JPH03126874A - Ｂｐｓｇ膜の成膜方法 - Google Patents
Ｂｐｓｇ膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH03126874A JPH03126874A JP26298089A JP26298089A JPH03126874A JP H03126874 A JPH03126874 A JP H03126874A JP 26298089 A JP26298089 A JP 26298089A JP 26298089 A JP26298089 A JP 26298089A JP H03126874 A JPH03126874 A JP H03126874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- reaction
- film
- gas
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＢＰＳＧ （ボロンホスホシリケートガラス）
膜の成膜方法に関する。史に詳細には、本発明は、異物
の発生量が著しく低減されたＢＰＳＧ膜の成膜方法に関
する。
膜の成膜方法に関する。史に詳細には、本発明は、異物
の発生量が著しく低減されたＢＰＳＧ膜の成膜方法に関
する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
ｉ ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物質を化
学反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
ｉ ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物質を化
学反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜−
ヒに成長した場合も電気的性ｗｌが安定であることで、
広く半導体表面のパッシベーション膜として利用されて
いる。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜−
ヒに成長した場合も電気的性ｗｌが安定であることで、
広く半導体表面のパッシベーション膜として利用されて
いる。
ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００°Ｃ−５００
℃程１αに加熱したウェハに反応ガス（例えば、Ｓ ｉ
Ｈ４＋ＰＨ３＋Ｂ２ Ｈ６＋０２ ）を供給して行わ
れる。Ｌ記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内のウェハ
に吹きつけられ、該ウェハの表面にボロンホスホシリケ
ートガラス（ＢＰＳＧ）の薄膜を形成する。
℃程１αに加熱したウェハに反応ガス（例えば、Ｓ ｉ
Ｈ４＋ＰＨ３＋Ｂ２ Ｈ６＋０２ ）を供給して行わ
れる。Ｌ記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内のウェハ
に吹きつけられ、該ウェハの表面にボロンホスホシリケ
ートガラス（ＢＰＳＧ）の薄膜を形成する。
このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。
第２図において、反応炉ｌは、バッファ２をベルジャ３
で覆い、Ｌ記バッファ２の周囲に円盤状のウェハ載置台
４を駆動機構５で回転駆動可能、または自公転可能に設
置するとともに、ヒ記ウェハ、に！置台のＬに液加［物
であるウェハ６を順次に搬入し、該ウェハを順次に搬出
するウェハ搬送手段７を設けて構成されている。ウェハ
搬送手段を炉内に導入するための開閉可能なゲート部１
１が反応炉に設けられている。
で覆い、Ｌ記バッファ２の周囲に円盤状のウェハ載置台
４を駆動機構５で回転駆動可能、または自公転可能に設
置するとともに、ヒ記ウェハ、に！置台のＬに液加［物
であるウェハ６を順次に搬入し、該ウェハを順次に搬出
するウェハ搬送手段７を設けて構成されている。ウェハ
搬送手段を炉内に導入するための開閉可能なゲート部１
１が反応炉に設けられている。
前記ベルジャ３の頂部付近に反応ガス送入管８および９
が同軸的に接続されている。使用する反応ガスの５ｊＨ
４＋ Ｂ２ Ｈ６１ＰＨ３および０２はそれぞれ別のガ
ス送入管により反応炉に送入しなければならない。例え
ば、ＳｉＨ４，Ｂ２ ＨｅおよびＰＨ３を送入管８で法
人し、モして０２を送入管９で送入する。取り扱いを容
易にするために、反応ガスのＳｉＨ＋、Ｂ２Ｈｅおよび
ＰＨ３または０２はＮ２キャリアガスで希釈して使用す
ることが奸ましい。
が同軸的に接続されている。使用する反応ガスの５ｊＨ
４＋ Ｂ２ Ｈ６１ＰＨ３および０２はそれぞれ別のガ
ス送入管により反応炉に送入しなければならない。例え
ば、ＳｉＨ４，Ｂ２ ＨｅおよびＰＨ３を送入管８で法
人し、モして０２を送入管９で送入する。取り扱いを容
易にするために、反応ガスのＳｉＨ＋、Ｂ２Ｈｅおよび
ＰＨ３または０２はＮ２キャリアガスで希釈して使用す
ることが奸ましい。
