JPH04176186A - 両面配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子部品に実装される両面配線板の製造方法に
係り、さらに詳しくは絶縁性樹脂基体の両面に配線を有
するフレキシブル配線基体の製造方法に関するものであ
る。

（従来の技術） 近年、エレクトロニクス産業界においては低価格、高信
頼度を有する多機能装置の開発か急速に進められており
、これによる高機能、高密度素子の出現に伴って高信頼
性、多機能を有し、かつ軽量、薄型の小型デバイスに対
する要求が高まってきている。これに従って、新しい素
子実装技術の開発が日増しに重要さを加えており、プリ
ン１〜配線基板においても以前のガラスエポキシ基板や
フエノール樹脂基板のような厚みのある、しかもリジッ
ドな配線基板では軽量、薄型のデバイスに対する要求に
応じることが出来なくなり、エンジニアリングプラスチ
ック等の高性能でしかもフレキシビリティの高いフィル
ム状の基板に配線を形成したいわゆるフレキシブル配線
板か主流を占めるようになってきている。

しかしたがら、フレキシビリティの高いプラスチックフ
ィルムに直接的に配線材料である銅のパターンを効率よ
く形成することは技術的に極めて困難であるために、そ
の代替技術として、予め銅箔を接着剤を使用してプラス
チックフィルムに接着し、以後レジストパターン処理技
術とエツチング技術を用いてプラスチックフィルム上に
配線パターンを形成する方法が一般的に採られていた。

しかし、使用するプラスチックとして例えばポリイミド
フィルムを使用した場合などにおいては接着剤の耐熱特
性が著しく低いなめに、これを製品として使用する場合
に、ポリイミドフィルムの持つ優れた耐熱特性を効果的
に発揮することが出来なかった。

ところが最近に至り、以下に示すようにプラスチックフ
ィルムに接着剤に依らずに直接的に金属層を形成させる
幾つかの方法が開発されるに至った。その方法としては
、 （１）プラスチックフィルム上にスパッタリング法、真
空蒸着法、ＣＶＤ法などの乾式金属膜形成法によって金
属膜を被覆する方法。

（２）プラスデックフィルム上に無電解めっきなどの湿
式金属膜形成法によって金属膜を被覆する方法。

（３）金属箔上にプラスチックフィルｊ＼を形成する樹
脂成分の前駆体を層状に形成しておいて加熱処理を施す
ことによって該前駆体をプラスチックフィルムに変える
方法。

などがある。そしてこれらの方法を実施することによっ
て要求に応じたフレキシブル配線板の製造が可能になっ
た。

しかしたがら、近年益々実装技術の高密度化傾向が顕著
となるに至り、基板両面の配線化および両面配線の一部
をスルーポールによって接続することにより多機能化す
ることが求められている。

またさらに基板に対する高密度化の要求の高まりによっ
て、配線板における配線パターンにおけるリード幅の一
層の極小化も要求されている。

〈発明が解決しようとする課題） 以上のようなリード幅の極小化の要求は今後型々激しく
なることが予想されるかこのようなリード幅の極小化に
よって両面の配線間にスルーホールを機械的に形成する
ことは極めて困難となる。

従って、スルーホールを精度よく形成することができる
化学的な手法による加工技術を確立することが要望され
ている。

本発明は上記の要望に基づきなされたものであって、化
学的な手法によって基板両面の配線を微小なスルーホー
ルによって接続させた両面配線板を得るための新規な方
法を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するための本発明は、次に示すような
基本工程により構成される。

即ち本発明による両面配線板の製造方法は、ポリイミド
等の電気絶縁性合成樹脂（以下「絶縁性樹脂」という）
フィルムの両面に接着剤を用いることなく金属層を形成
したものを基体とし、該基体両面の金属層上に感光性レ
ジスト層を形成した後、基体上面におけるレジスト層に
は主として所定の配線パターンを有するフォトマスクを
、また基体下面におけるレジスト層には主として所定の
ビアホールパターンを有するフォトマスクを施して、光
を照射した後両面のレジスト層を現像し、該基体の両面
にそれぞれの形状のレジストパターンを形成せしめる工
程と、基体上面に形成したレジストパターンに従って基
体上面に配線形成処理を施すことによって基体上面に所
定の配線を形成する工程と、基体下面に形成したレジス
トパターンに従って下面のビアホールに相当する部分の
金属層を溶解して絶縁性樹脂を露出させた後、該絶縁性
樹脂の露出部を溶解して所定のビアホールを形成する工
程と、ビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形成
した後、該金属薄膜層上に再び感光性レジスト層を形成
し、該レジスＩ−層上に所定の配線パターンを有するフ
ォトマスクを施して光を照射した後現像して基体下面に
レジストパターンを形成し、該レジストパターンに従っ
て配線形成処理を施すことによって基体下面に所定の配
線を形成する工程とよりなり、基体上下面に形成した所
定の配線を絶縁性樹脂基体に形成したビアホールによっ
て電気的に導通させることによってスルーホールの形成
を行なうことを特徴としたものである。

本発明において、基体上面に施される配線の形成処理は
予め基体上面に施される金属層の厚みによって異なる方
法が採用される。

即ち基体上面に施される金属層を薄層のいわゆる下地金
属層とした場合には、基体上面に形成したレジストパタ
ーンに従って露出した該下地金属層上に電気めっきによ
って金属めっき層を積層させて、該積層金属層に、よる
配線面形体を形成した後、該基体上面のレジストおよび
その下に存在する下地金属層を溶解して配線を形成する
いわゆるセミアデイティブ法が適用され、まな基体上面
に施される金属層の厚さを最初から所望される配線の高
さに匹敵するような厚さにして形成した場合には、基体
上面に形成したレジストパターンに従って露出した金属
層をエツチングした後、非エツチング金属層上のレジス
トを溶解除去するのみで配線が形成されるいわゆるサブ
トラクティブ法が採用される。

また絶縁性樹脂基体に対するビアホールの形成は、基体
下面に形成したレジストパターンに従って露出した金属
層をエツチングして絶縁性樹脂部を露出させ、該絶縁性
樹脂の露出部を溶解除去するいわゆるエツチング法によ
るか、またはレジストパターンに従って露出した金属層
上に電気めっきによって金属めっき層を積層させて該積
層金属による金属パターンを形成させた後、該レジスト
およびレジスト下に存在する金属層を溶解除去して、こ
れによって露出した絶縁性樹脂を溶解除去するいわゆる
セミアデイティブ法によるが、さら−１１，− に他の方法として、下面に形成したレジストパターンに
従って露出した金属層をエツチングして絶縁性樹脂部を
露出させた後、レジストパターンを除去してレジスト下
の金属層を露出させ該露出金属層上に電気めっきによっ
て金属めっき層を積層し、絶縁性樹脂の露出部を溶解除
去するエツチング法とセミアデイティブ法との併用法に
よるかのいずれかの方法を採用して行なうことができる
。

