JPH03122088A - シリコン単結晶引き上げ装置の保温筒 - Google Patents
シリコン単結晶引き上げ装置の保温筒Info
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
するシリコン巾結晶引き上げ装置(以下、引き上げ装に
と略す)において、シリコン原料を溶融するルツボの外
側に設こされる保温筒に関する。
、例えば図面に示すようなものが知られている。この引
き上げ装置(10)にあっては、ルツボ(2)内に多結
晶シリコン原料を装填した後、電極(3)からクランプ
(4)を介してヒータ(5)に通電することによってル
ツボ(2)内の多結晶シリコン原料を加熱溶融し、引き
上げ軸(7)に携り付けられた種結晶体をシリコン融液
(6)に浸し、これを引き−Fげることによってシリコ
ン単結晶を製造するようになっている。
、 ■ルツボ(2)及びルツボ(2)内のシリコン融液(6
)の温度が低下するのを防止するため、■引き上げ装2
2(10)の外壁(8)近傍に装填されている断熱材(
9)かシリコン蒸気等に侵されるのを防止するため ■ItIr%材(9)等の不純物がルツボ(2)内に侵
入するのを防止するため にルツボ(2)を覆うように保温筒(1)か設置されて
いる。そして従来、この保温筒(1)は、一般に電極等
を製造する際に用いられる粒径か1〜16mmと大きな
炭素材原料を押し出し成形法により所望の形状に成形し
た後、この成形体を焼成・黒鉛化し、加工を施してなる
ものである。このようにして得られる保温筒(1)は、
保温壁及びルツボ(2)内への不純物の侵入を防止する
防護壁として作用するのは勿論のこと、平均気孔径が2
0〜30ルmと犬きく、気孔率も20〜40%と高いこ
とから、シリコン蒸気の吸着性に優れ、ルツボ(2)か
ら発散されるシリコン蒸気を吸着して断熱材(9)かシ
リコン蒸気に侵されるのを防止するようになっている。
リコン蒸気の吸着性に優れている反面、平均気孔径か大
きく、気孔率か高いため、機械的な強度に劣り、所望形
状に加工する際、或いは引き上げ装置(10)にセット
する際等に破損する虞れかあった。
のバラツキか大きいため、各部においてシリコン蒸気の
吸着性にバラツキかあった。従って、シリコン蒸気の吸
着性に劣る部分においては、シリコン蒸気が保温筒(1
)の内部にまで深く浸透せず、シリコン蒸気が表面に付
着して被膜状の硅化層か形成されてしまう。その結果、
硅化層か形成された部分においては、硅化層と保温筒(
1)との熱膨)率の差によって歪か生じ、クラックが発
生するといった問題があった。
械的強度が低く、そのバラツキも大きいため、内部クラ
ック等の構造破壊が発生し易かった。
、その構成粒子か5〜20μmと小さな炭素材原料から
なる保温筒(1)か知られている。
均気孔径か0.5〜2ALmと小さく、気孔率が10%
以下と低いため、機械的強度に優れる反1m、シリコン
蒸気の吸着性か全体において不十分てあり、全表面に硅
化層か形成され、硅化層と保温筒(1)との熱膨張率の
差によって歪が生じ、クラックが発生するといった問題
かあった。
り、その目的は、シリコン蒸気の吸着性に優れ、かつ機
械的な強度に優れた保温筒(1)を提供することにある
。
段は、 r多結晶シリコン原料を溶融するルツボ(2)の外側に
設置される保温筒(1)であって、その構成粒子が30
〜500JLmの炭素材原料からなり、平均気孔径が3
〜50μm、気孔率が10〜40%、及び機械的強度の
異方比か1.25以下であることを特徴とするシリコン
単結晶引き上げ装2i(10)の保温筒(1)」である
。
度が挙げられる。
炭素材原料の粒径か30〜5007zmの範囲である必
要かある。粒径が500JLmより大きいと、十分な機
械的強度か得られないからであり、一方粒径か30pm
より小さいと、十分な吸着性が得られないからである。
経か3〜50JLmの範囲で、気孔率が10〜40%の
範囲である必要かある。平均気孔径か50μmより大き
い、或いは気孔率か40%より高いと、十分な機械的強
度が得られないからてあり、一方平均気孔径が3JLm
より小さい、或いは気孔率が10%より低いと、十分な
吸着性か得られないからである。
械的強度が得られないからである。
例えばCIP法(ラバープレス法)等を用いて成形後、
焼成・黒鉛化することにより製造することかできる。
すような作用かある。
、平均気孔径か3〜50JLm、気孔率か10〜40%
であるため、全体に亘ってシリコン蒸気の吸着性に優れ
、シリコン蒸気か深くまで侵透するため、表面に硅化層
か形成され難く、硅化層と保温筒(+)との熱膨張率の
差によるクラックが発生し難くなっている。
機械的強度に優れ、所望形状に加工する際、或いは引き
