JPH03127844A - ボンディング装置およびボンディング方法 - Google Patents
ボンディング装置およびボンディング方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
集積回路等の半導体装置において、半導体のチップとパ
ッケージの外部引き出し用リードとをボンディングワイ
ヤで接続する装置に関し、第２ボンディング部のボンデ
ィング強度を高めるボンディング装置とそのボンディン
グ方法を確立することによって、小型・多ピンの半導体
装置における信頼性を高めることを目的とし、半導体の
チップ上に設けたボンディングパッドとパッケージのリ
ード部とを、ボンディングワイヤで接続するボンディン
グ装置であって、第１ポンデイングを行う第１のボンデ
ィングツールに隣接して第２ボンディングを行う第２の
ボンディングツールを設け、かつ、前記第１のボンディ
ングツールの圧着部の幅よりも、第２のボンディングツ
ールの圧着部の幅を大きくするよう構成する。
ッケージの外部引き出し用リードとをボンディングワイ
ヤで接続する装置に関し、第２ボンディング部のボンデ
ィング強度を高めるボンディング装置とそのボンディン
グ方法を確立することによって、小型・多ピンの半導体
装置における信頼性を高めることを目的とし、半導体の
チップ上に設けたボンディングパッドとパッケージのリ
ード部とを、ボンディングワイヤで接続するボンディン
グ装置であって、第１ポンデイングを行う第１のボンデ
ィングツールに隣接して第２ボンディングを行う第２の
ボンディングツールを設け、かつ、前記第１のボンディ
ングツールの圧着部の幅よりも、第２のボンディングツ
ールの圧着部の幅を大きくするよう構成する。
本発明は、集積回路等の半導体装置において、半導体の
チップとパッケージの外部引き出し用リードとをボンデ
ィングワイヤで接続する装置に関する。
チップとパッケージの外部引き出し用リードとをボンデ
ィングワイヤで接続する装置に関する。
近年、集積回路の高集積・多機能化と小型化の要求にと
もない、半導体装置の多ピン化（ピンとは引き出しリー
ドの事を示している）と小型化が進んでいる。
もない、半導体装置の多ピン化（ピンとは引き出しリー
ドの事を示している）と小型化が進んでいる。
そのため、チップに設けるボンディングパッドの面積を
小さくすることにより、多ピン化と小型化を両立させて
いる。
小さくすることにより、多ピン化と小型化を両立させて
いる。
しかし、ボンディング面積を小さくすることはボンディ
ング強度を低下させる要因となっていて、特にリード部
へのボンディングすなわち第２ボンディングのボンディ
ング強度が低下しており、該第２ボンディングのボンデ
ィング強度を高くする必要が生じている。
ング強度を低下させる要因となっていて、特にリード部
へのボンディングすなわち第２ボンディングのボンディ
ング強度が低下しており、該第２ボンディングのボンデ
ィング強度を高くする必要が生じている。
〔従来の技術］
（１）ワイヤボンディングの概要
半導体装置のワイヤボンディングとしては、超音波熱圧
着法が広く用いられている。
着法が広く用いられている。
超音波熱圧着法は、金属の融点以下の温度でボンディン
グパッドまたはリード部とボンディングワイヤとを加圧
接触させ、同時に、該接触部に超音波の振動を加え、溶
融することなく金属の拡散によって接合させる方法であ
る。
グパッドまたはリード部とボンディングワイヤとを加圧
接触させ、同時に、該接触部に超音波の振動を加え、溶
融することなく金属の拡散によって接合させる方法であ
る。
例えば、グイボンディングしたリードフレームを約２５
０°Ｃ程度に加熱し、チップのボンディングパッドおよ
び該リードフレームのリード部に、ぞれぞれ金線を加圧
し超音波振動を加えるものである。
０°Ｃ程度に加熱し、チップのボンディングパッドおよ
び該リードフレームのリード部に、ぞれぞれ金線を加圧
し超音波振動を加えるものである。
また、超音波熱圧着法のなかでも、ボンディングの方向
性がなく作業性の良いポールボンディングが広く用いら
れている。
性がなく作業性の良いポールボンディングが広く用いら
れている。
（２）ボンディング装置とボンディングプロセス第５図
は、ワイヤボンディング用ツールを説明する図で、（ａ
）はキャピラリの斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は圧
