JPH03127866A - イメージセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板上に複数の光導電素子を備え、ファクシ
ミリや各種ＯＡ装置の入力部に使用されている密着型イ
メージセンサに係り、特に、良好な明暗電流比が得られ
るイメージセンサの改良に関するものである。

［従来の技術］ この秤のイメージセンサとしては、第１１図〜第１３図
に示すようにガラス等の基板（ａ）上に設（）られた複
数の光導電素子（ｂ）〜（ｂ）群と、各光導電素子（ｂ
）〜（ｂ）に接続された駆動用の薄膜１−ランジスタ（
Ｃ）〜（Ｃ）群とでその１要部が構成され、各光導電素
子（ｂ）〜（ｂ）からの信号に基づいて画像情報を読取
るようにしたものが知られている。

そして、上記イメージセンサ（ｄ）を構成づる光導電素
子（ｂ）は、第１４図へ・第１５図に示すように適宜介
装部０（ｅ）を介しクロム（Ｃ「）等の金属で形成され
た共通電極（ｆ）と、この共通電極（ｆ）上に形成され
アモルファスシリコン等で構成された光導電層（ｇ）〜
（ｇ）群と、各光導電層（ｑ）〜（０）上に形成され酸
化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ−１’ｉｎ　０ｘｉｄｅ
：ＩＴＯ）　青Ｔ’構成された光透過性＠Ｍ（ｈ）〜（
ｈ）群と、これ等光透過例電ｆｆ１（ｈ）〜（ｈＮｌ￥
を被覆して互いに絶縁する光透過性絶縁膜（ｊ）と、こ
の光透過性絶縁膜（ｊ＞に設けられた開口部（ｉ）〜〈
１〉を介し上記光透過性電極（ｈ）〜（ｈ）に接続され
た信号読出し用の配線部（ｋ）〜（ｋ）とでその主要部
が構成されており、上記配線部（ｋ）〜（ｋ）の一端側
が薄膜トランジスタ（Ｃ）〜（Ｃ）のソース・ドレイン
電極（Ｃ１〉〜（Ｃ１）に接続されて各光導電素子（ｂ
）〜（ｂ）からの読出し信号を薄膜トランジスタ（Ｃ）
〜（Ｃ）側へ出力するようになっている。すなわち、上
記共通電極（ｆ）と各光透過性電極（ｈ）〜（ｈ）間に
は一定の電圧が印加されており、図示外の原稿からの反
射光が各光透過性電極（ｈ）〜（ｈ）を介し光導電層（
Ｃ１）〜（ａ）に大剣されると、その入射光の明暗差に
より光導電層（ｑ）〜〈ｇ〉の抵抗値が変動し、入射光
□に対応した値の電流が各薄膜トランジスタ（Ｃ）〜（
Ｃ）側へ出力されて画像情報の読取りがなされるもので
ある。

［発明が解決しようとする課題１ ところで、この種のイメージセンサにおいて上記光透過
性電極（ｈ）に接続される配線部（ｋ）としては、通常
、導電性の優れたアルミニウム（ＡＩ）、金（Ａｕ〉、
ニッケル（Ｎ　ｉ　）等の金属が利用されている。

しかしながら、これ等金属は拡散係数が大きいため、イ
メージセンサ製造時における上記金属の着膜工程や加熱
工程時においてこれ等金属が光透過性電極（ｈ）を介し
光導電層（ｇ）内へ拡散してしまう場合があった。

このため、上記光導電層（Ｑ）の抵抗値が下がって光透
過性電極（ｈ）と光導電層（ｇ）間において充分なショ
ットキー接合が図れなくなる欠点があり、第１６図に示
すように光導電層（ｑ）に光が照射されない時の暗電流
が上昇して良好な明暗電流比が得られない場合があり、
連続階調の原稿を読取る時にその階調に応じた階調差が
だせなくなるといった問題点があった。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、良好な明暗電流比が得られるイメ
ージセンサを提供することにある。

