JPH03126870A - 低温ｃｖｄによる銅薄膜の形成方法 - Google Patents
低温ｃｖｄによる銅薄膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低温ＣＶＤを用いて基板表面に銅薄膜を形成
する方法に関する。
する方法に関する。
基板表面に銅薄膜を形成することは、種々の分野におい
て有用な技術である。その−例として、セラミック基板
表面のメタライゼーションが挙げられる。
て有用な技術である。その−例として、セラミック基板
表面のメタライゼーションが挙げられる。
アルミナ基板のようなセラミック基板は、ＩＣのパッケ
ージ材料や実装用基板として広く用いられている。この
ような用途に用いる場合、セラミック基板の表面には配
線等を形成する必要がある。
ージ材料や実装用基板として広く用いられている。この
ような用途に用いる場合、セラミック基板の表面には配
線等を形成する必要がある。
そのために基板表面に銅のメタライゼーションを施し、
導電性薄膜を形成する方法が用いられている。
導電性薄膜を形成する方法が用いられている。
セラミック基板として最も一般的に用いられているのは
、アルミナ（ＡＮ ２０ｓ ）基板である。
、アルミナ（ＡＮ ２０ｓ ）基板である。
アルミナ基板は絶縁性、熱伝導率、耐化学薬品性および
機械的強度に優れ、且つ比較的安価である。
機械的強度に優れ、且つ比較的安価である。
一方、ＩＣの高集積化、高速化および高出力化の進展に
伴ない、ヒートシンクとしても十分機能し得るように、
より優れた放熱性をもったセラミック基板が要求されて
いる。しかし、アルミナ基板の熱伝導率は１０〜３５
’ｉ／ｌｎｋで、ヒートシンク材としては不十分である
。
伴ない、ヒートシンクとしても十分機能し得るように、
より優れた放熱性をもったセラミック基板が要求されて
いる。しかし、アルミナ基板の熱伝導率は１０〜３５
’ｉ／ｌｎｋで、ヒートシンク材としては不十分である
。
ヒートシンクとして十分に機能し得るセラミック基板と
して、ベリリア（Ｂｅｄ）基板および窒化アルミニウム
（ＡｇＮ）基板が知られている。
して、ベリリア（Ｂｅｄ）基板および窒化アルミニウム
（ＡｇＮ）基板が知られている。
このうち、ベリリア基板は１５０〜２５０ Ｗ／ｋｂと
極めて高い熱伝導率を有するが、価格が高い欠点を有す
る。また、ＢｅＯ粉末が有毒であるため製造に困難を伴
なう。これに対して、窒化アルミニウム基板は１４０〜
２６０ Ｗ／ｋｂと高い熱伝導率を有し、月つコストパ
フォーマンスに優れている。更に、低熱膨脂率、高電気
絶縁性、高強度といった優れた特性を有している。従っ
て、窒化アルミニウム基板は今後重要な地位を占めるも
のと思われる。
極めて高い熱伝導率を有するが、価格が高い欠点を有す
る。また、ＢｅＯ粉末が有毒であるため製造に困難を伴
なう。これに対して、窒化アルミニウム基板は１４０〜
２６０ Ｗ／ｋｂと高い熱伝導率を有し、月つコストパ
フォーマンスに優れている。更に、低熱膨脂率、高電気
絶縁性、高強度といった優れた特性を有している。従っ
て、窒化アルミニウム基板は今後重要な地位を占めるも
のと思われる。
銅薄膜形成の他の可能な応用例としては、ステンレス合
金板表面の銅薄膜コーティングが挙げられる。ステンレ
ス合金は現在既に広く用いられているが、銅薄膜のコー
ティングを施すことによって、その用途は更に拡大され
ることが期待される。
金板表面の銅薄膜コーティングが挙げられる。ステンレ
ス合金は現在既に広く用いられているが、銅薄膜のコー
ティングを施すことによって、その用途は更に拡大され
ることが期待される。
例えば、銅薄膜のコーティングで得られる美鹿な表面は
、建築資材、特に内装材および他の装飾材料としての使
用に適している。また、ステンレス合金は半田濡れ性に
劣るが、銅薄膜のコーティングによって半田濡れ性は顕
著に改善される。従って、半田付を必要とするために現
在は使用が制限されざるを得ない分野でも、ステンレス
鋼を使用することが可能となる。更に、電気抵抗が高い
というステンレス鋼の欠点も、銅薄膜のコーティングに
よって解消する。その結果、各種スイッチや乾電池ケー
スのターミナル等の用途において、ステンレス鋼の優れ
たバネ性に加え、低い電気抵抗という優れた特徴が得ら
れる。
、建築資材、特に内装材および他の装飾材料としての使
用に適している。また、ステンレス合金は半田濡れ性に
劣るが、銅薄膜のコーティングによって半田濡れ性は顕
著に改善される。従って、半田付を必要とするために現
在は使用が制限されざるを得ない分野でも、ステンレス
鋼を使用することが可能となる。更に、電気抵抗が高い
というステンレス鋼の欠点も、銅薄膜のコーティングに