着部側から見たキャピラリの図、である。
は、ワイヤボンディング用ツールを説明する図で、（ａ
）はキャピラリの斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は圧
着部側から見たキャピラリの図、である。
キャピラリ５は軸心にボンディングワイヤを通すための
細大を有し、先端は円錐形していてその頂部にはボンデ
ィングワイヤを圧着するための圧着部１３が有る。
細大を有し、先端は円錐形していてその頂部にはボンデ
ィングワイヤを圧着するための圧着部１３が有る。
また、キャピラリ５には、図に示されないホーンによっ
て超音波振動子の振動が加えられる。
て超音波振動子の振動が加えられる。
次に、前記キャピラリ５を使用したボンディングプロセ
スを説明する。
スを説明する。
第６図は、ボンディングプロセスを説明する側面図で、
（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各プロセス
を順に説明する図、である。尚、同図において、キャピ
ラリのみ断面図で示しである。
（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各プロセス
を順に説明する図、である。尚、同図において、キャピ
ラリのみ断面図で示しである。
同図は、チップ１をダイパッド３にダイボンディングし
たリードフレームにおいて、該チップ１５ のボンディングパッドと該リードフレームのリード部２
との間を、ワイヤボンディングする手順である。また、
リードフレームおよびチップ１は約２５０“Ｃ程度に加
熱している。
たリードフレームにおいて、該チップ１５ のボンディングパッドと該リードフレームのリード部２
との間を、ワイヤボンディングする手順である。また、
リードフレームおよびチップ１は約２５０“Ｃ程度に加
熱している。
■金球を作る。（第６図（ａ））
キャピラリ５の先端部に金線４を引き出し、該金線４の
先端部を図に示されないトーチによって溶融し、金球６
を作る。
先端部を図に示されないトーチによって溶融し、金球６
を作る。
■第１ボンディング（第６図（ｂ））
キャピラリ５を下降させ、チップ１のボンディングパッ
ド上に金球６を圧着する。
ド上に金球６を圧着する。
■ステージの移動（第６図（Ｃ））
キャピラリ５を上昇させ、リードフレームを載置・固定
している図に示されないステージを移動し、第２ボンデ
ィングを行うリード部２の位置と該キャピラリ５の位置
を合わせる。
している図に示されないステージを移動し、第２ボンデ
ィングを行うリード部２の位置と該キャピラリ５の位置
を合わせる。
■第２ボンディング（第６図（ｄ））
キャピラリ５を下降させ、金線４をリード部２に圧着す
る。
る。
■金線の切断（第６図（ｅ））
キャピラリ５がリード部２に圧着している状態で金線４
を引き上げ、それによって該金線を圧着部で切断し、キ
ャピラリ５を上昇させる。
を引き上げ、それによって該金線を圧着部で切断し、キ
ャピラリ５を上昇させる。
以上のプロセスである。
（３）ボンディング完了後の状態
第７図は、ボンディング状態を説明する平面図である。
すなわち、チップ１のボンディングパッド７とリードフ
レームのリード部２との間を、金線４で接続した状態で
ある。
レームのリード部２との間を、金線４で接続した状態で
ある。
そして、ボンディングパッド７の圧着部が第１ボンディ
ング部８で、リード部２の圧着部が第２ボンディング部
９である。
ング部８で、リード部２の圧着部が第２ボンディング部
９である。
また、第１ボンディング部８は、金球を圧着しているた
め円形の圧着面形状を威しているが、第２ボンディング
部９は、金線４をそのまま圧着しているため扇状の圧着
面形状を威している。
め円形の圧着面形状を威しているが、第２ボンディング
部９は、金線４をそのまま圧着しているため扇状の圧着
面形状を威している。
ちなみに、例えばボンディングパッド７の大きさは、−
辺の長さが１００μｍ程度であり、リード＝７ 部２の幅は１３０μｍ程度である。
辺の長さが１００μｍ程度であり、リード＝７ 部２の幅は１３０μｍ程度である。
ところで、半導体のチップ１に形成する集積回路の高密
度化・高集積化・多機能化にともない、半導体装置の引
き出しリードの数は多くなる一方であり、他方には、半
導体装置の小型化要求がある。
度化・高集積化・多機能化にともない、半導体装置の引
き出しリードの数は多くなる一方であり、他方には、半