本発明は上述したように基体の上面および下面の両面に
配線を形成し、上面の配線と下面の配線とをビアホール
を介して部分的に導通させるものであるが、基体下面に
おける配線の形成は、ビアホール形成後の基体下面に金
属薄膜層を形成し、該金属薄膜層上に再度感光性レジス
ト層を形成して、該レジスト層上に所定の配線パターン
を有するフォトマスクを施して露光、感光を行なうこと
によって再度レジストパターンを形成し、このようにし
て再度形成したレジストパターンに従って露出した金属
薄膜層上に電気めっきによって金属めっき層を積層した
後レジスト層を溶解除去し、これによって露出したレジ
スト下の金属薄膜層およびその下に存在する金属層を溶
解除去するセミアデイティブ法によるか、またはビアホ
ール形成後の基体下面に形成した金属薄膜層上に直ちに
電気めっきによる金属めっき層を積層して積層金属層を
形成し、しかる後上記と同様の手順で再度レジストパタ
ーンを形成し、該レジストパターンに従って露出した積
層金属層を溶解除去し、さらに残存するレジストを溶解
除去するサブトラクティブ法によるかのいずれかの方法
か採用される。

上記したように、基体上下面における配線の形成、絶縁
性樹脂に対するビアホールの形成にはそれぞｈ幾つかの
形成手段があるが、本発明においてはこれらの各手段を
適宜組み合わせることによって所期の性能を有する両面
配線板を容易に得ることができる。

（作用） 次に本発明による両面配線板の製造方法についての詳細
とその作用を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の両面配線板の製造方法についての基本
工程図を示したものである。

第１図に示したように本発明の工程は絶縁性樹脂フィル
ムの両面に接着剤によらずに金属層を形成してこれを基
体として、該基体の両面にそれぞれの配線の形成および
ビアホール形成のための各レジストパターンを形成する
工程、基体上面に形成されたレジストパターンに従って
行なわれる上面配線の形成工程、基体下面に形成された
レジストパターンに従って行なわれるビアホールの形成
工程およびビアホール形成後の基体下面に対して行なわ
れる下面配線の形成工程の各工程よりなるものであり、
また各工程中において行なわれる配線形成手段としては
セミアデイティブ法およびサブトラクティブ法の何れか
を、またビアホール形成手段にはエツチング法、セミア
デイティブ法、またはこれら両者の併用法の何れかを選
択して行なうものである。

第２図（ａ）、（ｂ）および第３図（ａ）、（ｂ）はそ
れぞれ本発明による両面配線板において上面配線をセミ
アデイティブ法およびサブトラクティブ法によって実施
した場合における加工工程の概略を工程順を追って図示
した工程説明図であり、第４図は本発明によって得られ
た両面配線板の１例を示すものの外観を示す部分平面図
である。

第２図および第３図における（ａ）は第４図におけるＸ
−Ｙ断面に、また（ｂ）はＸ＝Ｙ′断面に相当する部分
の断面図である。

第２図および第３図における（ａ）、（ｂ）の左右同列
に示される（伺乃至（ト）は同一工程での材料断面の状
態を表したものである。

また、工程説明図中第２段目における（口）はビアホー
ル形成のための基体下面の銅層パターンをエツチング法
によった場合の、（口゛）はセミアデイティブ法によっ
た場合の、また（口“）はエツチング法とセミアデイテ
ィブ法とを併用した場合の断面図を、また、第５および
第６段目における（ホ）および（へ）は下面配線の形成
をセミアデイティブ法で行なった場合の、（ホ“）およ
び（へ°）はサブトラクティブ法で行なった場合の断面
を示すものである。

第５図は本発明において基体上面に施される配線パター
ン形成用フォトマスクの一例を、また第６図および第７
図はそれぞれビアホールパターン形成用のフォトマスク
の例を示したものである。

またさらに第８図および第９図はそれぞれ本発明におい
て基体下面に施される配線パターン形成用のフォトマス
クの例を示したものである。

第２図および第３図において１は上面金属層、２は下面
金属層、３は絶縁性樹脂基体、４および５はそれぞれ上
面金属層１および下面金属層２に形成された感光性レジ
スト層である。

６および７は、それぞれ上下面のレジスト層４および５
上に所定の目的に従ってマスキングを施して露光および
現像処理を施すことにより形成した各種のレジストパタ
ーンである。

８は上面のレジストパターン６に従って形成した所望の
パターンを有する配線、９は配線８形成後の上面全体に
亘って被覆した有機樹脂被膜層である。１０は下面のレ
ジストパターン７に従って形成した金属層パターンであ
る。

１１は基体下面における金属層パターン１０の形成＝　
１６− によって露出した絶縁性樹脂を溶解することによって得
られたビアホールである。

１２は上記ビアポール形成後の基体下面全体に被着した
金属薄膜層である。１３は金属薄膜層１２形成後の基体
下面に形成したレジスト層、１４は該レジスト層１３を
露光、現像して得られたレジストパターンである。

まな１５は基体下面において、ビアホール１２を介して
上面の配線８の一部と電気的な導通が図られるように形
成された下面の配線である。

次に本発明の両面配線板の製造方法について、基体両面
における金属層およびレジストパターンの形成工程、基
体上面における配線の形成工程、基体下面におけるビア
ホールの形成工程および基体下面における配線の形成工
程の各工程について順を追って説明する。

金属層およびレジストパターンの形成工程：本発明にお
いては基本的に上下両面に、金属層１および金属層２を
接着剤によらずに被着形成したテープ状の絶縁性樹脂フ
ィルムが基体３として使用される。本発明において使用
に供される絶縁性樹脂としてはポリイミド樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリアミド樹脂、フッ化炭素樹脂、ポリスルフ
ォン樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコン樹脂等が挙
げられる。

絶縁性樹脂フィルム基体３の上下両面に形成する金属層
１および２は該基体表面にスパッタ法、真空蒸着法、ま
たは無電解めっき法によるか或いはこれらの方法を組み
合わせて金属層を形成させるか、これらの方法にさらに
電解めっき法を組み合わせてもよく、要は絶縁性樹脂基
体に接着剤を施すことなく直接的に金属層を形成せしめ
る方法ならば何れの方法でも採用することができる。

また、基体３上に形成する金属層は電気的性能およびコ
スト面から一般には銅が採用されるが、ポリイミド基体
と銅の間にクロム、ニッケル等の他の金属薄膜層が存在
しても何等差し支えない。

また基体上面に形成する金属層１の厚みは配線の形成が
セミアデイティブ法によって行なわれる場合には、配線
の形成に際して行なわれる電気めっき層の形成時におけ
る前処理でのソフトエツチングに耐え得る厚みであれば
よく、特に制限はないが後述するような配線の独立のた
めの上面金属１の部分的な溶解工程の作業性に鑑みて０
．５〜２μｍの範囲にあることが望ましい。

また配線の形成がサブトラクティブ法によって行なわれ
る場合には、上面金属層１の厚さはレジスト類似４か形
成される前に所望の配線厚さと同等にしておく必要があ
る。従って金属層］−は前述したスパッタ法等で、絶縁
性樹脂基体上面にまず金属薄膜層を形成した後、さらに
その上面に電気めっきによって所定厚さになるまでめっ
き金属を被着させて肉盛りするのがよい。通常要求され
る配線の厚さは約３５μｍ程度までである。