すなわち第一の発明は、光導電層と、この光導電層の一
面に積層された光透過性電極と、この光透過性電極を被
覆する光透過性絶縁膜と、この光透過性絶縁膜に設けら
れた開口部を介し上記光透過性電極に接続された信号読
出し用の配線部とを有する光導電素子を複数備え、各光
導電素子からの信号に基づいて画像情報を読取るイメー
ジセンサを前提とし、 上記光透過性絶縁膜に形成される開口部の開口面積を光
透過性電極面積の略１０％以下に設定したこと特徴とす
るものであり、 また、上記課題を達成する第二の発明は、光導電層と、
この光導電層の一面に積層された光透過性電極と、この
光透過性電極を被覆する光透過性絶縁膜と、この光透過
性絶縁膜に設（プられた開口部を介し上記光透過性電極
に接続された信号読出し用の配線部とを有する光導電素
子を複数備え、各光導電素子からの信号に基づいて画像
を読取るイメージセンサを前提とし、 上記光透過性電極と信号読出し用の配線部との間にこの
配線部を構成する材料の光透過性電極及び光導電層内へ
の拡散を防止する拡散防止層を介装したことを特徴とす
るものである。

一方、この第二の発明に係るイメージセンサの製造に適
する第三の発明は、このイメージセンサを製造するに際
し、拡散防止層形成用の金属と配線部形成用の金属とを
連続的に着膜し、かつ、配線部形成用の金属面上にノオ
トレジストを均一に着膜すると共に、このフォトレジス
１へを選択的に除去して配線部形成用のノオｌ〜レジス
１へパターンを形成した後、このフォトレジストパター
ンを介して配線部形成用の金属と拡散防止層形成用の金
属とを同一若しくは異なるエツチング剤にてエツチング
処理することを特徴とするものであり、また、他の製造
方法に係る第四の発明は、上記イメージセンサを製造す
るに際し、拡散防止層形成用の金属とこの金属用エツチ
ング剤に苅し耐性を有する配線部形成用の金属とを連続
的に着膜し、かつ、配線部形成用の金属面上に）Ａトレ
ジストを均一に着膜すると共に、このフォ１〜レジス１
へを選択的に除去して配線部形成用のフォトレジストパ
ターンを形成した後、このノ第１−レジスｌ−パターン
を介し上記拡散防止層形成用のエツチング剤とは異なる
エツチング剤により配線部形成用の金属をエツチング処
理し、次いで、上記フォトレジストパターンを除去した
後、適宜形状に形成された配線部をマスクとじ拡散防止
層形成用のエツチング剤にて拡散防止層形成用の金属を
エツチング処理することを特徴とするものである。

この様な技術的手段において上記光導電素子の一部を構
成する光導電層に適した材料としては、アモルファスシ
リコン、ｐ−１−ｎ型のアモルファスシリコン、ａ−３
ｉ　Ｑｅ、　ａ−３ｉ　Ｃ，及び、カルコゲナイド系等
のアモルファス半導体材料が利用でき、また、この光導
Ｎ層の一面に積層される光透過性電極に適した材料とし
ては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２
）、酸化インジウム（■ｎ２０３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ
）等の光透過性を有する導電性材料が使用できる。

一方、光導電層を挟んで上記光透過性電極と対向配置さ
れる電極については、通常、共通Ｔ５ａｉにより各光導
電素子群の電極を兼用しているもので、例えば、クロム
（Ｃｒ）、アルミニウム＜ＡＩ＞、モリブデン（ＭＯ＞
、タングステン（Ｗ〉、ニッケル（Ｎｉ〉、金（ＡＩＪ
＞等良導電性の金属拐利が利用でき、また、配線部を構
成する材料としては、アルミニウム（ＡＩＪ）、金（Ａ
Ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ〉、クロム（Ｃｒ）
、タングステン（Ｗ〉、チタン（Ｔ　ｉ　）　、モリブ
デン（ＭＯ）、窒化チタン（Ｔ　ｉ　Ｎ）　、チタンタ
ンクステン（ＴｉＷ）、タンタル（Ｔａ）等良導電性の
金属材料が利用できる。