導体装置の小型化要求がある。
そのため、これらの要求を満足するために、ボンディン
グパッド７の面積を小さくし、１チツプ当たりに多数の
ボンディングパッドを配設できるようにすると同時に、
リードフレームのリード部２の幅も狭くし、多数のリー
ド部を配設できるようにしている。
グパッド７の面積を小さくし、１チツプ当たりに多数の
ボンディングパッドを配設できるようにすると同時に、
リードフレームのリード部２の幅も狭くし、多数のリー
ド部を配設できるようにしている。
他方、ボンディング面積の縮小にともないキャピラリも
小型化させており、ボンディングパッド７の大きさに合
わせて該キャピラリの圧着部の面積も小さくしている。
小型化させており、ボンディングパッド７の大きさに合
わせて該キャピラリの圧着部の面積も小さくしている。
しかし、ボンディングパッド７やリード部２のボンディ
ング面積を小さくすることはボンディング強度を低下さ
せる要因となり、特にリード部２へのボンディングすな
わち第２ボンディング部９の強度低下が著しい。
ング面積を小さくすることはボンディング強度を低下さ
せる要因となり、特にリード部２へのボンディングすな
わち第２ボンディング部９の強度低下が著しい。
すなわち、第１ボンディング部８では金球を圧着してい
るため圧着面積を大きく確保できるのに対し、第２ボン
ディング部９においては金線４を圧着しているため、圧
着面積が第１ボンディング部８に比較して小さくなるた
めである。
るため圧着面積を大きく確保できるのに対し、第２ボン
ディング部９においては金線４を圧着しているため、圧
着面積が第１ボンディング部８に比較して小さくなるた
めである。
また、ボンディング時のチップ１への熱ストレスを小さ
くし、該チップ１の信頼性を向上することが強く望まれ
ており、そのため、ボンディング温度も低下させている
。しかし、ボンディング温度の低下はボンディング強度
の低下を招来することになる。
くし、該チップ１の信頼性を向上することが強く望まれ
ており、そのため、ボンディング温度も低下させている
。しかし、ボンディング温度の低下はボンディング強度
の低下を招来することになる。
その結果、ボンディング面積の縮小とボンディング温度
の低下とがボンディング強度を低下させることになり、
該ボンディング強度における半導体装置の信頼性が低下
している。
の低下とがボンディング強度を低下させることになり、
該ボンディング強度における半導体装置の信頼性が低下
している。
本願発明の技術的課題は、ワイヤボンディングにおける
以上のような問題を解消し、第２ボンディング部のボン
ディング強度を高めるボンディング装置とそのボンディ
ング方法を確立することによって、小型・多ピンの半導
体装置における信頼性を高めることにある。
以上のような問題を解消し、第２ボンディング部のボン
ディング強度を高めるボンディング装置とそのボンディ
ング方法を確立することによって、小型・多ピンの半導
体装置における信頼性を高めることにある。
第１図は、本発明の基本原理を説明する図で、（ａ）は
第１ボンディング実施状態を示す図、（ｂ）は第２ボン
ディング実施状態を示す図、（ｃ）はボンディングツー
ルを（ａ）のＡ−Ａ位置から見た図、である。尚、同図
（ａ） （ｂ）において、ボンディングツールのみ断面
図で示しである。
第１ボンディング実施状態を示す図、（ｂ）は第２ボン
ディング実施状態を示す図、（ｃ）はボンディングツー
ルを（ａ）のＡ−Ａ位置から見た図、である。尚、同図
（ａ） （ｂ）において、ボンディングツールのみ断面
図で示しである。
本発明は、小型化された第■ボンディング用ツール１０
の他に、圧着面積の大きい第２ボンディング用のツール
１１を備えているところに特徴がある。
の他に、圧着面積の大きい第２ボンディング用のツール
１１を備えているところに特徴がある。
すなわち、半導体のチップ１上に設けたボンディングパ
ッドとパッケージのリード部２とを、ボンディングワイ
ヤ４ａで接続するボンディング装置であって、第１ボン
ディングを行う第１のボンディングツール１０に隣接し
て第２ボンディングを行う第２のボンディングツール１
１を設け、かつ、前記第１のボンディングツール１０の
圧着部１３ａの幅旧まりも、第２のボンディングツール
１１の圧着部１２ａの幅Ｗ２を大きくしたボンディング
装置である。
ッドとパッケージのリード部２とを、ボンディングワイ
ヤ４ａで接続するボンディング装置であって、第１ボン
ディングを行う第１のボンディングツール１０に隣接し
