JPS635526A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS635526A JPS635526A JP61148717A JP14871786A JPS635526A JP S635526 A JPS635526 A JP S635526A JP 61148717 A JP61148717 A JP 61148717A JP 14871786 A JP14871786 A JP 14871786A JP S635526 A JPS635526 A JP S635526A
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- JP
- Japan
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- vacuum vessel
- vacuum container
- heating
- dry etching
- adhesion preventive
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板などの試料をドライエツチングす
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
従来の技術
近年、ドライエツチング装置は、微細パターンをよシ高
精度に加工できる技術として、半導体等の製造技術の中
核となるものである。
精度に加工できる技術として、半導体等の製造技術の中
核となるものである。
以下図面を参照しながら上述した従来のプラズマエツチ
ング装置の一例について説明する。
ング装置の一例について説明する。
第２図は、従来のドライエツチング装置の構成を示すも
のである。第２図において、１ａは真空容器、２ａは上
部電極、３ａは下部電極で７ａの試料を置くところであ
る。６ａはガス導入口、６ａは高周波電源、８ａは真空
容器１ａを加熱するだめの加熱機構、９ａは排気口であ
る。
のである。第２図において、１ａは真空容器、２ａは上
部電極、３ａは下部電極で７ａの試料を置くところであ
る。６ａはガス導入口、６ａは高周波電源、８ａは真空
容器１ａを加熱するだめの加熱機構、９ａは排気口であ
る。
以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下にその動作について説明する。
、以下にその動作について説明する。
従来のドライエツチング装置１例えば平行平板電極型の
ドライエツチング装置は、真空容器１ａ内に上部電極２
ａと、これに対向して試料台となる下部電極３ａを配置
させ、この下部電極３ａに被エツチング試料７ａとして
の半導体基板を載置させた状態で、真空容器１ａ内にガ
ス導入口６ａからエツチング用ガスを導入すると同時に
、排気口９ａよ、り適当に排気しつつガス圧を一定に保
持し、かつ、下部電極３ａに例えば１３．５ ｅ ＭＨ
ｚの高周波電圧を、高周波電源６ａから印加して。
ドライエツチング装置は、真空容器１ａ内に上部電極２
ａと、これに対向して試料台となる下部電極３ａを配置
させ、この下部電極３ａに被エツチング試料７ａとして
の半導体基板を載置させた状態で、真空容器１ａ内にガ
ス導入口６ａからエツチング用ガスを導入すると同時に
、排気口９ａよ、り適当に排気しつつガス圧を一定に保
持し、かつ、下部電極３ａに例えば１３．５ ｅ ＭＨ
ｚの高周波電圧を、高周波電源６ａから印加して。
ガスプラズマを発生させ、このプラズマの化学作用およ
びスパッタ作用により、半導体基板表面の多結晶シリコ
ン膜、窒化珪素膜などをエツチング除去するようにし、
また、真空容器１ａに加熱機構８ａを配して加熱し、真
空容器１ａ内を常に所定条件下に保持するようにしてい
る。
びスパッタ作用により、半導体基板表面の多結晶シリコ
ン膜、窒化珪素膜などをエツチング除去するようにし、
また、真空容器１ａに加熱機構８ａを配して加熱し、真
空容器１ａ内を常に所定条件下に保持するようにしてい
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の構成では、エツチング用ガスと試
料７ａとの反応によって生成された反応生成物が真空容
器１ａの内壁面に付着し、これが加工すべき試料７ａ面
の汚染原因となるという問題点を有していた。
料７ａとの反応によって生成された反応生成物が真空容
器１ａの内壁面に付着し、これが加工すべき試料７ａ面
の汚染原因となるという問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点に鑑み、真空容器に内接し、加熱
機構を有した着脱可能な防着板を備えたものである。
機構を有した着脱可能な防着板を備えたものである。
作 用
本発明は、上記した構成によって、真空容器に内接した
加熱機構を有する着脱可能な防着板に付着するエツチン
グ用ガスと試料との反応によって生成された反応生成物
を、加熱遊離除去させることによシ、真空容器内を常に
所定の条件に保持させることとなる。
加熱機構を有する着脱可能な防着板に付着するエツチン
グ用ガスと試料との反応によって生成された反応生成物
を、加熱遊離除去させることによシ、真空容器内を常に
所定の条件に保持させることとなる。
実施例
以下本発明の実施例のドライエツチング装置について１
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の実施例におけるドライエツチング装置
の構成を示すものである。
の構成を示すものである。
第１図において、１は真空容器、２は上部の平板電極、
３は下部の平板電極で試料７を置くところである。４は
加熱機構８を有した着脱可能な防着板で真空容器１に内
接している。６はガス導入口、６は高周波電源、８は上
部の平板電極２．下部の平板電極３．防着板４を加熱す
るだめの例えば、電気ヒータを内蔵した加熱機構、９は
排気口である。
３は下部の平板電極で試料７を置くところである。４は
加熱機構８を有した着脱可能な防着板で真空容器１に内
接している。６はガス導入口、６は高周波電源、８は上
部の平板電極２．下部の平板電極３．防着板４を加熱す
るだめの例えば、電気ヒータを内蔵した加熱機構、９は
排気口である。
以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下第１図を用いてその動作を説明する。
、以下第１図を用いてその動作を説明する。
第１図は本実施例のドライエツチング装置を示すもので
あって、真空容器１内に上部の平板電極２と、これに対
向して試料台となる下部の平板電極３を配置させ、この
