JPH03119738A - ２層ｔａｂの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子部品に実装される２層ＴＡＢ　　（Ｔｗ。

Ｌａｙｅｒｓ　丁ａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ　）の製造方法に係るものである。

（従来の技術） 近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発が急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、特に
ＩＣパッケージにおける小型化と多様化が重要な課題と
して開発が進められている。このような素子実装技術の
進歩に伴って、小型ＩＣパッケージにおける多ピン化の
要求に応え得るような微細なピン間隔が望まれている。

ＴＡＢはポリイミド等のテープ状合成樹脂フィルム基板
上に多数のボンディング用金属細密リードパターンを施
したものであり、その特徴としては、テストパッドを有
しているので、ボンディング後にボンディング不良やチ
ップ不良を基板実装前に発見でき、またワイヤーボンデ
ィングに比しＩＣパッドの大きさが小さくてよく、−層
の多ピン化が可能であるなどその利点が多い。

ＴＡＢはその構造上からＩＩＴＡＢ　、２層ＴＡＢ及び
３層重ＡＲの３種類に大別される。１層重ＡＢはパター
ニング処理を施した銅箔等の金属テープのみによって構
成されるものを云うが、金属層自体の厚みがせいぜい数
十μｍ程度であるために機械的強度に乏しく、施し得る
ピン数に限界があるので高密度化に適さない。この１層
ＴＡＢの欠点を補うためにグラスチックフィルム基板上
に接着剤を用いて金属箔を張り合せた後、金属箔にパタ
ーニング処理を施した３層ＴＡＢが開発されたが、この
３層ＴＡＢにおいては中間層として使用する接着剤の影
響によって、基板にポリイミド樹脂のような絶縁性の高
いプラスチックフィルムを使用していても、ピン間の絶
縁性を十分に確保することができないと云う欠点を有す
る。

２層重ＡＲは、プラスチックフィルム基板表面に接着剤
によらず、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によっ
て直接金属層を形成させて、これにパターニング処理を
施したものであって、接着剤を使用しないので、電気絶
縁性についての問題を生ずることなく安定的に使用する
ことができるので将来性が期待されている。

この２層ＴＡ８表面のパターニング処理によってリード
を形成する方法には、前述したようにスパッター法、真
空蒸着法の如き乾式表面処理法、または無電解めっき法
の如き湿式表面処理法を用いてプラスチ・ツクフィルム
基板表面に被着させた下地金属層上に、形成させようと
するリードの厚み以上の厚さに感光性レジストを塗布し
ておき、この上にマスキングを施して、露光、現像処理
を行なうことによりレジストパターンを形成した後、電
気めっきによりリードを形成するアディティブ法と、下
地金属層に予めリードの厚みまで電気めっきにより金属
層を形成しておいて、前記と同様な手法でレジストパタ
ーンの形成を行ない、これにエツチングを施すことによ
ってリードを形成するサブトラクティブ法とがある。

何れの場合においても、基体として用いるプラスチック
フィルム基板としては、電気絶縁性が高くまた熱安定性
に優れたポリイミド樹脂が使用され、また被着金属層に
は安価で電気伝導性鋼が通常使用される。

このようにして得られた２層ＴＡＢをＩＣチップに連続
的にボンディングするためには、テープ送り用の送り穴
（以下「スプロケットホール」と称する）、リード先端
を露出させてＩＣチップと接合させるための穴（以下「
デバイスホール」と称する）、リード後端部を外部回路
に接続するための穴（以下ｒ　０１Ｂホール」と称する
）を化学的エツチングにより設けることが必要である。

これらの各ホールはテープのポリイミド側上にレジスト
パターンを形成した後、これによって生じるポリイミド
樹脂の露出部を溶解することによって形成する方法が一
般的であるが、先に形成したリード側にもポリイミドの
露出部があるためリード形成直後に、ポリイミドのエツ
チング液に耐えられるような有機樹脂層を塗布してリー
ド側のポリイミドを保護する必要がある。通常この有機
樹脂層の形成は液状の樹脂を塗布したのちに、これを硬
化させる方法が採られており、ポリイミドのエツチング
液には通常強アルカリ液が用いられることから、有機樹
脂液としてはゴム系、エポキシ系の樹脂が一般的に用い
られている。

