JPH03122284A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、フレキシブルな基板上に効率良く薄膜を形成
するためのプラズマＣＶＤ装置に関スル。

［従来の技術］ プラズマＣＶＤ装置は、直流または高周波電源、真空装
置、ガス供給装置、反応チャンバー等から構成されてい
る。

一般に用いられているプラズマＣＶＤ装置の反応チャン
バー要部の概略構造を第２図に示し、各構成部材の作用
機能等を図に基づいて説明する。

すなわちこの装置は反応チャンバー内に、反応チャンバ
ーと絶縁体１で絶縁されている平行な一対の平板状の電
極４．４を互いに対向させて設け、これら対向する平板
状の電極４．４の間に平板状の基板２′、２′を配置し
、反応ガスをチャンバー内に導入しながら、前記平板状
の電極４．４間に直流または高周波電力を印加し、電極
４．４間で放電させて反応ガスを分解し、前記基板２′
、２′上に薄膜を形成させる装置である。

近年、薄膜デバイスが多岐の分野に亘って用いられるよ
うになり、薄膜デバイスの基板も、非可焼性基板に限ら
れることなく可焼性基板も使用されるようになり、フレ
キシブルな基板を用いてその上に薄膜デバイスを形成し
、薄膜デバイスを湾曲させて用いるといった事例も多く
見られるようになり、薄膜デバイスの用途が拡大されて
いる。

このようなフレキシブル基板を用いる薄膜デバイスの薄
膜形成にも従来のプラズマＣＶＤ装置がそのまま用いら
れているのが現状である。

上記従来のプラズマＣＶＤ装置による薄膜形成において
は、平板状の電極間に、フレキシブルな基板を平らに配
置して薄膜を形成している。

［発明が解決しようとする課題］ 前記従来のプラズマＣＶＤ装置使用の膜形成では、反応
チャンバー内で分解された反応ガスが反応チャンバー内
に一様に分布していても、対向する正負の電極間に配置
され得る基板の面積は基板支持面が平面であるという制
約のためチャンバー容積に比し相対的に小さく、したが
って反応ガス全量に対する成膜に費やされるガス量の割
合が小さい、すなわち効率が悪いという課題があった。

本発明の目的は、反応チャンバーの中央に一方の電極を
筒状に設け、反応チャンバー側面内壁を他方の電極とし
、該内壁に沿って、フレキシブルな基板を中央部の電極
のまわりに包囲状に配置することによって、上記課題を
解決することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供するこ
とにある。

［課題を解決するための手段］ 課題を解決するための手段として、次のような新しいプ
ラズマＣＶＤ装置すなわち：筒状の反応チャンバーとそ
の内部に配置された正負一対の電極；該電極に放電電圧
を与えるための直流または高周波電源；チャンバー内の
ガスを吸引排除するための真空装置および薄膜形成用基
板の固定手段を有してなる、放電環境で前記基板上に薄
膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置であって、筒状
反応チャンバー内のほぼ中央部に、一方の電極を壁面に
多数の貫通孔を有する中空円筒状の電極として配置し、
他方の電極をチャンバーの内壁に沿って前記一方の電極
を包囲するように配置し、さらに内壁面に設けられた前
記他方の電極の内側に前記基板を固定配置するための固
定手段を有していることを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置を開発した。

［作　用］ 筒状の反応チャンバーのほぼ中央部分に周囲に複数の貫
通孔を設けて中空円筒状に形成した一方の電極を配し、
他方の電極は、チャンバーの内壁に沿って一周するよう
に配するか、またはチャンバーの周壁自体を電極として
形成する。別に設けられたガス供給装置から、前記中空
円筒状電極の内部に反応ガスを導入し、貫通孔を通して
チャンバー内に放出することにより、チャンバー内側の
周面に沿って中央電極の周囲に包囲状に配置したフレキ
シブルな基板上に成膜されるようにしたので、チャンバ
ー内の反応ガスは、チャンバー周面に沿って広い面積で
配置された基板に接することになり、効率良く成膜する
ことができる。

すなわち、従来より広い面積の基板を、反応チャンバー
内に収納することができ、かつ基板上に均一に成膜する
ことができる。チャンバーの内壁に接して、連続して一
周するフレキシブル基板であれば最も効率良く、その効
果は絶大である。

［実施例］ 第１図に、本発明の一実施例としての反応チャンバーの
要部を示す。

図において、ステンレス製の筒状反応チャンバー８は、
一方に開放口を有し、上下移動可能に設置され、かつア
ースされている。図は上方に移動した状態を示す。

反応チャンバー８の外周面には、ヒータ３が周回されて
固定され、ヒータ３は図示しない電源に接続されて、反
応チャンバー８を加熱可能にしている。反応チャンバー
８の内周壁には、基板を保持する保持具が設けられ、図
はフレキシブルな基板２が周囲に沿って配置されている
様を示している。

反応チャンバー８の底部には、ガス排気用の排気口５が
設けられている。一方反応チャンバー８の上部に、チャ
ンバー８の開放口を覆うように蓋状の板を配し、この板
に絶縁体１を介して一方の電極４を固定している。該一
方の電極４は筒状の電極であり、その一端に反応ガスを
導入するガス導入口９を備え、電極の周面に複数の貫通
孔を有し、反応ガスをチャンバー内に放出可能にしてい
る。さらに該電極は別に設けられた直流あるいは、高周
波電源に接続されている。

上記の装置を用いてフレキシブルな基板上に成膜する試
験を行ったところ、基板全面に−様な厚さの安定な薄膜
が効率良く形成できた。

［発明の効果］ 本発明によれば、反応チャンバーの内周壁に沿って、連
続したフレキシブルな基板を配置して、成膜できるので
、従来の約２培の効率で反応ガスを成膜に供することが
できて、生産性の向上に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例としてのプラズマＣＶＤ装
置の反応チャンバー要部の概略構造を示す断面図である
。 第２図は従来のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー要
部の概略構造を示す断面図である。 図中の符号は次のものをそれぞれ表す。 】・・・・絶縁体 ２・・・・フレキシブルな基板 ２′・・・・平面に配置された基板 ３・・・・ヒータ ４・・・・電極 ５・・・・排気口 ６・・・・高周波電源 ７・・・・シールド ８・・・・反応チャンバー ９・・・・反応ガス導入口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　筒状の反応チャンバーとその内部に配置された正負一
   対の電極；該電極に放電電圧を与えるための直流または
   高周波電源；チャンバー内に反応ガスを供給するための
   ガス供給装置；チャンバー内のガスを吸引排除するため
   の真空装置および薄膜形成用基板の固定手段を有してな
   る、放電環境で前記基板上に薄膜を形成するためのプラ
   ズマＣＶＤ装置であって、筒状反応チャンバー内のほぼ
   中央部に、一方の電極を壁面に多数の貫通孔を有する中
   空円筒状の電極として配置し、他方の電極をチャンバー
   の内壁に沿って前記一方の電極を包囲するように配置し
   、さらに内壁面に設けられた前記他方の電極の内側に前
   記基板を固定配置するための固定手段を有していること
   を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。