JPH04326512A - ドープド薄膜の成膜方法 - Google Patents
ドープド薄膜の成膜方法Info
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- JPH04326512A JPH04326512A JP3122707A JP12270791A JPH04326512A JP H04326512 A JPH04326512 A JP H04326512A JP 3122707 A JP3122707 A JP 3122707A JP 12270791 A JP12270791 A JP 12270791A JP H04326512 A JPH04326512 A JP H04326512A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドープド薄膜の成膜方
法に係り、特に成膜速度を向上できるのみならず、面間
膜厚の均一性及び面間ドーパント濃度の均一性並びに面
内膜厚の均一性及び面内ドーパント濃度の均一性も向上
できるドープド薄膜の形成方法に関する。
法に係り、特に成膜速度を向上できるのみならず、面間
膜厚の均一性及び面間ドーパント濃度の均一性並びに面
内膜厚の均一性及び面内ドーパント濃度の均一性も向上
できるドープド薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハの成膜工程にあっ
ては、最終製品としてのＩＣチップの特性の安定化、す
なわち所望の正常な電気的特性を得るためには、例えば
ＣＶＤ装置による半導体ウエハ上への成膜処理において
面内および面間の膜厚の均一性を向上しなければならな
いばかりか、ドーパントが含まれたいわゆるドープド薄
膜を形成する場合には、更にドーパントの面間均一性も
向上させなければならない。また、特に、競争の激しい
半導体製造分野にあっては、最終製品の一層のコストダ
ウンを行うために、歩留りの向上を図ると共にスループ
ットの向上も図らねばならない。このスループットを向
上させるための対策の１つとして、成膜の成長速度を向
上させることが必要である。
ては、最終製品としてのＩＣチップの特性の安定化、す
なわち所望の正常な電気的特性を得るためには、例えば
ＣＶＤ装置による半導体ウエハ上への成膜処理において
面内および面間の膜厚の均一性を向上しなければならな
いばかりか、ドーパントが含まれたいわゆるドープド薄
膜を形成する場合には、更にドーパントの面間均一性も
向上させなければならない。また、特に、競争の激しい
半導体製造分野にあっては、最終製品の一層のコストダ
ウンを行うために、歩留りの向上を図ると共にスループ
ットの向上も図らねばならない。このスループットを向
上させるための対策の１つとして、成膜の成長速度を向
上させることが必要である。
【０００３】例えば、シラン（ＳｉＨ４ ）とホスフィ
ン（ＰＨ３ ）を用いてリンドープのポリシリコン成膜
を行う場合には、適当濃度のホスフィンと例えば１００
％濃度、流量１００−２００ＳＣＣＭのシランとを反応
容器に加え、半導体ウエハを例えば６００−６３０℃に
加熱維持して、リン添加ポリシリコン成膜操作を行い、
結果として、例えば約２５オングストローム／分の成膜
速度が得られる。このとき成膜反応は、以下のようにし
て行われる。 ＳｉＨ４ ←→ＳｉＨ２ ＋Ｈ２ ＳｉＨ２ →Ｓｉ＋Ｈ２ 一般に、リンドープを行う場合には、ドープ用ガスとし
てホスフィンを供給するが、ホスフィンを加えると、こ
のホスフィンの反応性が高いのでシランが半導体ウエハ
表面に吸着する前にリンが先に吸着する傾向となり、そ
の結果、シラン及びシリレンの吸着する確率が低下し、
例えば５オングストローム／分と成膜速度が低下するの
みならず膜厚均一性も±２５％と劣化する。膜厚の均一
性を向上させるためには、ウエハ間の距離を少し大きく
とればよいのであるが、この場合には反応容器内で１度
にバッチ処理できるウエハ枚数が減少してしまい、結果
的にスループットを低下させるという不都合が生じてし
まう。そこで、ウエハ距離間を大きくすることなく、す
なわちスループットを低下させることなく成膜処理を行
う装置として、例えば特開昭５８−１０８７３５号公報
、特開昭６１−２０１６９５号公報が開示された。
ン（ＰＨ３ ）を用いてリンドープのポリシリコン成膜
を行う場合には、適当濃度のホスフィンと例えば１００
％濃度、流量１００−２００ＳＣＣＭのシランとを反応
容器に加え、半導体ウエハを例えば６００−６３０℃に
加熱維持して、リン添加ポリシリコン成膜操作を行い、
結果として、例えば約２５オングストローム／分の成膜
速度が得られる。このとき成膜反応は、以下のようにし
て行われる。 ＳｉＨ４ ←→ＳｉＨ２ ＋Ｈ２ ＳｉＨ２ →Ｓｉ＋Ｈ２ 一般に、リンドープを行う場合には、ドープ用ガスとし
てホスフィンを供給するが、ホスフィンを加えると、こ
のホスフィンの反応性が高いのでシランが半導体ウエハ
表面に吸着する前にリンが先に吸着する傾向となり、そ
の結果、シラン及びシリレンの吸着する確率が低下し、
例えば５オングストローム／分と成膜速度が低下するの
みならず膜厚均一性も±２５％と劣化する。膜厚の均一
性を向上させるためには、ウエハ間の距離を少し大きく
とればよいのであるが、この場合には反応容器内で１度
にバッチ処理できるウエハ枚数が減少してしまい、結果
的にスループットを低下させるという不都合が生じてし
まう。そこで、ウエハ距離間を大きくすることなく、す
なわちスループットを低下させることなく成膜処理を行
う装置として、例えば特開昭５８−１０８７３５号公報
、特開昭６１−２０１６９５号公報が開示された。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術は、半
導体ウエハよりも大きな形状の石英リング板をウエハボ