（発明が解決しようとする課題） しかして有機樹脂液をリード側に塗布し、これによって
保護層を形成する場合に、塗布した有機樹脂に強度を持
たせるために加熱乾燥処理を施すことによって溶剤の除
去をはかる必要があるが、多くの場合において、この乾
燥処理には１００℃以上の温度での加熱が必要である。

このような高温での乾燥処理の結果溶剤除去の目的は達
成されるものの、この際に樹脂層自体が収縮を起して、
その結果これがポリイミド基板の変形を引き起して爾後
の加工作業を困難にするだけでなく、ときとしてはリー
ドの変形をもたらして製品の歩留まりを著しく低下させ
る原因となった。

本発明はリード保護に際しての上記したような問題を解
決し、従来の有機樹脂層に代わる優れた保護層を得る方
法を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 上記したような目的を達成するための本発明はポリイミ
ドフィルムの片面または両面に接着剤を用いることなく
下地金属層を形成したものを基体として２層ＴＡＢを得
るに際し、該基体の上面にリードを形成した後、基体の
リード形成面全体をリードとして使用する金属材料とは
異なった性質の第２の金属材料による金属膜で被覆し、
しかる後さらに基体全面に亘って金属層を形成させ、次
に基体下面のポリイミド層の溶解加工を行なった後、基
体上面の金属層を溶解除去することを特徴とする２層Ｔ
ＡＢの製造方法である。

（作用） 次に本発明による２層重Ａ８の製造方法についてその詳
細および作用について説明する。

第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の２層ＴＡＢの製造
方法の概略を工程順をおって図示した説明図であり、第
２図は本発明゛によって得られた２層ＴＡＢの一例を示
すものの外観を示す部分平面図である。

第１図（ａ）は第２図におけるＸ−Ｙ断面に、また（ｂ
）はＸ’−Ｙ’断面に相当する部分の断面図である。

第１図（ａ）および（ｂ）における左右同列に示される
図面は同一工程での各断面の状態を示すものである。な
お、本説明においては基体としては片面に下地金属層を
形成したポリイミドフィルム基板を用い、リード形成法
としてセミアデイティブ法を採用した場合を例にとった
。

図において、１は上面下地金属層、２はポリイミド樹脂
基板、３および４はそれぞれ上面下地金属層１およびポ
リイミド基板２下面に形成された感光性レジスト層であ
る。５は上面のレジス１〜層３に主としてリードを形成
するためのマスキングを施し、露光現像することによっ
て形成させたレジスｉ・パターンである。６はレジスト
パターン５の下地金属層１露出部に電気めっきを施すこ
とによって形成されたリードパターンである。７は下面
のレジスト層に所定のポール形成のためのパターンが得
られるようにマスキングを施して露光現像して得られた
レジストパターンである。

８はレジストパターン５を除去後、リードパターン６の
間隙にある下地金属層１を溶解除去して電気的に独立し
た状態に形成したリードである。

９はリード８の表面全体に亘って電解することによって
形成した金属膜である。１０は基体上面に亘って形成さ
れた金属層である。

１１．１２、および１３はそれぞれレジストパターン７
に従って露出しなポリイミド層を溶解除去して形成され
たデバイスホール、叶Ｂホールおよびスプロケットホー
ルである。

次に本発明の２層ＴＡＢの製造方法について工程順に説
明する。

先ず初めに金属層１をポリイミド樹脂フィルム基板１の
片面（上面）に形成する。本発明においては基本的に、
基体として上面に下地金属層１を接着剤なしで被着形成
させたテープ状のポリイミド樹脂フィルムを使用するも
のである。

