JPH03120805A - Lcフィルタ - Google Patents
LcフィルタInfo
- Publication number
- JPH03120805A JPH03120805A JP25908389A JP25908389A JPH03120805A JP H03120805 A JPH03120805 A JP H03120805A JP 25908389 A JP25908389 A JP 25908389A JP 25908389 A JP25908389 A JP 25908389A JP H03120805 A JPH03120805 A JP H03120805A
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- Japan
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- conductor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、信号ラインの電磁干渉防止対策上設けられる
低域フィルタに関する。
低域フィルタに関する。
(従来の技術)
コンピュータのリード線等に取付けられてノイズの侵入
を防止する従来のLCフィルタは、一般に、誘電体から
なるコンデンサと磁性体からなるインダクタか別々に構
成されている。そしてコンデンサは、リート線に外嵌し
た誘電体からなるビーズの外周に電極を設け、その電極
を接地し、インダクタはり−ト線に筒形をなす磁性体を
外嵌してなる。
を防止する従来のLCフィルタは、一般に、誘電体から
なるコンデンサと磁性体からなるインダクタか別々に構
成されている。そしてコンデンサは、リート線に外嵌し
た誘電体からなるビーズの外周に電極を設け、その電極
を接地し、インダクタはり−ト線に筒形をなす磁性体を
外嵌してなる。
LCフィルタとして、特開平L−22974号公報に開
示されているように、半導体性を有するフェライトてな
る筒形フィルタの外周に絶縁層を形成し、その絶縁層の
表面と、フェライトの貫通孔の内周面に電極を形成し、
貫通孔に導体を貫挿し、内外の電極と絶縁層との間でコ
ンデンサを形成し、フェライトによりインダクタを形成
したものが提案されている。
示されているように、半導体性を有するフェライトてな
る筒形フィルタの外周に絶縁層を形成し、その絶縁層の
表面と、フェライトの貫通孔の内周面に電極を形成し、
貫通孔に導体を貫挿し、内外の電極と絶縁層との間でコ
ンデンサを形成し、フェライトによりインダクタを形成
したものが提案されている。
(発明が解決すべき課題)
コンデンサとインダクタとを別体に構成したLCフィル
タは1部品点数か多く、取付はスペースか大となる上、
製造コストも高くなるという問題点かあった。また、特
開平1−22974号公報に開示されたLCフィルタは
、コンパクト化される利点はあるか、半導体性フェライ
トの表面を再酸化処理したり、金属酸化物を表面に塗布
して空気中で熱処理する等の処理を必要として、製造工
程数か多くなるいう問題点かあった。
タは1部品点数か多く、取付はスペースか大となる上、
製造コストも高くなるという問題点かあった。また、特
開平1−22974号公報に開示されたLCフィルタは
、コンパクト化される利点はあるか、半導体性フェライ
トの表面を再酸化処理したり、金属酸化物を表面に塗布
して空気中で熱処理する等の処理を必要として、製造工
程数か多くなるいう問題点かあった。
本発明は、このような問題点を解決し、部品点数か少な
く、かつ製造工程も簡単となるLCフィルタを提供する
ことを目的とする。
く、かつ製造工程も簡単となるLCフィルタを提供する
ことを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記の目的を達成するため1本発明は、NiwZnxC
uJ(!z04: 0 、05≦w≦0.95.0.0
5≦x≦0.95.0.05≦y≦0.95.1.8≦
2≦2.0なる組成の筒形フェライトを素子本体とし、
該素子本体の中心の貫通孔の表面および外表面に電極を
形成し、前記貫通孔に導体を貫挿してなることを特徴と
する。
uJ(!z04: 0 、05≦w≦0.95.0.0
5≦x≦0.95.0.05≦y≦0.95.1.8≦
2≦2.0なる組成の筒形フェライトを素子本体とし、
該素子本体の中心の貫通孔の表面および外表面に電極を
形成し、前記貫通孔に導体を貫挿してなることを特徴と
する。
(作用)
本発明によるLCフィルタは、素子本体か前記組成を有
し、透磁率が高いためにインダクタとしての機能を発揮
すると共に、所望の値以上の誘電率が得られ、抵抗率も
高いため、コンデンサとしての機悌も発揮する。
し、透磁率が高いためにインダクタとしての機能を発揮
すると共に、所望の値以上の誘電率が得られ、抵抗率も
高いため、コンデンサとしての機悌も発揮する。
(実施例)
第1図は本発明によるLCフィルタの一実施例を示す縦
断面図、第2図は本実施例の横断面図である。1は導体
、2はLCフィルタであり、該LCフィルタ2は、フェ
ライトでなる素子本体3の中央に前記導体lを貫挿する
貫通孔4を有し、その貫通孔4の内面に導体lを接触さ