また、基体下面に形成される金属層２の厚さは絶縁性樹
脂に対する所定のビアホール形成のための金属層パター
ンの形成がエツチング法によって行なわれる場合には、
金属層２はその後に行なわれる絶縁性樹脂の溶解工程に
おいてレジスト類似の役割を果たすものであるから、該
絶縁性樹脂温−１，９− 解のための溶解液に耐えられること、ピンポール欠陥等
による不要部分の絶縁性樹脂の溶解や金属層２の基体か
らの剥離防止を考慮する必要があること、およびレジス
トパターン形成後の金属層２の溶解工程における溶解の
し易さ等を考慮すると２〜５μｍ程度の範囲にすること
が望ましい。

また金属層パターンの形成をセミアデイティブ法で行な
うときには、後述するようにレジストパターン形成後、
金属層２上に電気めっきによる肉盛りを行なうので、金
属層２の厚さは電気めっきの前処理に際してのソフトエ
ツチングに耐え得る厚さであればよく、特に制限はない
が電気めっき後に行なわれる金属層２の溶解工程におけ
る溶解のし易さを考慮すれば］９μｍ未満であることが
望ましく、０．２〜１μｍの厚さが適当である。

またさらに、エツチング法とセミアデイティブ法とを併
用する場合にも、同様の理由により金属層２の厚さは０
．１〜１μｍの範囲とすることが望ましい。

基体上面に形成するレジスト層４の厚さは配線の形成が
セミアデイティブ法で行なわれる場合には、配線の厚さ
が３５μｍ以上であることが要求されていることからそ
れ以上の厚さにする必要がある。また配線の形成がサブ
トラクティブ法により行なわれる場合には特に厚さの制
限はないが、レジストパターン６形成後の金属層１の溶
解後のパターン精度を考慮すると１〜１０μｍ程度が適
当である。

レジストの種類は上記の厚さに塗布し得るものであって
、且つ上面における配線の形成に際して行なわれる電気
めっきまたは金属層１の溶解および下面の金属層パター
ンの形成に際して行なわれる金属層２の溶解等に使用さ
れるめっき液や金属溶解液に耐え得るものであれば一般
市販のもので充分であり、アクリル樹脂等に感光性の官
能基を付与することによって、光照射部分が現像時に未
溶解部として残るネガ型レジスト、ノボラック樹脂等に
感光性の官能基を付与することによって、光照射部分が
現像時に溶解するポジ型レジストがあるが、フォトマス
クのパターンを反転することによって、何れの型のレジ
ストでも使用可能である。また、状態としては液状のも
のでも固形化してドライフィルムとしたものでもその何
れをも使用できる。

液状レジストを使用する場合には基体の下地金属層上へ
の塗布はバー１ド法、デイツプ１ト法、スピン１ド法等
の一般的塗布方法のほか、レジスト液を帯電させ噴霧状
に塗布する静電塗布法を採用してもよい。

なお、金属層１および２の溶解液としては、−般的には
塩酸、硫酸、硝酸などの酸性溶液、塩化鉄溶液、塩化銅
溶液等の金属塩化物溶液、過硫酸アンモニウム溶液等の
過酸化物溶液が用いられるのであるから、レジストはこ
れらの溶液に耐え得るものであればよいということにな
る。

またときには溶解液としてアルカリ性溶液を使用するこ
ともあるが、この場合においては耐アルカリ性のレジス
トを用いればよい。

一般的にレジストによってパターンを形成するにはレジ
ストを塗布後レジストに含まれる溶剤を除去する必要が
ある。これはレジスト自体の強度を向上させると同時に
レジストと下地金属との密着性を高めるために行なわれ
るものであり、溶剤の除去は通常乾燥処理によって行な
われるが、この際における処理温度はレジストの解像度
を低下させない範囲で高めにするのがよい。

また、露光、現像後に形成したパターンをより強固にす
るために加熱処理を行なうこともあるがこの場合には前
述の溶剤乾燥処理のときの温度よりも高い温度が採用さ
れる。

次に、金属層上に形成したレジスト層４および５に対し
て所望のパターンのフォトマスクを施して、それぞれに
適量の光を照射しこれを現像して、下地金属層］−上に
レジストパターン６を、また下地金属層２上にレジスト
パターン７を形成するのであるが、基体上面のレジスト
層４には現像後生として配線パターンが形成されるよう
なフ第１へマスクを、下面のレジスト層５には主として
ビアホールパターンが形成されるようなフォトマスクが
使用される。

基体上面の配線パターンを形成するためのフォトマスク
は例えば第５図に示すようなものが挙げられるが、この
他スプロケットホールの如きホールパターンを併有して
もよい。

また、基体下面のビアホールパターン形成のためのフォ
トマスクは、例えば第６図またはこれを反転させて得ら
れる第７図に示されるものを例として挙げることができ
る。

レジストの感光のために照射する光の波長等はレジスト
の特性によって決定されるが、一般的には紫外線が使用
される。またここで云うフォトマスクとはガラスや透光
性のプラスチックフィルムに銀等を含む乳剤やクロム等
の金属を焼き付けたものを云う。

露光方法としてはレジスト面とフォトマスクを密着させ
て行なう密着露光法と、レジスト面とフォトマスクを一
定の距離を隔てて平行に並べて行なう投影露光法とがあ
るが、本発明においては何れの方法を採用してもよい。

（以上第２図および第３図（イ）　、（ｏ）　、（０“
）および（口゛）参照〉 基体上面における配線の形成工程： 基体上面における配線の形成にはセミアデイティブ法ま
たはサブトラクティブ法のいずれかの方法が探られる。

配線の形成をセミアデイティブ法で行なうには基体上面
に形成したレジストパターン６に従って生じた金属層１
の露出部分に電気めっきによって積層後の金属層が所望
の配線厚さ、即ち３５μｍ以上の厚さになるように金属
めっき層を積層して配線前形体を形成した後、レジスト
パターン６を溶解除去し、さらにレジストパターン除去
後の基体上面の金属層１を溶解除去して配線８を電気的
に独立した状態にする。

また、配線形成をサブトラクティブ法によって行なう場
合には基体上面に形成したレジストパターン６に従って
生ずる金属層１の露出部分を溶解することによって配線
８を形成する。金属層１の溶解は浸漬法、スプレー法い
ずれを使用してもよくまたこれらの方法を組合わせて行
なってもよい。

配線の形成後、基体上面全体に亘って有機樹脂被膜９を
被覆する。この有機樹脂被膜９による被覆はこれに続く
工程において表面に露出した絶縁性樹脂の保護をする役
割を有する。この有機樹脂の被覆工程に用いられる有機
樹脂は、以後に行なわれるビアポール形成処理に際して
の絶縁性樹脂の所定部分の溶解処理に際して使用される
絶縁性樹脂の溶解液に耐え得るものであればよく、絶縁
性樹脂にポリイミド樹脂を使用する場合には、その溶解
液には強アルカリ性溶液が使用されるのでゴム系、エポ
キシ系、シリコン系等の有機樹脂を使用すればよい。

（以上第２図および第３図（ロ）　、（Ｄ’）、（口゛
）および（ハ）参照） ビアホールの３成工程： 絶縁性樹脂における所定部分を溶解してビアホール１１
を形成するための基体下面の金属層パターンの形成には
エツチング法、セミアデイティブ法およびその両者の併
用法の何れか採用される。