また、上記光透過性電極を被覆する光透過性絶縁膜に適
した材料としては、この種のイメージセンサに広く利用
されているポリイミド樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮ　　
）、酸化シリコン（Ｓ　ｉ　Ｏ２）× 等が使用できる。

そして、第一の発明においては上記光透過性絶縁膜に形
成する開口部の開口面積を光透過性電極面積の略１０％
以下に設定し、配線部と光透過性電極との接触面積を小
さくして配線部を構成する材料の光透過付電極及び光導
電層内への拡散を防止０ するものであり、一方、第二の発明においては光透過性
電極と配線部間に拡散防止層を介装して配線部を構成す
る林料の光透過性電極及び光導電層内への拡散を防止す
るものである。

尚、この拡散防止層に適する材料としては拡散係数の小
さい導電性林料が挙げられ、 例えば、クロム（Ｃｒ）、窒化チタン（ＴｉＮ）チタン
タングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン
（ＭＯ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ）、タン
グステン（Ｗ）、及び、タンタル（丁ａ）等が使用でき
る。

また、上記拡散防止層を備えるイメージセンサの製造方
法に係る第三の発明においては、配線部形成用の金属面
上に形成されたレジストパターンを介し配線部形成用の
金属とこの下側に着膜された拡散防止層形成用の金属と
を周−若しくは異なるエツチング剤にてエツチング処理
するもので、この方法に適する材料としては、例えば、
配線部形成用の金属としてアルミニウム（Ａ　ｊ　”）
　、拡散防止層形成用の金属としてモリブデンシリサイ
ド１ （ＭｏＳｉｘ）、同一のエツチング剤としてリン酸系の
混合溶剤が使用でき、また、他の例としては配線部形成
用の金属としてアルミニウム（Ａｊ））拡散防止層形成
用の金属としてクロム（Ｃ「）、異なるエツチング剤と
してアルミニウム用のリン酸・酢酸・硝酸・水の混合溶
剤、クロム用の硝酸第二セリウムアンモニウム・過塩素
酸・水の混合溶剤等が使用できる。

更に、拡散防止層を備えるイメージセンサの製造方法に
係る第四の発明においては、エツチング処理により適宜
形状に形成された配線部をマスクとして使用し、この配
線部が侵されない拡散防止層形成用のエツチング剤にて
拡散防止層形成用の金属を順次エツチング処理するもの
で、この方法に適する材料としては、例えば、配線部形
成用の金属としてアルミニウム（ＡＩ）、拡散防止層形
成用の金属としてクロム（Ｏｒ）、アルミニウム用エツ
チング剤としてリン酸・酢酸・硝酸・水の混合溶剤、ク
ロム用エツチング剤として硝酸第二セリウムアンモニウ
ム・過塩素酸・水の混合溶剤２ 等が使用できる。

［作用］ 上述したような第一の発明によれば、光透過性絶縁膜に
形成される開口部の開口面積を光透過性電極面積の略１
０％以下に設定して配線部と光透過性電極どの接触面積
が小さくなっているため、配線部を構成する材料の光透
過性電極及び光導電層内への拡散を防止することが可能
となり、また、第二の発明によれば、光透過性電極と配
線部との間に拡散防止層を介装しているため、第一の発
明と同様に配線部を構成する材料の光透過性電極及び光
導電層内への拡散を防止することが可能となる。

