、投影レンズの焦点距離を変化さ
せて結像面を移動させ、実効的な焦点深度を増加させる
ことができる。
を高めた空気を送り込むためのパイプ及び空気バルブ、
投影レンズ筒から空気を放出するためのバルブを取り付
ける。この二つの空気バルブを露光タイミングに合わせ
て開閉することにより、投影レンズの焦点距離を変化さ
せて結像面を移動させ、実効的な焦点深度を増加させる
ことができる。
以下９本発明の一実施例を第１図により詳細に説明する
。光源１から放射された光は反射凹面鏡２により収束さ
れてインテグレータ３に入射し、インテグレータ３によ
り均一化された光はシャッタ４を通過し、コンデンサレ
ンズ５を通ってフォトマスク１２を照射する。フォトマ
スク１２は図示しない支持装置に支持されている。また
、前記光源１、反射凹面鏡２、インテグレータ３、シャ
ッタ４及びコンデンサレンズ５によってフォトマスク１
２を照明する照明装置が形成されている。
。光源１から放射された光は反射凹面鏡２により収束さ
れてインテグレータ３に入射し、インテグレータ３によ
り均一化された光はシャッタ４を通過し、コンデンサレ
ンズ５を通ってフォトマスク１２を照射する。フォトマ
スク１２は図示しない支持装置に支持されている。また
、前記光源１、反射凹面鏡２、インテグレータ３、シャ
ッタ４及びコンデンサレンズ５によってフォトマスク１
２を照明する照明装置が形成されている。
フォトマスク１２の像は投影レンズ１３によりウェハ１
６に結像する。圧力ポンプ８によって圧力タンク９に空
気を送り込み、該圧力タンク９内を大気圧より２０ｍｂ
程度高い状態にしておき、バルブ１５ａを開けることに
より、投影レンズ１３内の圧力を高め、空気の屈折率を
高く変化させる。
６に結像する。圧力ポンプ８によって圧力タンク９に空
気を送り込み、該圧力タンク９内を大気圧より２０ｍｂ
程度高い状態にしておき、バルブ１５ａを開けることに
より、投影レンズ１３内の圧力を高め、空気の屈折率を
高く変化させる。
この時、レンズの焦点距離が短くなり、フォトマスク投
影像が上方に移動する。この様子を第２図に示す、最初
、Ｓｉ基板２２上のホトレジスト膜２１の下部にパター
ンが結像されるように、Ｓｉ基板の位置を調節し、露光
時間終了時に結像面がホトレジスト膜２１の上面に移動
する。この時。
影像が上方に移動する。この様子を第２図に示す、最初
、Ｓｉ基板２２上のホトレジスト膜２１の下部にパター
ンが結像されるように、Ｓｉ基板の位置を調節し、露光
時間終了時に結像面がホトレジスト膜２１の上面に移動
する。この時。
レンズ１７からの光線は２０，１９．１８の様に変化す
る。次の露光タイミングの時にはバルブ１５ａを閉じて
、空気放出用バルブ１５ｂを開放して、投影レンズ１３
内の空気の圧力を下げると、結像面の位置は逆にホトレ
ジストの上面から下面に移動する。このような動作をウ
ェハ面での各露光に対して繰り返し行う。
る。次の露光タイミングの時にはバルブ１５ａを閉じて
、空気放出用バルブ１５ｂを開放して、投影レンズ１３
内の空気の圧力を下げると、結像面の位置は逆にホトレ
ジストの上面から下面に移動する。このような動作をウ
ェハ面での各露光に対して繰り返し行う。
圧力タンク９内の圧力は圧力計６により測定し。
バルブ１１の開閉により圧力を調節する。投影レンズ１
３内の圧力は圧力計１４により測定する。
３内の圧力は圧力計１４により測定する。
投影レンズ１３内の圧力が低圧状態の場合の気圧と圧力
タンク内の圧力及びそれらの容積によって、焦点距離の
移動距離が決まるから、ホトレジストの塗布膜厚及び、
Ｓｉ基板の段差の高さに合わせて、圧力タンク９内の圧
力を調節する１例えば第３図に示した段差上のホトレジ
スト２１の膜にパターン露光する場合には１段差底部の
ホトレジスト２１の下部から段差上部のホトレジスト２
１の上面まで結像面が移動するように圧力タンク９の空
気圧を調節する。この時、レンズからの光線は２５．２
４．２３のように変化する。ポンプ８の空気取入れ部に
は除湿装置７を設けて空気中の水分を取除く、圧力タン
ク９に封入する気体として、乾燥窒素を用いると効果が
ある。
タンク内の圧力及びそれらの容積によって、焦点距離の
移動距離が決まるから、ホトレジストの塗布膜厚及び、
Ｓｉ基板の段差の高さに合わせて、圧力タンク９内の圧
力を調節する１例えば第３図に示した段差上のホトレジ
スト２１の膜にパターン露光する場合には１段差底部の
ホトレジスト２１の下部から段差上部のホトレジスト２
１の上面まで結像面が移動するように圧力タンク９の空