ートに別途設け、反応性の高い余分なＳｉをこれに付着
させてウエハの膜厚の均一性を達成するものである。し
かしながら、この装置にあっては、上述の如く構造の複
雑な石英リングを別途もうけなければならないことから
、コスト高を招来するのみならず保守管理が煩雑になる
という問題があった。更には、成膜速度は依然として遅
いままであり、充分な改善もなされていない。また更に
は、面間膜厚の均一性及び面間ドーパント濃度の均一性
も充分ではなかった。
導体ウエハよりも大きな形状の石英リング板をウエハボ
ートに別途設け、反応性の高い余分なＳｉをこれに付着
させてウエハの膜厚の均一性を達成するものである。し
かしながら、この装置にあっては、上述の如く構造の複
雑な石英リングを別途もうけなければならないことから
、コスト高を招来するのみならず保守管理が煩雑になる
という問題があった。更には、成膜速度は依然として遅
いままであり、充分な改善もなされていない。また更に
は、面間膜厚の均一性及び面間ドーパント濃度の均一性
も充分ではなかった。
【０００５】一般に、成膜速度を上昇させるためにはウ
エハの反応温度を上げればよいが、この場合には、ドー
パントであるリンがあまり薄膜中にドープされなくなる
問題点が生ずる。また、通常のシラン供給量を維持しつ
つ反応温度を下げると、ホスフィンの流量にも依存する
が一般に成膜速度が格段に低下し、もはや実用レベル以
下となってしまう。また、成膜反応に関しては不明な点
が多く、温度的、濃度的、量的要因等が複雑に絡み合っ
て反応が行われるので、最適な反応条件を見いだすこと
が非常に困難となっている。本発明は、以上のような状
況下にて、前記問題点を解決するために創案されたもの
である。本発明の目的は、成膜速度を向上できるのみな
らず、面間膜厚の均一性及び面間ドーパント濃度も向上
できるドープド薄膜の成膜方法を提供することにある。
エハの反応温度を上げればよいが、この場合には、ドー
パントであるリンがあまり薄膜中にドープされなくなる
問題点が生ずる。また、通常のシラン供給量を維持しつ
つ反応温度を下げると、ホスフィンの流量にも依存する
が一般に成膜速度が格段に低下し、もはや実用レベル以
下となってしまう。また、成膜反応に関しては不明な点
が多く、温度的、濃度的、量的要因等が複雑に絡み合っ
て反応が行われるので、最適な反応条件を見いだすこと
が非常に困難となっている。本発明は、以上のような状
況下にて、前記問題点を解決するために創案されたもの
である。本発明の目的は、成膜速度を向上できるのみな
らず、面間膜厚の均一性及び面間ドーパント濃度も向上
できるドープド薄膜の成膜方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応温度を低
下させると成膜速度が低下することから従来この半導体
製造分野では試行されなかった「反応温度を下げる」と
いう試行を行うと共に成膜速度の低下分を従来全く着想
されなかった「多量の成膜ガスを供給する」という操作
により補うことにより良好な結果を得ることができる、
という知見を見いだすことによりなされたものである。 本発明は、上記問題点を解決するために、減圧された反
応容器内に成膜用ガスとドーパントを含むドープ用ガス
を供給しつつ予め定められた間隔で配設された複数の被
処理体の表面にドーパントの含まれた薄膜を形成するド
ープド薄膜の成膜方法において、前記成膜用ガスの供給
量を約３００−５０００ＳＣＣＭの範囲に設定すると共
に、前記被処理体の反応温度を約５５０−６００℃の範
囲に設定するようにしたものである。
下させると成膜速度が低下することから従来この半導体
製造分野では試行されなかった「反応温度を下げる」と
いう試行を行うと共に成膜速度の低下分を従来全く着想
されなかった「多量の成膜ガスを供給する」という操作
により補うことにより良好な結果を得ることができる、
という知見を見いだすことによりなされたものである。 本発明は、上記問題点を解決するために、減圧された反
応容器内に成膜用ガスとドーパントを含むドープ用ガス
を供給しつつ予め定められた間隔で配設された複数の被
処理体の表面にドーパントの含まれた薄膜を形成するド
ープド薄膜の成膜方法において、前記成膜用ガスの供給
量を約３００−５０００ＳＣＣＭの範囲に設定すると共
に、前記被処理体の反応温度を約５５０−６００℃の範
囲に設定するようにしたものである。
【０００７】
【作用】まず、半導体ウエハを予め定められた間隔で多
数枚搭載したウエハボートを反応容器内に収容すると共
に、この内部の温度を通常の反応温度より低い温度、例
えば５５０−６００℃の範囲内の一定値に設定する。そ
して、真空ポンプにより反応容器内を排気して、この中
を通常の減圧ＣＶＤ操作を行う圧力に維持すると共に、
成膜用ガスとして、例えばシランを多量に、例えば３０
０−５０００ＳＣＣＭの範囲内の一定値で供給し、他方
、ドーパント用ガスとしてホスフィンを所定量、例えば
ヘリウム希釈濃度１０％のホスフィンを供給する。この
ようにして、所定時間シランを半導体ウエハに反応させ
ることにより、成膜速度の向上、面間面内膜厚及び面間
面内ドーパント濃度の均一性の向上を達成することが出
来る。
数枚搭載したウエハボートを反応容器内に収容すると共
に、この内部の温度を通常の反応温度より低い温度、例
えば５５０−６００℃の範囲内の一定値に設定する。そ
して、真空ポンプにより反応容器内を排気して、この中
を通常の減圧ＣＶＤ操作を行う圧力に維持すると共に、
成膜用ガスとして、例えばシランを多量に、例えば３０
０−５０００ＳＣＣＭの範囲内の一定値で供給し、他方
、ドーパント用ガスとしてホスフィンを所定量、例えば
ヘリウム希釈濃度１０％のホスフィンを供給する。この
ようにして、所定時間シランを半導体ウエハに反応させ
ることにより、成膜速度の向上、面間面内膜厚及び面間