一方、拡散防止層を備えるイメージセンサの製造方法に
係る第三の発明によれば、配線部形成用の金属面上に形
成されたレジストパターンを介し同一若しくは異なるエ
ツチング剤にて配線部形成用の金属とこの下側に着膜さ
れた拡散防止層形成用の金属とをエツチング処理するた
め、拡散防止層形成用のレジストパターンの形成が省略
されて３ 製造工程数の低減が図れ、また、拡散防止層を描えるイ
メージセンサの製造方法に係る第四の発明においても、
エツチング処理により適宜形状に形成された配線部をマ
スクとして使用し、この配線部が侵されない拡散防止層
形成用のエツチング剤にて拡散防止層形成用の金属を順
次エツチング処理するため、拡散防止層形成用のレジス
トパターンの形成が省略されて工程数の低減が図れる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

◎第一実施例 この実施例に係るイメージセンサは、第１図に示すよう
にガラス製基板（１）と、この基板（１〉上に設けられ
た複数の光導電素子〈２〉〜〈２〉群と、各光導電素子
（２）〜（２）に接！された駆動用の薄膜トランジスタ
（３〉〜（３）群とでその主要部が構成されているもの
である。

そして、上記光導電素子（２）は、第２図〜第３図に示
すように適宜介装部材（２ａ）を介し形成４ されたクロム（Ｃ「）製の共通電極（２ｂ）と、この共
通電極（２ｂ）上に形成された水素化アモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ：目）製の光導電層（２ｃ）〜（２Ｃ）
群と、各光導電層（２ｃ）〜（２ｃ）上に形成された酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）製の光透過性電極（２ｄ）〜
（２ｄ）群と、これ等光透過性電極（２ｄ）〜（２ｄ）
群を被覆するポリイミド樹脂製の光透過性絶縁膜（２ｅ
）と、この光透過性絶縁膜（２ｅ）に設けられその開口
面積が上記光透過性電極（２ｄ）面積の１０％に設定さ
れた開口部（２ｆ）〜（２ｆ）　ト、コ（７）　間Ｃ１
部（２ｆ）　〜（２ｆ）　ヲ介し上記光透過性電極（２
ｄ）〜（２ｄ）に接続された信号読出し用のアルミニウ
ム（Ａ１）製配線部（２０〜（２０とでその主要部が構
成されており、この配線部（２ｇ〉〜（２０の一端側が
上記薄膜トランジスタ（３）〜（３）のソース・ドレイ
ン電極（３０）〜（３０）に接続されているものである
。

また、上記ガラス製基板（１）の表面側には、イメージ
センサ製造時において基板〈１〉に加わる温度以上の温
度に加熱した状態で形成した窒化５ シリコン（Ｓ　’　Ｎ　ｘ　）製の伸縮防止ＭＵ（１０
）が予め設けられており、この伸縮防止膜（１０）によ
り製造中における基板〈１）の伸縮が防止されるように
なっている。

更に、この伸縮防止膜（１０）と上記共通電極（２ｂ〉
間に設けられる介装部材（２ａ）は、光導電素子（２）
に接続される薄膜トランジスタ（３〉の製造工程中にお
いて形成されたゲート絶縁膜用のアモルファス窒化シリ
コン（Ｓ１３Ｎ４〉製綿縁皮膜（３１）と、アモルファ
ス半導体層用のアモルファスシリコン（ａ−３ｉ　）製
半導体皮膜（３２）及び、オーミックコンタクト層用の
ｎ＋アモルファスシリコン製半導体皮１（３３）とで５
Ｉｌｉされているものである。

このように構成されたイメージセンサにおいては、従来
のイメージセンサと同様、共通電極（２ｂ〉〜（２ｂ）
と各光透過性電極（２ｄ）〜（２ｄ）間に電圧が印加さ
れており、原稿からの反射光が各光透過性電極〈２ｄ）
へ−（２ｄ）を介し光導電層（２ｃ）〜（２Ｃ）に入射
されると、その入射光の明暗差に対　６ 応した値の電流が薄膜トランジスタ（３）〜〈３〉側へ
出力されて画像情報の読取りがなされるものである。