よって解消する。その結果、各種スイッチや乾電池ケー
スのターミナル等の用途において、ステンレス鋼の優れ
たバネ性に加え、低い電気抵抗という優れた特徴が得ら
れる。
ところで、上記のように種々の基板表面に銅薄膜を形成
する方法としては、蒸着法、スパッタリング法、無電解
メツキ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等が従来行われ
ている。
する方法としては、蒸着法、スパッタリング法、無電解
メツキ法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等が従来行われ
ている。
しかし、無電解メツキ法およびプラズマＣＶＤ法以外は
、何れの方法も基板を４００℃〜１３００℃の高温に加
熱しなければならない欠点がある。また、プラズマＣＶ
Ｄ法では高価なプラズマ発生装置を必要とする欠点があ
る。
、何れの方法も基板を４００℃〜１３００℃の高温に加
熱しなければならない欠点がある。また、プラズマＣＶ
Ｄ法では高価なプラズマ発生装置を必要とする欠点があ
る。
上記事情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、基
板の加熱温度を比較的低温に維持しながら、ＣＶＤ法を
用いて基板表面に銅薄膜を形成できる方法を提供するこ
とである。
板の加熱温度を比較的低温に維持しながら、ＣＶＤ法を
用いて基板表面に銅薄膜を形成できる方法を提供するこ
とである。
本発明による低温ＣＶＤによる銅薄膜の形成方法は、下
記ａ〉〜Ｃ）の工程を具備したことを特徴とするもので
ある。
記ａ〉〜Ｃ）の工程を具備したことを特徴とするもので
ある。
ａ）ハロゲン化銅を含むガスビームを形成した後、該ガ
スビームを、加熱された触媒金属フィラメントが配置さ
れているＣＶＤ反応容器中に導入すること、 ｂ）水素ガスを前記ＣＶＤ反応容器内に導入し、該水素
ガスを前記加熱された触媒金属フィラメントにより活性
化させること、 Ｃ）前記工程ａ）で導入されたガスビーム申合まれるハ
ロゲン化銅と前記工程ｂ）で活性化された水素とを、前
記ＣＶＤ反応容器内に配置された基板の表面付近で反応
させることにより銅を生成させ、この生成した銅を前記
基板表面上堆積させて銅薄膜を形成すること。
スビームを、加熱された触媒金属フィラメントが配置さ
れているＣＶＤ反応容器中に導入すること、 ｂ）水素ガスを前記ＣＶＤ反応容器内に導入し、該水素
ガスを前記加熱された触媒金属フィラメントにより活性
化させること、 Ｃ）前記工程ａ）で導入されたガスビーム申合まれるハ
ロゲン化銅と前記工程ｂ）で活性化された水素とを、前
記ＣＶＤ反応容器内に配置された基板の表面付近で反応
させることにより銅を生成させ、この生成した銅を前記
基板表面上堆積させて銅薄膜を形成すること。
以下、上記のａ）〜Ｃ）の各工程ごとに、本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
く工程ａ） ＞
上記ａ）の工程でハロゲン化銅を含むガスビームを形成
する方法としては、好ましくは次の方法を用いるのが望
ましい。即ち、例えば約１０００℃程度の高温に加熱さ
れた銅管内に、ハロゲンガス（Ｘ２）またはハロゲン化
水素ガス（ＨＸ）を連続的に供給する。鋼管を加熱する
手段としては、外部ヒータを供えた石英炉を用いるのが
好ましい。
する方法としては、好ましくは次の方法を用いるのが望
ましい。即ち、例えば約１０００℃程度の高温に加熱さ
れた銅管内に、ハロゲンガス（Ｘ２）またはハロゲン化
水素ガス（ＨＸ）を連続的に供給する。鋼管を加熱する
手段としては、外部ヒータを供えた石英炉を用いるのが
好ましい。
供給されたハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスは、
銅管内を流れる間に銅と反応し、ハロゲン化銅（ＣｕＸ
またはＣＬＪＸ２）が形成される。ハロゲン（Ｘ）とし
ては塩素（ＣＮ ）が好ましい。
銅管内を流れる間に銅と反応し、ハロゲン化銅（ＣｕＸ
またはＣＬＪＸ２）が形成される。ハロゲン（Ｘ）とし
ては塩素（ＣＮ ）が好ましい。
銅管内に供給するガスとして特に好ましいのは、ＨＣｆ
）ガスである。）ＩＯ２を供給したとき、銅管内では下
記の式によって塩化第一銅（Ｃｕ Ｃ，ＩＪ ）および
／または塩化第二銅（ＣｕＣＮ２）が生成する。但し、
塩化第二銅は約９９３℃で塩化第一銅に分解する。
）ガスである。）ＩＯ２を供給したとき、銅管内では下
記の式によって塩化第一銅（Ｃｕ Ｃ，ＩＪ ）および
／または塩化第二銅（ＣｕＣＮ２）が生成する。但し、
塩化第二銅は約９９３℃で塩化第一銅に分解する。
