JPH0312229A - 真空装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 真空装置、特に真空槽とこの真空槽を載置するベースプ
レート間の気密接着構造に関し、真空槽とベースプレー
ト間から真空槽内への大気の侵入を防止を目的とし、 ベースプレートの表面と該ベースプレートの表面に開口
面を対向させて載置された真空槽の側壁間が溶融固化さ
れた低融点金属によって気密にな〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空装置、特に真空槽とこの真空槽を載置す
るベースプレート間の気密接着構造に関する。

最近の半導体装置の高性能化に伴って、真空槽内に質の
高い真空を実現できる真空装置が益々必要となってきた
。

真空装置の真空槽内を高品質の真空にする為には、真空
槽とこの真空槽を載置するベースプレート間、いわゆる
真空気密部から真空槽内への大気の侵入（以下、リーク
と呼称）をなくすことが極めて重要である。

〔従来の技術〕

次に、従来の真空装置について図面を参照して詳細に説
明する。

第２図は、従来例による真空装置の概略側断面図であっ
て、１はステンレス鋼製の真空槽、２はステンレス鋼製
のベースプレート、３は真空槽の側壁１ａとベースプレ
ートの表面２ａとの間に装着されて真空槽とベースプレ
ート間の真空気密をする弾性を有する弗素ゴム製の０リ
ング、４は真空バルブ５を介挿して真空槽内と排気装置
６間とを連通ずる排気管、５は排気管の排気路４ａの開
放と閉塞を行う真空バルブ、６は排気装置、７は真空槽
の側壁に垂直に固定されると共に昇降支柱８の側面にも
垂直に固定さたアーム、８は昇降支柱、９は昇降支柱を
昇降して真空槽を昇降させる昇降装置、　１０は排気装
置等を内部に格納すると共に表面にベースプレートを載
置する架台をそれぞれ示す。

尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号を
付与しである。

即ら、第２図は、昇降装置を作動させて昇降支柱を昇降
装置内に引き込んで、真空槽が０リングを介して、ベー
スプレート上に載置さた状態を示すものである。

斯くして、真空槽とベースプレート間が０リングにより
真空気密状態となり、真空槽内と真空槽外間の気体（空
気）の出入りが遮断される。

従って、真空槽内を排気して真空にするには、先ず排気
装置を稼動させ、次いで真空バルブを作動させて排気管
の排気°路を開放し、真空槽内と排気装置とを排気路を
介して連通ずると、真空槽内の気体が排気装置により排
気されて真空となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

然しながら、前記０リングの表面、真空槽の側壁の端面
、及びベースプレートの表面には微細な傷が入り易かっ
た。

従って、この微細な傷を通って真空槽内に大気がリーク
し、真空槽内の真空度を低下（真空槽内の圧力が高くな
ること）させることは熱論、真空槽内の真空の質を悪く
する等の問題があった。

本発明は、斯かる問題に鑑みてなされたものであって、
その目的は、真空槽とベースプレート間の真空気密部か
ら真空槽内へのリークを防止することのできる真空装置
の気密方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は第１図に示すように、ベースプレート１２の
表面１２ａと該ベースプレート１２の表面１２ａに開口
面１１ａを対向させて載置された真空槽１１の側壁１１
ｂ間が溶融固化された低融点金属１３によって気密とさ
れてなることを特徴とする真空装置により解決される。

〔作　用〕

真空槽１１とベースプレート１２間の真空気密は、真空
槽の側壁１１ｂの端面を該ベースプレートの表面１２ａ
に当接させて、真空槽とベースプレート間に溶融してい
る低融点金属１３を適用して、この低融点金属をそのま
ま冷却して固体にし、真空槽とベースプレート間の真空
気密を行っている。

従って、真空槽の側壁端面とベースプレート表面間は固
より、真空槽の側壁端面やベースプレート表面の微細な
傷の中も低融点金属で埋まるために、真空槽とベースプ
レート間からのリークは無くなり、真空槽内の真空度は
良くなるとともに、真空の質も改善される。

〔実　施　例〕

以下、本発明の真空装置の実施例に基づいて詳細に説明
する。

第１図は、本発明の一実施例の真空装置の概略側断面図
である。

図において、１１は側壁１１ｂの表面を銅メツキした真
空槽、１２は表面１２ａを銅メツキしたベースプレート
、１３は低融点金属のインジウム（ＩｒＢ融点１５６℃
）、１４は加熱容器をそれぞれ示す。