面内ドーパント濃度の均一性の向上を達成することが出
来る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明方法の実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。まず、本発明方法を実施するための低圧
ＣＶＤ装置について説明する。図１に示す如くこの低圧
ＣＶＤ装置の縦型熱処理装置は、長手方向がほぼ垂直に
配設された円筒状の反応容器１を有しており、この反応
容器１は耐熱性材料、例えば石英からなる外筒２と、こ
の外筒２内に同心状に収容された、例えば石英からなる
内筒３とにより主に構成されて、２重管構造になってい
る。上記外筒２及び内筒３は、ステンレス等よりなるマ
ニホールド４によって保持されており、このマニホール
ド４はベースプレート５に固定されている。そして、上
記反応容器１を囲むように、例えば抵抗発熱体からなる
円筒状の加熱用ヒータ６が設置されて熱処理部が構成さ
れている。この加熱用ヒータ６の外側には、上記熱処理
部を保温するために例えばシリカブロックよりなる断熱
層１７が形成されると共に、この断熱層１７の外側には
、これを囲むように装置全体を保護するために例えばス
テンレススチール等よりなる円筒状の外側ケース２２が
設けられている。
いて詳述する。まず、本発明方法を実施するための低圧
ＣＶＤ装置について説明する。図１に示す如くこの低圧
ＣＶＤ装置の縦型熱処理装置は、長手方向がほぼ垂直に
配設された円筒状の反応容器１を有しており、この反応
容器１は耐熱性材料、例えば石英からなる外筒２と、こ
の外筒２内に同心状に収容された、例えば石英からなる
内筒３とにより主に構成されて、２重管構造になってい
る。上記外筒２及び内筒３は、ステンレス等よりなるマ
ニホールド４によって保持されており、このマニホール
ド４はベースプレート５に固定されている。そして、上
記反応容器１を囲むように、例えば抵抗発熱体からなる
円筒状の加熱用ヒータ６が設置されて熱処理部が構成さ
れている。この加熱用ヒータ６の外側には、上記熱処理
部を保温するために例えばシリカブロックよりなる断熱
層１７が形成されると共に、この断熱層１７の外側には
、これを囲むように装置全体を保護するために例えばス
テンレススチール等よりなる円筒状の外側ケース２２が
設けられている。
【０００９】上記反応容器１の下部に設けられたマニホ
ールド４の下端部の開口部は、ステンレス等よりなる円
板状のキャップ部７により、封止部例えば弾性材料のＯ
リング１７ａを介して気密封止可能に構成されている。 上記キャップ部７のほぼ中央部には、例えば磁気シール
により気密な状態で回転可能な回転軸８が挿通されてい
る。この回転軸８の下端は、図示省略した回転機構に接
続されており、上端は例えばステンレススチール等より
なるターンテーブル９に固定されている。また、上記タ
ーンテーブル９の上方には、反応容器１の内筒３と所定
の間隙を保持して石英からなる保温筒１０が設置されて
おり、この保温筒１０上には、多数枚例えば１００枚の
半導体ウエハ１１が所定の間隙、例えば４．７６ｍｍ間
隔で積層収容された、例えば石英からなるウエハボート
１２が搭載されている。上記ウエハボート１２、保温筒
１０、ターンテーブル９及びキャップ部７は、図示省略
した昇降機構、例えばウエハエレベータにより反応容器
１内に一体となってロード、アンロードされる様に構成
されている。
ールド４の下端部の開口部は、ステンレス等よりなる円
板状のキャップ部７により、封止部例えば弾性材料のＯ
リング１７ａを介して気密封止可能に構成されている。 上記キャップ部７のほぼ中央部には、例えば磁気シール
により気密な状態で回転可能な回転軸８が挿通されてい
る。この回転軸８の下端は、図示省略した回転機構に接
続されており、上端は例えばステンレススチール等より
なるターンテーブル９に固定されている。また、上記タ
ーンテーブル９の上方には、反応容器１の内筒３と所定
の間隙を保持して石英からなる保温筒１０が設置されて
おり、この保温筒１０上には、多数枚例えば１００枚の
半導体ウエハ１１が所定の間隙、例えば４．７６ｍｍ間
隔で積層収容された、例えば石英からなるウエハボート
１２が搭載されている。上記ウエハボート１２、保温筒
１０、ターンテーブル９及びキャップ部７は、図示省略
した昇降機構、例えばウエハエレベータにより反応容器
１内に一体となってロード、アンロードされる様に構成
されている。
【００１０】マニホールド４の下部には、上方すなわち
ウエハボート１２方向にむけて折り曲げられたＬ字状の
例えば石英からなる成膜用ガス導入管１３がシール部材
１３ｂによりマニホールド４に気密に配設されている。 上記シール部材１３ｂには例えばステンレススチールか
らなるガス配管１３ｃが接続され図示しないガス供給源
に接続されている。この成膜用ガス導入管１３に設けら
れたガス流出口１３ａは、ウエハボート１２に収容され
た半導体ウエハ１１の近傍に達するように垂設されてお
り、半導体ウエハの配列方向に向けて開口されている。 上記成膜用ガス導入管１３には、成膜用ガス、例えば１
００％濃度のシランが上記供給源により供給されること
になる。また、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アン
チモン（Ｓｂ）、ボロン（Ｂ）等のドーパントを含む有
機化合物を含有するドープ用ガス、例えばホスフィンを
反応容器１内に導入するドープ用ガス導入管１４は、Ｌ
字形状に曲げられており、マニホールド４の下部にシー
ル部材１４ｂを介して気密に配設されている。
ウエハボート１２方向にむけて折り曲げられたＬ字状の
例えば石英からなる成膜用ガス導入管１３がシール部材
１３ｂによりマニホールド４に気密に配設されている。 上記シール部材１３ｂには例えばステンレススチールか