Ｃｕ＋ＨＣｇ −ＣａＣｌ２ ＋ １／２Ｈ２Ｃ
ｕ＋２ＨＣ，Ｑ −ＣｕＣ，ｌ）２ ＋Ｈ２こうして
ハロゲン化銅を含むガスビームが形成され、該ガスビー
ムは原料ガス供給管を介してＣＶＤ反応容器内に供給さ
れる。この反応容器は、工程ｂ）で述べる触媒金属フィ
ラメントが設置されている点を除き、従来のＣＶＤ装置
で使用されているのと同じものを用いることができる。
ｕ＋２ＨＣ，Ｑ −ＣｕＣ，ｌ）２ ＋Ｈ２こうして
ハロゲン化銅を含むガスビームが形成され、該ガスビー
ムは原料ガス供給管を介してＣＶＤ反応容器内に供給さ
れる。この反応容器は、工程ｂ）で述べる触媒金属フィ
ラメントが設置されている点を除き、従来のＣＶＤ装置
で使用されているのと同じものを用いることができる。
なお、上記の方法以外に、例えば予め準備されたハロゲ
ン化銅を気化させ、生成したハロゲン化銅のガスを適当
なパイプまたはノズルを通し゛Ｃ供給する等、どのよう
な方法を用いてもよい。必要に応じ、ＣＶＤ反応に悪影
響を及ぼさない適当なキャリアガスを用いることも可能
である。
ン化銅を気化させ、生成したハロゲン化銅のガスを適当
なパイプまたはノズルを通し゛Ｃ供給する等、どのよう
な方法を用いてもよい。必要に応じ、ＣＶＤ反応に悪影
響を及ぼさない適当なキャリアガスを用いることも可能
である。
く工程ｂ） ＞
上記ｂ）の工程において、ＣＶＤ反応容器内に導入され
る水素ガスは、工程ａ）で導入されたハロゲン化銅を銅
に還元するための還元剤として作用する。工程ｂ〉にお
いて導入された水素ガスが活性化される機構は、次式で
示すように、分子状の水素Ｈ２が加熱された触媒金属フ
ィラメントによって原子状の水素Ｈに分解されることに
よると思われる。
る水素ガスは、工程ａ）で導入されたハロゲン化銅を銅
に還元するための還元剤として作用する。工程ｂ〉にお
いて導入された水素ガスが活性化される機構は、次式で
示すように、分子状の水素Ｈ２が加熱された触媒金属フ
ィラメントによって原子状の水素Ｈに分解されることに
よると思われる。
Ｈ２→ ２Ｈ
この水素ガスの活性化によって、約り５０℃〜約３００
℃の比較的低温に加熱された基板上にでも銅を堆積する
ことが可能となる。従って、この活性化工程は、本発明
において最ち重要である。
℃の比較的低温に加熱された基板上にでも銅を堆積する
ことが可能となる。従って、この活性化工程は、本発明
において最ち重要である。
上記の触媒金属としては、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ合金等を
用いることができる。
用いることができる。
また、触媒金属フィラメントの加熱温度は、約り００℃
〜約２０００℃で、１０００℃以上が好ましい。
〜約２０００℃で、１０００℃以上が好ましい。
く工程ｃ） ＞
この工程では、工程ｂ〉で活性化された小素ガスによっ
て、工程ａ）で導入されたハロゲン化銅が分解または還
元され、生成した銅が基板表面に堆積される。
て、工程ａ）で導入されたハロゲン化銅が分解または還
元され、生成した銅が基板表面に堆積される。
例えば、活性化された塩化第一銅または塩化第二銅が水
素で還元される反応は、次式で示される。
素で還元される反応は、次式で示される。
但し、既述したように塩化第二銅は塩化第一銅に分解さ
れ易いから、銅の生成は実質的には塩化第一銅の還元に
よると思われる。
れ易いから、銅の生成は実質的には塩化第一銅の還元に
よると思われる。
ＣｕＣ，１７＋Ｈ−４−Ｃｕ＋ＨＣ，９ＣｕＣｊ２ｚ＋
２Ｈ−Ｃｕ＋２ＨＣ１）この工程は、還元剤である水素
ガスが活性化されている点を除けば、従来のＣＶＤ反応
と同じである。水素ガスが活性化されているため、基板
の加熱温度が従来のＣＶＤより遥かに低くても、基板表
面に銅を堆積し、銅の薄膜を形成することができる。即
ち、従来のＣＶＤ法で銅薄膜を形成可能な基板温度は４
００℃〜１３００℃程度であったが、本発明においては
２５０℃〜１３００℃の基板温度で好適に銅薄膜を形成
することができる。特に、従来はプラズマＣＶＤを用い
なけらば３００℃以下の基板温度で銅薄膜を形成するこ
とができなかったから、本発明により２５０℃〜３００
℃の基板温度でも銅薄膜を形成できることは特筆に値す
る。
２Ｈ−Ｃｕ＋２ＨＣ１）この工程は、還元剤である水素
ガスが活性化されている点を除けば、従来のＣＶＤ反応
と同じである。水素ガスが活性化されているため、基板
の加熱温度が従来のＣＶＤより遥かに低くても、基板表
面に銅を堆積し、銅の薄膜を形成することができる。即
ち、従来のＣＶＤ法で銅薄膜を形成可能な基板温度は４
００℃〜１３００℃程度であったが、本発明においては
２５０℃〜１３００℃の基板温度で好適に銅薄膜を形成
することができる。特に、従来はプラズマＣＶＤを用い