この場合、このイメージセンサにおいては上記光透過性
絶縁膜〈２ｅ〉に形成される開口部（２ｒ）の開口面積
が、光透過性電極（２ｄ）面積の１０％に設定されて配
線部（２ｇ）と光透過性電極（２ｄ）の接触面積が小さ
くなっているため、イメージセンり製造中における配線
部（２ｇ）用アルミニウム（ＡＩ）の光透過性電極（２
ｄ）及び光導電層（２ｃ）内への拡散を極力防止するこ
とができる。

従って、上記光導電層（２Ｃ）の抵抗値が下がらなくな
り光透過性電極（２ｄ）と光導電層（２Ｃ）間において
充分なショットキー接合が図れるため、良好な明暗電流
比が得られて読取り精度が向上する利点を有している。

尚、第４図はこの実施例に係るイメージセンサのＩＶ特
性を示しており、このグラフ図から明電流は照度１００
ルツクスにおける値で飽和レベルにあることが、一方、
暗電流は光透過性電極（２ｄ）７ と光導電層（２Ｃ〉の良好なショットキー障壁により低
く抑えられていることが確認できる。

また、第５図は、光透過性電極（２ｄ）と配線部（２０
の接触面積と、印加電圧５ｖにお（プる暗電流値との関
係を示したもので、このグラフ図から上記接触面積を極
力小さくすることにより暗電流値が小さくなることが確
認できる。

◎第二実施例 この実施例に係るイメージセンサは、第６図へ・第７図
に示すように光透過性絶縁膜（２ｅ〉に形成される開口
部（２ｆ〉の開口面積が従来と同様になっており、かつ
、配線部（２０の下面側に拡散係数の小さいクロム（Ｃ
「〉製の拡散防止層〈４）が設けられ、配線部（２０と
光透過性電極〈２ｄ〉とが直接接触しない構造になって
いる点を除いて第一実施例に係るイメージセンサと略同
−である。

尚、他の実施例として、モリブデンシリ勺イト（ＭＯＳ
　ｉｘ）製の拡散防止層を介装してもよい。

また、第７図では第一実施例においてガラス製８ 基板〈１〉上に形成されている伸縮防止膜（１０〉、並
びに絶縁皮膜（３１）の記載が省略されている。

そして、このイメージセンサにおいても、」−配光透過
性電極（２ｄ）と配線部（２Ｑ〉との間に拡散防止層（
４）が介装されているため、イメージセンサ製造中にお
４フる配線部（２０用アルミニウム（Ａｉｌ）の光透過
性電極（２ｄ〉及び光導電層（２Ｃ〉内への拡散を防止
することができる。

従って、第一実施例に係るイメージセンサと同様に上記
光導電層（２Ｃ）の抵抗値が下がらなくなり、光透過性
電極（２ｄ）と光導電層（２Ｃ）間において充分なシ」
ツ［・キー接合が図れるため、良好な明暗電流比が得ら
れて読取り精度が向上する利点を有している。

尚、第８図は第４図と同様にこの実施例に係るイメージ
センサの■Ｖ特性を示しており、このグラフ図から明電
流は照度１００ルツクスにおける伯で飽相レベルにある
ことが、一方、Ｉ＠雷電流光透過性電極（２ｄ）と光１
ｊ電層（２Ｃ）の良好なショットキー障壁により低く抑
えられていることが確認９ できる。

「イメージセンサの製造」 ○第−製造例 この製造例においては、配線部〈２０形成用の金属とし
てアルミニウムが、また、拡散防１１層（４〉形成用の
金属としてクロムが使用されているものである。