０；Ｉ記のウェハ載置台４のｉ−［’［ドには僅かなギ
ヤｌプを介して加熱丁；段１０が設けられていてウェハ
６を所定の温度（例えば約５００℃）に加熱する。
ヤｌプを介して加熱丁；段１０が設けられていてウェハ
６を所定の温度（例えば約５００℃）に加熱する。
反応ガス送入管８および９から送入された反応ガスは点
線矢印のごとく炉内を流ドし、ウェハ６の表面に触れて
流動し、化学反比、によってＢＰＳＧのｌ１膜をウェハ
６の表面に生成せしめる。
線矢印のごとく炉内を流ドし、ウェハ６の表面に触れて
流動し、化学反比、によってＢＰＳＧのｌ１膜をウェハ
６の表面に生成せしめる。
か内に送入された反応ガスのフローパターンを均一にす
るため及び成膜反応路ｒ後炉内に残留している未反応の
ＳｉＨ４，Ｂ２ＨｅやＰＨ３’Ｗ・のｒ−１’ ｒ？ｉ
ガスを炉外にυ１；山するため、反応炉の下部に排気ダ
クト１２が配設されている。この排只ダクト１２は排気
ポンプ１３に接続されている。
るため及び成膜反応路ｒ後炉内に残留している未反応の
ＳｉＨ４，Ｂ２ＨｅやＰＨ３’Ｗ・のｒ−１’ ｒ？ｉ
ガスを炉外にυ１；山するため、反応炉の下部に排気ダ
クト１２が配設されている。この排只ダクト１２は排気
ポンプ１３に接続されている。
［発明が解決しようとする課題］
＋１ｉｆ記のような従来の装置ではＢＰＳＧ膜生成後の
反応炉内雰囲気をＮ２などの不活性ガスにより置換（パ
ージ）していた。
反応炉内雰囲気をＮ２などの不活性ガスにより置換（パ
ージ）していた。
しかし、不活性ガスによる炉内パージは必ずしも完全で
はなく、ウェハ搬出時に巻き込む大気中の酸素と炉内の
残留ガスが異常反応を起こし、異物を多発させる傾向が
あった。
はなく、ウェハ搬出時に巻き込む大気中の酸素と炉内の
残留ガスが異常反応を起こし、異物を多発させる傾向が
あった。
このため、異物がウェハ表面に付着し、ＢＰＳＧ膜にピ
ンホールを発生させる。これら異物がウェハの表面に付
着してＢＰＳＧ膜にピンホールを発生させると半導体素
子の製造歩留りが著しく低′ドされる。
ンホールを発生させる。これら異物がウェハの表面に付
着してＢＰＳＧ膜にピンホールを発生させると半導体素
子の製造歩留りが著しく低′ドされる。
従って本発明の目的は異物の発生量を低減することので
きるＢＰＳＧ膜の成膜方法を提供することである。
きるＢＰＳＧ膜の成膜方法を提供することである。
［課題を解決するための手段コ
前記の問題点を解決し、合わせて、本発明の目的を達成
するための手段として、この発明は、ＣＶｌ）装置の反
応炉へウェハを搬入し、反応炉内に不活性ガスを送入す
ることにより炉内をパージし、ＢＰＳＧ膜の成膜に必要
な反応ガスの流量を調整し、その後、成膜反応を実施し
、成膜反応終了後に炉内を酸素ガスによりパージし、酸
素ガスによるパージが完ｒしたらウェハを反応炉から搬
出する工ｆ４からなることを特徴とするＢＰＳＧ膜の成
膜方法を提供する。
するための手段として、この発明は、ＣＶｌ）装置の反
応炉へウェハを搬入し、反応炉内に不活性ガスを送入す
ることにより炉内をパージし、ＢＰＳＧ膜の成膜に必要
な反応ガスの流量を調整し、その後、成膜反応を実施し
、成膜反応終了後に炉内を酸素ガスによりパージし、酸
素ガスによるパージが完ｒしたらウェハを反応炉から搬
出する工ｆ４からなることを特徴とするＢＰＳＧ膜の成
膜方法を提供する。
［作用コ
１１７ｆ記のように、本発明のＢＰＳＧ膜の成膜）Ｊｌ
去によれば、成膜反応終了後に炉内に残った反応ガスを
パージするのに、従来のような不活性ガスを使用せず、
酸素ガスを使用するので炉内の残留ガスを完全に反応さ
せてしまう。このため、成膜済ウェハを炉外へ搬出する
ためにゲートを開いても流入する人気中の酸素とは異常
反応を起こす余地はない。
去によれば、成膜反応終了後に炉内に残った反応ガスを
パージするのに、従来のような不活性ガスを使用せず、
酸素ガスを使用するので炉内の残留ガスを完全に反応さ
せてしまう。このため、成膜済ウェハを炉外へ搬出する
ためにゲートを開いても流入する人気中の酸素とは異常
反応を起こす余地はない。
その結果、異物の発生酸が著しく低減され、ひいては、
ウェハ表面に付着する異物でＡも激減するので、半導体
素ｒの製造歩留りが１２ｉＪヒされる。
ウェハ表面に付着する異物でＡも激減するので、半導体
素ｒの製造歩留りが１２ｉＪヒされる。
［実施例コ
以ド、図面を参＋ｖ（シながら本発明の一例について史
に詐細に説明する。
に詐細に説明する。
第１図は本発明によるＢＰＳＧ膜の成膜方法の１−程の
流れを示すブロック図である。
流れを示すブロック図である。
第２１メ１のゲート１１を開き、ウェハ搬送装置７によ
り反応炉内にウェハを搬入（チャージ）する巳程２０が
本発明のＢＰＳＧ膜の成膜方法の第１１程である。
り反応炉内にウェハを搬入（チャージ）する巳程２０が
本発明のＢＰＳＧ膜の成膜方法の第１１程である。
ウェハ搬入完ｒ後、ゲート１１を閉じ、ガス送入管９か
ら窒素ガスを炉内に送入し、ウェハ搬入乃に炉内に流入
した空気を炉外ヘパージし、炉内雰囲気を窒素ガスに置
換する「楳２２が続く。
ら窒素ガスを炉内に送入し、ウェハ搬入乃に炉内に流入