なけらば３００℃以下の基板温度で銅薄膜を形成するこ
とができなかったから、本発明により２５０℃〜３００
℃の基板温度でも銅薄膜を形成できることは特筆に値す
る。
上記のＣＶＤ反応が行われるときのＣＶＤ反応容器１０
内の圧力は、一般に０．１． Ｔｏｒｒ−１０，０Ｔｏ
ｒｒである。圧力が高いと、容易に厚い膜厚が得られる
一方、堆積した粒子の寸法が荒くなる。粒子寸法の小さ
い薄膜を形成するためには、反応容器内の圧力を０．１
〜４．ＯＴｏｒｒとするのか好ましく、より好ましくは
０．ｉ〜１．Ｏｔｏｒｒが望ましい。
内の圧力は、一般に０．１． Ｔｏｒｒ−１０，０Ｔｏ
ｒｒである。圧力が高いと、容易に厚い膜厚が得られる
一方、堆積した粒子の寸法が荒くなる。粒子寸法の小さ
い薄膜を形成するためには、反応容器内の圧力を０．１
〜４．ＯＴｏｒｒとするのか好ましく、より好ましくは
０．ｉ〜１．Ｏｔｏｒｒが望ましい。
表面に銅薄膜を堆積すべき基板は特に限定されない。例
えば、既述したようなアルミナ基板や窒化アルミニウム
基板等のセラミックス基板、ステンレス鋼等の金属基板
は、本発明において好適に用いることができる。また、
加熱温度が比較的低いことから、ポリイミド等の熱硬化
性樹脂基板を用いることも可能である。等を用いること
ができる。
えば、既述したようなアルミナ基板や窒化アルミニウム
基板等のセラミックス基板、ステンレス鋼等の金属基板
は、本発明において好適に用いることができる。また、
加熱温度が比較的低いことから、ポリイミド等の熱硬化
性樹脂基板を用いることも可能である。等を用いること
ができる。
以上説明したように、本発明のＣＶＤ法によれば、基板
温度を従来の方性に著しく低い温度に保持しながら、そ
の表面に銅薄膜を形成することかできる。従って、ＩＣ
のセラミックスパッケージ及び実装用セラミックス基板
のメタライジング、或いはステンレス鋼の銅被覆等にお
いて顕著な効果を奏し得るものである。
温度を従来の方性に著しく低い温度に保持しながら、そ
の表面に銅薄膜を形成することかできる。従って、ＩＣ
のセラミックスパッケージ及び実装用セラミックス基板
のメタライジング、或いはステンレス鋼の銅被覆等にお
いて顕著な効果を奏し得るものである。
なお、本発明は銅薄膜の形成に関するものであるが、同
様のＣＶＤ法は他の金属薄膜の形成にも応用できること
が期待される。
様のＣＶＤ法は他の金属薄膜の形成にも応用できること
が期待される。
以下、本発明の詳細な説明する。
この実施例では、第１図に示す装置を用いた。
同図において、１０はＣＶＤ反応容器である。該反応容
器１０には、水素ガス導入管１２および排気口１３が設
けられている。また、ＣＶＤ反応容器１０の内部には、
Ｗフイラメン！・１４および基板ヒータ１５が設けられ
ている。Ｗフィラメント１４及び基板ヒータ１５は、何
れも通電によって加熱され得るようになっている。基板
ヒータ１５の上には、表面に銅薄膜を形成すべきセラミ
・ソクス乱板等の基板１６が固定される。
器１０には、水素ガス導入管１２および排気口１３が設
けられている。また、ＣＶＤ反応容器１０の内部には、
Ｗフイラメン！・１４および基板ヒータ１５が設けられ
ている。Ｗフィラメント１４及び基板ヒータ１５は、何
れも通電によって加熱され得るようになっている。基板
ヒータ１５の上には、表面に銅薄膜を形成すべきセラミ
・ソクス乱板等の基板１６が固定される。
２０は、石英炉である。該石英炉はＣＶＤ反応容器１０
の内部に連通している。石英炉２０の周囲には、外部ヒ
ータ２１が設けられている。また、石英炉２０の内部に
は銅管２２が配置されている。
の内部に連通している。石英炉２０の周囲には、外部ヒ
ータ２１が設けられている。また、石英炉２０の内部に
は銅管２２が配置されている。
銅管２２の一端部は石英炉２０の外に延出されており、
該一端部にはＨＣｊ７ガス供給管２３が接続されている
。また、銅管２２の他端部はＣＶＤ反応容器１０の内部
に延出されている。
該一端部にはＨＣｊ７ガス供給管２３が接続されている
。また、銅管２２の他端部はＣＶＤ反応容器１０の内部
に延出されている。
上記の装置を用い、次のようにして本発明を実施した。
但し、基板１６の加熱温度は２５０”Ｃ１銅管２２の加
熱温度は１０００℃、Ｗフィラメント１４の温度は１４
００℃とした。また、容器容器ｌｏ内の圧ノｊはｌ Ｔ
ｏｒｒとした。
熱温度は１０００℃、Ｗフィラメント１４の温度は１４
００℃とした。また、容器容器ｌｏ内の圧ノｊはｌ Ｔ
ｏｒｒとした。
まず、石英炉２０を外部ヒータ２１で加熱しながら、流
ｆｆｉｌＯｓｃｃｍでＨＣ，１７ガスを供給して銅管２
２内に流した。これにより生成した銅の塩化物（Ｃｕ