気圧を調節する。この時、レンズからの光線は２５．２
４．２３のように変化する。ポンプ８の空気取入れ部に
は除湿装置７を設けて空気中の水分を取除く、圧力タン
ク９に封入する気体として、乾燥窒素を用いると効果が
ある。
第４図に気圧変動による露光装置の焦点位置変動を示す
。その変動特性は直線２８の様になり、２０ｍｂの気圧
変動量２９に対して３μｍの焦点変動３０が生じる。こ
の値は光源波長、投影レンズによって多少異なる。
。その変動特性は直線２８の様になり、２０ｍｂの気圧
変動量２９に対して３μｍの焦点変動３０が生じる。こ
の値は光源波長、投影レンズによって多少異なる。
第５図に本実施例による焦点深度の増加を示す。
投影レンズ内の気圧を変化させない場合には、段差上の
現像寸法は曲線３３の様にウェハ上の段差の増大に伴い
、設計寸法０．７μｍから急激に減少している。これは
段差、下にパターン像の焦点面を合わせているため、段
差上のパターン像のボケが増大するためである。投影レ
ンズ筒内の空気の圧力変化量を調整して、焦点位置変化
距離を大きくして行くと曲線３２．３１の様に、現像寸
法が一定になる領域が拡大して、ウェハ上の段差に対し
て余裕度が増加する。このことは高段差が存在するウェ
ハ上でも現像寸法のばらつきが少なくなり、製造歩留り
が向上することになる。
現像寸法は曲線３３の様にウェハ上の段差の増大に伴い
、設計寸法０．７μｍから急激に減少している。これは
段差、下にパターン像の焦点面を合わせているため、段
差上のパターン像のボケが増大するためである。投影レ
ンズ筒内の空気の圧力変化量を調整して、焦点位置変化
距離を大きくして行くと曲線３２．３１の様に、現像寸
法が一定になる領域が拡大して、ウェハ上の段差に対し
て余裕度が増加する。このことは高段差が存在するウェ
ハ上でも現像寸法のばらつきが少なくなり、製造歩留り
が向上することになる。
第１図に戻って説明すると、圧力計６，１４の測定値は
制御装置１０に伝送され、バルブ１１゜１５ａ、１５ｂ
の開閉も制御装置１０によりシャッタ４の露光タイミン
グに合わせて制御される。
制御装置１０に伝送され、バルブ１１゜１５ａ、１５ｂ
の開閉も制御装置１０によりシャッタ４の露光タイミン
グに合わせて制御される。
投影レンズ筒１３内の圧力の初期値をＰ□、容積をＶい
圧力タンク９内の容積をｖ２、初期圧力をＰ２とし、バ
ルブ１２を開放後の投影レンズ筒内の圧力をＰ工′とす
ると次式が成り立つ。
圧力タンク９内の容積をｖ２、初期圧力をＰ２とし、バ
ルブ１２を開放後の投影レンズ筒内の圧力をＰ工′とす
ると次式が成り立つ。
Ｐｉ■、＋Ｐ２ｖ２＝Ｐ１′（ｖ１＋ｖ２）・・・・・
・ （１）したがって と Δｐ１＝ｐ、’ −ｐｌ ・・・
・・・ （３）圧力変化による焦点位置変化距離をΔｆ
とするとΔｆ＝Ｃ，ΔＰ１ ・・・・
・・ （４）が成り立つ、ここで、ｃ８は比例係数であ
る。 （２）。
・ （１）したがって と Δｐ１＝ｐ、’ −ｐｌ ・・・
・・・ （３）圧力変化による焦点位置変化距離をΔｆ
とするとΔｆ＝Ｃ，ΔＰ１ ・・・・
・・ （４）が成り立つ、ここで、ｃ８は比例係数であ
る。 （２）。
（３）、（４）式により次式が成り立つ。
ｖよ
Δｆ＝Ｃ工（）（ｐ、−ｐ工） ・・・・・・ （５
）Ｖ、＋Ｖ。
）Ｖ、＋Ｖ。
焦点位置変化距離Δｆは圧力タンク９内の初期圧力Ｐ２
に比例する。第６図にその一例を示す。直線３４が線点
位置変化距離の圧力タンク圧依存性を示す、この特性か
ら必要な焦点位置変化距離に対する圧力タンク圧を求め
ることができる。
に比例する。第６図にその一例を示す。直線３４が線点
位置変化距離の圧力タンク圧依存性を示す、この特性か
ら必要な焦点位置変化距離に対する圧力タンク圧を求め
ることができる。
第７図に本実施例を用いた場合の現像寸法分布の一例を
示す０曲線３５に示すように設計寸法０．７μｍに対し
て±０．１μｍの範囲に分布し、本実施例を採用しない
場合の現像寸法分布３６に比較して、現像寸法ばらつき
が小さくなる。
示す０曲線３５に示すように設計寸法０．７μｍに対し
て±０．１μｍの範囲に分布し、本実施例を採用しない
場合の現像寸法分布３６に比較して、現像寸法ばらつき
が小さくなる。
本実施例によれば高解像投影レンズの実効的な焦点深度
を増加させる効果がある。
を増加させる効果がある。
第８図は本発明の他実施例を示す構成図である。
第１図に示した実施例では投影レンズ１３内の気体の圧
力を変えて、その部分の屈折率を変え、それによって焦
点距離を変化させる構造としたが。
力を変えて、その部分の屈折率を変え、それによって焦
