JPH03126014A - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH03126014A JPH03126014A JP1264409A JP26440989A JPH03126014A JP H03126014 A JPH03126014 A JP H03126014A JP 1264409 A JP1264409 A JP 1264409A JP 26440989 A JP26440989 A JP 26440989A JP H03126014 A JPH03126014 A JP H03126014A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- active matrix
- matrix liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は大型化が可能なアクティブマトリックス液晶表
示装置の構成に関係する。
示装置の構成に関係する。
従来の技術
現在、４０インチあるいは５０インチの大画面表示がで
きる方法にＣＲＴや液晶を用いた投射型表示装置がある
。直視型のものは大変困難とみられている。ＣＲＴでそ
のようなものがあるが体積が大きくまた大変重い、現在
、新しい技術の出現が渇望されていて、液晶表示パネル
が有望であるとみられている。
きる方法にＣＲＴや液晶を用いた投射型表示装置がある
。直視型のものは大変困難とみられている。ＣＲＴでそ
のようなものがあるが体積が大きくまた大変重い、現在
、新しい技術の出現が渇望されていて、液晶表示パネル
が有望であるとみられている。
液晶を用いた表示パネルの構造には大きく分けて二つの
分類がある。一つは単純マトリックス型であり、もう一
つはアクティブマトリックス型と言われるものである。
分類がある。一つは単純マトリックス型であり、もう一
つはアクティブマトリックス型と言われるものである。
単純マトリックスというのは、直交する上下二組のスト
ライプ状電極群の交点を一つの表示素子（絵素）とし、
各々の電極に適当な信号を印加して、所望の画像を表示
しようとするものである。
ライプ状電極群の交点を一つの表示素子（絵素）とし、
各々の電極に適当な信号を印加して、所望の画像を表示
しようとするものである。
アクティブマトリックス型と言われるものは表示絵素の
各々に付けたアクティブ素子（トランジスタ等）により
各絵素の光透過率を独立して制御しようとするものであ
る。アクティブ素子の代わりに非直線素子を使うものも
ある。
各々に付けたアクティブ素子（トランジスタ等）により
各絵素の光透過率を独立して制御しようとするものであ
る。アクティブ素子の代わりに非直線素子を使うものも
ある。
また、小単位のアクティブ素子アレイを繋ぎ合わせて大
型化を狙う考えもあった。
型化を狙う考えもあった。
発明が解決しようとする課題
前述の単純マトリックス表示の方法は表示パネルの構成
が簡単であるので大型パネルを作るのは比較的容易であ
る。しかしながら、各絵素は互いに電気的に独立ではな
く、中間調を含む高品位の画像は表示できないとされて
いる。この欠点を取り除くべ（開発されたのが、アクテ
ィブマトリックス型である。この型で現在もっともよく
研究され、且つ製造もされているのはアクティブ素子に
薄膜トランジスタを用いるものである。しかし、この方
法はパネル内面に薄膜トランジスタを少なくとも絵素の
数だけ一度に欠陥なく作らねばならず、構造の歩留まり
は大変低くなる。構造プロセスはＩＣプロセスを用いて
おり、パネルのサイズが大きくなればなるほど製造は難
しくなる。また、ＩＣと違ってサイズが大きいために、
構造が大きくなるし、また取り数が少なくなり構造速度
は極端に遅くなる。現実には、表示すイズが１０インチ
が限界ではないかと見られている。
が簡単であるので大型パネルを作るのは比較的容易であ
る。しかしながら、各絵素は互いに電気的に独立ではな
く、中間調を含む高品位の画像は表示できないとされて
いる。この欠点を取り除くべ（開発されたのが、アクテ
ィブマトリックス型である。この型で現在もっともよく
研究され、且つ製造もされているのはアクティブ素子に
薄膜トランジスタを用いるものである。しかし、この方
法はパネル内面に薄膜トランジスタを少なくとも絵素の
数だけ一度に欠陥なく作らねばならず、構造の歩留まり
は大変低くなる。構造プロセスはＩＣプロセスを用いて
おり、パネルのサイズが大きくなればなるほど製造は難
しくなる。また、ＩＣと違ってサイズが大きいために、
構造が大きくなるし、また取り数が少なくなり構造速度
は極端に遅くなる。現実には、表示すイズが１０インチ
が限界ではないかと見られている。
一方、この製造プロセスの複雑さを緩和するために、素
子にアクティブではないが非直線素子を使うものがあっ
た。しかし、表示性能が劣るし、また、口論んだほどに
歩留まり良くパネルはできない等の問題がある。
子にアクティブではないが非直線素子を使うものがあっ
た。しかし、表示性能が劣るし、また、口論んだほどに
歩留まり良くパネルはできない等の問題がある。
これらの欠点を補うべく考案された薄膜トランジスタア
レイを小単位で作りこれを組み合わせて大型化しようと
いうものは、相互の結線が難しく、また、基板間の隙間
が表示品位を著しく劣化させる等の問題がある。
レイを小単位で作りこれを組み合わせて大型化しようと
いうものは、相互の結線が難しく、また、基板間の隙間
が表示品位を著しく劣化させる等の問題がある。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明においては、表面に
少なくとも透明電極を有する２枚の透明基板で液晶を挟
んだような表示セルを用いる液晶表示装置において、一
方の基板上に一つあるいは複数のセルを制御するシリコ