らなるガス配管１３ｃが接続され図示しないガス供給源
に接続されている。この成膜用ガス導入管１３に設けら
れたガス流出口１３ａは、ウエハボート１２に収容され
た半導体ウエハ１１の近傍に達するように垂設されてお
り、半導体ウエハの配列方向に向けて開口されている。 上記成膜用ガス導入管１３には、成膜用ガス、例えば１
００％濃度のシランが上記供給源により供給されること
になる。また、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アン
チモン（Ｓｂ）、ボロン（Ｂ）等のドーパントを含む有
機化合物を含有するドープ用ガス、例えばホスフィンを
反応容器１内に導入するドープ用ガス導入管１４は、Ｌ
字形状に曲げられており、マニホールド４の下部にシー
ル部材１４ｂを介して気密に配設されている。
【００１１】上記ドープ用ガス導入管１４は、ウエハボ
ート１２に収容された各半導体ウエハ１１の面方向にむ
けて所定の間隔で開口された複数のガス流出口１４ａを
有しており、各半導体ウエハ１１に対して均一にホスフ
ィンガスを供給しうるように配置されている。このドー
プ用ガス導入管１４の下端部は、例えばステンレススチ
ールよりなるガス配管１４ｃに接続されており、このガ
ス配管１４ｃには、図示しないガス供給源が接続されて
おり、例えばＨｅにより適当濃度に希釈されたホスフィ
ンをドープ用ガスとして反応容器１内に供給しうるよう
になっている。そして、マニホールド４の上部側面には
、真空ポンプ１８を含む排気係１９に接続された、例え
ばステンレススチールよりなる排気管１５が設けられて
おり、外筒２と内筒３との間隙から処理済ガスを排出し
て反応容器１内を所定の減圧雰囲気にしうるようになっ
ている。上記排気系１９には、図示しない圧力調整器が
設けられ、反応容器１内を所望の圧力に調整することが
できるように構成されている。特に、本発明方法にあっ
ては、従来方法に比較して多量の成膜用ガスを供給する
ことから、上記真空ポンプ１５の後流側の排気系１９に
は、未反応成膜用ガスを除去するための除害装置２０が
介設されている。そして、この除害装置２０には、有害
、危険なガスを吸収または分解する薬剤の入った筒２０
ａが収容されていおり、有害成分の系外への排出を防い
でいる。そして、この除害装置２０の後流側には、通常
の工場排気ライン２１が接続されている。
ート１２に収容された各半導体ウエハ１１の面方向にむ
けて所定の間隔で開口された複数のガス流出口１４ａを
有しており、各半導体ウエハ１１に対して均一にホスフ
ィンガスを供給しうるように配置されている。このドー
プ用ガス導入管１４の下端部は、例えばステンレススチ
ールよりなるガス配管１４ｃに接続されており、このガ
ス配管１４ｃには、図示しないガス供給源が接続されて
おり、例えばＨｅにより適当濃度に希釈されたホスフィ
ンをドープ用ガスとして反応容器１内に供給しうるよう
になっている。そして、マニホールド４の上部側面には
、真空ポンプ１８を含む排気係１９に接続された、例え
ばステンレススチールよりなる排気管１５が設けられて
おり、外筒２と内筒３との間隙から処理済ガスを排出し
て反応容器１内を所定の減圧雰囲気にしうるようになっ
ている。上記排気系１９には、図示しない圧力調整器が
設けられ、反応容器１内を所望の圧力に調整することが
できるように構成されている。特に、本発明方法にあっ
ては、従来方法に比較して多量の成膜用ガスを供給する
ことから、上記真空ポンプ１５の後流側の排気系１９に
は、未反応成膜用ガスを除去するための除害装置２０が
介設されている。そして、この除害装置２０には、有害
、危険なガスを吸収または分解する薬剤の入った筒２０
ａが収容されていおり、有害成分の系外への排出を防い
でいる。そして、この除害装置２０の後流側には、通常
の工場排気ライン２１が接続されている。
【００１２】次に、以上のように構成された熱処理装置
に基づいて実施される本発明方法の実施例を説明する。 本実施例にあっては、例えばリン添加ポリシリコン膜を
成膜する場合について説明する。まず、ヒータ６により
反応容器１内の熱処理部を、通常のドープドポリシリコ
ン膜の減圧ＣＶＤの操作温度よりは少し低い温度、例え
ば好ましくは５５０−６００℃の範囲の内の一定温度、
例えば５７５℃の均熱加熱状態に維持し、この加熱処理
部にその下方より図示しないボートエレベータにより複
数枚、例えば１００枚の半導体ウエハ１１を収容したウ
エハボート１２をロードすると共に、この内部を密閉状
態にする。
に基づいて実施される本発明方法の実施例を説明する。 本実施例にあっては、例えばリン添加ポリシリコン膜を
成膜する場合について説明する。まず、ヒータ６により
反応容器１内の熱処理部を、通常のドープドポリシリコ
ン膜の減圧ＣＶＤの操作温度よりは少し低い温度、例え
ば好ましくは５５０−６００℃の範囲の内の一定温度、
例えば５７５℃の均熱加熱状態に維持し、この加熱処理
部にその下方より図示しないボートエレベータにより複
数枚、例えば１００枚の半導体ウエハ１１を収容したウ
エハボート１２をロードすると共に、この内部を密閉状
態にする。
【００１３】次に、排気系１９の真空ポンプ１８等の駆
動により、反応容器１内を所定の圧力、例えば０．００
１Ｔｏｒｒの真空状態まで排気した後、成膜用ガス導入
管１３から成膜用ガス、例えば１００％濃度のシランガ
スを従来のドープドポリシリコン膜のＣＶＤ操作時の供
給量より遥かに多い供給量の範囲、例えば好ましくは３
００−５０００ＳＣＣＭの範囲内の供給量、例えば５０
０ＳＣＣＭで反応容器１内にガス流出口１３ａから供給
すると共に、ヘリウムで例えば１０％まで希釈されたホ
スフィンをドープ用ガスとして例えば５ＳＣＣＭ反応容
器１内へ導入し、複数のガス流出口１４ａから被処理体
である半導体ウエハ１１に均等に供給する。そして、反