点距離を変化させる構造としたが。
本実施例ではフォトマスク１２と投影レンズ１３間の光
路に透光性の気体室２６を別に設け、この気体室２６に
の圧力を前記第１実施例と同様に変化させて、焦点距離
を変化させるものである。この構造によっても前記同様
の作用効果が得られる。
路に透光性の気体室２６を別に設け、この気体室２６に
の圧力を前記第１実施例と同様に変化させて、焦点距離
を変化させるものである。この構造によっても前記同様
の作用効果が得られる。
第９図に本発明の更に他の実施例を示す。第１図と異な
るのは空気圧縮用のシリンダー３７とピストン３８．ピ
ストン駆動装置３９が付加された点である。本実施例で
は制御装置１ｏによってピストン３８を露光装置のシャ
ッタ４の開閉に合わせて動かして、投影レンズ１３内の
気体の圧力を増加又は減少させて投影レンズの焦点面を
変化させる。この様にして実効的な焦点深度を向上でき
る。本実施例によれば、焦点距離を変化させるための装
置の構成を簡易化できる効果がある。
るのは空気圧縮用のシリンダー３７とピストン３８．ピ
ストン駆動装置３９が付加された点である。本実施例で
は制御装置１ｏによってピストン３８を露光装置のシャ
ッタ４の開閉に合わせて動かして、投影レンズ１３内の
気体の圧力を増加又は減少させて投影レンズの焦点面を
変化させる。この様にして実効的な焦点深度を向上でき
る。本実施例によれば、焦点距離を変化させるための装
置の構成を簡易化できる効果がある。
第１０図に本発明の更に他の実施例を示す。第９図と異
なるのはシリンダー３７の代りに気体容器４０が取り付
けられた点である。この気体容器４０は伸縮性があり、
圧縮器具４１を圧縮器具駆動装置４２により上下させる
ことにより気体容器４０内の圧力を増減でき、投影レン
ズ１３内の圧力も同時に増減するから、その焦点距離を
変化させることができる。定常状態の圧力を１気圧程度
にすると、必要な圧力変化は約３％であるから、気体容
器４０へ加える力はわずかなものでよい。
なるのはシリンダー３７の代りに気体容器４０が取り付
けられた点である。この気体容器４０は伸縮性があり、
圧縮器具４１を圧縮器具駆動装置４２により上下させる
ことにより気体容器４０内の圧力を増減でき、投影レン
ズ１３内の圧力も同時に増減するから、その焦点距離を
変化させることができる。定常状態の圧力を１気圧程度
にすると、必要な圧力変化は約３％であるから、気体容
器４０へ加える力はわずかなものでよい。
本実施例によれば実効的な焦点深度を深くできるので、
焦点深度の浅い高ＮＡ（開口数にして０．４以上）を使
用でき、′＃細パターン形成を可能とする効果がある。
焦点深度の浅い高ＮＡ（開口数にして０．４以上）を使
用でき、′＃細パターン形成を可能とする効果がある。
本発明によれば、加工が比較的容易な薄いクロム膜を用
いたフォトマスクを使用できる実効焦点深度の大きなパ
ターン露光装置を提供できる効果がある。本発明によれ
ば開口数にして０．４以上のレンズを用いることができ
、それでいて焦点深度が浅くならないため、プロセス余
裕度を向上させた上で、高開口数レンズの高解像度を利
用することができる。
いたフォトマスクを使用できる実効焦点深度の大きなパ
ターン露光装置を提供できる効果がある。本発明によれ
ば開口数にして０．４以上のレンズを用いることができ
、それでいて焦点深度が浅くならないため、プロセス余
裕度を向上させた上で、高開口数レンズの高解像度を利
用することができる。
第１図は本発明に係るパターン露光装置の一実施例の構
成図、第２図及び第３図は本発明の動作説明図、第４図
は焦点位置変動量の気圧依存性を示す図、第５図は本発
明の効果を示す図、第６図は焦点距離変化とタンク圧力
を示す図、第７図は現像寸法の分布を示す図、第８図、
第９図及び第１０図はそれぞれ本発明の異なる他の実施
例を示す構成図である。 １・・・光源、２・・・反射凹面鏡、３・・・インテグ
レータ、５・・・コンデンサレンズ、１２・・・ホトマ
スク。 １３・・・投影レンズ、１１．’１５ ａ、１５ ｂ・
・・バルブ、６．１４・・・圧力計、８・・・ポンプ、
１ｏ・・・制御装置、１７・・・投影レンズ、１８，１
９．２０・・・光線軌跡、２１．２６・・・レジスト膜
、２２．２７・・・基板、９７・・・シリンダー ３８
・・・ピストン、４０・・・気体容器。
成図、第２図及び第３図は本発明の動作説明図、第４図
は焦点位置変動量の気圧依存性を示す図、第５図は本発
明の効果を示す図、第６図は焦点距離変化とタンク圧力