ポリイミド樹脂基板２の上面に形成する接着剤なしの下
地金属層１は該基板表面にスパッタ法、真空蒸着法、無
電解めっき法を適用するか、あるいはこれらの方法を組
み合わせることによって金属層の形成を行なうか、また
さらにこのようにして得られた金属層にさらに電解めっ
きを施してもよい。要はポリイミド樹脂２上に接着剤を
施すことなくして、直接的に金属層を確実に被着するこ
とが出来るものであれば、何れの方法を採用してもよい
。

下地金属層１に用いられる金属材料は、電気的性能、コ
スト面から一般には銅が採用されるが、ポリイミド層と
銅層との間にクロ、ニッケル等の薄膜を形成させること
により、その被着強度その他の性質の改善をはかるよう
にしてもよい。

下地金属層１の厚みはリードパターン形成に際して行な
われる金属電気めっき時に前処理として行なわれるソフ
トエツチングに耐え得るような厚みであればよく、特に
その厚みに制限はないが後述するようなリード部独立形
成のための下地金属層１の部分的な溶解工程の作業性に
鑑み、０５〜２μｍの範囲にあることが望ましい。

次に下地金属層１上に感光性レジスト層３を塗布する。

これに用いるレジストはリードの厚さが３５μｍである
ことが要求されることから、それ以上の厚塗りが可能で
あるものであればよい。

レジストの種類は上記の如く厚塗りが可能であって、且
つリードパターン形成に際して使用される電気めっき液
に耐え得るものであれば一般市販のもので十分であり、
アクリル樹脂等に感光性の官能基を付与して光照射部分
が現像時に未溶解部分として残存するネガ型レジスト、
ノボラック樹脂等に感光性の官能基を付与して光照射部
分が現像時に溶解するポジ型レジストがあるが、両者は
フォトマスクのパターンを反転することによって何れの
タイプのものでも使用することができる。

また、状態としては液状のものでも固形化したドライフ
ィルム形態のものでも使用が可能である。

液状レジストを用いる場合には塗布方法としてバーコー
ド法、ディップコ−１・法、スピンコード法等の一般的
塗布方法のほかにレジスト液を帯電させて噴霧状にして
塗布を行なう静電塗装法でもよい。またリード形成に用
いられる電気めっき液に耐え得ることも必要である。

次にポリイミド下面に感光性レジストを塗布しレジスト
層４を形成させる（工程（イ））。ポリイミド面上に形
成されるレジスｊ・層４はポリイミド溶解除去に際して
使用される溶解液に耐え得るものであればよい。一般的
にポリイミド溶解液は強アルカリ性であるから、ゴム系
レジストが好適である。レジスト層４の厚さも特に制限
はないが、溶解後のポリイミドのパターン精度を考慮に
いれるならば２〜１０μｍ程度とすることが望まれる。

一般的にレジストによりパターンを形成するにはレジス
ト塗布後にレジスト中に含まれる溶剤をパージしてやる
必要がある。これはレジスト自体に強度をもたせるため
と、基板とレジストの密着性を高める効果を有する。溶
剤の除去は通常加熱乾燥によって行なわれるが、その際
の処理温度はレジストの解像度を低下させない範囲の温
度で行なわれる。また、露光、現像により形成したパタ
ーンをより強固にするために、前述した溶剤除去のなめ
に行なわれる乾燥処理温度よりも高い温度で加熱処理を
行なう方法が採られる。

次にレジスト層３、レジスト自体４にそれぞれ適量の光
フォトマスクを介して照射し、最初にレジスト層３を現
像して下地金属層１上にレジストパターン５を形成する
。レジストの感光に用いる光はレジストの特性によって
決定されるが通常紫外線が使用される。また、ここで云
うフォトマスクとはガラスや透過性のプラスティックフ
ィルムに銀等を含む乳剤やクロム等の金属を焼き付けた
ものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
る密着露光法とレジスト面とフォトマスクを平行に一定
の距離を隔てて行なう投影露光法があるが本発明におい
ては何れの方法を利用してもよい。