した空気を炉外ヘパージし、炉内雰囲気を窒素ガスに置
換する「楳２２が続く。
その後、ガス送入管８および９からＢＰＳＧ膜の成膜に
必要な反応ガスの？Ａｆ、 ｌｉｋを調整する工程２４
が続く。
必要な反応ガスの？Ａｆ、 ｌｉｋを調整する工程２４
が続く。
反応ガスの流量調整が済んだら、反応を開始させ、ＢＰ
ＳＧ膜を生成させる（上桟２６）。
ＳＧ膜を生成させる（上桟２６）。
前記工程２ＢでＢＰＳＧ膜の生成を行ったら、反応ガス
の供給を停＋１し、例えば、ガス送入管９から炉内に１
００％酸素ガスを導入し、炉内に残留しているＳ ｉＨ
４、Ｂ２ Ｈｅ 、ＰＨ３などの反応ガスを完全に反応
させ、消滅させてしまう（−［Ｊ’、艷２８ ）。その
後、所９Ｊにより、ガス送入管から窒素ガスを炉内に送
太し、残留酸素ガスをパージすることもできる。
の供給を停＋１し、例えば、ガス送入管９から炉内に１
００％酸素ガスを導入し、炉内に残留しているＳ ｉＨ
４、Ｂ２ Ｈｅ 、ＰＨ３などの反応ガスを完全に反応
させ、消滅させてしまう（−［Ｊ’、艷２８ ）。その
後、所９Ｊにより、ガス送入管から窒素ガスを炉内に送
太し、残留酸素ガスをパージすることもできる。
最後に、ゲー）１１を開き、ウェハ搬送装置７により、
炉内の成膜清ウェハを炉外へ搬出する（「程３０）。
炉内の成膜清ウェハを炉外へ搬出する（「程３０）。
［桿の流れ目体は従来のＣＶ Ｉ）膜の成膜方法と人体
同一・である。しかし、成膜反応終ｒ後の炉内パージ用
ガスとして、酸素ガスを使用するのは本発明が初めてで
ある。
同一・である。しかし、成膜反応終ｒ後の炉内パージ用
ガスとして、酸素ガスを使用するのは本発明が初めてで
ある。
以■二、本発明の方法をＢＰＳＧ膜について説明したき
たが、本発明の酸素ガスパージ方法はＢＰＳＧ膜に限ら
ず、その他のＣＶ Ｉ）膜の成膜反応処ｐＨにも使用で
きることは当業者に自明である。
たが、本発明の酸素ガスパージ方法はＢＰＳＧ膜に限ら
ず、その他のＣＶ Ｉ）膜の成膜反応処ｐＨにも使用で
きることは当業者に自明である。
［発明の効果コ
以し説明したように、本発明のＢＰＳＧ膜の成膜方法に
よれば、成膜反応終ｒ後に炉出に残った反応ガスをパー
ジするのに、従来のような不活Ｖ１：ガスを使用せず、
酸素ガスを使用するので炉内の残留ガスを完全に反応さ
せてしまう。このため、成膜済ウェハを炉外へ搬出する
ためにゲートを開いても流入する人気中の酸素とは異常
反応を起こす余地はない。
よれば、成膜反応終ｒ後に炉出に残った反応ガスをパー
ジするのに、従来のような不活Ｖ１：ガスを使用せず、
酸素ガスを使用するので炉内の残留ガスを完全に反応さ
せてしまう。このため、成膜済ウェハを炉外へ搬出する
ためにゲートを開いても流入する人気中の酸素とは異常
反応を起こす余地はない。
その結果、異物の発生潰が著しく低減され、ひいては、
ウェハ表面に付着する異物蹟も激減するので、半導体素
丁の製造歩留りが向−Ｅされる。
ウェハ表面に付着する異物蹟も激減するので、半導体素
丁の製造歩留りが向−Ｅされる。
また、有害なり２ ＨｅおよびＰＨ３などの残留ガスが
人気中に放散されなくなるので、安全性が高まり、環境
保全にも役立つ。
人気中に放散されなくなるので、安全性が高まり、環境
保全にも役立つ。
４４図図面簡ｔｌｉな説明
第１図は本発明によるＢＰＳＧ膜の成膜方法の［程の流
れを示すブロック図であり、第２図は従来のＣＶ Ｉ）
膜の生成に使用される装置の ・例を示す部分４１！！
要図である。
れを示すブロック図であり、第２図は従来のＣＶ Ｉ）
膜の生成に使用される装置の ・例を示す部分４１！！
要図である。
１・・・反応炉。
２１００バツフγ。
３・・・ベルジャ。
４・・・ウェハ載置台。
５・・・ウェハ載置台回転騙動機横。
６・・・ウェハ。
７・・・ウェハ搬送手段。
８わよび９・・・反応ガス送入管。
ｌＯ・・・加熱手段。
１１・・・ゲート部。
１２・・・排気ダクト。
１３・・・排気ポンプ
Claims (3)
- （１）ＣＶＤ装置の反応炉へウェハを搬入し、反応炉内
に不活性ガスを送入することにより炉内をパージし、Ｂ
ＰＳＧ膜の成膜に必要な反応ガスの流量を調整し、その
後、成膜反応を実施し、成膜反応終了後に炉内を酸素ガ
スによりパージし、酸素ガスによるパージが完了したら
ウェハを反応炉から搬出する工程からなることを特徴と
するＢＰＳＧ膜の成膜方法。 - （２）不活性ガスは窒素ガスであることを特徴とする請
求項１記載のＢＰＳＧ膜の成膜方法。 - （３）ＣＶＤ装置は自公転方式の常圧型ＣＶＤ装置であ