を示す図、第７図は現像寸法の分布を示す図、第８図、
第９図及び第１０図はそれぞれ本発明の異なる他の実施
例を示す構成図である。 １・・・光源、２・・・反射凹面鏡、３・・・インテグ
レータ、５・・・コンデンサレンズ、１２・・・ホトマ
スク。 １３・・・投影レンズ、１１．’１５ ａ、１５ ｂ・
・・バルブ、６．１４・・・圧力計、８・・・ポンプ、
１ｏ・・・制御装置、１７・・・投影レンズ、１８，１
９．２０・・・光線軌跡、２１．２６・・・レジスト膜
、２２．２７・・・基板、９７・・・シリンダー ３８
・・・ピストン、４０・・・気体容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトマスクを照明する照明装置と、前記フォトマ
スクに当たった前記照明装置からの光を受けて該フォト
マスクのパターンをウェハに投影する投影レンズ装置と
、前記フォトマスクとウェハとの間の光路に設けられた
焦点距離可変装置と、を備えたパターン露光装置。 ２、請求項１において、焦点距離可変装置は投影レンズ
装置内の気体の屈折率を変化させるものであるパターン
露光装置。 ３、請求項２において、焦点距離可変装置は投影レンズ
内の気体の圧力を変化させて前記屈折率を変化させるも
のであるパターン露光装置。 ４、請求項１において、焦点距離可変装置は、前記光路
に設けられた気体室内の圧力を変化させて屈折率を変化
させるものであるパターン露光装置。 ５、請求項１において、投影レンズの開口数は０．４以
上のものであるパターン露光装置。 ６、請求項３又は４において、焦点距離可変装置は、気
体室とバルブを介して連通された圧力タンクと、この圧
力タンクとバルブを介して連通された圧力ポンプと、前
記両バルブの開閉を規制する制御装置と、を備えたもの
であるパターン露光装置。 ７、請求項３又は４において、焦点距離可変装置は、気
体室と連通されたピストン及びシリンダと、ピストン駆
動装置と、このピストン駆動装置を駆動させて前記気体
室内の圧力変化を規制する制御装置と、を備えたもので
あるパターン露光装置。 ８、請求項３又は４において、焦点距離可変装置は、気
体室と連通された伸縮性容器と、この伸縮性容器を圧縮
する圧縮装置と、この圧縮装置を駆動して前記気体室内
の圧力変化を規制する制御装置と、を備えたものである
パターン露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147469A JPH0311720A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | パターン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147469A JPH0311720A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | パターン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311720A true JPH0311720A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15431090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147469A Pending JPH0311720A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | パターン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004044765A1 (de) * | 2004-09-16 | 2005-12-29 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum lithografischen Belichten einer strahlenempfindlichen Schicht und Verfahren zum lithografischen Belichten |
| CN104062853A (zh) * | 2013-03-21 | 2014-09-24 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻设备垂向动态曝光方法及装置 |
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