て第２ボンディングを行う第２のボンディングツール１
１を設け、かつ、前記第１のボンディングツール１０の
圧着部１３ａの幅旧まりも、第２のボンディングツール
１１の圧着部１２ａの幅Ｗ２を大きくしたボンディング
装置である。
［作用〕
本発明のボンディング装置は、第１ボンディングを第１
のボンディングツール１０で行い、第２ボンディングを
第２のボンディングツール１１で行うことにより、第２
ボンディング時におけるボンディングワイヤ４ａの超音
波熱圧着により圧着面積を大きくしたものである。
のボンディングツール１０で行い、第２ボンディングを
第２のボンディングツール１１で行うことにより、第２
ボンディング時におけるボンディングワイヤ４ａの超音
波熱圧着により圧着面積を大きくしたものである。
すなわち、第２のボンディングツール１■の圧着部１２
ａの幅Ｗ２は、第１のボンディングツール１０の圧着部
１３ａの幅ｈ１よりも広い。したがって、ボンディング
ワイヤ４ａをリード部２に圧着する面積は、第１のボン
ディングツール１０で行うよりも広くなり、このため、
超音波がかかりやすくなってボンディング強度を高くす
ることができる。
ａの幅Ｗ２は、第１のボンディングツール１０の圧着部
１３ａの幅ｈ１よりも広い。したがって、ボンディング
ワイヤ４ａをリード部２に圧着する面積は、第１のボン
ディングツール１０で行うよりも広くなり、このため、
超音波がかかりやすくなってボンディング強度を高くす
ることができる。
第２図は、作用を説明する図で、（ａ）は第２ボンディ
ング実施時の側面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、
（ｃ）は第２ボンディング部の平面図、である。
ング実施時の側面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、
（ｃ）は第２ボンディング部の平面図、である。
同図（ａ）に示すように、チップ１のボンディングパッ
ドに金球を圧着した第１ボンディング部８ａに対し、他
方、第２ボンディングは、第２のボンディングツール１
１がボンディングワイヤ４ａをリード部２に圧着する。
ドに金球を圧着した第１ボンディング部８ａに対し、他
方、第２ボンディングは、第２のボンディングツール１
１がボンディングワイヤ４ａをリード部２に圧着する。
尚この時、第１のボンディングツール１０もボンディン
グワイヤ４ａをリード部２に圧着させている。
グワイヤ４ａをリード部２に圧着させている。
したがって、同図（ｂ）に示すように第２のボンディン
グツール１１が、第１のボンディングツール１０よりも
大きい圧着面積で、ボンディングワイヤ４ａをリード部
２に圧着することができる。
グツール１１が、第１のボンディングツール１０よりも
大きい圧着面積で、ボンディングワイヤ４ａをリード部
２に圧着することができる。
その結果、同図（ｃ）に示すように第２のボンディング
ツールによるボンディング部９ｂの超音波のかかる面積
は、第１のボンディングツールによるボンディング部９
ａの面積よりも大きくなり、これにより、ボンディング
ワイヤーの圧着面積が大きくなって、該ボンディング部
のボンディング強度を高めることができる。
ツールによるボンディング部９ｂの超音波のかかる面積
は、第１のボンディングツールによるボンディング部９
ａの面積よりも大きくなり、これにより、ボンディング
ワイヤーの圧着面積が大きくなって、該ボンディング部
のボンディング強度を高めることができる。
（１）ボンディング装置
第３図は、ボンディング装置を説明する図で、（ａ）は
ボンディング装置の断面図、（ｂ）は（ａ）を圧着部側
から見た図、（ｃ）はボンディング装置の駆動部を示す
図、である。
ボンディング装置の断面図、（ｂ）は（ａ）を圧着部側
から見た図、（ｃ）はボンディング装置の駆動部を示す
図、である。
本実施例のボンディング装置は、同図（ａ） （ｂ）に
示すように、第１のキャピラリ１０ａの側周部に円筒状
の第２のキャピラリｌｌａを設けたものである。
示すように、第１のキャピラリ１０ａの側周部に円筒状
の第２のキャピラリｌｌａを設けたものである。
また、第１のキャピラリ１０ａの圧着部１３の面積より
も第２のキャピラリｌｌａの圧着部１２の面積を大きく
しである。
も第２のキャピラリｌｌａの圧着部１２の面積を大きく
しである。
すなわち、第２のキャピラリｌｌａを円筒状にすること
によって、第１ボンディング部の位置に対していかなる