まず、第９図（ａ）に示すように予め図示外の伸縮防止
膜の形成されたガラス基板（１）上に、アモルファス窒
化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４〉製綿縁皮膜（図示せず〉と、
アモルファスシリコン（ａＳｉ）製半導体皮膜（３２）
、及び、ｎ＋アモルファスシリコン製半導体皮膜（３３
）とを順次形成した後、この面上に、共通電極形成用の
クロム（Ｃ「）製金属膜（ｂ“）をＤＣマグネトロンス
パッタリング法により約１５００Ｊングストローム着膜
し、この面上に光導電層形成用の水素化アモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ：ｌ−１）ｔｊ光導電膜（Ｃｏ）をｐ
−ＣＶＤ　（化学的気相成長法）により約１．３０ μＴｒＬ着膜すると共に、この面上に光透過性電極形成
用の酸化インジウム錫（ｒＴｏ）製透明金属膜（ｄ゛〉
をＤＣマグネトロンスパッタリング法により約５００オ
ングストローム着膜する。

次いで、上記透明金属膜（ｄ’）　、光導電＃’！（Ｃ
’）及び、クロム製金属膜（ｂｏ）とをフォトリソエツ
チングにより個別化し、かつ、この面上に光透過性絶縁
膜形成用のポリイミド樹脂を塗布してベークした後、フ
ォトリソエツチングにより開口部（２丁）を開設して第
９図（ｂ）に示すように光透過性絶縁膜（２Ｃ）を形成
する。

更に、第９図（Ｃ）に示すように上記面上に、拡散防止
層形成用のクロム製金属膜（４゛）をＤＣマグネトロン
スパッタリング法により約５００オングストローム着膜
し、かつ、第９図（ｄ）に示すようにこの面上に配線部
形成用のアルミニウム製金属膜（り゛〉を形成した後、
この面上に第９図（ｅ）に示す−ように配線部形成用の
フォトレジストパターン（５〉を形成する。

そして、リン酸・酢酸・硝酸・水の混合溶剤に１ て構成されたエツチング剤により上記配線部形成用のア
ルミニウム製金属膜（ｇｏ）をエツチング処理して配線
部（２０を形威し、かつ、上記フォトレジストパターン
（５）を残した状態でもって硝Ｍ第二セリウムアンモニ
ウム・過塩素酸・水の混合溶剤にて構成されたエツチン
グ剤により上記拡散防止層形成用のクロム製金属膜（４
°）をエツチング処理し、第９図（ｆ）に示すように配
線部（２０と同一形状の拡散防止層（４）を形成する。

この場合、拡散防止層形成用のクロム製金属膜（４“）
のエツチング処理前に、上記フォトレジストパターン（
５）のダメージを防止づ−るため脱水ベーク処理を施し
てもよい。

この後に、上記フォト−ジス１−パターン（５）を剥離
し、かつ、この面上に図示外のパシベーション膜を形成
してイメージセンサを得るものである。

尚、このイメージセンサをｌｌｌ１ｌ造するに際しては
、当然のことながら駆動用の薄膜トランジスタの製造工
程についても同時に進行させているものであ２ る。

そして、この製造例においては、配線部形成用のアルミ
ニウム製金属ＩＩＡ（ｃ＋’）面上に形成されたレジス
トパターン（５）を介し、異なるエツチング剤にて配線
部形成用のアルミニウム製金属膜（ｇｏ〉とこの下側に
着膜された拡散防止層形成用のクロム製金属ｎ＜４°〉
とを順次エツチング処理しているため、拡散防止層形成
用のレジストパターンの形成が省略できて製造工程数の
低減が図れ、良好な明暗電流比が得られるイメージセン
サを簡便に製造できる利点を有している。

○第二製造例 この製造例においては、配線部（２０形威用の金属とし
てアルミニウムが、また、拡散防止層（４）形成用の金
属としてモリブデンシリサイド（Ｍ　ｏ　Ｓ　ｉ　ｘ　
）が使用されているものである。

そして、配線部形成用のアルミニウム製金属膜（ｇｏ）
と拡散防止層形成用のモリブデンシリサイド製金属膜（
４°〉のエツチング剤として、同一の３ リン酸系エツチング剤、すなわち、リン酸・酢酸・硝酸
水の混合溶剤にて構成されたエツチング剤を使用して一
度にエツチング処理を施している点を除き第−製造例と
路間−である。

