JPH0311763A - 情報記憶素子 - Google Patents
情報記憶素子Info
- Publication number
- JPH0311763A JPH0311763A JP1147897A JP14789789A JPH0311763A JP H0311763 A JPH0311763 A JP H0311763A JP 1147897 A JP1147897 A JP 1147897A JP 14789789 A JP14789789 A JP 14789789A JP H0311763 A JPH0311763 A JP H0311763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- information storage
- storage element
- solid electrolyte
- ion conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 半導体メモリ素子等の情報記憶素子、特へ
一体化したバックアップ用電源を有する情報記憶素子
に関すも 従来の技術 小型電池の電子機器における使われ方ζよ 半導体メモ
リ素子等の高密度情報記憶素子の発達により、・主電源
が切れた場合においてもメモリされた情報を損なわない
ようへ 補助的な電源として、いわゆるメモリバックア
ップ用の電源としての使われ方が多くなっている。
一体化したバックアップ用電源を有する情報記憶素子
に関すも 従来の技術 小型電池の電子機器における使われ方ζよ 半導体メモ
リ素子等の高密度情報記憶素子の発達により、・主電源
が切れた場合においてもメモリされた情報を損なわない
ようへ 補助的な電源として、いわゆるメモリバックア
ップ用の電源としての使われ方が多くなっている。
補助用の電源として（よ 放電容量や出力電流が小さく
と杖 機器あるいはプリント基板よりメモリ素子を着脱
する際にメモリされた情報を損なわないよう、電池とメ
モリ素子とが切り離されることなく一体化されているこ
とが望まし１〜以上の状況に鑑へ 電池とメモリ素子を
一体化した従来の情報記憶素子として、以下のようなも
のが提案されていも 実開昭５８−５５１８号公報において（よ 一体化に使
用される小型電源としてＮｉ−Ｃｄ電池を用いた素子の
提案がなされていも しかしなが収 パッケージ内に収納される電源としてＮ
ｉ−Ｃｄ電池など電解液を有する電池を選んだ場合、電
解液を入れるための金属容器が必要となるといった関係
玉 電池の小型化には技術的な限界を有していも また
このＮ ｉ −Ｃｄｉ池ではガス抜き機構が必要なたべ
実際にはパッケージ内に収籠 一体化することは困難
であるといった問題を有していも これに対して、固体電解質を用いた全固体電池あるいは
全固体電気二重層キャパシタを電源として半導体パッケ
ージ内に組み込む提案がなされていも 具体的には 特開昭５７−１０９１８３号公報において
は Ｌ ｉ ４Ｓ ｉ ０４−Ｌ ｉ＊ＰＯｓ化合物薄
Ｋ Ｌｉ＊Ｎ−ＬｉＩ化合物薄膜などの固体電解質膜
を用いた全固体リチウム電池東Ｒｂ ｅ Ｃｕ ｓ ｌ
５ｃＩｖ、Ｌ ｉａＳ ｉ ０４−Ｌ １ｓＰＯｉ等の
固体電解質を用いた大容量コンデンサを電源とした素子
の提案がなされている。まな 特開昭６０−１２６７９
号公報においてはＲｂＣｕ４Ｉ＊−買Ｃ１ｓ・×で表わ
される銅イオン導電性固体電解質を用いて一体化した全
固体電池を用いた素子の提案がなされていも 発明が解決しようとする課題 しかし 従来例として挙げた固体電解質を用いた素子を
半導体と同一パッケージ内に収納した場合に（よ パッ
ケージの封止材の硬化時あるいは素子を半田付けする際
に素子が高温に晒されること、さらに素子が高温下に置
かれることで以下に述べるような付随的な問題が生ずる
。
と杖 機器あるいはプリント基板よりメモリ素子を着脱
する際にメモリされた情報を損なわないよう、電池とメ
モリ素子とが切り離されることなく一体化されているこ
とが望まし１〜以上の状況に鑑へ 電池とメモリ素子を
一体化した従来の情報記憶素子として、以下のようなも
のが提案されていも 実開昭５８−５５１８号公報において（よ 一体化に使
用される小型電源としてＮｉ−Ｃｄ電池を用いた素子の