方向の第２ボンディング部へも対応することが可能とな
る。例えば、Ｄ Ｉ Ｐ （ｄｕａｌ １ｎｌｉｎｅ
ｐａｃｋａｇｅ）やＱ Ｆ Ｐ （ｑｕａｄ ｆｌａｔ
ｐａｃｋａｇｅ）等のパッケージに対応可能である。
によって、第１ボンディング部の位置に対していかなる
方向の第２ボンディング部へも対応することが可能とな
る。例えば、Ｄ Ｉ Ｐ （ｄｕａｌ １ｎｌｉｎｅ
ｐａｃｋａｇｅ）やＱ Ｆ Ｐ （ｑｕａｄ ｆｌａｔ
ｐａｃｋａｇｅ）等のパッケージに対応可能である。
他方、前記第１および第２のキャピラリ１０ａ、ｌｌａ
の駆動は、同図（ｃ）に示すように行う。
の駆動は、同図（ｃ）に示すように行う。
すなわち、第１のキャピラリ１０ａはホーン１４に、第
２のキャピラリｌｌａはホーン１５に取り付け・固定し
、該ホーン１４．１５を図に示されない超音波駆動部に
よって超音波駆動することによって、該キャピラリ１０
ａ、 ｌｌａの圧着部に超音波振動を伝達する。
２のキャピラリｌｌａはホーン１５に取り付け・固定し
、該ホーン１４．１５を図に示されない超音波駆動部に
よって超音波駆動することによって、該キャピラリ１０
ａ、 ｌｌａの圧着部に超音波振動を伝達する。
また、ホーン１４をプランジャ１６で、ホーン■５をプ
ランジャ１７で図上下方方向に駆動することによって、
金線４の圧着を行う仕組みである。
ランジャ１７で図上下方方向に駆動することによって、
金線４の圧着を行う仕組みである。
（２）ボンディングプロセス
第４図は、実施例のボンディングプロセスを説明する側
面図で、（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各
プロセスを順に説明する図、である。尚、同図において
、キャピラリのみ断面図で示しである。
面図で、（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各
プロセスを順に説明する図、である。尚、同図において
、キャピラリのみ断面図で示しである。
同図は、チップ１をダイパッド３にダイボンディングし
たリードフレームにおいて、該チップ１のボンディング
パッドと該リードフレームのり−ド部２との間を、ワイ
ヤボンディングする手順である。また、リードフレーム
およびチップＩは約２００″Ｃ程度に加熱している。
たリードフレームにおいて、該チップ１のボンディング
パッドと該リードフレームのり−ド部２との間を、ワイ
ヤボンディングする手順である。また、リードフレーム
およびチップＩは約２００″Ｃ程度に加熱している。
■金球を作る。（第４図（ａ））
第１のキャピラリ１０ａの先端部に金線４を引き出し、
該金線４の先端部を図に示されないトーチによって溶融
し、金球６を作る。
該金線４の先端部を図に示されないトーチによって溶融
し、金球６を作る。
■第１ボンディング（第４図（ｂ））
第１のキャピラリ１０ａを下降させ、チップ１のボンデ
ィングパッド上に金球６を圧着する。
ィングパッド上に金球６を圧着する。
■ステージの移動（第４図（Ｃ））
第１のキャピラリ１０ａを上昇させ、リードフレームを
載置・固定している図に示されないステージを移動し、
第２ボンディングを行うリード部２の位置と該第１のキ
ャピラリ１０ａの位置を合わせる。
載置・固定している図に示されないステージを移動し、
第２ボンディングを行うリード部２の位置と該第１のキ
ャピラリ１０ａの位置を合わせる。
■第２ボンディング（第４図（ｄ））
第１のキャピラリ１０ａおよび第２のキャピラリ１１ａ
を下降させ、金線４をリード部２に圧着する。
を下降させ、金線４をリード部２に圧着する。
■金線の切断（第４図（ｅ））
第１のキャピラリ１０ａおよび第２のキャピラリ１１ａ
がリード部２に圧着している状態で金線４を引き上げ、
それによって該金線を圧着部で切断し、該キャピラリ１
０ａ、 ｌｌａを上昇させる。
がリード部２に圧着している状態で金線４を引き上げ、
それによって該金線を圧着部で切断し、該キャピラリ１
０ａ、 ｌｌａを上昇させる。
以上のプロセスである。
以上のように本発明のボンディング装置によれば、第１
ボンディング用ツールと圧着面積の大きい第２ポンデイ
ング用のツールとを備えることによって、第２ボンディ
ングの圧着面積を大きくすることができる。
ボンディング用ツールと圧着面積の大きい第２ポンデイ
ング用のツールとを備えることによって、第２ボンディ
ングの圧着面積を大きくすることができる。
