JPH0312918A - スプレー現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はフォトマスク等の基板のスプレー現像装置に関
し。

現像寸法の均一化とレジスト残渣の除去を目的とし スプレーノズルの先端に設けたスリットの該スプレーノ
ズルの軸の回りの回転角度を調節し、該基板の周辺部か
ら該スリットの先端までの距離を該基板の中心部から該
スリットの先端までの距離より短くして、該スプレーノ
ズルより該基板上に現像液を噴射することにより構成す
る。

〔産業上の利用分野〕

本発明はフォトマスク等の基板のスプレー現像装置に関
する。

集積回路の高集積化・微細化にともない、フォトマスク
等の基板に要求されるパターンの寸法や分布の精度も益
々きびしくなってきている。

このため、フォトマスク等の基板の現像工程では、浸漬
処理に替わり、スプレー現像が多く行われてきている。

［従来の技術］ 第３図は従来例の説明図である。

図において、１３はスプレーノズル、１４は基板。

１５は真空チャック、１６はカップ、１７は跳ね返り防
止板、１８は噴射面である。

スプレー現像の利点としては、処理の自動化が容易であ
ること、現像パターンの寸法分布の均一性が高いこと、
スプレーノズルから噴射される現像液が常に新鮮である
こと、現像液の使用量が大幅に削減できること等が挙げ
られる。

しかし、更に厳しい精度が要求されている現状では、フ
ォトマスク等の基板面内の寸法のばらつきには対処しき
れない状態にある。

その要因としては２次のようなことが影響している。

第３図（ａ）に均等扇形のスプレーノズル１３を有する
現像装置の断面図を示す。この装置において、現像時、
フォトマスク等の基板１４が真空チャック１５で固定さ
れ１回転している。この基板１４の噴射面１８に現像液
が扇形状に噴射される。

そのため、第３図（ｂ）に基板１４上の噴射面１８を斜
視図で示したように、基板１４の回転が中心部は遅く９
周辺部が早い。均等扇形のスプレーノズル１３では中心
０から周辺ｒの直線上の噴射面に均等に現像液が噴射さ
れるため、スプレーノズル１３から噴射される現像液の
量が、基板１４の周辺部と中心部では異なり、中心部に
多く１周辺部程少なくなる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従って、フォトマスク等の基板の周辺部の現像スピード
が中心部に比して遅くなって、現像後のパターンは周辺
部と中心部とで寸法に差異が生じると同時に又周辺部に
はレジストの残渣が残るという問題を生ずる。

本発明は、フォトマスク等の基板のスプレー現像におい
て、現像寸法の均一化と残渣の除去を目的として提供さ
れるものである。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理説明図である。

図において、１はスプレーノズル、２はスリット、３は
基板、４ば噴射面である。

第１図（ｂ）に示すように、均等扇形のスプレーノズル
１には、先端にスリット２が設けられ。

これより現像液が扇形に噴射される。このスリット２が
基板３の面に平行な現状の位置では、中心部Ｏからスプ
レーノズル先端迄の距離ρ。と２周辺部ｒからスプレー
ノズル先端迄の距離！２が等距離のため、現像液が噴射
面各部の全体流量が均等な噴射量で噴射されるため２周
辺長の長い周辺部は中心部に比べて相対的に単位面積当
たりの現像液の流量が少なくなり１周辺部の現像速度が
遅くなる現象を生じている他、流量不足によるレジスト
残渣の発生が問題であった。

そのため、これを解決する方法として２本発明では、第
１図（ａ）に示すように、スプレーノズル１の基板３の
面に対する入射角度ｅ＋を大きくすると共に、スリット
２のスプレーノズルの軸の回りの回転角度θ２を調節し
て、スリットの長片を基板３の面に垂直とし、基板周辺
部からの距離１１を中心部からの距離１０より短くする
。

このようにすれば、中心部より周辺部への噴射量が多く
なり、現像速度が均等且つレジストの残渣の発生しない
現像方法が行える。

又、スリットの幅を均一でなく５片方を広くした楔状に
すれば１周辺部の流量を多く、レジスト残渣を速やかに
洗い流すことも可能となる。

〔作用〕

上記のように２回転によって現像スピードの遅い周辺部
に多く現像液が当たるようにスプレーノズルのスリット
の基板面に対する位置（角度）を動かして９周辺部に近
（なるにつれて流量を多くし、現像スピードを中心部と
差がないようにし。

且つ周辺部のレジスト残渣も流して除去することにより
１寸法の不均一、残渣の処理が改善できる。

〔実施例〕

第２図は本発明の一実施例の説明図である。

図において、５はスプレーノズル、６は基板。

７は真空チャック、８はカップ、９は跳ね返り防止板、
　１０は蓋、１１はスリットである。

第２図（ａ）は本発明のスプレー現像装置の断面図であ
る。

使用した装置では、スプレーノズル５が入射角度を大き
くとって側方にあり、流量の調節をスプレーノズル５の
スリッ目１の長片を基板６の面に垂直になるようにスプ
レーノズルの軸の回りの回転角度を調節して行った。

基板に対する噴射面１２の拡大図を第２図（ｂ）に示す
。

又、スプレーノズル５のスリッ目１の拡大図とその回転
角度を第２図（ｃ）に示す。

スリット１１は垂直から水平まで、スプレーノズル５の
先端を回転することにより回転角度θ２を調節出来る。

実施例では、＊送されたフォトマスク等の基板６が真空
チャック７に固定され２００〜３００ｒｐｍで回転する
。

その後、窒素加圧（１〜２ｋｇ／ｃｍ２）によって、現
像液がスプレーノズル５のスリン（・１１から噴射され
基板６表面の噴射面１２に当たる。

スプレーノズル５の先端より基板６の中心部０ならびに
周辺部ｒへの距離は、スプレーノズル５の入射角度Ｏ１
を大きく採ることにより各部分の噴射量は均一に調整で
きる。

第２図（ｄ）にスリットの模型の形状を示す。

これにより、スプレーノズルの入射角度との兼ね合いで
、噴射面各部の噴射量が自由に調節出来る範囲が拡がる
。

（発明の効果〕 上記の方法により、現像後に基板周辺部に残るレジスト
残渣を除去出来るとともに、フォトマスク等の基板面内
の寸法分布が均一化され、基板面内の寸法値のバラツキ
（最大値−最小値）も０．１μｍから０．０５μｍ程度
に半減した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図。 第２図は本発明の一実施例の説明図。 第３図は従来例の説明図 である。 図において ｌはスプレーノズル　２はスリット ３は基板、　　　　　　４は噴射面 ５はスプレーノズル、６は基板 ７は真空チャック、　　８はカップ ９は跳ね返り防止板、　１０は蓋 １１はスリット、１２は噴射面 伺唸候輻

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 スプレーノズル（１）の先端に設けたスリット（２）の
   該スプレーノズル（１）の軸の回りの回転角度を調節し
   、 該基板（３）の周辺部から該スリット（２）の先端まで
   の距離を、該基板（３）の中心部から該スリット（２）
   の先端までの距離より短くして、 該スプレーノズル（１）より該基板（３）上に現像液を
   噴射することを特徴とするスプレー現像方法。