応容器１内の圧力を排気系路に設けられた図示しない圧
力調整器により０．４Ｔｏｒｒの圧力に維持するように
圧力制御を行い乍ら排気し、所定時間だけ成膜処理を行
う。従来方法と比較して、多量のシランを供給すること
から、排気系１９を流れる処理済ガス中には必然的に比
較的多くの未反応シランが残存することとなるが、この
内の多くの未反応シランは除害装置２０により除去され
ることになる。
動により、反応容器１内を所定の圧力、例えば０．００
１Ｔｏｒｒの真空状態まで排気した後、成膜用ガス導入
管１３から成膜用ガス、例えば１００％濃度のシランガ
スを従来のドープドポリシリコン膜のＣＶＤ操作時の供
給量より遥かに多い供給量の範囲、例えば好ましくは３
００−５０００ＳＣＣＭの範囲内の供給量、例えば５０
０ＳＣＣＭで反応容器１内にガス流出口１３ａから供給
すると共に、ヘリウムで例えば１０％まで希釈されたホ
スフィンをドープ用ガスとして例えば５ＳＣＣＭ反応容
器１内へ導入し、複数のガス流出口１４ａから被処理体
である半導体ウエハ１１に均等に供給する。そして、反
応容器１内の圧力を排気系路に設けられた図示しない圧
力調整器により０．４Ｔｏｒｒの圧力に維持するように
圧力制御を行い乍ら排気し、所定時間だけ成膜処理を行
う。従来方法と比較して、多量のシランを供給すること
から、排気系１９を流れる処理済ガス中には必然的に比
較的多くの未反応シランが残存することとなるが、この
内の多くの未反応シランは除害装置２０により除去され
ることになる。
【００１４】上記条件でリン添加ポリシリコン薄膜を形
成した結果、図２のシラン流量５００ＳＣＣＭのデータ
からわかるように成膜成長速度は、４０オングストロー
ム／ｍｉｎ以上の値が得られた。また、膜厚面間均一性
については、１０％位或はそれ以下の値となり、良好な
結果が得られた。また、リン濃度については、約２．２
×１０２０個／ｃｍ３ 前後の値が得られた。そして、
リン濃度の面間均一性については、５０％前後の値とな
り、この点よりも良好な結果が得られた。
成した結果、図２のシラン流量５００ＳＣＣＭのデータ
からわかるように成膜成長速度は、４０オングストロー
ム／ｍｉｎ以上の値が得られた。また、膜厚面間均一性
については、１０％位或はそれ以下の値となり、良好な
結果が得られた。また、リン濃度については、約２．２
×１０２０個／ｃｍ３ 前後の値が得られた。そして、
リン濃度の面間均一性については、５０％前後の値とな
り、この点よりも良好な結果が得られた。
【００１５】ここで、図２に基づいてリン添加ポリシリ
コン成膜のシラン流量依存性について検討する。図２に
示す実験例は、反応温度を約５７５℃に、容器内圧力を
約０．４Ｔｏｒｒに、ドープ用ガスの流量を約５ＳＣＣ
Ｍに設定し、１００％シランの供給流量を変化させた場
合における、薄膜面間均一性、平均成膜速度、リン濃度
面間均一性及び平均リン濃度を示すものである。従来の
リン添加ポリシリコン成膜操作は、１００％シランの流
量に関しては２００ＳＣＣＭ以下、反応温度に関しては
約６３０℃位の高温で行われていた。図２から判明する
ように、シランの供給量が２００ＳＣＣＭから５００Ｓ
ＣＣＭに増加するに従って、平均成膜速度は約３０オン
グストローム／ｍｉｎから約４２オングストローム／ｍ
ｉｎまで増加するのでスループットが向上し、膜厚面間
均一性は約２５％から約８％位まで低下しており、良好
な品質を得ることができた。また、シランの供給量の増
加にともなって、リン濃度面間均一性は約６５％から約
４８％まで低下し、更に平均リン濃度も約３．５×１０
２０個／ｃｍ３ から約２．２×１０２０個／ｃｍ３
まで低下し、良好な結果を得ることができた。このよう
に、リン添加ポリシリコン成膜操作を行うときに、反応
温度を比較的低くし、且つシランの供給量を大幅に増加
することにより、成膜速度を向上できるのみならず面間
膜厚の均一性、面間ドーパント濃度の均一性も向上でき
る。
コン成膜のシラン流量依存性について検討する。図２に
示す実験例は、反応温度を約５７５℃に、容器内圧力を
約０．４Ｔｏｒｒに、ドープ用ガスの流量を約５ＳＣＣ
Ｍに設定し、１００％シランの供給流量を変化させた場
合における、薄膜面間均一性、平均成膜速度、リン濃度
面間均一性及び平均リン濃度を示すものである。従来の
リン添加ポリシリコン成膜操作は、１００％シランの流
量に関しては２００ＳＣＣＭ以下、反応温度に関しては
約６３０℃位の高温で行われていた。図２から判明する
ように、シランの供給量が２００ＳＣＣＭから５００Ｓ
ＣＣＭに増加するに従って、平均成膜速度は約３０オン
グストローム／ｍｉｎから約４２オングストローム／ｍ
ｉｎまで増加するのでスループットが向上し、膜厚面間
均一性は約２５％から約８％位まで低下しており、良好
な品質を得ることができた。また、シランの供給量の増
加にともなって、リン濃度面間均一性は約６５％から約
４８％まで低下し、更に平均リン濃度も約３．５×１０
２０個／ｃｍ３ から約２．２×１０２０個／ｃｍ３
まで低下し、良好な結果を得ることができた。このよう
に、リン添加ポリシリコン成膜操作を行うときに、反応
温度を比較的低くし、且つシランの供給量を大幅に増加
することにより、成膜速度を向上できるのみならず面間
膜厚の均一性、面間ドーパント濃度の均一性も向上でき
る。
【００１６】また、図３は上記実験例と同様な条件にお
いて、ウエハボート中に上下方向に配列されたウエハ列
中のウエハ位置に対する各特性及び面内均一性を示すグ
ラフである。ウエハ位置のボトムは、ウエハ列の下部を
示し、トップはウエハ列の上部を示す。また、ウエハ列
の上下端には、それぞれ数枚、例えば１０枚のダミーウ
エハが設けられていることからウエハ位置１１枚目は実
際に成膜するウエハの１枚目に相当する。この図３によ
れば、各ウエハ位置において、成膜速度（Ｄ／Ｒ）は比
