JPH08264923A - 基板端面洗浄方法およびその装置 - Google Patents
基板端面洗浄方法およびその装置Info
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- JPH08264923A JPH08264923A JP6842995A JP6842995A JPH08264923A JP H08264923 A JPH08264923 A JP H08264923A JP 6842995 A JP6842995 A JP 6842995A JP 6842995 A JP6842995 A JP 6842995A JP H08264923 A JPH08264923 A JP H08264923A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストを塗布した基板の端面を有機溶剤に
より洗浄する際に、レジストの盛上がりが生じない基板
端面洗浄装置を提供する。 【構成】 端面洗浄ノズル15の凹部15a およびレジスト
乾燥ノズル16の凹部16aを基板11の端面周辺部に係合さ
せる。移動方向の前方に位置するレジスト乾燥ノズル16
は、凹部16a 内に設けたガス体吐出部から、基板11の端
面周辺部に向かって加熱されたＮ2 のガス体を吐出しな
がら移動する。レジストは局所的に溶剤成分を除去し硬
化する。基板11の端面周辺部に発生した溶剤成分を、凹
部16a 内に付設したバキューム除去部により吸引除去す
る。レジスト乾燥ノズル16の走査に伴い、端面洗浄ノズ
ル15も同方向へ移動し、硬化したレジストに対し、凹部
15a内から有機溶剤を吐出しながら移動し、基板11の端
面周辺部を洗浄する。溶解した余剰なレジストや洗浄液
を、凹部15a 内のバキューム除去部により吸引除去す
る。
より洗浄する際に、レジストの盛上がりが生じない基板
端面洗浄装置を提供する。 【構成】 端面洗浄ノズル15の凹部15a およびレジスト
乾燥ノズル16の凹部16aを基板11の端面周辺部に係合さ
せる。移動方向の前方に位置するレジスト乾燥ノズル16
は、凹部16a 内に設けたガス体吐出部から、基板11の端
面周辺部に向かって加熱されたＮ2 のガス体を吐出しな
がら移動する。レジストは局所的に溶剤成分を除去し硬
化する。基板11の端面周辺部に発生した溶剤成分を、凹
部16a 内に付設したバキューム除去部により吸引除去す
る。レジスト乾燥ノズル16の走査に伴い、端面洗浄ノズ
ル15も同方向へ移動し、硬化したレジストに対し、凹部
15a内から有機溶剤を吐出しながら移動し、基板11の端
面周辺部を洗浄する。溶解した余剰なレジストや洗浄液
を、凹部15a 内のバキューム除去部により吸引除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト塗布後の基板
の端面洗浄に用いる基板端面洗浄方法およびその装置に
関する。
の端面洗浄に用いる基板端面洗浄方法およびその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、各種の基板の製造工程として、
基板の表面にパターンを形成するため、その表面にレジ
ストを塗布する工程があるが、レジストを塗布した場
合、その基板の端面周辺部を有機溶剤によって洗浄し、
この端面や周辺部に付着したレジストを除去する必要が
ある。
基板の表面にパターンを形成するため、その表面にレジ
ストを塗布する工程があるが、レジストを塗布した場
合、その基板の端面周辺部を有機溶剤によって洗浄し、
この端面や周辺部に付着したレジストを除去する必要が
ある。
【０００３】従来、この種の基板の端面の基板端面洗浄
装置としては、図４に示す構成が知られている。この図
４において、11はレジスト塗布の行なわれた洗浄対象の
基板で、この基板11は図示しない搬送装置により基板洗
浄ステージ12上に載置され、真空吸着によりこの基板洗
浄ステージ12上に固定される。また、この基板洗浄ステ
ージ12は、基板11の面積より小さい支持面を有し、真空
吸着した基板11の周辺部下面が露出するように形成して
ある。また、この基板洗浄ステージ12は回転軸13に固定
されており、この回転軸13の回転により、上面に固定さ
れた基板11を、その平面方向に沿って任意の角度回動さ