次に基体上面に形成したレジストパターン５に従って生
ずる下地金属層１の露出部に電気めっきによりめっき金
属を積層させてリードパターン６を形成し、基体下面の
レジスト層４を現像してレジストパターン７を形成する
（工程（ロ））。

次にレジストパターン５を除去し、リードパターン６の
下地金属層を溶解してリード８を形成する（工程（ハ）
）。このようにして基体上面にリード８を形成した後、
リード８の表面を金属膜９で被覆する。リード８の被覆
に用いる金属膜９はリード自体が電気的な導通性を有し
ているので電気めっきによって析出し得る金属により形
成される。−例としてリード８を銅により形成した場合
には、金属膜を形成する金属材料としては金、銀、ニッ
ケル、錫、鉛、亜鉛等が考えられる。

次に被覆されたり−ド８および上面のポリイミド露出部
を金属層１０によって、全面的に被覆する（工程（ニ）
）。金属層１０はリード８上に形成された金属膜９と上
面のリード８間に露出しなポリイミド上に万遍なく形成
させるものである。従ってその形成法は電気的手法によ
らず、スパッタ法、真空蒸着法、無電解めっき法等が適
している。金属層１０を形成するための金属材料として
は、このような形成法によって金属層の積層が可能なも
のならばよく、銅、金、銀、ニッケル、クロム等が挙げ
られる。また金属層１０の形成は上記の如き形成法を単
独で行なってもよく、組み合わせてもよい。

またこのようにして金属層を薄膜状に形成しておき、さ
らに電気めっきによって同種あるいは異種金属を薄膜上
に形成してその厚みを増すようにすることも考えられる
。要するに基体上面にある程度の強度を持つ金属層１０
を形成すればよいのである。

リード８、金属膜９および金属層１０を形成するための
金属材料種類の組み合わせ方については、リード８を形
成するための金属材料と金属Ｍ９を形成する金属材料に
ついては必ず異種のものを用いる必要があるほかは特に
これといっな制限はない。即ち、リード８を形成する金
属材料と金属層を形成する金属材料とは同種でも異種で
もよく、また同様に金属膜９を形成する金属材料と金属
層１０を形成する金属材料とが同種でも異種でもよい。

次に下面の露出したポリイミドを溶解せしめてデバイス
ホール１１、叶８ホール１２およびスプロケットホール
１３を形成するく工程（ホ））。ポリイミドの溶解は抱
水ヒドラジン、水酸化アルカリ溶液等の強アルカリ性溶
液を単独、あるいは混合したりさらにメチルアルコール
、エチルアルコール、グロビルアルコール等を混合した
溶液で行なうのが一般的である。

次にレジストパターン６を除去後、金属層１０を除去す
る（工程（へ））。この際、金属膜、９を金属層１０と
同時に溶解せしめてから用途に応じて再度リード８を別
の金属で被覆しても差し支えない。

金属膜９および金属層１０の溶解は通常塩酸、硫酸、硝
酸などの酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅溶液などの金属
塩化物溶液、過硫酸アンモニウム溶液などの過酸化物溶
液で行なうのが一般的である。

以上ポリイミド樹脂基板の上面に接着剤を施さずに下地
金属層を形成したものを基体として使用し、セミアデイ
ティブ法によって、リードを形成する場合について述べ
たが、前置てポリイミド基板の片面にリードと同様な厚
みの金属層を接着剤なしで形成し、そのうえにレジスト
パターンを形成して露出した金属層をエツチングしてリ
ードを形成するサブトラクティブ法を採用して場合でも
リード形成後の手順は前記セミアデイティブ法を採用し
た場合と同様な方法を採ることができることは云うまで
もない。また、リード形成方法はアディティブ法、サブ
トラクティブ法何れの方法の適用も可能であるので、本
発明の方法は２層ＴＡＢの製造に極めて適した方法であ
ると云うことができる。