ビアホール形成のための金属層パターン１０の形成をエ
ツチング法によって行なう場合には、先ず基体下面に形
成したレジストパターン７に従って生じた金属層２の露
出部分を溶解することによって金属層パターン１０を形
成し、該金属層パターン１０の形成によって生じた絶縁
性樹脂３の露出部分を溶解することによってビアホール
１１が所定の位置に形成される。

この絶縁性樹脂としてボワイミド樹脂を用いる場合の溶
解は抱水しドラジン、水酸化アルカリ等の強アルカリ性
溶液を単独もしくは混合し、さらにはメチルアル１ル、
エチルアル１ル、プロピルアル１ル等を混合した溶液で
行なえばよい。

また金属層パターン１０の形成をセミアデイティブ法に
よって行なう場合には基体下面に形成されたレジストパ
ターンに従って生じた金属層２の露出部分に電気めっき
を施してめっき金属による肉盛りを行なう。

この電気めっきを行なった後の金属層は後述する絶縁性
樹脂の溶解工程においてレジスト類似の役割を果たすも
のであるから、当然のことながら絶縁性樹脂の溶解液に
耐えることが必要であり、またさらにピンホール等の欠
陥による絶縁性樹脂の不必要部分の溶解や、溶解作業の
実施に際しての金属層２の剥離防止等を考慮してその厚
さを定めなければならない。この意味から電気めっきに
よるめっき金属積層後の金属層の厚さは、２μｍ以上、
好ましくは２〜５μｍ程度の範囲にするのが適当て゛あ
る。しかる後、レジストパターン７およびその下に存在
する金属層２を溶解して金属層パターン１０を形成する
。次いで、該金属層パターン１０の形成によって生じた
絶縁性樹脂３の露出部分を溶解してビアホール１１を形
成することができる。

また、ビアホール形成のための金属層パターン１０の形
成をエツチング法およびセミアデイティブ法を併用して
行なう場合には、基体下面に形成したレジストパターン
に従って露出した金属層２の露出部分を溶解し、次いで
レジストパターン７のレジストを溶解してその下に存在
する金属層２を露出させ、その上に電気めっきによって
金属層を肉盛りして金属層パターンを形成する。このと
きの積層後の金属層パターン１０の厚さは２〜５μｍ程
度とするのが適当であることは前述した通りである。金
属層パターン１０形成後、絶縁性樹脂３の露出部分を溶
解してビアホール１１を形成するものであることも前述
した場合と変りない。

また、金属層パターン１０の形成によって露出した絶縁
性樹脂を除去して所定のビアホール１１を形成する方法
としては、基体を露出絶縁性樹脂が溶解可能な溶液中に
浸漬し、該露出部分を溶解除去するいわゆる湿式エツチ
ングの外に、露出絶縁性樹脂にレーザー光線を照射して
、該露出部分を光学的に除去する方法がある。

このレーザー光線を使用する方法では、炭酸ガスレーザ
ーやエキシマレーザ−を用いることが可能であるが、こ
の場合においてはマスクと類似の役目を果たす金属層パ
ターン１０に損傷を与えないように注意してレーザーパ
ワーの調節を行なう必要がある。なお、ビアホール１１
をレーザーによって形成する方法を採用する場合には、
基体上面における配線８形成直後の有機樹脂被膜９の形
成を省略することができる。

これらビアホール形成工程によって形成されるビアホー
ル１１の形状は真円、楕円、正方形、長方形等の形状が
考えられるが、このビアホールは基体上面に形成された
配線と基体下面側の配線ととの間の導通をはかるスルー
ホール形成が目的であるからその形状は特にこだわるも
のでない。

次に導電処理方法を用いてビアホール１１の側面の露出
部をメタライズしつつ、基体下面全面に亘って金属薄膜
層１２を形成する。この金属薄膜層１２の形成は其の後
の基体下面における配線１５の形成に必要であってその
形成に当たってはスパッタ法、真空蒸着法、等の乾式金
属被着法や無電解めっき法等の湿式金属被着法の何れも
採用することができる。

（以上第２図および第３図（ハ）、仁）および（ホ）、
（ホ゛）参照） 基体下面における配線の形成工程： 基体下面における配線１５の形成にはセミアディティブ
法またはザブＩ・ラクティブ法とが用いられる。

配線１５の形成をセミアデイティブ法によって行なうに
は、先ず金属薄膜層１２の上にレジスト層１３を形成し
、配線パターンを有するフォトマスクを施して露光、現
像してビアホール１１上にレジストが残らないようにレ
ジストパターン１４を形成する。

該フォトマスクの例としては例えば第７図に示すような
パターンを挙げることができる。

上記の如くしてレジストパターン１４を形成することに
よって生じた金属薄膜層１２の露出部分に金属電気めっ
き層を積層することによって、基体下面における配線部
を形成した後、レジストパターン１４によるレジストを
除去し、次いでその下に存在する金属薄膜層１２および
その下の金属層を溶解することによって、基体下面に配
線１５を形成した基体を得ることができる。

なお基体下面の配線１５を形成するために電気めっきに
よる金属めっき層の厚さは５〜３０μｍ程度とするのが
適当て゛ある。

＝　３１− また、基体下面の配線をサブトラクティブ法によって行
なうときは、先ず金属薄膜層１２上に電気めっきによっ
て金属めっき層を形成する。この厚さは同様に５〜３５
μｍ程度が適当である。

次に、上記金属めっき層上にレジスト層１３を形成した
後、これにレジストパターン１４を形成する。

レジストパターン１４の形成によって露出した金属めっ
き層の露出部分、およびその下に存在する金属層を溶解
することによって基体下面に配線１５を形成する。なお
、基体下面の配線形成のために用いられるフォトマスク
は、例えば第９図に示すようなパターンを挙げることが
できる。

なお、これら基体下面における配線の形成工程において
使用されるレジストはさきにレジスト層４および５の形
成に際して使用されたものと同様のものが使用され、レ
ジストパターン１４形成のための露光および現像や金属
層の溶解等の手順等も先のレジストパターン６および７
形成に際に行なわれた手順に準じて行なえばよい。

最後に基体上面に被覆された有機樹脂被膜９を除去して
両面配線板製品が完成する。

（以上第２図および第３図（ホ）、（ホ“）、（へ）、
（へ°）、および（ト）参照） 以上の各工程を経て得られた本発明による両面配線板は
用途に応じ、金属露出部にさらに金または銀等によるめ
っきを全面的にまたは部分的に施して実用に供される。

以上述べたように本発明によるときは、各工程において
状況に応じ種々の手段を活用することによって的確に所
定の設計に基づく基体上下面における配線の形成、絶縁
性樹脂へのビアホールの形成による上下配線に対するス
ルーホールの形成を確実に行なうことができる。

（実施例） 次に本発明の実施例について述べる。

実施例においては、基体上面の配線の形成、ビアホール
の形成および基体下面の配線形成の各工程において施さ
れる手段を種々変えて網羅的に行ない、これを下記の記
号表示によって各実施例番号の横に工程順に手段別に示
した。