尚、加熱容器１４は次のようにして形成されたものであ
る。

先ず、ベースプレート１２の表面１２ａを切り込んで環
状の内溝１２ｂ及び外溝１２ｃを設ける。

また、短冊状のステンレス鋼板を環状に成型して前記内
溝内及び外溝内に嵌着可能な内輪１４ｂ及び外輪１４ｃ
を形成する。

そして、前記内溝１２ｂに前記内輪１４ｂを、前記外溝
１２ｃに前記外輪１４ｃを嵌着した後、それぞれを溶着
して真空気密をする。

然る後、加熱ヒータ１４ａを前記外輪１４ｃの外周に配
設して加熱容器１４は構成される。

従って、前記内輪１４ｂと外輪１４ｃ間で形成される金
属溜り１５にインジウム等の低融点金属１３を入れて、
加熱ヒータ１４ａにより加熱することにより低融点金属
１３を溶融することができる。

次に、真空槽１１とベースプレー１−１２間を真空気密
にする方法を説明する。

同図（ａ）は真空気密前の真空槽１１とベースプレー目
２の位置関係図である。

先ず、加熱ヒータ１４ａの図示してないスイッチを入れ
て、加熱ヒータ１４ａ　自身を加熱する。

すると、加熱容器１４を２５０℃程度に加熱するように
予め調整された加熱ヒータ１４ａは、この加熱容器１４
を２５０℃程度に加熱し金属溜りＩ５内のインジウム１
３を）容器する。

次いで、昇降装置９を作動させて昇降支柱８を昇降装置
内に引き込み始めると、アーム７の一端に固定した真空
槽１１も下降を始める。

そして、真空槽１１の開口端が金属溜り１５の底に相当
するベースプレート１２の表面１２ａに当接すると同時
に昇降装置９が停止し、加熱ヒータ１４ａのスイッチも
所定時間経過した後に切れる。

従って、インジウム１３の温度は時間の経過とともに下
降し、温度が１５６℃になった時点で固まって固体に戻
る。

この結果、金属溜り１５内で溶融していたインジウム１
３に接していた真空槽■１の側壁１１ｂとベースプレー
ト１２の表面１２ａにインジウムが金属接合されて、真
空槽とベースプレート間はリークのない真空気密が形成
される（同図（ｂ）；真空気密後の真空槽とベースプレ
ートの位置関係図参照）。

尚、真空槽１１内を排気して真空にする方法は前記した
従来の真空装置と同一であるのでここでの説明は割愛す
る。

また、真空槽１１の上昇は、加熱ヒータ１４ａのスイッ
チを再度入れてインジウム１３を溶融状態にした後、昇
降装置９を作動させて昇降支柱８を該昇降装置から押し
出すことにより行う。

斯かる本発明の真空装置は、半導体装置の製造工程にお
いて使用される真空装置、例えば気相成長用真空装置や
蒸着用真空装置に効果的に適用できるものである。

なお、」二記実施例においては低融点金属としてインジ
ウムを採り上げて説明をしたが、鉛（Ｐｂ；融点３２７
℃）　、ｍ（Ｓｎ：融点２３２℃）、錫−鉛系のはんだ
等も勿論使用可能である。

更に、第１図の加熱ヒータ１４ａの代わりに、冷却装置
を設けることにより水銀（ｌ１ｇ、融点−３９℃）の使
用も可能である。

〔発明の効果〕

以」二、詳細に説明をした本発明によれば、大気が真空
槽内にリークしない真空装置を提供することができる。

この結果、真空装置の真空槽内には品質の良い真空を形
成することが可能となり、半導体装置等の特性の改善は
熱論のこと該半導体装置を歩留まり良く製造することを
可能にする。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の真空装置の概略側断面図、 第２図は従来例による真空装置の概略側断面図である。 図において、 ■と１１は真空槽、２と１２はベースプレート、３は０
リング、　４は排気管、 ５は真空パルプ、６は排気装置、 ７はアーム、　　　８は昇降支柱、 ９は昇降装置、　１０は架台、 １３は低融点金属、１４は加熱容器、 １５は金属溜りをそれぞれ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ベースプレート（１２）の表面（１２ａ）と該ベースプ
   レート（１２）の表面（１２ａ）に開口面（１１ａ）を
   対向させて載置された真空槽（１１）の側壁（１１ｂ）
   間が溶融固化された低融点金属（１３）によって気密と
   されてなることを特徴とする真空装置。