せる電極5を形成し、表面にも電極6を形成してなる。
断面図、第2図は本実施例の横断面図である。1は導体
、2はLCフィルタであり、該LCフィルタ2は、フェ
ライトでなる素子本体3の中央に前記導体lを貫挿する
貫通孔4を有し、その貫通孔4の内面に導体lを接触さ
せる電極5を形成し、表面にも電極6を形成してなる。
これらの電極5.6は、銀、銅等の金属膜を焼付は等に
よって形成することにより構成される。素子本体3は、
N 1−Zn−Cu系フェライトからなる。
よって形成することにより構成される。素子本体3は、
N 1−Zn−Cu系フェライトからなる。
第3図は前記電極6を接地した場合の等価回路図であり
、LはこのLCフィルタにおいて、フェライトでなる素
子本体3によってもたらされるインダクタンス、Cは素
子本体3の誘電体としての作用により得られるキャパシ
タンスである。
、LはこのLCフィルタにおいて、フェライトでなる素
子本体3によってもたらされるインダクタンス、Cは素
子本体3の誘電体としての作用により得られるキャパシ
タンスである。
第2図において、aはリート線の半径、bはフィルタ2
の半径である。この構成において、インダクタンスし、
キャパシタンスCはそれぞれ下記のように表わされる。
の半径である。この構成において、インダクタンスし、
キャパシタンスCはそれぞれ下記のように表わされる。
L= (e/2π) log(b/a) [
H/mコたたし、μ:透磁率 C=2r@/ log(b/a)[F/m]ただし、ε
:誘電率 ここで、コンピュータ等においては、一般にa=O0・
l■〜0.3mmであり、また、フェライトでなる素子
本体3の強度上、電極5.6の厚さを無視したときの厚
さ(b−a)は0.5mm程度以上必要とされ、また小
型化の面から、b=0.9m−〜1.8@m程度に設定
される。
H/mコたたし、μ:透磁率 C=2r@/ log(b/a)[F/m]ただし、ε
:誘電率 ここで、コンピュータ等においては、一般にa=O0・
l■〜0.3mmであり、また、フェライトでなる素子
本体3の強度上、電極5.6の厚さを無視したときの厚
さ(b−a)は0.5mm程度以上必要とされ、また小
型化の面から、b=0.9m−〜1.8@m程度に設定
される。
一方、コンピュータ等においては、1oOHz程度以上
の周波数の雑音が20dB程度以上減衰することが要求
されることを考慮すれば、素子本体3の長さu=1.0
m■〜9.Ol−とすれば、インダクタンス値りとして
100nH〜450nll、キャパシタンス値Cとして
1opF〜16pF程度が必要となり、このような値を
得るには、透磁重用は50以上、誘電率εは10以上必
要となる。また、損失を極力小さくするためには、抵抗
率は10’ΩC■以上であることか望まれる。
の周波数の雑音が20dB程度以上減衰することが要求
されることを考慮すれば、素子本体3の長さu=1.0
m■〜9.Ol−とすれば、インダクタンス値りとして
100nH〜450nll、キャパシタンス値Cとして
1opF〜16pF程度が必要となり、このような値を
得るには、透磁重用は50以上、誘電率εは10以上必
要となる。また、損失を極力小さくするためには、抵抗
率は10’ΩC■以上であることか望まれる。
このような特性のLCフィルタを得るため、試作を次の
ような工程で行なった。
ような工程で行なった。
(1)まず、 Ni−Zn−Cu系フェライト材を用い
て筒形の素子本体3を成形する。
て筒形の素子本体3を成形する。
(2)成形したものを焼成する。
(3)素子本体3の筒内及び外周に電極部5,6を焼き
付けまたはメツキで形成する。
付けまたはメツキで形成する。
(4)貫通孔4内に導体lを設ける。
第4図は、素子本体3の組成をN iwZnxcuvF
ezO<で表した場合、NiとZnとの比w:xを一定
(1:1)、z=1.95とし、NiとZnに対してC
uを置換させた場合の組成の変化に対する透磁率μ、誘
電率εおよび抵抗率ρの値の変化を示すものである。
ezO<で表した場合、NiとZnとの比w:xを一定
(1:1)、z=1.95とし、NiとZnに対してC
uを置換させた場合の組成の変化に対する透磁率μ、誘
電率εおよび抵抗率ρの値の変化を示すものである。
また、:55図は、第4図において、透磁率ル1、A電
率εおよび抵抗率ρの値の面で最適と思われるCuの置
換量であるyを一定(y=0.2)とし、また、Feの
星zを一定(z=1.95)とした場合において、w:
xの比を種々に変化させた場合の透磁車路、誘電率εお
よび抵抗率ρの値の変化を示すものである。
率εおよび抵抗率ρの値の面で最適と思われるCuの置
換量であるyを一定(y=0.2)とし、また、Feの
星zを一定(z=1.95)とした場合において、w:
xの比を種々に変化させた場合の透磁車路、誘電率εお
よび抵抗率ρの値の変化を示すものである。
また、第6図は、w:x:y=2:2:1とし、Fcの
jlM Zを種々に変化させた場合の透磁率ル、誘電率
εおよび抵抗率ρの値の変化を示すものである。
jlM Zを種々に変化させた場合の透磁率ル、誘電率
εおよび抵抗率ρの値の変化を示すものである。
第4図ないし第6図から、透磁率p、誘電率εおよび抵
抗率ρの値か上述のイ1を満足する各元素の組成は0.