上面配線の形成　　Ａ：セミアディティブ法Ｂ二すフ゛
トラクテイフ゛法 ビアホール形成　　Ａ；エツチング法 Ｂ；セミアデイティブ法 Ｃ；併用法 下面配線の形成　　Ａ：セミアディティブ法Ｂ：サブＩ
ヘラクチイブ法 実施例１　　（Ａ・Ａ・Ａ） １５ｃ＋ｕＸ１５ｃｍの大きさのポリイミド樹脂フィル
ム状基体（東し・デュポン社製、カプト７２００■、厚
さ５０μｍ　）の両面に対し、硫酸銅１０ｇ／、１）　
、ＥＤＴＡ６０ｇ／、（！　、ボルフ９フ６ｍｅ／Ｌジ
ピリジル３０■／ρ、ポリエチレングリ１ル０．５ｇ／
ｆＪの組成を有する無電解銅めっき液を用いてｐＨ１２
，５として７０°Ｃで１０分間の浸漬処理を行ない、銅
の無電解めっき被膜を形成した後、さらに硫酸銅１００
ｇ／、Ｑ、硫酸１８０ｇ／、１）　、の組成を有する電
気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解を行
ない上面厚さ１μ…、下面厚さ２μｍの銅による下地金
属層を形成させた。

次に、基体上面における下地金属層上に、感光性レジス
トとしてＰＨＥＲ、ＨＣ６００（東京応化社製、ネガ型
フォトレジス１−）を用いて約４０μｍの厚さに、また
下面の下地銅層にも同様のレジストを用いて約５μｍの
厚さにそれぞれバー１ターを用いて塗布し、それぞれ７
０℃に３０分間乾燥処理を行なった後、上面のレジ２１
〜層に５０ｍｍ　Ｘ　５０ｍｍの大きさで、配線ピッチ
２００μｍ、配線幅１００μｍ、配線数２００本の配線
パターンを田の字形に配列して形成したガラス製のフ第
１へマスクをレジスト面に密着させ、該フォトマスクを
介して９００ｍＪの紫外線を照射し、下面のレジスト層
には上面と同様の大きさのガラス製で、上面の配線パタ
ーンに対応してビアホール１００個を有するフォトマス
クをレジスト面に密着させ、該フォトマスクを介して１
００　ｍＪの紫外線を照射して露光を行なった。

なお、紫外線の照射は超高圧水銀灯（オーク製作所社製
）を使用した。

次に露光後の両面のレジスト層に対して現像液としてＰ
ＨＥＲ現像液（東京応化社製）を用いて上面側は２５℃
で７分間、下面側は２５°Ｃで２分間現像した後、それ
ぞれに１１０℃で３０分間の乾燥処理を施して所定のレ
ジストパターンを形成した。

次に、下面側は塩化銅２００ｇ／、Ｑ溶液を用いて５０
°Ｃで３分間浸漬処理を行なうことにより露出した下地
銅層を溶解し、一方、上面側は前述の電気銅めっき液を
用いて電流密度２Ａ／ｄｍ２で５０分間電解を行ない、
厚さ３５μｍの銅層として配線部形体を形成した。

しかる後に基体を水酸化すＩ・リウム４％溶液を用いて
５０°Ｃで１分間処理して両面のレジストを除去し、上
面の下地銅層を塩化銅１００ｇ／、Ｑ　、塩化アンモニ
ウム１００ｇ／ρ、炭酸アンモニウム１１０ｇ／、Ｑお
よびアンモニア水４００＋Ｊ／Ωからなる組成を有する
アンモニア系アルカリ性溶液で溶解して各配線を電気的
に独立した状態に形成し、次いで、有機樹脂膜形成剤と
してＦＳＲ（富士薬品社製）を使用して基体上面全体に
亘り約１０μｍの厚さに塗布して、１３０’Ｃで３０分
間加熱処理を施すことによって有機樹脂膜を被覆した。

−３６＝ 次に基体をエチルアル１ルと水酸化カリウム１規定溶液
を容量比で１：〕に混合した液を用いて、５０°Ｃで４
分間浸漬処理することによって、基体下面におけるポリ
イミド樹脂の露出部を溶解して下面に所定のビアホール
を形成した。

次に、前述の無電解銅めっき液を用いて下面全体に銅薄
膜層を形成後、感光性レジストとしてＰ）ｉＥＲ、ＨＣ
６００をバー１ターを使用して約２０μｍの厚さに塗布
し、７０℃で３０分間乾燥処理した後に配線ピッチ２０
０μｍ、配線幅１００μｍ、配線数１００本の配線パタ
ーンを有し、各配線が上面の配線と直交するように形成
したフォトマスクを使用してレジスト面に密着させ、該
フォトマスクを介して４００　ｍＪの紫外線を照射し露
光を行なった後、前述の現像液を使用して２５℃で３分
間処理し、次いで１１０°Ｃで３０分間乾燥処理して所
定のレジストパターンを得な。

次に、前述の電気銅めっき液を用いて電流密度２Ａ／ｄ
ｍ２で２５分間電解を行ない、下面に露出した銅薄膜層
上に１８μｍの下面配線何形体を形成した後、残留する
レジストを水酸化ナトリウム４％溶液中において５０’
Ｃで１−分間処理して除去し、さらに塩化銅２００ｇ／
、Ｑ溶液を用いて５０℃で３分間処理することによって
、基体下面の銅層を溶解除去して下面の各配線を電気的
に独立した状態に形成した。

最後に基体上面に施された有機樹脂膜を樹脂剥離剤とし
てＦＳＲ剥離液（富士薬品社製）を用いて７０℃で１５
分間の処理を行なうことによって剥離除去し、基体上下
面に所定の配線を有し、且つ上下の配線をビアホールに
よって導通させた両面配線板を得ることができな。

実施例２　　（Ａ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを使用し、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって上面の厚さを１μｍ、下面の厚さを２μｍに調整
したものを基体として用い、実施例］、と同様の手順で
各処理を行なったところ、実施例］−と同様な両面配線
板を得ることができた。

実施例３　　（Ａ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面における下地銅層の形成から、基
体下面における銅薄膜層の形成までの工程を実施例コ＝
と同様の手順にて行なった。

その後、実施例１と同様の電気めっき液を用いて電流密
度２Ａ／ｄｍ２で２５分間の電解処理を行ない下面全体
に約２０μｍの銅層を形成した。

この銅層上に感光性レジストとしてＰＨＥＲ・１１ｃ　
Ｂｏｏを約５μｍの厚さにバー１ターを使用して塗布し
、乾燥処理を行なった後、得られたレジスト層上に実施
例１で使用したフ第１・マスクと反転した配線パターン
を有するフォトマスクを密着させ、フォトマスクを介し
て２００　ｍＪの紫外線を照射して露光を行なった後、
実施例１と同様の手順によって現像および乾燥処理を行
ない、所定のレジストパターンを得な。

次に、実施例］、と同様の塩化銅溶液を用いて５０℃で
１５分間処理して下面の露出した銅層を溶解し＝　３９
− て下面の配線を形成し、次いで実施例１と同様のレジス
ト除去液を使用して残留レジストの除去を行なった。

最後に上面に施された有機樹脂膜を実施例１と同様の手
順で剥離除去することによって、基体上下面に所定の配
線を有し、上下の配線をビアホールによって導通させた
両面配線板を得ることができた。