そして、この製造例においては、配線部形成用のアルミ
ニウム製金属膜（ｇｏ）面上に形成されたレジストパタ
ーン（５〉を介し同一のエツチング剤にて配線部形成用
のアルミニウム製金属膜（ｇｏ）とこの下側に着膜され
た拡散防止層形成用のモリブデンシリサイド製金属膜（
４′）とを−度にエツチング処理しているため、拡散防
止層形成用のレジストパターンの形成工程と拡散防止層
形成用のモリブデンシリサイド製金属膜（４°）のエツ
チング処理工程とが省略できて製造工程数の低減が更に
図れ、良好な明暗電流比が得られるイメージセンサをよ
り簡便に製造できる利点を有している。

○第三製造例 この製造例においては、第−製造例と同様に配線部（２
０形成用の金属としてアルミニウムが、４ また、拡散防止層（４）形成用の金属としてクロムが使
用されているものである。

そして、エツチング処理により適宜形状に形成された配
線部（２０をマスクとして拡散防止層形成用のクロム製
金属膜（４°）を順次エツチング処理を施している点を
除き第−製造例と路間−である。

すなわち、第１０図（ａ）〜（ｅ）に示すように拡散防
止層形成用のクロム製金属ＢｔＡ（４°〉と配線部形成
用のアルミニウム製金属膜（ｇｏ）を形成した面上に配
線部形成用のノオ［・レジス１−パターン（５）を形成
した後、リン酸・酢酸・硝酸・水の混合溶剤にて構成さ
れたエツチング剤にて配線部形成用のアルミニウム製金
属膜（ｇｏ）をエツチング処理し、次いで、第１０図（
ｆ）に示ずように上記フォトレジストパターン（５）を
除去し、かつ、露出した配線部（２０をマスクとして硝
酸第二セリウムアンモニウム・過塩素酸・水の混合溶剤
にて構成されたエツチング剤にて拡散防止層形成用のク
ロム製金属膜〈４゛）を順次エツチング処理し、５ 第１０図（０）に示すようにイメージセンサを得るもの
である。

そして、この製造例においても拡散防止層形成用のレジ
ストパターンの形成が省略できるため製造工程数の低減
が図れ、良好な明暗電流比が杓られるイメージセンサを
簡便に製造できる利点を右している。

［発明の効果］ 上述したように第一、並びに第二の発明によれば、共に
配線部を構成する材料の光透過性電極及び光導電層内へ
の拡散を防止して昭電流の上昇を抑制できるため、良好
な明暗電流比が得られて読取り精度の向上が図れる効果
を有しており、一方、拡散防止層を備えるイメージセン
サの製造方法に係る第三、並びに第四の発明によれば、
共に拡散防止層形成用のレジストパターンの形成が省略
されて製造工程数の低減が図れるため、良好な明暗電流
比が得られるイメージセンサを簡便に製造できる効果を
有している。