Ｃｆｌ及び／又はＣｕＣｆｚ）を含むガスビームを、ハ
ロゲン化銅導入管１１からＣＶＤ反応容器１０内に導入
した。一方、反応容器ｌｏ内には、流ｔｋ １Ｏｓｃｃ
ｏ＋で水素ガスを導入した。導入された水素ガスは、Ｗ
フィラメント１４により活性化される。銅の塩化物を活
性化された水素ガスで還元することにより、基板１６の
表面に銅を堆積させた。堆積時間は１２０分とした。
ｆｆｉｌＯｓｃｃｍでＨＣ，１７ガスを供給して銅管２
２内に流した。これにより生成した銅の塩化物（Ｃｕ
Ｃｆｌ及び／又はＣｕＣｆｚ）を含むガスビームを、ハ
ロゲン化銅導入管１１からＣＶＤ反応容器１０内に導入
した。一方、反応容器ｌｏ内には、流ｔｋ １Ｏｓｃｃ
ｏ＋で水素ガスを導入した。導入された水素ガスは、Ｗ
フィラメント１４により活性化される。銅の塩化物を活
性化された水素ガスで還元することにより、基板１６の
表面に銅を堆積させた。堆積時間は１２０分とした。
上記の方法により、アルミナ基板（実施例１）、窒化ア
ルミニウム基板（実施例２ ） １．５ＩＪＳ３０４基
板（実施例３）の表面に銅薄膜を形成した。その結果、
何れの実施例でも膜厚的１μの銅薄膜が形成された。
ルミニウム基板（実施例２ ） １．５ＩＪＳ３０４基
板（実施例３）の表面に銅薄膜を形成した。その結果、
何れの実施例でも膜厚的１μの銅薄膜が形成された。
比較のために、Ｗフィラメント１４を用いることなく、
それ以外は上記と同様の条件で、アルミナ基板（比較例
１）、窒化アルミニウム基板（比較例２） 、５Ｏ８３
０４基板（比較例３）の表面への銅薄膜の形成実験を行
なった。その結果、何れの場合も基板表面に銅薄膜は形
成されなかった。
それ以外は上記と同様の条件で、アルミナ基板（比較例
１）、窒化アルミニウム基板（比較例２） 、５Ｏ８３
０４基板（比較例３）の表面への銅薄膜の形成実験を行
なった。その結果、何れの場合も基板表面に銅薄膜は形
成されなかった。
次ぎに、実施例２で窒化アルミニウム基板表面に形成さ
れた銅薄膜について、ＥＤＡＸスペクトル分析、Ｘ線解
析およびオージェ分析を行った。その結果は、第２図〜
第４図に示した通りである。
れた銅薄膜について、ＥＤＡＸスペクトル分析、Ｘ線解
析およびオージェ分析を行った。その結果は、第２図〜
第４図に示した通りである。
これらの分析結果は、本発明の方法により形成された銅
薄膜が、種々の用途に十分使用可能な特性を有している
ことを示している。
薄膜が、種々の用途に十分使用可能な特性を有している
ことを示している。
第１図は本発明の一実施例において使用したＣＶＤ装置
を示す説明図、第２図〜第４図は夫々本発明の一実施例
により形成された銅薄膜のＥＤＡＸスペクトル分析、Ｘ
線解析およびオージェ分析の結果を示す線図である。
を示す説明図、第２図〜第４図は夫々本発明の一実施例
により形成された銅薄膜のＥＤＡＸスペクトル分析、Ｘ
線解析およびオージェ分析の結果を示す線図である。
Claims (5)
- （１）ａ）ハロゲン化銅を含むガスビームを形成した後
、該ガスビームを、加熱された触媒金属フィラメントが
配置されているＣＶＤ反応容器中に導入することと、 ｂ）水素ガスを前記ＣＶＤ反応容器内に導入し、該水素
ガスを前記加熱された触媒金属フィラメントにより活性
化させることと、 ｃ）前記工程ａ）で導入されたガスビーム中含まれるハ
ロゲン化銅と前記工程ｂ）で活性化された水素とを、前
記ＣＶＤ反応容器内に配置された基板の表面付近で反応
させることにより銅を生成させ、この生成した銅を前記
基板表面上堆積させて銅薄膜を形成することと を具備したことを特徴とするＣＶＤによる銅薄膜の形成
方法。 - （２）前記基板の温度が、約２００℃〜約１３００℃で
ある請求項１に記載の方法。 - （３）前記基板が、セラミックス基板、金属基板、ガラ
ス基板および樹脂基板からなる群から選択される請求項
１または２に記載の方法。 - （４）前記触媒金属フィラメントが、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏお
よびＷ合金からなる群から選択される請求項１〜３の何
れか１項に記載の方法。 - （５）前記ハロゲン化銅を含むガスビームが、加熱され
た銅管内にハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスガス
を連続的に供給することによって形成される請求項１〜
４の何れか１項に記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264101A JP2856782B2 (ja) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | 低温ｃｖｄによる銅薄膜の形成方法 |