提案がなされていも しかしなが収 パッケージ内に収納される電源としてＮ
ｉ−Ｃｄ電池など電解液を有する電池を選んだ場合、電
解液を入れるための金属容器が必要となるといった関係
玉 電池の小型化には技術的な限界を有していも また
このＮ ｉ −Ｃｄｉ池ではガス抜き機構が必要なたべ
実際にはパッケージ内に収籠 一体化することは困難
であるといった問題を有していも これに対して、固体電解質を用いた全固体電池あるいは
全固体電気二重層キャパシタを電源として半導体パッケ
ージ内に組み込む提案がなされていも 具体的には 特開昭５７−１０９１８３号公報において
は Ｌ ｉ ４Ｓ ｉ ０４−Ｌ ｉ＊ＰＯｓ化合物薄
Ｋ Ｌｉ＊Ｎ−ＬｉＩ化合物薄膜などの固体電解質膜
を用いた全固体リチウム電池東Ｒｂ ｅ Ｃｕ ｓ ｌ
５ｃＩｖ、Ｌ ｉａＳ ｉ ０４−Ｌ １ｓＰＯｉ等の
固体電解質を用いた大容量コンデンサを電源とした素子
の提案がなされている。まな 特開昭６０−１２６７９
号公報においてはＲｂＣｕ４Ｉ＊−買Ｃ１ｓ・×で表わ
される銅イオン導電性固体電解質を用いて一体化した全
固体電池を用いた素子の提案がなされていも 発明が解決しようとする課題 しかし 従来例として挙げた固体電解質を用いた素子を
半導体と同一パッケージ内に収納した場合に（よ パッ
ケージの封止材の硬化時あるいは素子を半田付けする際
に素子が高温に晒されること、さらに素子が高温下に置
かれることで以下に述べるような付随的な問題が生ずる
。
全固体リチウム電池を用いた場合、負極として用いられ
る金属リチウムあるいはＬｉ−Ｐｂ合金等のウッドメタ
ルの融点が低いため版 素子が高温下におかれた際に該
電池内の負極が溶解する危険性を有していも また金属リチウムと情報記憶素子として用いられるシリ
コン半導体を同一パッケージ内に収納すると、特に高温
においてリチウムがシリコン内に拡散していき、半導体
の特性を損なってしまうといった問題を有していも また ＲｂＣｕ４ｌ２−ｘｃＩｚ・翼で表わされる銅イ
オン導電性固体電解質を用いた全固体電池を用いた場合
、前記固体電解質は高温下やパッケージを透過する水分
の影響により沃素を遊離しやすく、パッケージ材である
樹脂を汚染させ絶縁性を低下させたり、あるいは同一パ
ッケージ内に収納された半導体の特性を損なわせるとい
った問題を有している。
る金属リチウムあるいはＬｉ−Ｐｂ合金等のウッドメタ
ルの融点が低いため版 素子が高温下におかれた際に該
電池内の負極が溶解する危険性を有していも また金属リチウムと情報記憶素子として用いられるシリ
コン半導体を同一パッケージ内に収納すると、特に高温
においてリチウムがシリコン内に拡散していき、半導体
の特性を損なってしまうといった問題を有していも また ＲｂＣｕ４ｌ２−ｘｃＩｚ・翼で表わされる銅イ
オン導電性固体電解質を用いた全固体電池を用いた場合
、前記固体電解質は高温下やパッケージを透過する水分
の影響により沃素を遊離しやすく、パッケージ材である
樹脂を汚染させ絶縁性を低下させたり、あるいは同一パ
ッケージ内に収納された半導体の特性を損なわせるとい
った問題を有している。
以上のように 半導体と一体化するために４表熱的にも
高信頼性の電池を開発する必要を有していた 本発明は半導体素子と電源を一体化するための高信頼性
を有する電池を提供することにより、本課題を解決しよ
うとするものであも 課題を解決するための手段 情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に収納され
る電源として、銀イオン導電性固体電解質層と、この固
体電解質層を介して配される一対の電極を有し これら
電極のうち少なくとも一方の電極が銀と遷移金属酸化物
よりなる複合酸化物を含む全固体二次電池を用いも 特く 前記銀イオン導電性固体電解質として（飄ａＡｇ
Ｘ ｂＡｇ２Ｏ０Ｍｍ＋０＊＋（Ｘ＝Ｉ、 Ｂｒ。
高信頼性の電池を開発する必要を有していた 本発明は半導体素子と電源を一体化するための高信頼性
を有する電池を提供することにより、本課題を解決しよ
うとするものであも 課題を解決するための手段 情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に収納され