較的大きな値、約３３オングストローム／ｍｉｎを示し
ており、また、面内均一性は、従来方法によれば±約４
％前後であったが、本実施例にあっては良好な値、±約
１％以下を示している。また、リン濃度は良好な値、約
５−６×１０２０個／ｃｍ３ の範囲を示しており、そ
の面内均一性も約０．５−１．５％の範囲内となってい
る。 更に、アニール後のシート抵抗値は、±約３０−３５（
オーム／□）の範囲を示しており、その面内均一性も±
約２−３．５％の範囲内となっている。従って、各特性
の面間均一性のみならず、面内均一性も比較的良好な結
果を得ることができる点が判明する。
いて、ウエハボート中に上下方向に配列されたウエハ列
中のウエハ位置に対する各特性及び面内均一性を示すグ
ラフである。ウエハ位置のボトムは、ウエハ列の下部を
示し、トップはウエハ列の上部を示す。また、ウエハ列
の上下端には、それぞれ数枚、例えば１０枚のダミーウ
エハが設けられていることからウエハ位置１１枚目は実
際に成膜するウエハの１枚目に相当する。この図３によ
れば、各ウエハ位置において、成膜速度（Ｄ／Ｒ）は比
較的大きな値、約３３オングストローム／ｍｉｎを示し
ており、また、面内均一性は、従来方法によれば±約４
％前後であったが、本実施例にあっては良好な値、±約
１％以下を示している。また、リン濃度は良好な値、約
５−６×１０２０個／ｃｍ３ の範囲を示しており、そ
の面内均一性も約０．５−１．５％の範囲内となってい
る。 更に、アニール後のシート抵抗値は、±約３０−３５（
オーム／□）の範囲を示しており、その面内均一性も±
約２−３．５％の範囲内となっている。従って、各特性
の面間均一性のみならず、面内均一性も比較的良好な結
果を得ることができる点が判明する。
【００１７】更に、図４は、リン添加ポリシリコン成膜
の各反応温度に対するアニール前シート抵抗の変化を示
すグラフである。この実験例においては、容器内圧力を
０．６Ｔｏｒｒとし、１００％濃度のシランを８００Ｓ
ＣＣＭ、ヘリウム希釈による濃度１％のホスフィンを１
５０ＳＣＣＭ供給し、反応温度を５７０℃から５８０℃
に順次変化させて、それぞれにおいて９０分間の成膜処
理をおこなった。この図４によると、ウエハ列の１１枚
目、８６枚目、及び１６０枚目の各ウエハのアニール前
シート抵抗（オーム／□）に関しては、反応温度５７０
℃においては１６０枚目のウエハの値が非常に小さく、
１１枚目及び８６枚目のウエハの値が非常に大きく、そ
の値に比較的ばらつきがあったが、反応温度を上昇させ
て５８０℃になると、シート抵抗のばらつきが非常に少
なくなり、面間均一性を良好にさせることができる点が
判明する。
の各反応温度に対するアニール前シート抵抗の変化を示
すグラフである。この実験例においては、容器内圧力を
０．６Ｔｏｒｒとし、１００％濃度のシランを８００Ｓ
ＣＣＭ、ヘリウム希釈による濃度１％のホスフィンを１
５０ＳＣＣＭ供給し、反応温度を５７０℃から５８０℃
に順次変化させて、それぞれにおいて９０分間の成膜処
理をおこなった。この図４によると、ウエハ列の１１枚
目、８６枚目、及び１６０枚目の各ウエハのアニール前
シート抵抗（オーム／□）に関しては、反応温度５７０
℃においては１６０枚目のウエハの値が非常に小さく、
１１枚目及び８６枚目のウエハの値が非常に大きく、そ
の値に比較的ばらつきがあったが、反応温度を上昇させ
て５８０℃になると、シート抵抗のばらつきが非常に少
なくなり、面間均一性を良好にさせることができる点が
判明する。
【００１８】尚、上記実施例にあっては、リンドープの
場合について説明したが、これに限定されるものでなく
、例えばドーパントとしてボロン、砒素、アンチモン等
も使用できるのは勿論である。また、熱処理装置として
は、上記実施例に限らず、例えば酸化拡散装置、ＣＶＤ
装置、プラズマＣＶＤ装置等にも適用することができる
。更には、被処理体としては、半導体ウエハに限らず、
例えばガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
場合について説明したが、これに限定されるものでなく
、例えばドーパントとしてボロン、砒素、アンチモン等
も使用できるのは勿論である。また、熱処理装置として
は、上記実施例に限らず、例えば酸化拡散装置、ＣＶＤ
装置、プラズマＣＶＤ装置等にも適用することができる
。更には、被処理体としては、半導体ウエハに限らず、
例えばガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】以上要するに、本発明方法によれば、ド
ープド薄膜を成膜するに際して、成膜用ガスの供給量を
約３００−５０００ＳＣＣＭの範囲に設定すると共に反
応温度を約５５０℃−６００℃の範囲に設定したので、
従来方法と比較して成膜速度を格段に向上できるのみな
らず、面間面内膜厚の均一性及び面間面内ドーパント濃
度の均一性も向上させることができる。
ープド薄膜を成膜するに際して、成膜用ガスの供給量を
約３００−５０００ＳＣＣＭの範囲に設定すると共に反
応温度を約５５０℃−６００℃の範囲に設定したので、
従来方法と比較して成膜速度を格段に向上できるのみな
らず、面間面内膜厚の均一性及び面間面内ドーパント濃
度の均一性も向上させることができる。
【図１】本発明方法を実施するための縦型熱処理装置を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図２】リン添加ポリシリコンを成膜するに際して、シ
ランの流量を変えた場合における、各特性の変化及びそ
の面間均一性を示すグラフである。
ランの流量を変えた場合における、各特性の変化及びそ
の面間均一性を示すグラフである。
【図３】リン添加ポリシリコンを成膜するに際して、ウ
エハ位置の相異に対する各特性の変化及びその面内均一
性を示すグラフである。