したがって、ボンディング温度を低温度化し、また、第
１ポンデイングの圧着面積を小さくし、それにともなっ
て第１ポンデイング用ツールの圧着部面積を小さくして
も、第２ボンディングのボンディング強度を堅固に保つ
ことができる。
１ポンデイングの圧着面積を小さくし、それにともなっ
て第１ポンデイング用ツールの圧着部面積を小さくして
も、第２ボンディングのボンディング強度を堅固に保つ
ことができる。
その結果、小型・多ピンの半導体装置における信頼性を
高めることができる。
高めることができる。
第１図は、本発明の基本原理を説明する図で、（ａ）は
第１ポンデイング実施状態を示す図、（ｂ）は第２ボン
ディング実施状態を示す図、（ｃ）はボンディングツー
ルを（ａ）のｌ−Ａ位置から見た図、第２図は、作用を
説明する図で、（ａ）は第２ボンディング実施時の側面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ、 −Ａ断面図、（ｃ）は第２
ボンディング部の平面図、第３図は、ボンディング装置
を説明する図で、（ａ）はボンディング装置の断面図、
（ｂ）は（ａ）を圧着部側から見た図、（ｃ）はボンデ
ィング装置の駆動部を示す図、 第４図は、実施例のボンディングプロセスを説明する側
面図で、（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各
プロセスを順に説明する図、 第５図は、ワイヤボンディング用ツールを説明する図で
、（ａ）はキャピラリの斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ
）は圧着部側から見たキャピラリの図、第６図は、ボン
ディングプロセスを説明する側７ 面図で、（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各
プロセスを順に説明する図、 第７図は、ボンディング状態を説明する平面図、である
。 図において、１はチップ、２はリード部、３はダイパッ
ド、４は金線、４ａはボンディングワイヤ、５はキャピ
ラリ、６は金球、７はボンディングバンド、８，８ａは
第１ボンディング部、９は第２ボンディング部、９ａは
第１のボンディングツールによるボンディング部、９ｂ
は第２のボンディングツールによるボンディング部、１
０は第１のボンディングツール、１０ａは第１のキャピ
ラリ、１１は第２のボンディングツール、ｌｌａは第２
のキャピラリ、１２は第２のキャピラリの圧着部、１２
ａは第２のボンディングツールの圧着部、１３は第１の
キャピラリの圧着部、１３ａは第１のボンディングツー
ルの圧着部、１４．１５はホーン、１６．１７はプラン
ジャ、をそれぞれ示している。 （ｄ） （ｂ’） （Ｃ） （ｄ”） （ｅ’） 興あ賢イ列○ボ′ンブ身ンブブロセ； ４汚４区 （ ワイマポ′ンデスング円゛ソー）し 念爲５閃 （，１） （Ｃ） （ｂ） （ｄ＞
第１ポンデイング実施状態を示す図、（ｂ）は第２ボン
ディング実施状態を示す図、（ｃ）はボンディングツー
ルを（ａ）のｌ−Ａ位置から見た図、第２図は、作用を
説明する図で、（ａ）は第２ボンディング実施時の側面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ、 −Ａ断面図、（ｃ）は第２
ボンディング部の平面図、第３図は、ボンディング装置
を説明する図で、（ａ）はボンディング装置の断面図、
（ｂ）は（ａ）を圧着部側から見た図、（ｃ）はボンデ
ィング装置の駆動部を示す図、 第４図は、実施例のボンディングプロセスを説明する側
面図で、（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各
プロセスを順に説明する図、 第５図は、ワイヤボンディング用ツールを説明する図で
、（ａ）はキャピラリの斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ
）は圧着部側から見たキャピラリの図、第６図は、ボン
ディングプロセスを説明する側７ 面図で、（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）は各
プロセスを順に説明する図、 第７図は、ボンディング状態を説明する平面図、である
。 図において、１はチップ、２はリード部、３はダイパッ
ド、４は金線、４ａはボンディングワイヤ、５はキャピ
ラリ、６は金球、７はボンディングバンド、８，８ａは