る電源として、銀イオン導電性固体電解質層と、この固
体電解質層を介して配される一対の電極を有し これら
電極のうち少なくとも一方の電極が銀と遷移金属酸化物
よりなる複合酸化物を含む全固体二次電池を用いも 特く 前記銀イオン導電性固体電解質として（飄ａＡｇ
Ｘ ｂＡｇ２Ｏ０Ｍｍ＋０＊＋（Ｘ＝Ｉ、 Ｂｒ。
Ｃ１，Ｍ＝Ｗ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｖ、 Ｃｒ
、 Ｐ、 Ｂ）で表わされる銀イオン導電性固体電
解質またはｐＡｇＸ ＱＡｇＭ−＊０ｎａ（Ｘ＝Ｉ、
Ｂｒ、 ｃｔ。
、 Ｐ、 Ｂ）で表わされる銀イオン導電性固体電
解質またはｐＡｇＸ ＱＡｇＭ−＊０ｎａ（Ｘ＝Ｉ、
Ｂｒ、 ｃｔ。
Ｍ＝Ｗ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｖ、 Ｃｒ、
Ｐ、 Ｂ）で表わされるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩
よりなる銀イオン導電性固体電解質を用いる。また 銀
と遷移金属酸化物よりなる複合酸化物としてｌ；Ｌ、Ａ
ｇ−ＶｔＱｓ−ｙ（ｙは酸素欠損）で表わされる銀とバ
ナジウム酸化物よりなる複合酸化物を用いも作 用 情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に一体収納
される電源として、全固体の電池を用いることにより、
電解液を用いた電池と異なり金属容器が不要となり電池
を容易に小型化し パッケージ内に一体化収納すること
ができも また用いられる全固体電池の内において耘 固体電解質
として、 ａ Ａ ｇ Ｘ ｂ Ａ ｇ ２０ ｃ
Ｍ ＠ １Ｏｎ＋（Ｘ＝Ｉ、 Ｂｒ、 Ｃｒ、
Ｍ＝Ｗ、 Ｍｏ、 Ｓｉ。
Ｐ、 Ｂ）で表わされるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩
よりなる銀イオン導電性固体電解質を用いる。また 銀
と遷移金属酸化物よりなる複合酸化物としてｌ；Ｌ、Ａ
ｇ−ＶｔＱｓ−ｙ（ｙは酸素欠損）で表わされる銀とバ
ナジウム酸化物よりなる複合酸化物を用いも作 用 情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に一体収納
される電源として、全固体の電池を用いることにより、
電解液を用いた電池と異なり金属容器が不要となり電池
を容易に小型化し パッケージ内に一体化収納すること
ができも また用いられる全固体電池の内において耘 固体電解質
として、 ａ Ａ ｇ Ｘ ｂ Ａ ｇ ２０ ｃ
Ｍ ＠ １Ｏｎ＋（Ｘ＝Ｉ、 Ｂｒ、 Ｃｒ、
Ｍ＝Ｗ、 Ｍｏ、 Ｓｉ。
Ｖ、 Ｃｒ、 Ｐ、 Ｂ）で表わされる銀イオン
導電性固体電解質、またはｐＡｇＸ ＱＡｇＭｍａ○
ｎ２ （Ｘ＝Ｉ、 Ｂｒ、 Ｃｌ、 Ｍ＝Ｗ、
Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｖ。
導電性固体電解質、またはｐＡｇＸ ＱＡｇＭｍａ○
ｎ２ （Ｘ＝Ｉ、 Ｂｒ、 Ｃｌ、 Ｍ＝Ｗ、
Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｖ。
Ｃｒ、 、Ｐ、 Ｂ）で表わされるハロゲン化銀と
銀の酸素酸塩よりなる銀イオン導電性固体電解質（上水
分や酸素に対しても安定であり、また高温においてもハ
ロゲンを遊離することはないた八 パッケージ内に収納
された半導体の特性を損なうことなく所望の特性を得る
ことができも 特りｐＡｇ Ｉ （Ｉ Ｅ））
Ａｇ＊−ＷＯｓ （０．７≦ｐ≦０゜９）で表わされ黴
ヨウ化銀とタングステン酸銀よりなる銀イオン導電性
固体電解質（よ ガラス転移温度が他のものに比べて高
く、素子が高温下に置かれた際の固体電解質の結晶化に
よる電池特性の劣化が殆どないことからより好ましく用
いられも また電極活物質として、銀と遷移金属酸化物よりなる複
合酸化物を用いることにより、水分や酸素の影像 ある
いは高温における電極活物質の拡散を防ぐことができ、
安定した特性を得ることができも 特にＡｇにＶ２Ｏ６
−で表わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸化