下部の平板電極３に被エツチング試料７としての半導体
基板を載置させた状態で、真空容器１内にガス導入口６
からエツチング用ガスを導入すると同時に、排気口９よ
り適当に排気しつつガス圧を一定に保持し、かつ、下部
の平板電極３に例えば１３．５６ＭＨｚ の高周波電圧
を、高周波電源６から印加して、ガスプラズマを発生さ
せ、このプラズマの化学作用およびスパッタ作用により
、半導体基板表面の多結晶シリコン膜、窒化珪素膜など
をエツチング除去するようにし、真空容器１に内接した
加熱機構８を有する着脱可能な防着板４に付着するエツ
チング用ガスと試料７との反応によって生成された反応
生成物を加熱遊離除去させることにより、真空容器１内
は常に清浄に保持されることになり、結果的に試料７へ
の汚染を防止できる。
あって、真空容器１内に上部の平板電極２と、これに対
向して試料台となる下部の平板電極３を配置させ、この
下部の平板電極３に被エツチング試料７としての半導体
基板を載置させた状態で、真空容器１内にガス導入口６
からエツチング用ガスを導入すると同時に、排気口９よ
り適当に排気しつつガス圧を一定に保持し、かつ、下部
の平板電極３に例えば１３．５６ＭＨｚ の高周波電圧
を、高周波電源６から印加して、ガスプラズマを発生さ
せ、このプラズマの化学作用およびスパッタ作用により
、半導体基板表面の多結晶シリコン膜、窒化珪素膜など
をエツチング除去するようにし、真空容器１に内接した
加熱機構８を有する着脱可能な防着板４に付着するエツ
チング用ガスと試料７との反応によって生成された反応
生成物を加熱遊離除去させることにより、真空容器１内
は常に清浄に保持されることになり、結果的に試料７へ
の汚染を防止できる。
発明の効果
以上のように本発明は、真空容器に内接した加熱機構を
有する防着板に付着するエツチング用ガスと試料との反
応によって生成された反応生成物を、加熱遊離除去させ
ることにより真空容器内を常に清浄に保持することがで
きる。また、防着板に反応生成物が付着し、加熱によっ
て遊離除去できない場合にも、防着板は着脱可能である
ため。
有する防着板に付着するエツチング用ガスと試料との反
応によって生成された反応生成物を、加熱遊離除去させ
ることにより真空容器内を常に清浄に保持することがで
きる。また、防着板に反応生成物が付着し、加熱によっ
て遊離除去できない場合にも、防着板は着脱可能である
ため。
交換することができるので、この反応生成物によってエ
ツチング中の試料の汚染を効果的に阻止でき、常に良好
、適切なエツチングが行なえるなどの特長を有するもの
である。
ツチング中の試料の汚染を効果的に阻止でき、常に良好
、適切なエツチングが行なえるなどの特長を有するもの
である。
第１図は本発明の一実施例によるドライエツチング装置
を示す断面図、第２図は従来例によるドライエツチング
装置を示す断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・平板電極、３
・・・・・・平板電極、４・・・・・・防着板、６・・
・・・・ガス導入口、６・山・・高周波電源、了・・・
・・・試料、８・・・・・・加熱機構、９・・・・・・
排気口。
を示す断面図、第２図は従来例によるドライエツチング
装置を示す断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・平板電極、３
・・・・・・平板電極、４・・・・・・防着板、６・・
・・・・ガス導入口、６・山・・高周波電源、了・・・
・・・試料、８・・・・・・加熱機構、９・・・・・・
排気口。
Claims (1)
- 真空容器と、この真空容器に連結された真空排気手段と
、この真空容器内に設けられ対向する一対の平板電極と
、前記平板電極のいずれか一方に電気的に接続された高
周波電源と、前記真空容器に内接し、加熱機構を有した
着脱可能な防着板を備えたことを特徴とするドライエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148717A JPS635526A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148717A JPS635526A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635526A true JPS635526A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15459020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61148717A Pending JPS635526A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635526A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254731A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US8444926B2 (en) | 2007-01-30 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with heated chamber liner |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61148717A patent/JPS635526A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254731A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US7208422B2 (en) | 1995-03-16 | 2007-04-24 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method |
| US7565879B2 (en) | 1995-03-16 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd | Plasma processing apparatus |
| US8444926B2 (en) | 2007-01-30 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with heated chamber liner |
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