| CA002027285A CA2027285A1 (en) | 1989-10-12 | 1990-10-10 | Method of forming a thin copper film by low temperature cvd |
| US07/596,001 US5091209A (en) | 1989-10-12 | 1990-10-11 | Method of forming a thin copper film by low temperture CVD |
| KR1019900016131A KR910008164A (ko) | 1989-10-12 | 1990-10-11 | 저온 cvd에 의한 구리 박막의 형성 방법 |
| EP90402924A EP0482265B1 (en) | 1989-10-12 | 1990-10-18 | Method of forming a thin copper film by low temperature CVD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264101A JP2856782B2 (ja) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | 低温ｃｖｄによる銅薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126870A true JPH03126870A (ja) | 1991-05-30 |
| JP2856782B2 JP2856782B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=17398527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1264101A Expired - Lifetime JP2856782B2 (ja) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | 低温ｃｖｄによる銅薄膜の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091209A (ja) |
| EP (1) | EP0482265B1 (ja) |
| JP (1) | JP2856782B2 (ja) |
| KR (1) | KR910008164A (ja) |
| CA (1) | CA2027285A1 (ja) |
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| JP2009149998A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 銅薄膜の気相成長装置 |
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| FR2691984B1 (fr) * | 1992-06-03 | 1995-03-24 | France Telecom | Procédé de dépôt de métal sur un substrat et dispositif pour sa mise en Óoeuvre. |
| US6113983A (en) * | 1997-04-03 | 2000-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Method of forming metallic and ceramic thin film structures using metal halides and alkali metals |
| KR100313935B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-01-17 | 김영환 | 반도체소자의구리박막형성방법 |
| US6010749A (en) * | 1998-10-28 | 2000-01-04 | Goldman; Mark A. | Process for the production of volatile metal |
| US6245435B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-06-12 | Moen Incorporated | Decorative corrosion and abrasion resistant coating |