物を用いた場合にＣヨ サイクル特性等に優れたもの
となりより好ましく用いられも 実 施 例 （実施例１） 本発明の一実施例における情報記憶素子とじてメモリ容
量が２５６ｋｂのＣ−ＭＯＳスタティックＲＡＭメモリ
を、固体二次電池用の電極材料は銀イオン導電性固体電
解質として４ＡｇＩ−Ａｇ２ Ｗ Ｏ４で表わされる銀
イオン導電性の固体電解質を、銀と遷移金属酸化物より
なる複合酸化物としてＡｇ１．７ｖ２０６で表わされる
銀とバナジウムの複合酸化物を用いたものについて説明
すも４Ａｇｌ・Ａｇ２ＷＯ４で表わされる銀イオン導電
性の固体電解質（よ ＡｇＩ、Ａｇｅｄ、ＷＯｓをモル
比で４： １： １の比となるように秤量してアル
ミナ乳鉢で混合し この混合物を加圧成形しペレット状
とした後、バイレックス管中に減圧封入して４００℃で
１７時間溶融 反応させ、その反応物を乳鉢で２００メ
ツシユ以下に粉砕することによって得九 Ａｇ＊、ｙＶｓＯｓで表わされる銀とバナジウムの複合
酸化物Ｌｔ、Ｖａｎｓで表わされるバナジウム酸化。
銀の酸素酸塩よりなる銀イオン導電性固体電解質（上水
分や酸素に対しても安定であり、また高温においてもハ
ロゲンを遊離することはないた八 パッケージ内に収納
された半導体の特性を損なうことなく所望の特性を得る
ことができも 特りｐＡｇ Ｉ （Ｉ Ｅ））
Ａｇ＊−ＷＯｓ （０．７≦ｐ≦０゜９）で表わされ黴
ヨウ化銀とタングステン酸銀よりなる銀イオン導電性
固体電解質（よ ガラス転移温度が他のものに比べて高
く、素子が高温下に置かれた際の固体電解質の結晶化に
よる電池特性の劣化が殆どないことからより好ましく用
いられも また電極活物質として、銀と遷移金属酸化物よりなる複
合酸化物を用いることにより、水分や酸素の影像 ある
いは高温における電極活物質の拡散を防ぐことができ、
安定した特性を得ることができも 特にＡｇにＶ２Ｏ６
−で表わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸化
物を用いた場合にＣヨ サイクル特性等に優れたもの
となりより好ましく用いられも 実 施 例 （実施例１） 本発明の一実施例における情報記憶素子とじてメモリ容
量が２５６ｋｂのＣ−ＭＯＳスタティックＲＡＭメモリ
を、固体二次電池用の電極材料は銀イオン導電性固体電
解質として４ＡｇＩ−Ａｇ２ Ｗ Ｏ４で表わされる銀
イオン導電性の固体電解質を、銀と遷移金属酸化物より
なる複合酸化物としてＡｇ１．７ｖ２０６で表わされる
銀とバナジウムの複合酸化物を用いたものについて説明
すも４Ａｇｌ・Ａｇ２ＷＯ４で表わされる銀イオン導電
性の固体電解質（よ ＡｇＩ、Ａｇｅｄ、ＷＯｓをモル
比で４： １： １の比となるように秤量してアル
ミナ乳鉢で混合し この混合物を加圧成形しペレット状
とした後、バイレックス管中に減圧封入して４００℃で
１７時間溶融 反応させ、その反応物を乳鉢で２００メ
ツシユ以下に粉砕することによって得九 Ａｇ＊、ｙＶｓＯｓで表わされる銀とバナジウムの複合
酸化物Ｌｔ、Ｖａｎｓで表わされるバナジウム酸化。
物と金属銀をモル比で１： ０．７となるよう秤量し
て乳鉢で混合し その混合物を同じくペレット状に加圧
成形し 石英管中に減圧封入して６００℃で４８時間反
応させ、同じく２００メツシユ以下に粉砕することによ
って得へ 固体二次電池用の電極材料ζよ 以上のようにして得ら
れた固体電解質と複合酸化物を重量比で１＝１の比で混
合することによって得九 この電極材料を１０ｍｇを秤
量り、 ４ｔｏｎ／ｃｍ”で４ｍｍｘ２ｍｍに加圧成
形し正極ペレットを得丸 また同様に２０ｍｇを秤量り
、 ４ｔｏｎ／ｃｍ”で４ｍｍＸ２ｍｍに加圧成形し負
極ペレットを得丸以上のようにして得られた電極ペレッ
ト２枚を各々正極 負極として固体電解質１０ｍｇを介
して配し 全体を４ｔｏｎ／ａｍ”で加圧圧接し固体電
池素子を得九 このようにして得られた固体電解質素子を、リードフレ
ームの半導体素子チップの反対側に１２個直列に結線し
全体をエポキシ系の樹脂により１８０℃で硬（Ｉｌ、
バッケージングレ 小型電源を樹脂パッケージ内に
一体化収納した情報記憶素子を得へ この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存後、その動作特性を検査したとこへ異常はみられ云