ンチップを複数個配列し、もう一方の基板に上記シリコ
ンチップの対応する位置に窪みを設けて、二枚の基板を
張り合わせたようにしている。
少なくとも透明電極を有する２枚の透明基板で液晶を挟
んだような表示セルを用いる液晶表示装置において、一
方の基板上に一つあるいは複数のセルを制御するシリコ
ンチップを複数個配列し、もう一方の基板に上記シリコ
ンチップの対応する位置に窪みを設けて、二枚の基板を
張り合わせたようにしている。
作用
本発明を用いれば、製造上表示装置のサイズの大きさに
制限がなく、組み立て技術により実現できるために、従
来できなかった４０インチあるいはそれ以上の大きさの
表示装置が製作できる。
制限がなく、組み立て技術により実現できるために、従
来できなかった４０インチあるいはそれ以上の大きさの
表示装置が製作できる。
実施例
以下、本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置の
構成について図面を参照しながら説明する。
構成について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置
の表示セル構成の一例を示す説明図である。
の表示セル構成の一例を示す説明図である。
第１図−見おいて１０１はガラス等の透光性の材料から
なる基板である。１０２はその上に設けた透明導電性の
電極で、表示セルＴＬ極になる。１０３はＴｉ１Ｂある
いは信号用の配線である。図では２本の配線のみしか描
いていない。これは透明でなくとも良い、１０６は表示
セル制御用のシリコンチップである。フェースダウンで
Ｔｇ、源や信号用の配線１０３に接合する。１０７は接
合用のバンプである。１０４はシリコンチップ１０６の
位置に窪み１０８を設けた透明基板である。２枚の透明
基板１０１と１０４によって挟まれた空間には液晶を満
たす、上側基板１０４には透明電極１０５を設けてあり
、これと下側の透明電極（セル電極）１０２とで挟まれ
た部分１０９を透明電極間のギャップが〜１０ＩＪにな
るようにつくりが表示セル（絵素）にする、液晶の表示
モードとしてＴＮあるいはＳＴＮ等を用いる場合は透明
電極１０２゜１０５上に配向膜を設ける必要がある。ま
た、可視化するためには第１図には描いていないが、上
下に偏光板も必要である。当然、光源も必要である。シ
リコンチップは液晶の絵素の光透過率を制御する。この
シリコンチップには種々の回路を載せることかできる。
なる基板である。１０２はその上に設けた透明導電性の
電極で、表示セルＴＬ極になる。１０３はＴｉ１Ｂある
いは信号用の配線である。図では２本の配線のみしか描
いていない。これは透明でなくとも良い、１０６は表示
セル制御用のシリコンチップである。フェースダウンで
Ｔｇ、源や信号用の配線１０３に接合する。１０７は接
合用のバンプである。１０４はシリコンチップ１０６の
位置に窪み１０８を設けた透明基板である。２枚の透明
基板１０１と１０４によって挟まれた空間には液晶を満
たす、上側基板１０４には透明電極１０５を設けてあり
、これと下側の透明電極（セル電極）１０２とで挟まれ
た部分１０９を透明電極間のギャップが〜１０ＩＪにな
るようにつくりが表示セル（絵素）にする、液晶の表示
モードとしてＴＮあるいはＳＴＮ等を用いる場合は透明
電極１０２゜１０５上に配向膜を設ける必要がある。ま
た、可視化するためには第１図には描いていないが、上
下に偏光板も必要である。当然、光源も必要である。シ
リコンチップは液晶の絵素の光透過率を制御する。この
シリコンチップには種々の回路を載せることかできる。
例えば、単純にトランジスタだけでもよいし、あるいは
メモリを入れても良い。
メモリを入れても良い。
その回路規模は大きくなるが、階調出力も可能であるし
、シフトレジスタなどを入れて自走式とし、外部からの
駆動信号を節単にすることもできる。
、シフトレジスタなどを入れて自走式とし、外部からの
駆動信号を節単にすることもできる。
もちろん、液晶には寿命延長のための交流駆動を行うこ
とも難しくない。このようなことは、液晶表示装置の駆
動に関わっている技術者であるならば、容易に考えるこ
とであり、表示装置への要求に応して最適な回路を考案
することができる。
とも難しくない。このようなことは、液晶表示装置の駆
動に関わっている技術者であるならば、容易に考えるこ
とであり、表示装置への要求に応して最適な回路を考案
することができる。
シリコンチップに対応する部分に基板１０４上の窪み１
０８はシリコンチップの部分だけでも良いし、あるいは
、作り易さから基板を横切る複数条の溝にしても良い。
０８はシリコンチップの部分だけでも良いし、あるいは
、作り易さから基板を横切る複数条の溝にしても良い。
第１図ではシリコンチップは一表示セルにのみ繋がって
いるようにｔ苗いであるが、一つのチッソ。
いるようにｔ苗いであるが、一つのチッソ。
で複数個のセルを制御することも可能である。即ち、一
つのチップからその周辺のセルに配線を施しそれぞれの
絵素の光透過率を独立に制御することができる。一つの
シリコンチップで周辺４つの液晶セルを制御するのが構
成上簡単である。
つのチップからその周辺のセルに配線を施しそれぞれの
絵素の光透過率を独立に制御することができる。一つの
シリコンチップで周辺４つの液晶セルを制御するのが構
成上簡単である。
どの程度の回路規模をシリコンチップに搭載するかは、
配線の複雑さ、コンタクトパッドの数、外部回路の面素
さ、チップの大きさ等を考慮して決定しなければならな
い。
配線の複雑さ、コンタクトパッドの数、外部回路の面素
さ、チップの大きさ等を考慮して決定しなければならな
い。
発明の効果
以上の発明から明らかなように、本発明のアクティブマ
トリックス液晶表示装置は、表面に少なくとも透明電橋
を有する２枚の透明基板で液晶を挟んだような表示セル