エハ位置の相異に対する各特性の変化及びその面内均一
性を示すグラフである。
【図４】リン添加ポリシリコンを成膜するに際して、反
応温度を変えた場合における、成膜のアニール前シート
抵抗を示すグラフである。 １ 反応容器 ２ 外筒 ３ 内筒 ６ ヒータ １１ 半導体ウエハ（被処理体） １２ ウエハボート １３ 成膜用ガス導入管 １４ ドープ用ガス導入管 １８ 真空ポンプ ２０ 除外装置
応温度を変えた場合における、成膜のアニール前シート
抵抗を示すグラフである。 １ 反応容器 ２ 外筒 ３ 内筒 ６ ヒータ １１ 半導体ウエハ（被処理体） １２ ウエハボート １３ 成膜用ガス導入管 １４ ドープ用ガス導入管 １８ 真空ポンプ ２０ 除外装置
Claims (1)
- 【請求項１】 減圧された反応容器内に成膜用ガスと
ドーパントを含むドープ用ガスを供給しつつ予め定めら
れた間隔で配設された複数の被処理体の表面にドーパン
トの含まれた薄膜を形成するドープド薄膜の成膜方法に
おいて、前記成膜用ガスの供給量を約３００−５０００
ＳＣＣＭの範囲に設定すると共に、前記被処理体の反応
温度を約５５０−６００℃の範囲に設定することを特徴
とするドープド薄膜の成膜方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122707A JP2819073B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | ドープド薄膜の成膜方法 |
| KR1019920006980A KR100246119B1 (ko) | 1991-04-25 | 1992-04-24 | 도프트 박막의 성막방법 |
| US08/418,841 US5654230A (en) | 1991-04-25 | 1995-04-07 | Method of forming doped film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3122707A JP2819073B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | ドープド薄膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326512A true JPH04326512A (ja) | 1992-11-16 |
| JP2819073B2 JP2819073B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=14842620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3122707A Expired - Fee Related JP2819073B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | ドープド薄膜の成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5654230A (ja) |
| JP (1) | JP2819073B2 (ja) |
| KR (1) | KR100246119B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995008185A1 (en) * | 1993-09-16 | 1995-03-23 | Tokyo Electron Limited | Film forming device |
| US5654230A (en) * | 1991-04-25 | 1997-08-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming doped film |
| US5677235A (en) * | 1993-09-16 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method for forming silicon film |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19937513B4 (de) * | 1999-08-09 | 2004-05-06 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtungen und Verfahren zur gleichverteilten Gasinjektion bei der Behandlung von Halbleitersubstraten |
| US6905963B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-06-14 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Fabrication of B-doped silicon film by LPCVD method using BCI3 and SiH4 gases |
| KR20030081144A (ko) * | 2002-04-11 | 2003-10-17 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 종형 반도체 제조 장치 |
| AU2003253874A1 (en) * | 2002-07-15 | 2004-02-02 | Aviza Technology, Inc. | Method and apparatus for supporting semiconductor wafers |