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわかつ九 （実施例２） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、 ４ Ａｇ Ｉ−ＡｇｔＶｅｏｓで表わされる銀
イオン導電性の固体電解質を用いた以外は実施例１と同
様の方法によって小型電源を一体化収納した情報記憶素
子を得九 この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存徽 その動作特性を検査したとこへ異常はみられず、
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわかつ丸 （実施例３） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、 ３ＡｇＩ・ＡｇｔＭｏＯａで表わされる銀イオ
ン導電性の固体電解質を用し＼ 銀と遷移金属酸化物よ
りなる複合酸化物として、銀と酸化バナジウムよりなる
複合酸化物に変えてＡｇＭＯＯＳで表わされる銀とモリ
ブデン酸化物よりなる複合酸化物を用いた以外は実施例
１と同様の方法によって小型電源を一体化収納した情報
記憶素子を得た この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存後、その動作特性を検査したとこへ異常はみられ哄
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわがっ九 （実施例４） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、 ３ＡｇＩ・Ａｇ４ＳｉＱ＊で表わされる銀イオ
ン導電性の固体電解質を用（＼ 銀と遷移金属酸化物よ
りなる複合酸化物として、銀と酸化バナジウムよりなる
複合酸化物に変えてＡｇＷＯ５で表わされる銀とタング
ステン酸化物よりなる複合酸化物を用いた以外は実施例
１と同様の方法によって小型電源を一体化収納した情報
記憶素子を得九 この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存後、その動作特性を検査したとこへ異常はみられず、
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわかっ丸 （比較例１） 固体電解質としてＲｂＣｕａＩｔ−ｗＣｌｓ−で表わさ
れる銅イオン導電性固体電解質を用ｔ、Ｘ、電極活物質
としてＣｕ２Ｍｏ＊Ｓ會で表わされる銅のシェプレル相
化合物を用いた全固体二次電池を小型電源として用いた
以外は実施例１と同様の方法で、小型電源を樹脂パッケ
ージ内に一体化収納した情報記憶素子を得九 ただＬ
その際の電極材料重量＆よ 正極 負極とも２ ｏｒｒ
ｔｇとしなこの様にして得た情報記憶素子を１００℃で
３０日保存徽 その動作特性を検査したとこへ 正常に
動作しなかっ九 この情報記憶素子を分解しその不良解
析を行なったとこへ 半導体素子およびパッケージ中に
沃素が検出され 高温保存により固体電解質より遊離し
た沃素が樹脂パッケージ内に拡散していき絶縁不良を起
こすととも圏 シリコン半導体と化合物を作っていたこ
とがわがっ九 （比較例２） 固体電解質としてＬ ｉ４Ｓ １Ｏ４−Ｌ １−ＰＯ４
で表わされるリチウムイオン導電性固体電解質を用（Ｘ
、正極活物質として二硫化チタン（Ｔ ｉ Ｓｔ）を、
負極として金属リチウム箔（４ｍｇ）を用いた全固体二
次電池を構成し小型電源として用いた以外は実施例１と
同様の方法で、小型電源を樹脂パッケージ内に一体化収
納した情報記憶素子を得へただし その際の電極材料重
量（飄 正極 負極とも２０ｍｇとじ九 この様にして得た情報記憶素子を１００℃で３０日保存
眞 その動作特性を検査したとこへ 正常に動作しなか
っ九 この情報記憶素子を分解しその不良解析を行なっ
たとこへ 半導体素子中にリチウムが検出され 高温保
存により固体電解質より遊離したリチウムが半導体中に
拡散していき、半導体パターンに短絡状態を引き起こし
ていたことがわかっ九 な抵 上記各実施例における銀イオン導電性固体電解質