上げ装ffl (10)にセットする際等に破損し難く
なっている。
と、結合材となるコールタールピッチ30重量部とを加
熱混練した後、この混練物を30〜300用mに粉砕し
、炭素材原料を形成した。
成形体を形成し、この成形体を焼成・黒鉛化して黒鉛材
を形成した。得られた黒鉛材は、平均気孔径が34mで
、気孔率が10%、曲げ強度の異方比か1.05であっ
た。
cm、高さ700cmの保温筒(1)を得た。
、結合材となるコールタールピッチ30重量部とを加熱
混練した後、この混練物を300〜500pmに粉砕し
、炭素材原料を形成した。
を形成した。得られた黒鉛材は、平均気孔径か50ルm
、気孔率か40%、曲げ強度の異方比が1.25であっ
た。
1)を得た。
素材原料を用いて、押し出し成形法にて所望形状の成形
体を形成し、この成形体を焼成・黒鉛化して黒鉛材を形
成した。得られた黒鉛材は、平均気孔径か6μm、気孔
率か25%、曲げ強度の異方比が2,15であった。
1)を得た。
法にて所望形状の成形体を形成し、この成形体を焼成・
黒鉛化して黒鉛材を形成した。
6%、曲げ強度の異方比か1.10てあった。
+)を得た。
10)に設置し、シリコン蒸気の吸着性(浸透深さ)、
及び機械的強度(曲げ強度)等を比較した。その結果を
次表に示す。
1)は、従来のちのに比し、シリコン蒸気の吸着性、及
び機械的強度に優れ、耐久使用時間か長くなっている。
成粒子か30〜500μmの炭素材原料からなり、刊均
気孔径か3〜50μm、気孔率が10〜40%であるた
め、全体に亘ってシリコン蒸気の吸着性に優れ、シリコ
ン蒸気か深くまで侵透するため、表面に硅化層が形成さ
れ難く、硅化層と保温筒との熱膨張率の差によるクラッ
クか発生し難くなっている。従って、従来のものに比し
、長寿命の保温筒とすることかできる。
機械的強度に優れ、所望形状に加工する際、或いは引き
上げ装置にセラ1〜する際等に破損し難くなっている。
。 符号の説明 1・・・保温筒、2・・・ルツボ、3・・・電極、ンフ
、5・・・ヒータ、6・・・シリコン融液、上げ軸、8
・・・外壁、9・・・断熱材、10・・・装置。 4・・・クラ 7・・・引き きとげ装
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多結晶シリコン原料を溶融するルツボの外側に設置され
る保温筒であって、 その構成粒子が30〜500μmの炭素材原料からなり
、平均気孔径が3〜50μm、気孔率が10〜40%、
及び機械的強度の異方比が1.25以下であることを特
徴とするシリコン単結晶引き上げ装置の保温筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25681089A JP2748032B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | シリコン単結晶引き上げ装置の保温筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25681089A JP2748032B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | シリコン単結晶引き上げ装置の保温筒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122088A true JPH03122088A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2748032B2 JP2748032B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17297753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25681089A Expired - Lifetime JP2748032B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | シリコン単結晶引き上げ装置の保温筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748032B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25681089A patent/JP2748032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748032B2 (ja) | 1998-05-06 |
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