| JP4267624B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2009-05-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP3945519B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2007-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
| JP2008078448A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014149143A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Enhanced productivity for an etch system through polymer management |
| CN111188093A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-05-22 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 进气组件和扩散设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207181A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Ricoh Co Ltd | 半導体材料 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191015A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体の気相成長方法及びその装置 |
| US4877753A (en) * | 1986-12-04 | 1989-10-31 | Texas Instruments Incorporated | In situ doped polysilicon using tertiary butyl phosphine |
| JP2654996B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US5198387A (en) * | 1989-12-01 | 1993-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for in-situ doping of deposited silicon |
| JP2752235B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1998-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体基板の製造方法 |
| JP3023982B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2000-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP2819073B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1998-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ドープド薄膜の成膜方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3122707A patent/JP2819073B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-24 KR KR1019920006980A patent/KR100246119B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-07 US US08/418,841 patent/US5654230A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207181A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Ricoh Co Ltd | 半導体材料 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654230A (en) * | 1991-04-25 | 1997-08-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming doped film |
| WO1995008185A1 (en) * | 1993-09-16 | 1995-03-23 | Tokyo Electron Limited | Film forming device |
| US5677235A (en) * | 1993-09-16 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method for forming silicon film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5654230A (en) | 1997-08-05 |
| KR920020608A (ko) | 1992-11-21 |
| JP2819073B2 (ja) | 1998-10-30 |
| KR100246119B1 (ko) | 2000-03-15 |
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