に変えて他の銀イオン導電性固体電解覧例えば４ Ａｇ
Ｉ ・Ａｇ５Ｃｒ２１ｙ、３Ａｇ■・Ａｇ４Ｐ２Ｏｔ
、Ａ ｇ Ｉ−Ａ ｇ ｔＯ−２Ｂ２Ｏ５等を用いても
同様の結果が得られることは勿論であムまた以上の実施
例においては銀イオン導電性固体電解質中のハロゲンと
して沃素を用いた力丈 その他臭素あるいは塩素を用い
たものについても同様の結果が得られることもいうまで
もな（〜発明の効果 以上のように本発明によると、高温での保存等において
も特性が損なわれず、小型電源をパッケージ内に一体化
収納した情報記憶素子を得ることができも
て乳鉢で混合し その混合物を同じくペレット状に加圧
成形し 石英管中に減圧封入して６００℃で４８時間反
応させ、同じく２００メツシユ以下に粉砕することによ
って得へ 固体二次電池用の電極材料ζよ 以上のようにして得ら
れた固体電解質と複合酸化物を重量比で１＝１の比で混
合することによって得九 この電極材料を１０ｍｇを秤
量り、 ４ｔｏｎ／ｃｍ”で４ｍｍｘ２ｍｍに加圧成
形し正極ペレットを得丸 また同様に２０ｍｇを秤量り
、 ４ｔｏｎ／ｃｍ”で４ｍｍＸ２ｍｍに加圧成形し負
極ペレットを得丸以上のようにして得られた電極ペレッ
ト２枚を各々正極 負極として固体電解質１０ｍｇを介
して配し 全体を４ｔｏｎ／ａｍ”で加圧圧接し固体電
池素子を得九 このようにして得られた固体電解質素子を、リードフレ
ームの半導体素子チップの反対側に１２個直列に結線し
全体をエポキシ系の樹脂により１８０℃で硬（Ｉｌ、
バッケージングレ 小型電源を樹脂パッケージ内に
一体化収納した情報記憶素子を得へ この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存後、その動作特性を検査したとこへ異常はみられ云
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわかつ九 （実施例２） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、 ４ Ａｇ Ｉ−ＡｇｔＶｅｏｓで表わされる銀
イオン導電性の固体電解質を用いた以外は実施例１と同
様の方法によって小型電源を一体化収納した情報記憶素
子を得九 この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存徽 その動作特性を検査したとこへ異常はみられず、
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわかつ丸 （実施例３） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、 ３ＡｇＩ・ＡｇｔＭｏＯａで表わされる銀イオ
ン導電性の固体電解質を用し＼ 銀と遷移金属酸化物よ
りなる複合酸化物として、銀と酸化バナジウムよりなる
複合酸化物に変えてＡｇＭＯＯＳで表わされる銀とモリ
ブデン酸化物よりなる複合酸化物を用いた以外は実施例
１と同様の方法によって小型電源を一体化収納した情報
記憶素子を得た この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存後、その動作特性を検査したとこへ異常はみられ哄
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわがっ九 （実施例４） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、 ３ＡｇＩ・Ａｇ４ＳｉＱ＊で表わされる銀イオ
ン導電性の固体電解質を用（＼ 銀と遷移金属酸化物よ
りなる複合酸化物として、銀と酸化バナジウムよりなる
複合酸化物に変えてＡｇＷＯ５で表わされる銀とタング
ステン酸化物よりなる複合酸化物を用いた以外は実施例
１と同様の方法によって小型電源を一体化収納した情報
記憶素子を得九 この様にして得た情報記憶素子を１００℃で１００日保
存後、その動作特性を検査したとこへ異常はみられず、
小型電源を一体化した情報記憶素子が得られていること
がわかっ丸 （比較例１） 固体電解質としてＲｂＣｕａＩｔ−ｗＣｌｓ−で表わさ
れる銅イオン導電性固体電解質を用ｔ、Ｘ、電極活物質
としてＣｕ２Ｍｏ＊Ｓ會で表わされる銅のシェプレル相