実施例４　　（Ａ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例コ−と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用い、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって上面銅層の厚さを１μｍに、また下面の銅層の厚
さを２μｍに調整した基体を用い、実施例３と同様の手
順で各工程処理を行なうことによって実施例３と同様な
両面配線板を得ることができた。

実施例５　　ｆＡ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面に対し実施例１と同様の手順によ
る無電解めっきによって約０．２μｍの銅皮膜を形成し
た後、さらに実施例］−と同様の電気銅めっき液を用い
電流密度２Ａ／ｄｍ２で電解を行ない上面に厚さ１μｍ
の下地銅層を形成した。

次に、基体上面における下地銅層上に感光性レジストと
してＰＨＥＲ・Ｉ］ｃ　６００を用い、バー１ターを使
用して約４０μｍの厚さに塗布し、また下面の下地銅層
上にも上記と同様にして該レジストを約５μｍの厚さに
塗布し、７０°Ｃで３０分間加熱乾燥した後、上面のレ
ジスト層には実施例１で用いたと同様の配線パターンを
有するフォトマスクをレジスト面に密着させ、該フォト
マスクを介して９００ｍＪの紫外線を照射し、下面のレ
ジスト層には実施例１で用いたビアホールパターンの反
転パターンを有するフォトマスクをレジスト面に密着さ
せて、該フォトマスクを介して２００　ｍＪの紫外線を
照射して露光を行なった。

次に両面のレジストを現像して１１０’Ｃで３０分間乾
燥処理し所定のレジストパターンを得た。

＝　　Ａ　１　− 次に上面側は前述と同様の電気銅めっきによって厚さ約
３５μｍの配線何形体を形成した。

一方、下面側も前述の電気銅めっき液を使用して電流密
度２　Ａ／ｄｍ２で１３分間電解することにより下面銅
層の厚さが約３μｍになるように調整した。

しかる後、両面の残留レジストを除去し上面の下地鋼層
を実施例１と同様のアンモニア系アルカリ性溶液によっ
て溶解して各配線を独立した状態にし、次いで基体上面
全体に亘ってＦＳＲによる有機樹脂膜で被覆した。

下面側は実施例１と同様の塩化鋼溶液を用いて５０℃で
３０秒間の処理を行ない、レジストパターン間に存在す
る下地銅層を溶解除去してポリイミド樹脂を露出させた
。その後の工程、即ち、ポリイミド樹脂に対するビアホ
ールの形成から基体下面における配線の形成、基体上面
の有機樹脂膜の剥離除去までを実施例１と同様の手順で
行ない、上下面に所定の配線を有し、且つ上下面の配線
をビアホールによって導通させた両面配線板を得ること
ができた。

実施例６　　（Ａ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって上面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い
、実施例５と同様の手順で各処理を行なったところ、実
施例５と同様の両面配線板を得ることができな。

実施例７　　（Ａ−Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面における銅層の形成から、基体下
面における所定のビアポールの形成までを実施例５と同
様の手順で行なった後、続、く基体下面における銅薄膜
層の形成から、基体上楠の有機樹脂膜の剥離除去までを
実施例３と同様に行なうことによって基体の上下面に所
定の配線を有し、上下の配線をビアポールによって導通
させた両面配線板を得ることができな。

実施例８　　（Ａ−Ｂ・Ｂ） ＝　４３− 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって上面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い
、実施例７と同様の手順で各処理を行なったところ、実
施例７と同様の両面配線板を得ることができた。

実施例９　　（Ａ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面に対し実施例１と同様の無電解銅
めっきによって約０．２μｍの銅皮膜を形成後、さらに
実施例１と同様の手順で電解銅めっきによって上面に厚
さ］−μｍの下地銅層を形成した。

次に、その上面に形成した下地銅層上に感光性レジスト
としてＰＭＥＲ−ＨＣ６００をバー１ターを使用して約
４０μｍの厚さに塗布し、また下面における下地銅層上
にも同様にしてレジストを約５μｍの厚さに塗布し、乾
燥処理後上面のレジスト層には実施例１で用いたものと
同様の配線パターンを有するフォトマスクをレジスト面
に密着させて、該フォＩ・マスクを介して９００…Ｊの
紫外線を照射し、下面のレジスト層には実施例１で用い
たものと同様なビアホールパターンを有するフォトマス
クを密着させて、該フォトマスクを介して２００　ｍＪ
の紫外線を照射することによって露光を行なった。

次に両面のレジストを現像後乾燥処理を施して両面に所
定の配線パターンを形成した。

次に、下面側は実施例１と同様の塩化銅溶液を用いて５
０℃で１−分間処理を行なって露出した下地銅層を溶解
し、一方、上面側は前述の電気銅めっきによって厚さ約
３５μｍの配線前形態を形成した。

しかる後に両面のレジストを溶解し、上面の下地銅層を
実施例１と同様のアンモニア系アルカリ性溶液で溶解し
て各配線を独立した状態とした後基体上面全体に亘って
有機樹脂膜を被覆した。

、　　・次に下面全体に亘って前述の電気銅めっき液を
用いて電流密度２Ａ、／ｄ…２で３分間電解を行ない、
基体下面の下地銅層パターンの厚みを３μｍとした。

−Ａ”、　　　− その後基体下面における所定のビアホールの形成から、
基体上面に施した有機樹脂膜の剥離除去までの工程を実
施例１と同様の手順で行ない、上下面に所定の配線を有
し、且つ上下の配線をビアポールによって導通させた両
面配線板を得ることができた。

実施例１０　　（Ａ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０，
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって上面の銅層の厚さを１μｍに調整した基体を用い
、実施例つと同様の手順で各処理を行なったところ、実
施例つと同様の両面配線板を得ることができた。

実施例１１（Ａ・Ｃ−Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂ライル
ムを用いて、基体両面における銅層の形成から、基体下
面における所定のビアホールの形成までの工程を実施例
つと同様の手順で行ない、さらに、続く基体下面におけ
る銅薄膜層の形成から、基体上面に施された有機樹脂膜
の剥離除去までの工程を実施例３と同様の手順で行なっ
たところ、基体の上下面に所定の配線を有し、且つ上下
の配線をビアホールによって導通させた両面配線板を得
ることができな。

実施例１２（Ａ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０．
２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっきに
よって上面の銅層の厚さを１８μｍに調整した基体を用
い実施例１１と同様の手順で各処理を行なったところ、
実施例１１と同様の両面配線板を得ることができた。

実施例１３（Ｂ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹膜を形成
した後、さらに実施例１と同様の電気銅めっき液を使用
して電解を行ない、上面に厚さ３５μｍの銅層を、下面
に厚さ２μｍの下地銅層を形成した。

次にその上下面における銅層上に感光性レジストとして
ＰＭＥＲ・ＨＣ６００を約５μｍの厚さにバー１ターを
用いて塗布しそれぞれ７０°Ｃで３０分乾燥後、上面の
レジスト層には実施例１で用いた配線パターンを反転し
たパターンを有するフ方Ｉ・マスクをレジスト面に密着
させて、該フォトマスクを介して２００　ｍＪの紫外線
を照射し、下面のレジスト層には実施例１で用いたもの
と同様のビアホールパターンを有するフォトマスクを密
着させて、該フォトマスクを介して２００　ｍＪの紫外
線を照射して露光を行なった。