| KR100367106B1 (ko) * | 1999-03-05 | 2003-01-09 | 박보서 | 벨트장착형 에어백 |
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| US7105434B2 (en) * | 1999-10-02 | 2006-09-12 | Uri Cohen | Advanced seed layery for metallic interconnects |
| WO2001073159A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method for forming metallic film and apparatus for forming the same |
| GB0108782D0 (en) * | 2001-04-07 | 2001-05-30 | Trikon Holdings Ltd | Methods and apparatus for forming precursors |
| US7659209B2 (en) | 2001-11-14 | 2010-02-09 | Canon Anelva Corporation | Barrier metal film production method |
| TWI253478B (en) | 2001-11-14 | 2006-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus |
| US7026057B2 (en) | 2002-01-23 | 2006-04-11 | Moen Incorporated | Corrosion and abrasion resistant decorative coating |
| DE60329292D1 (de) * | 2002-03-08 | 2009-10-29 | Canon Anelva Corp | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Metall-Schichten |
| JP2003318361A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN121260818B (zh) * | 2025-12-04 | 2026-02-13 | 山东海化集团有限公司 | 一种改性锌溴液流电池碳毡负极的制备方法及由该方法制备的碳毡负极 |
Family Cites Families (6)
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| US4873119A (en) * | 1987-01-28 | 1989-10-10 | Chronar Corp. | Catalytic deposition of semiconductors |
| JPS63203772A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | 銅薄膜の気相成長方法 |
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-
1989
- 1989-10-12 JP JP1264101A patent/JP2856782B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-10 CA CA002027285A patent/CA2027285A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-11 KR KR1019900016131A patent/KR910008164A/ko not_active Withdrawn
- 1990-10-11 US US07/596,001 patent/US5091209A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-18 EP EP90402924A patent/EP0482265B1/en not_active Expired - Lifetime
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| KR910008164A (ko) | 1991-05-30 |
| JP2856782B2 (ja) | 1999-02-10 |
| CA2027285A1 (en) | 1991-04-13 |
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