化合物を用いた全固体二次電池を小型電源として用いた
以外は実施例１と同様の方法で、小型電源を樹脂パッケ
ージ内に一体化収納した情報記憶素子を得九 ただＬ
その際の電極材料重量＆よ 正極 負極とも２ ｏｒｒ
ｔｇとしなこの様にして得た情報記憶素子を１００℃で
３０日保存徽 その動作特性を検査したとこへ 正常に
動作しなかっ九 この情報記憶素子を分解しその不良解
析を行なったとこへ 半導体素子およびパッケージ中に
沃素が検出され 高温保存により固体電解質より遊離し
た沃素が樹脂パッケージ内に拡散していき絶縁不良を起
こすととも圏 シリコン半導体と化合物を作っていたこ
とがわがっ九 （比較例２） 固体電解質としてＬ ｉ４Ｓ １Ｏ４−Ｌ １−ＰＯ４
で表わされるリチウムイオン導電性固体電解質を用（Ｘ
、正極活物質として二硫化チタン（Ｔ ｉ Ｓｔ）を、
負極として金属リチウム箔（４ｍｇ）を用いた全固体二
次電池を構成し小型電源として用いた以外は実施例１と
同様の方法で、小型電源を樹脂パッケージ内に一体化収
納した情報記憶素子を得へただし その際の電極材料重
量（飄 正極 負極とも２０ｍｇとじ九 この様にして得た情報記憶素子を１００℃で３０日保存
眞 その動作特性を検査したとこへ 正常に動作しなか
っ九 この情報記憶素子を分解しその不良解析を行なっ
たとこへ 半導体素子中にリチウムが検出され 高温保
存により固体電解質より遊離したリチウムが半導体中に
拡散していき、半導体パターンに短絡状態を引き起こし
ていたことがわかっ九 な抵 上記各実施例における銀イオン導電性固体電解質
に変えて他の銀イオン導電性固体電解覧例えば４ Ａｇ
Ｉ ・Ａｇ５Ｃｒ２１ｙ、３Ａｇ■・Ａｇ４Ｐ２Ｏｔ
、Ａ ｇ Ｉ−Ａ ｇ ｔＯ−２Ｂ２Ｏ５等を用いても
同様の結果が得られることは勿論であムまた以上の実施
例においては銀イオン導電性固体電解質中のハロゲンと
して沃素を用いた力丈 その他臭素あるいは塩素を用い
たものについても同様の結果が得られることもいうまで
もな（〜発明の効果 以上のように本発明によると、高温での保存等において
も特性が損なわれず、小型電源をパッケージ内に一体化
収納した情報記憶素子を得ることができも
Claims (4)
- （１）情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に、
銀イオン導電性固体電解質層と、この固体電解質層を介
して配される一対の電極とを有し、これら電極のうち少
なくとも一方の電極が銀と遷移金属酸化物よりなる複合
酸化物を含む全固体二次電池を、外部からの充電が可能
なように一体的に組み込んだことを特徴とする情報記憶
素子。 - （２）銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化物が、Ａｇ
＿ｘＶ＿２Ｏ＿５＿−＿ｙ（ｙは酸素欠損）で表わされ
る銀とバナジウム酸化物よりなることを特徴とする請求
項１記載の情報記憶素子。 - （３）銀イオン導電性固体電解質が、ａＡｇＸ−ｂＡｇ
＿２Ｏ−ｃＭ＿ｍ＿１Ｏ＿ｎ＿１（Ｘ＝Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ
、Ｍ＝Ｗ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂ）で表わされ
る銀イオン導電性固体電解質、またはｐＡｇＸ−ｑＡｇ
Ｍ＿ｍ＿２Ｏ＿ｎ＿２（Ｘ＝Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｍ＝Ｗ、
Ｍｏ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂ）で表わされるハロゲン
化銀と銀の酸素酸塩よりなる銀イオン導電性固体電解質
であることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記憶
素子。 - （４）銀イオン導電性の固体電解質が、ｐＡｇＩ−（１
−ｐ）Ａｇ＿２ＷＯ＿４（０．７≦ｐ≦０．９）で表わ
される、ヨウ化銀とタングステン酸銀よりなる銀イオン
導電性固体電解質であることを特徴とする請求項１、２