次に両面のレジスｌ〜をＰ）ＩＥＲ現像液を用いて２５
℃で３分間現像した後、１１０℃で３０分間乾燥処理を
施して、所定のレジストパターンを得た。

次に、下面側は実施例１と同様の塩化銅溶液を用い”、
”（５ｏ℃で３分間浸漬処理を行なって露出部の銅を一
溶解し、一方、上面側は同様の塩化銅溶液を用いて５０
℃で２０分間の浸漬処理を行なうことによって厚さ約３
５μｍの配線を形成した。

しかる後、基体を水酸化ナトリウム溶液４％溶液中にお
いて５０°Ｃで１分間処理して両面のレジストを除去し
、次に有機樹脂膜としてＦＲ３を使用して基体上面全体
に亘って約１０μｍの厚さに塗布して１３０’Ｃに３０
分間加熱乾燥を行なうことによって被覆した。

続く、基体下面におけるビアホールの形成から基体上面
に施した有機樹脂膜の剥離除去までの工程を実施例］、
と同様の手順にて行ない、基体の上下面に所定の配線を
有し、上下の配線をビアホールによって導通させた両面
配線板を得ることができた。

実施例１４（Ｂ・Ａ・Ａ） 出発材料として実施例］、と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０
．２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電翠銅めっき
によって上面の銅層の厚さを３５μｍに、また下面の下
地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例１
３と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１３
と同様な両面配線板を得ることができた。

実施例１５（Ｂ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面における銅層の形成から、基体下
面における所定のビアホールの形成までの工程を実施例
１３と同様の手順で行なった。

引き続き、基体下面における銅薄膜層の形成から、基体
上面に施された有機樹脂膜の剥離除去よでの工程を実施
例３と同様の手順で行なうことによって、基体の上下面
に所定の配線を有し、且つ上下面の配線をビアポールに
よって導通させた両面配線板を得ることができな。

実施例１６（Ｂ・Ａ・Ｂ） 出発材料として実施例］、と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０
，２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを３５μｍに、また下面の下
地銅層の厚さを２μｍに調整した基体を用い、実施例１
５と同様の手順で各処理を行なったところ、実施例１５
と同様の両面配線板を得ることができた。

実施例１７（Ｂ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例］−と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、基体両面に対して、実施例］、と同様の
無電解めっきによって、約０．２μｍの銅皮膜を形成後
、さらに実施例１と同様の電解銅めっきによって基体上
面の銅層の厚さを３５μｍにした。

次にその上下面における銅層上に感光性レジストとして
Ｐ１４ＥＲ・ＨＣ６００を約５μｍの厚さに塗布し、乾
燥処理後上面のレジスト層には実施例１３で用いたもの
と同様の配線パターンを有するフォＩ・マスクをレジス
ト面に密着させ、該フォトマスクを介して２００　ｍＪ
の紫外線を照射し、下面のレジスト層には実施例５で用
いたものと同様のビアホールパターンを有するフォトマ
スクをレジスＩ〜面に密着させ袷、該フォトマスクを介
して２００　ｍＪの紫外線を照射することによって露光
を行なった。

次に両面のレジスＩ〜を実施例子と同様の手順によって
現像した後乾燥処理を施して所定のレジストパターンを
得な。

次いで上面側は実施例１３と同様の手順で塩化銅溶液で
厚さ約３５μｍの配線を形成した。

一方、下面側は前述の電気めっき液を用いて電流密度２
Ａ／ｄｍ２で１３分間電解して下面の銅層の厚さを約３
μｍに調整した。しかる後、両面のレジストを除去し、
次に基体上面全体に亘ってＦＳＲによる有機樹脂膜の被
覆処理を行なった。

引き続き基体下面における銅層の溶解によるポリイミド
樹脂の露出から基体上面に施された有機樹脂膜の剥離除
去までの工程を実施例５と同様の手順で行ない、基体上
下面に所定の配線を有し、上下の配線をビアホールによ
って導通させた両面配線板を得ることができな。

実施例１８（Ｂ・Ｂ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フ！゛
ルｊ・を用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ
０，２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっ
きによって上面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体
を用い、実施例１７と同様の手＝　５２− 順で各処理を行なったところ、実施例１７と同様の両面
配線板を得ることができた。

実施例１９　　（Ｂ−Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面における銅層の形成から基体上面
における有機樹脂膜の形成までの工程を実施例１７と同
様の手順で行ない、引き続いて基体下面の下地銅層の溶
解によるポリイミド樹脂の露出から基体上面に施された
有機樹脂の剥離除去までの工程を実施例７と同様の手順
で行なうことによって、基体上下面に所定の配線を有し
、」二下面の配線かビアホールによって導通された両面
配線板を得ることかできな。

実施例２０　　（Ｂ−Ｂ・Ｂ） 出発材料として実施例］−と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、その両面にスパッタ法によりそ斤ぞれ０
．２５μｍの厚さの銅層を形成し、さらに電気銅めっき
によって上面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体を
用い、実施例１９と同様の手順で各処理を行なったとこ
ろ、実施例１９と同様の両面配線板を得ることができな
。

実施例２１（Ｂ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、基体両面に実施例１．と同様の無電解めっ
き液を使用して約２０μｍの銅層を形成し、さらに実施
例１と同様の電気銅めっき液によって上面の銅層の厚さ
を３５μｍにした。

次にその上下面における銅層上に感光性レジストとして
ＰＨＥＲ・ＨＣ４０を用いて約５μｍの厚さに塗布し、
乾燥処理を行なった後、上面のレジスト層には実施例１
３で用いたものと同様の配線パターンを有するフォトマ
スクをレジスト面に密着させて、該フォトマスクを介し
て２００　ｍＪの紫外線を照射し、下面のレジスト層に
は実施例１で用いたものと同様なビアホールパターンを
有するフォトマスクをレジスト面に密着させて、該フォ
Ｉ・マスクを介して２００１１ｍの紫外線を照射するこ
とによって露光を行なった。

次に両面のレジストを現像した後、乾燥処理を施して所
定の配線パターンを得た。

次いで、下面側は実施例１と同様の塩化鋼溶液を用いて
５０°Ｃで１分間の処理を行なって露出した銅層を溶解
し、一方、上面側は同様の塩化銅溶液を用いて溶解して
露出銅層を溶解して厚さ３５μｍの配線を形成した。し
かる後、両面のレシス１へを溶解し、次に基体上面全体
に頁ってＦＳＲによる有機樹脂膜を被覆した。

引き続いて基体下面への電気銅めっきによる下地銅層の
厚さ調整から基体上面に施された有機樹脂膜の剥離除去
までの工程を実施例つと同様の手順で行なうことによっ
て、基体上下面に所定の配線を有し、」−下面の配線を
ビアホールによって導通した両面配線板を得ることがで
きな。

実施例２２（Ｂ・Ｃ・Ａ） 出発材料として実施例１と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その両面にスパッタ法によりそれぞれ０．
２５μｍの厚さの銅層を形成−さらに電気鋼めっきによ
って上面の銅層の厚さを３５μｍに調整した基体を用い
実施例？１と同様の手順で各処理を行なったところ、実
施例２１と同様の両−５５−一 面配線板を得ることができな。