尚、上記の説明はポリイミドフィルムの片面における形
成方法に関するものであるが、これを両面における形成
に応用することも容易にできる。

（実施例） 次に本発明の実施例について述べる。

実施例１ １５■ｘ　１５ｃｍの大きさのポリイミド樹脂フィルム
状基体（東し・デュポン社製、カプトン２００　Ｈ１厚
さ５０μｍ）の上面に対し、硫酸銅１０ｇ／’ρ、ＥＤ
ＴＡ６０ｇ／’、１１　、ホルマリン６ｍ１２／’、ｆ
）　、ジピリジル３０■／′ρ、ポリエチレングリコー
ル０．５　ｇ／’、１１の組成を有する無電解銅めっき
液を用いてｐＨ１２，５として７０℃で１０分間の浸漬
処理を行ない、銅の無電解めっき被覆を形成した後、さ
らに硫酸銅１００ｇ／’ｆＪ　、硫酸１８０　ｇ／’Ｊ
　、の組成を有する電気銅めっき液を用いて電流密度２
Ａ／’ｄｍ２で電解を行ない上面に厚さ１μｍの銅によ
る金属層を形成した。

次にその上面にＰＨＥＲ・ＨＣ６００（東京応化社製、
ネガ型フォトレジスト）を約４０μｍの厚さに、またポ
リイミド基体下面にＦＲ３（富士薬品社製、ネガ型フォ
トレジスト）を約７μｍの厚さにそれぞれバーコーター
を用いて塗布し、それぞれ７０℃で３０分間乾燥処理し
た後、上面のレジスト層には４８隋Ｘ　４８＋ｎｍの大
きさで、インナーリードピッ千１６０μｍ、インナーリ
ード巾７０μｍ、リード数２４４本の丁Ａ８パターンを
田の字形に配列して形成したガラス製のフォトマスクを
レジスト面に密着させて９００ｍＪの紫外線を照射し、
下面のレジスト層には上面と同様の大きさのガラス製で
、上面のＴＡＢパターンに対応したデバイスホール１個
、叶Ｂホール４個、スプロケットホール１６個８個を形
成したフォトマスクを密着させて１００ｍＪの紫外線を
照射して露光を行なった。なお紫外線の照射は超高圧水
銀灯（オーク製作所社製）を使用しな。

次に上面のレジスト層をＰ）ｌＥＩ’？現像液（東京応
化社製）を用いて２５℃で７分間現像して所定のパター
ンを得た後、１１０℃で３０分間の加熱処理を行なった
。続いて銅の露出部に電流密度２Ａ／’ｄｍ２で５０分
間の電気銅めっきを施して厚さ約３５μｍのリードパタ
ーンを得な。鋼上の残留レジストを水酸化ナトリウム４
％溶液を用いて５０℃で１分間処理することによって除
去した後に、上面のリード間にある下地金属層をアンモ
ニア系アルカリ性溶解液でエツチング処理してリードを
電気的に独立した状態にした。しかる後に金めつき液（
ＮＥケムキャット社製）　、　Ｎ−４４）を用いて電流
密度ＩＡ／′ｄｍ２で３分間処理してリード表面に約２
μｍの金を析出させた。次に前述した無電解銅めっき液
で基体上面全体に銅被覆を形成し、さらにその上に電気
銅めっきによって銅層の厚みが約１０μｍになるように
厚みの増加調整を行なった。これらの処理によって基体
の歪変形は何等認められなかった。

次に下面のレジスト層をＦＩ？Ｓ−Ｄ　　（富士薬品社
製）を用いて２５℃で５０秒間現像しな後１３０℃で３
０分間の後加熱処理をした。次にエチルアルコールと水
酸化カリウム１規定溶液を容量比で１：１に混合した混
合液を使用して、５０℃で４分間露出しなポリイミドの
溶解を行ないデバイスホール、叶Ｂホール、スプロケッ
１へホールの各貫通ホールを形成し、次いで残留するレ
ジストをＦＲ３＃Ｉ離液（富士薬品社製）を用いて７０
℃で１５分間処理することにより除去した。