ることを特徴とする請求項１記載のＢＰＳＧ膜の成膜方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26298089A JPH03126874A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Ｂｐｓｇ膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26298089A JPH03126874A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Ｂｐｓｇ膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126874A true JPH03126874A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17383223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26298089A Pending JPH03126874A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Ｂｐｓｇ膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03126874A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103208414A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-17 | 上海华力微电子有限公司 | 去除bpsg薄膜中散射状颗粒的方法 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26298089A patent/JPH03126874A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103208414A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-17 | 上海华力微电子有限公司 | 去除bpsg薄膜中散射状颗粒的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5393895B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| KR101233031B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법과 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| TW202234546A (zh) | 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置、程式及基板處理方法 | |
| JPH07153707A (ja) | 窒化珪素の堆積 | |
| JPH04326512A (ja) | ドープド薄膜の成膜方法 | |
| JP2012186275A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| CN110943003B (zh) | 一种工艺气体的吹扫方法 | |
| WO2001061736A1 (fr) | Procede de traitement d'une plaquette | |
| US6531415B1 (en) | Silicon nitride furnace tube low temperature cycle purge for attenuated particle formation | |
| JPS63109174A (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置 | |
| JP3125280B2 (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JPH02226721A (ja) | 処理方法 | |
| JP3667535B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2012069844A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| JPS63266072A (ja) | 気相反応装置 | |
| JP3119475B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61194838A (ja) | Ｃｖｄ法による薄膜形成方法 | |
| JPS62296426A (ja) | Ｃｖｄ薄膜形成装置 | |
| JPS63144537A (ja) | ウエハ搬送装置 | |
| JP2579166B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置および成膜方法 | |
| JPS62161963A (ja) | Ｃｖｄ薄膜形成装置およびｃｖｄ薄膜形成方法 | |
| KR20220138808A (ko) | 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 | |
| JP2001102313A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPS6381933A (ja) | 枚葉式薄膜形成方法 | |
| JP2003100731A (ja) | 半導体装置の製造方法 |