第１ボンディング部、９は第２ボンディング部、９ａは
第１のボンディングツールによるボンディング部、９ｂ
は第２のボンディングツールによるボンディング部、１
０は第１のボンディングツール、１０ａは第１のキャピ
ラリ、１１は第２のボンディングツール、ｌｌａは第２
のキャピラリ、１２は第２のキャピラリの圧着部、１２
ａは第２のボンディングツールの圧着部、１３は第１の
キャピラリの圧着部、１３ａは第１のボンディングツー
ルの圧着部、１４．１５はホーン、１６．１７はプラン
ジャ、をそれぞれ示している。 （ｄ） （ｂ’） （Ｃ） （ｄ”） （ｅ’） 興あ賢イ列○ボ′ンブ身ンブブロセ； ４汚４区 （ ワイマポ′ンデスング円゛ソー）し 念爲５閃 （，１） （Ｃ） （ｂ） （ｄ＞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体のチップ（１）上に設けたボンディングパッ
ドとパッケージのリード部（２）とを、ボンディングワ
イヤ（４ａ）で接続するボンディング装置であって、 第１ボンディングを行う第１のボンディングツール（１
０）に隣接して第２ボンディングを行う第２のボンディ
ングツール（１１）を設け、かつ、前記第１のボンディ
ングツール（１０）の圧着部（１３ａ）の幅（Ｗ１）よ
りも、第２のボンディングツール（１１）の圧着部（１
２ａ）の幅（Ｗ２）を大きくしたこと、を特徴とするボ
ンディング装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のボンディング装置にお
いて、 先ず、第１のボンディングツール（１０）でチップ（１
）上のボンディングパッドにボンディングワイヤ（４ａ
）を圧着し、 次に、すくなくとも第２のボンディングツール（１１）
でリード部（２）にボンディングワイヤ（４ａ）を圧着
すること、 を特徴とするボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267760A JPH03127844A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1267760A JPH03127844A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127844A true JPH03127844A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17449209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1267760A Pending JPH03127844A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03127844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7017794B2 (en) * | 2003-01-14 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Wire bonding method and wire bonding apparatus |
| JP2009141193A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Rohm Co Ltd | ワイヤボンディング方法およびキャピラリ |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1267760A patent/JPH03127844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7017794B2 (en) * | 2003-01-14 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Wire bonding method and wire bonding apparatus |
| JP2009141193A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Rohm Co Ltd | ワイヤボンディング方法およびキャピラリ |
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