又は３記載の情報記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147897A JPH0766830B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 情報記憶素子 |
| DE69018279T DE69018279T2 (de) | 1989-01-24 | 1990-01-23 | Elektrochemische Festkörperzelle. |
| US07/468,555 US4965151A (en) | 1989-01-24 | 1990-01-23 | Solid-state electrochemical cell |
| EP90101322A EP0380058B1 (en) | 1989-01-24 | 1990-01-23 | A solid-state electrochemical cell |
| KR1019900000792A KR920010424B1 (ko) | 1989-01-24 | 1990-01-24 | 고체 상태 전기화학 셀 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147897A JPH0766830B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 情報記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311763A true JPH0311763A (ja) | 1991-01-21 |
| JPH0766830B2 JPH0766830B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=15440623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147897A Expired - Lifetime JPH0766830B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-06-09 | 情報記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766830B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090982A1 (ja) * | 2003-04-04 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電池搭載集積回路装置 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1147897A patent/JPH0766830B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090982A1 (ja) * | 2003-04-04 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電池搭載集積回路装置 |
| US7253494B2 (en) | 2003-04-04 | 2007-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Battery mounted integrated circuit device having diffusion layers that prevent cations serving to charge and discharge battery from diffusing into the integrated circuit region |
| CN100358144C (zh) * | 2003-04-04 | 2007-12-26 | 松下电器产业株式会社 | 搭载电池的集成电路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766830B2 (ja) | 1995-07-19 |
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