次に上面の銅層を５％過硫酸アンモニウム溶液を用いて
５０℃で７分間溶解して先に形成した金めつきで被覆し
たリードを露出させた。露出したリードには何部変形の
形跡もなく無電解めっきを施す以前のリードの状態と何
等変りがなかっな。

実施例２ 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として使用し、その上面にスパッタ法により０
．２５μｍの厚さの下地銅層を形成し、更に電気銅めっ
きによって厚さを１μｍに調整した基体を用い、実施例
１と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１と
同様な性能を有する２層ＴＡＢを得ることができた。

実施例３ 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを基体として用い、その上面に厚さ１μｍの銅下地層
を形成し、さらにその上に電気銅めっきによって銅層の
厚さが３５μｍになるように銅を析出させた。基体上面
の銅層上に門ＥＲＨ・ＨＣ４０（東京応化社製、ネガ型
フォトレジスト）を約５μｍの厚さに、また基体下面に
ＦＳＲ（富士薬品社製、ネガ型フォトレジスト）を約７
μｍの厚さに、それぞれバーコーターを用いて塗布し、
それぞれを７０℃で３０分間乾燥処理を施した後に実施
例１と同様なＴＡＢパターンを有するフォトマスクを施
して、上面のレジスト層には２００ｍＪ　、下面のレジ
スｉ・層には１００ｍＪの紫外線を照射した。次に上面
のレジストをＰ）ＩＥＲ現像液（東京応化社製）を使用
して２５℃で２分間現像を行ない所定のレジストパター
ンを形成し、これを１１０℃で３０分間の加熱処理した
。次に上面の銅の露出部を塩化銅２００ｇ／′１溶液を
用いて５０℃で１０分間処理することによって溶解して
リードを形成した。鋼上の残留レジストを水酸化ナトリ
ウムｔ１％溶液を用いて５０℃で１分間処理して除去し
た。

続くリードの金めつき、基体上面の銅被覆の形成、基体
下面のレジストパターンの形成、ポリイミドの溶解、基
体下面の残留レジストの剥離、基体上面の銅層の溶解を
実施例１と同様の手順で行なったところ、実施例１で得
られたと同様の２層ＴＡＢを得ることが出来な。

実施例４ 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂を基体
として使用し、リード形成までを実施例１と同様の手順
で行なった後、リード表面に電気ニッケルめっきにより
、金属ニッケルを約２μｍの厚さに析出させた。次に基
体上面全体に無電解銅めっきで銅層を形成し、さらにそ
の上に電気銅めっきで金属層を形成後に基体下面のレジ
ストパターンの形成からポリイミドの溶解までを実施例
１と同様手順で処理を行ない、その後基体上面に形成し
た金属層を溶解除去して２層ＴＡＢを製造したところ、
実施例１と同等のものが得られた。

実施例５ 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂を基体
として使用し、リード表面の金めつきによる被覆までを
実施例１と同様の手順にて行なった後、基体上面全体に
無電解ニッケルメッキで常法によりニッケルめっき層を
形成し、さらにその上に電気ニッケルめっきにより約５
μｍのニッケル層を形成し、基体下面のレジストパター
ンの形成からポリイミドの溶解までを実施例１と同様手
順で処理を行ない、その後基体表面に形成したニッケル
金属層を溶解除去して２層ＴＡＢを製造したところ、実
施例１と同等のものが得られた。