実施例２３（Ｂ・Ｃ・Ｂ） 出発材料として実施例１−と同様のポリイミド樹脂フィ
ルムを用いて、基体両面における銅層の形成から基体上
面における有機樹脂膜の被覆までの工程を実施例２１と
同様の手順で行ない、次いで引き続く基体下面の下地銅
層の溶解によるポリイミド樹脂の露出から基体上面に施
された有機樹脂の剥離除去までの工程を実施例９と同様
の手順で行なうことによって、基体上下面に所定の配線
を有し、上下面の配線がビアホールによって導通された
両面配線板を得ることができた。

実施例？４（Ｂ・Ｃ１Ｂ） 出発材料として実施測子と同様のポリイミド樹脂フィル
ムを用いて、その両面（、こスパッタ法によりそれぞれ
０．２５μｍの厚さの銅層を形成し、さら順で各処理を
行なったところ、実施例２３と同様の両面配線板を得る
ことができた。

（発明の効果） 以上述べたように本発明の両面配線板の製造方法による
ときは、接着剤によらずに絶縁性樹脂フィルムの両面に
銅層などによる金属層を形成したものを基体とし、その
上下面に絶縁性樹脂本来の性能を損なうことなく、確実
に所定の配線を形成し、且つ該上下面に形成した配線を
絶縁性樹脂に形成したビアホールによって電気的に導通
させた両面配線板を得ることができるものであり、Ｉ楽
曲にずぐれな発明であるといえる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の両面配線板の製造方法における製造工
程を順を追って示した工程図、第２図（ａ）　、（ｂ）
および第３図（ａ）　、（ｂ）は、それぞれ基体上面の
配線をセミアデイティブ法およびサブトラクティブ法を
採用した場合の両面配線板の製造工程における基体の概
略状況を工程（イ）〜（ト）順に示した説明図、第４図
は本発明を実施することによって得られた両面配線図の
一例の外観を示す平面図、第５図は基体上面に施される
所定の配線パターンを有するフォトマスクを示す平面図
、第６図および第７図はそれぞれ基体下面に施されるビ
アホールパターンを有するフォトマスクを例示した平面
図、第８図および第９図はビアホール形成後の基体下面
に再度施される所定の配線パターンを有するフォトマス
クを示す平面図である。 １・・・上面金属層、２・・・下面金属層、３・・・絶
縁性樹脂基体、／１．．５，１３・・・レジスＩ−層、
６．７．１！１・・・レジストパターン、８・・・」−
面配線、９・・・有機樹脂膜、１０・・・金属層パター
ン、１１・・・ビアホール、１２・・・金属薄膜層、１
５・・・下面配線。 特許出願人　　住友金属鉱山株式会社 ・「１ 第１図 両面配線板製造工程図 絶縁性樹脂基体 金属層・レジストパターン形成 セミ 配線の形成（上面） サ一 アディティブ法 プトラクティブ法 ッチング法 ミアディティブ法 用法 ミアディティブ法 ブトラクテイブ法 第５図 第６図 第７図 第８図

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性樹脂フィルムの両面に接着剤を用いること
   なく金属層を形成したものを基体とし、該基体両面の金
   属層上に感光性レジスト層を形成した後、基体上面にお
   けるレジスト層には主として所定の配線パターンを有す
   るフォトマスクを、また基体下面におけるレジスト層に
   は主として所定のビアホールパターンを有するフォトマ
   スクを施して、光を照射した後両面のレジスト層を現像
   し、該基体の両面にそれぞれの形状のレジストパターン
   を形成せしめる工程と、基体上面に形成したレジストパ
   ターンに従って配線形成処理を行なうことによって基体
   上面に配線を形成する工程と、基体下面に形成したレジ
   ストパターンに従って下面のビアホールに相当する部分
   の金属層を溶解して絶縁性樹脂を露出させた後、該絶縁
   性樹脂の露出部を溶解し所定のビアホールを形成する工
   程と、ビアホール形成後の基体下面に金属薄膜層を形成
   した後、該金属薄膜層上に再び感光性レジスト層を形成
   し、該レジスト層上に所定の配線パターンを有するフォ
   トマスクを施して光を照射した後現像して基体下面にレ
   ジストパターンを形成し、該レジストパターンに従って
   基体下面に配線形成処理を施すことによって所定の配線
   を形成する工程とよりなることを特徴とする両面配線板
   の製造方法。
2. （２）基体上面の配線の形成は基体上面に形成したレジ
   ストパターンに従って露出した金属層上に電気めっきに
   より金属めっき層を積層させて、配線前形体を形成した
   後、基体上面のレジストおよびレジスト下に存在する金
   属層を溶解除去することによって行なう請求項１記載の
   両面配線板の製造方法。
3. （３）基体上面の配線の形成は基体上面に形成したレジ
   ストパターンに従って露出した金属層をエッチングした
   後、非エッチング金属層上のレジストを溶解除去するこ
   とによって行なう請求項１記載の両面配線板の製造方法
   。
4. （４）絶縁性樹脂基体に対する所定のビアホールの形成
   は基体下面に形成したレジストパターンに従って露出し
   た金属層をエッチングして絶縁性樹脂部を露出させた後
   、基体下面のレジストを除去して、該絶縁性樹脂の露出
   部を溶解除去することによって行なう請求項１乃至３の
   いずれか１項記載の両面配線板の製造方法。
5. （５）絶縁性樹脂基体に対する所定のビアホールの形成
   は基体下面に形成したレジストパターンに従って露出し
   た金属層上に電気めっきにより金属めっき層を積層して
   金属パターンを形成した後、レジストおよびレジスト下
   に存在する金属層を溶解除去し、これによって露出した
   絶縁性樹脂を溶解除去することによって行なう請求項１
   乃至３のいずれか１項記載の両面配線板の製造方法。
6. （６）絶縁性樹脂基体に対する所定のビアホールの形成
   は基体下面に形成したレジストパターンに従って露出し
   た金属層をエッチングして絶縁性樹脂部を露出させた後
   、基体下面のレジストパターンを除去し、これによって
   露出した金属層上に電気めっきにより金属めっき層を積
   層し、該絶縁性樹脂の露出部を溶解除去することによっ
   て行なう請求項１乃至３のいずれか１項記載の両面配線
   板の製造方法。
7. （７）基体下面における配線の形成は、基体下面に再度
   形成したレジストパターンに従って露出した金属薄膜層
   上に電気めっきにより金属めっき層を積層し、次いでレ
   ジストを溶解除去し、レジスト下に存在する金属薄膜層
   およびその下に存在する金属層を溶解除去することによ
   って行なう請求項１乃至６のいずれか１項記載の両面配
   線板の製造方法。
8. （８）基体下面における配線の形成は、基体下面の金属
   薄膜層上に電気めっきによって金属めっき層を積層した
   後、基体下面に再度形成したレジストパターンに従って
   露出した金属めつき層とその下に存在する金属薄膜層お
   よびその下に存在する金属層を溶解除去することによっ
   て行なう請求項１乃至６のいずれか１項記載の両面配線
   板の製造方法。
9. （９）基体上面における配線の形成後から基体下面にお
   ける配線の形成完了までの間、基体上面全体に亘り有機
   樹脂膜層で被覆する請求項１乃至８のいずれか１項記載
   の両面配線板の製造方法。