05≦w≦0.95.0.05≦x≦0.95,0.0
5≦y≦0.95,1.8≦2≦2.0なる範囲である
。なお、必要に応じて微量の添加物を加えることもある
。
抗率ρの値か上述のイ1を満足する各元素の組成は0.
05≦w≦0.95.0.05≦x≦0.95,0.0
5≦y≦0.95,1.8≦2≦2.0なる範囲である
。なお、必要に応じて微量の添加物を加えることもある
。
(発明の効果)
本発明によれば、Ni−Zn−Cu系筒形フェライトの
組成を前述の範囲に設定することにより、1個の素子で
インダクタとコンデンサを構成することができるから、
部品点数の減少、取付はスペースの縮小か達成される。
組成を前述の範囲に設定することにより、1個の素子で
インダクタとコンデンサを構成することができるから、
部品点数の減少、取付はスペースの縮小か達成される。
また本発明のLCフィルタは、フェライトの表面の絶縁
化等の工程を必要としないため、製造工程数が少なく、
安価に提供できる。
化等の工程を必要としないため、製造工程数が少なく、
安価に提供できる。
第1図は本発明によるLCフィルタの一実施例を示す縦
断面図、第2図はその横断面図、第3図は該LCフィル
タの等価回路図、第4[間ないし第6図は本発明におい
て、種々の組成における透磁率、誘電率および抵抗率の
変化を示す図である。 l:導体、2 : LCフィルタ、3:素子本体、4:
貫通孔、5.6:電極
断面図、第2図はその横断面図、第3図は該LCフィル
タの等価回路図、第4[間ないし第6図は本発明におい
て、種々の組成における透磁率、誘電率および抵抗率の
変化を示す図である。 l:導体、2 : LCフィルタ、3:素子本体、4:
貫通孔、5.6:電極
Claims (1)
- Ni_wZn_xCu_yFe_zO_4:0.05
≦w≦0.95、0.05≦x≦0.95、0.05≦
y≦0.95、1.8≦z≦2.0なる組成の筒形フェ
ライトを素子本体とし、該素子本体の中心の貫通孔の表
面および外表面に電極を形成し、前記貫通孔に導体を貫
挿してなることを特徴とするLCフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25908389A JPH03120805A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | Lcフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25908389A JPH03120805A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | Lcフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120805A true JPH03120805A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17329082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25908389A Pending JPH03120805A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | Lcフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120805A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000201042A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-18 | Kankyo Denji Gijutsu Kenkyusho:Kk | 貫通型emiフィルタ |
| KR100495871B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2005-06-16 | 익스팬테크주식회사 | 각형 소자를 내장한 관통형 필터 |
| JP2009164513A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP25908389A patent/JPH03120805A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000201042A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-18 | Kankyo Denji Gijutsu Kenkyusho:Kk | 貫通型emiフィルタ |
| KR100495871B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2005-06-16 | 익스팬테크주식회사 | 각형 소자를 내장한 관통형 필터 |
| JP2009164513A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
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