比較例 １５ａｙ＋Ｘ１５（７）の大きさのポリイミド樹脂フィ
ルム状基体（東し・デュポン社製、カプトン２００　）
１、厚さ５０μｍ＞４ピースを用い、各ピースの上面に
対して、硫酸銅１０ｇ／’、ｌ！　、　ＥＤＴＡ６０ｇ
／’ρ、ホルンＪ　ン６　ｍＱｉ’Ｄ　、ジヒリジル３
０ｍｚ／’、ｌｌ　、；ｔ”）　工＋Ｌｙングリコール
０．５　ｇ／’ρの組成を有する無電解銅めっき液を用
いてｐＨ１２，５として７０℃で１０分間の浸漬処理を
行ない、銅の無電解めっき被覆を形成した後、さらに硫
酸銅１００　ｇ／’ρ、硫酸１８０　ｇ／’ρ、の組成
を有する電気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／’ｄｍ
２で電解を行ない上面に厚さ１μｍの銅による金属層を
形成しな。次にその上面にＰＨＥＲ。

ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型フォトレジスト）を
約７μｍの厚さにそれぞれバーコーターを用いて塗布し
、それぞれ７０℃で３０分間乾燥処理した後、上面のレ
ジスト層には４８ｍｍ　Ｘ　４８ｍｍの大きさで、イン
ナーリードピッチ１６０μｍ、インナーリード巾７０μ
ｍ、リード数２４４本のＴＡＢパターンを田の字形に配
列して形成したガラス製のフォトマスクをレジスト面に
密着させて９００ｍＪの紫外線を照射し、下面のレジス
ト層には上面と同様の大きさのガラス製で、上面のＴＡ
Ｂパターンに対応したデバイスホール１個、叶Ｂホール
４個、スプロケットホール１６個８個を形成したフォト
マスクを密着させて１００ｍＪの紫外線を照射して露光
を行なった。なお紫外線の照射は超高圧水銀灯（オーク
製作所社製〉を使用しな。

次に上面のレジスト層をＰ）ＩＥＲ現像液（東京応化社
製）を用いて２５℃で７分間現像して所定のパターンを
得、／、：後、１１０℃で３０分間の後加熱処理を行な
った。続いて銅の露出部に電流密度２Ａ／’ｄｍ２で５
０分間の電気銅めっきを施して厚さ約３５μｍの埋する
ことによって除去した後に、上面のリード間にある下地
金属層をアンモニア系アルカリ性溶解液でエツチング処
理してリードを電気的に独立した状態にした。しかる後
に上面全体に前述しなＦＲ３を約２０μｍの厚さに塗布
し、１３０℃で３０分間乾燥を行なったところフィルム
が上面側に凹面状態に変形し、４つの丁ＡＲピースのう
ち、１つはＰＳＨの変形によって、インナーリードが変
形し、さらにもう一つはＦＳＩ？の一部に亀裂が発生し
て上面のポリイミドが露出し次工程のポリイミド溶解時
に表面側のポリイミド露出部が溶解していずれも製品化
できなかった。即ち最初に投入した４ピースのうち２ピ
ースは完成品とならず歩留まりは５０％であった。

（発明の効果） 以上述べたように、本発明による２層ＴＡＢの製造方法
によれば、２層ＴＡＢの従来の製造方法におリードの変
形などによる製品歩留まりの低下を解消し得るのでその
効果は絶大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による２層ＴＡＢの製造方法についてそ
の概略を工程ｊ１＠に示した説明図、第２図は本発明に
よって得られた２層ＴＡＢの外観平面図である。 １・・・下地金属層、２・・・ポリイミド基体、３・・
・しシスト層、 ４・・・レジスト層、 ８・・・リード、 ９・・・金 属膜、１０・・・金属層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ポリイミドフィルムの片面または両面に接着剤を
   用いることなく下地金属層を形成したものを基体として
   ２層ＴＡＢを得るに際し、該基体の上面にリードを形成
   した後、基体のリード形成面全体をリード形成用の金属
   材料とは異なった性質の第２の金属材料による金属膜で
   被覆し、しかる後にさらに基体全面に亘って金属層を形
   成させ、次に基体下面のポリイミド層の溶解加工を行な
   い、次いで基体上面の金属層を溶解除去することを特徴
   とする２層ＴＡＢの製造方法。