【図面の簡単な説明】

　６ 第１図〜第１０図は本発明の実施例を示しており、第１
図は第一実施例に係るイメージセンサの部分斜視図、第
２図はその部分平面図、第３図は第２図の■−■而断面
断面図４図は第一実施例に係るイメージセンサのＩＶ特
性を示づグラフ図、第５図は光透過性電極と配線電極用
金属の接触面積と暗電流値との関係を示すグラフ図、第
６図は第二実施例に係るイメージセンサの部分平面図、
第７図は第６図の■−■面断面図、第８図は第二実施例
に係るイメージセンサのＩｖ特性を示すグラフ図、第９
図（ａ）〜（ｆ）は第二実施例に係るイメージセンサの
第−製造例における工程説明図、第１０図（ａ）〜（ｑ
）は第二実施例に係るイメージセンサの第三製造例にお
ける工程説明図を夫々示し、また第１１図・〜・第１６
図は従来におけるイメジセンサを示しており、第１１図
はその部分斜視図、第１２図は第１１図のｘ■−ｘ■面
断面図、第１３図はその平面図、第１４図はその部分平
面図、第１５図は第１４図のｘｖ−ｘｖ面断面図、第１
６図はこのイメジセンザのＩＶ特性を示すグラフ図であ
る。 ７ ［符号説明］ （１）・・・基板 （２）・・・光導電素子 （３〉・・・薄膜ｉ〜ランジスタ （４）・・・拡散防止層 （５〉・・・）第１−レジス１−パターン（２ｂ）・・
・共通電極 ２Ｃ）・・・光導電層 ２ｄ）・・・光透過性電極 ２ｅ〉・・・光透過性絶縁膜 ２Ｆ〉・・・開口部 ２０・・・配線部 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　〈外２名
）８ 第 ２ 図 第４ 図 ２３４５６７Ｂ 印加電圧（ｖｏｌｔｓ） ０ 第 図 □１石 ２ｇ：配線部 ４２５− 第 図 ０００ ０００ ０００ コンタクト面積（μｍ　２） 第 ８ 図 ０ 印加電圧（ｖｏｌｔｓ） 第 図 ４２７−

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電層と、この光導電層の一面に積層された光
   透過性電極と、この光透過性電極を被覆する光透過性絶
   縁膜と、この光透過性絶縁膜に設けられた開口部を介し
   上記光透過性電極に接続された信号読出し用の配線部と
   を有する光導電素子を複数備え、各光導電素子からの信
   号に基づいて画像情報を読取るイメージセンサにおいて
   、 上記光透過性絶縁膜に形成される開口部の開口面積を光
   透過性電極面積の略１０％以下に設定したこと特徴とす
   るイメージセンサ。
2. （２）光導電層と、この光導電層の一面に積層された光
   透過性電極と、この光透過性電極を被覆する光透過性絶
   縁膜と、この光透過性絶縁膜に設けられた開口部を介し
   上記光透過性電極に接続された信号読出し用の配線部と
   を有する光導電素子を複数備え、各光導電素子からの信
   号に基づいて画像を読取るイメージセンサにおいて、 上記光透過性電極と信号読出し用の配線部との間にこの
   配線部を構成する材料の光透過性電極及び光導電層内へ
   の拡散を防止する拡散防止層を介装したことを特徴とす
   るイメージセンサ。
3. （３）特許請求の範囲第２項記載のイメージセンサを製
   造するに際し、拡散防止層形成用の金属と配線部形成用
   の金属とを連続的に着膜し、かつ、配線部形成用の金属
   面上にフォトレジストを均一に着膜すると共に、このフ
   ォトレジストを選択的に除去して配線部形成用のフォト
   レジストパターンを形成した後、このフォトレジストパ
   ターンを介して配線部形成用の金属と拡散防止層形成用
   の金属とを同一若しくは異なるエッチング剤にてエッチ
   ング処理することを特徴とするイメージセンサの製造方
   法。
4. （４）特許請求の範囲第２項記載のイメージセンサを製
   造するに際し、拡散防止層形成用の金属とこの金属用エ
   ッチング剤に対し耐性を有する配線部形成用の金属とを
   連続的に着膜し、かつ、配線部形成用の金属面上にフォ
   トレジストを均一に着膜すると共に、このフォトレジス
   トを選択的に除去して配線部形成用のフォトレジストパ
   ターンを形成した後、このフォトレジストパターンを介
   し上記拡散防止層形成用のエッチング剤とは異なるエッ
   チング剤により配線部形成用の金属をエッチング処理し
   、次いで、上記フォトレジストパターンを除去した後、
   適宜形状に形成された配線部をマスクとし拡散防止層形
   成用のエッチング剤にて拡散防止層形成用の金属をエッ
   チング処理することを特徴とするイメージセンサの製造
   方法。