を用いた液晶表示装置であって、一方の基板上に一つあ
るいは複数のセルを制御■するシリコンチップを複数個
配列し、もう−方の基板に上記シリコンチップの対応す
る位置に窪みを設けて、二枚の基板を張り合わせた様な
構成にしているために、従来のように薄膜製造構成にた
よることなく大型のアクティブマトリックス液晶表示装
置を作ることができる。
トリックス液晶表示装置は、表面に少なくとも透明電橋
を有する２枚の透明基板で液晶を挟んだような表示セル
を用いた液晶表示装置であって、一方の基板上に一つあ
るいは複数のセルを制御■するシリコンチップを複数個
配列し、もう−方の基板に上記シリコンチップの対応す
る位置に窪みを設けて、二枚の基板を張り合わせた様な
構成にしているために、従来のように薄膜製造構成にた
よることなく大型のアクティブマトリックス液晶表示装
置を作ることができる。
第１図は本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置
に用いる液晶パネルの断面図である。 １０１．１０４・・・・・・基板、１０２，１０５・・
・・・・表示セル、ｌＯ３・・・・・・配線、１０６・
・・・・・シリコンチップ、１０７・・・・・・バンブ
、１０８・・・・・・窪み。
に用いる液晶パネルの断面図である。 １０１．１０４・・・・・・基板、１０２，１０５・・
・・・・表示セル、ｌＯ３・・・・・・配線、１０６・
・・・・・シリコンチップ、１０７・・・・・・バンブ
、１０８・・・・・・窪み。
Claims (4)
- （１）表面に少なくとも透明電極を有する２枚の透明基
板で液晶を挟んだような表示セルを用いる液晶表示装置
であって、一方の基板上に一つあるいは複数のセルを制
御するシリコンチップを複数個配列し、もう一方の基板
に上記シリコンチップの対応する位置に窪みを設けて、
二枚の基板を張り合わせたアクティブマトリックス液晶
表示装置。 - （２）シリコンチップをフェイスダウンでセル電極及び
配線に接続したことを特徴とする請求項（１）記載のア
クティブマトリックス液晶表示装置。 - （３）シリコンチップが周辺の四つのセルを制御するよ
うにしたことを特徴とする請求項（１）記載のアクティ
ブマトリックス液晶表示装置。 - （４）窪みが基板を横切る溝状であることを特徴とする
請求項（１）記載のアクティブマトリックス液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264409A JPH03126014A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264409A JPH03126014A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126014A true JPH03126014A (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=17402763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1264409A Pending JPH03126014A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03126014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329098A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Glass plate of liquid crystal panel and its production |
| JPS5855968A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示パネル |
| JPS6166450A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Nec Eng Ltd | 自動交換装置用監督台の制御方式 |
| JPS6348362A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | プライマ−組成物 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1264409A patent/JPH03126014A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329098A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Glass plate of liquid crystal panel and its production |
| JPS5855968A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示パネル |
| JPS6166450A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Nec Eng Ltd | 自動交換装置用監督台の制御方式 |
| JPS6348362A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | プライマ−組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
| US7924392B2 (en) | 1995-02-15 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
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