せることができる。
装置としては、図４に示す構成が知られている。この図
４において、11はレジスト塗布の行なわれた洗浄対象の
基板で、この基板11は図示しない搬送装置により基板洗
浄ステージ12上に載置され、真空吸着によりこの基板洗
浄ステージ12上に固定される。また、この基板洗浄ステ
ージ12は、基板11の面積より小さい支持面を有し、真空
吸着した基板11の周辺部下面が露出するように形成して
ある。また、この基板洗浄ステージ12は回転軸13に固定
されており、この回転軸13の回転により、上面に固定さ
れた基板11を、その平面方向に沿って任意の角度回動さ
せることができる。
【０００４】さらに、15は端面洗浄ノズルで、この端面
洗浄ノズル15は断面Ｕ形の凹部15aを有し、この凹部15a
が基板洗浄ステージ12上に固定された基板11の端面周
辺部の互いに対向する２辺とそれぞれ係合するように配
置される。また、これら端面洗浄ノズル15は、矢印で示
すように、それぞれ対応する辺部に沿って移動できるよ
うに構成されている。
洗浄ノズル15は断面Ｕ形の凹部15aを有し、この凹部15a
が基板洗浄ステージ12上に固定された基板11の端面周
辺部の互いに対向する２辺とそれぞれ係合するように配
置される。また、これら端面洗浄ノズル15は、矢印で示
すように、それぞれ対応する辺部に沿って移動できるよ
うに構成されている。
【０００５】これら端面洗浄ノズル15は、凹部15a 内に
基板11の端面周辺部に向かって有機溶剤、たとえばＭＩ
ＢＫ溶剤やＥＣＡ溶剤などを吐出するための図示しない
溶剤吐出部を設けている。また、この凹部15a 内には、
余剰な洗浄液や溶解したレジストなどを吸引除去するた
め図示しないバキューム除去部が付設されている。
基板11の端面周辺部に向かって有機溶剤、たとえばＭＩ
ＢＫ溶剤やＥＣＡ溶剤などを吐出するための図示しない
溶剤吐出部を設けている。また、この凹部15a 内には、
余剰な洗浄液や溶解したレジストなどを吸引除去するた
め図示しないバキューム除去部が付設されている。
【０００６】そして、レジストが塗布された基板11を洗
浄する場合は、まず、洗浄対象の基板11を図示しない搬
送装置により基板洗浄ステージ12上に載置し、この基板
11を真空吸着により固定する。また、端面洗浄ノズル15
の凹部15a を基板11の端面周辺部に係合させる。この状
態で、凹部15a 内に設けた溶剤吐出部から有機溶剤を対
応する端面周辺部に吐出させながら、この端面洗浄ノズ
ル15を矢印で示すように対応する辺部に沿って移動させ
ることにより、基板11の端面周辺部を洗浄する。この洗
浄時に、溶解した余剰なレジストや洗浄液などは、凹部
15a 内に付設されたバキューム除去部により吸引除去す
る。
浄する場合は、まず、洗浄対象の基板11を図示しない搬
送装置により基板洗浄ステージ12上に載置し、この基板
11を真空吸着により固定する。また、端面洗浄ノズル15
の凹部15a を基板11の端面周辺部に係合させる。この状
態で、凹部15a 内に設けた溶剤吐出部から有機溶剤を対
応する端面周辺部に吐出させながら、この端面洗浄ノズ
ル15を矢印で示すように対応する辺部に沿って移動させ
ることにより、基板11の端面周辺部を洗浄する。この洗
浄時に、溶解した余剰なレジストや洗浄液などは、凹部
15a 内に付設されたバキューム除去部により吸引除去す
る。
【０００７】このように、基板11の２辺について端面洗
浄を行ない、所定時間の経過により洗浄が終了したら、
回転軸13により基板11を９０°回動させ、残りの２辺に
端面洗浄ノズル15の凹部15a を係合させ、上述した一連
の洗浄動作を繰り返す。
浄を行ない、所定時間の経過により洗浄が終了したら、
回転軸13により基板11を９０°回動させ、残りの２辺に
端面洗浄ノズル15の凹部15a を係合させ、上述した一連
の洗浄動作を繰り返す。
【０００８】しかしながら、基板11の端面洗浄を行なう
と、図５から明らかなように、基板11の表面に塗布され
たレジスト膜11A のうち、基板11の端面および領域Ａで
示す周辺部の余剰なレジストを除去できるが、レジスト
膜11A とガラス面11B との境界面に図示のようなレジス
トの盛上がりが生じる。すなわち、領域Ｂで示す通常の
レジスト膜11A の膜厚に比べ、領域Ｃで示す境界面部分
に盛上がりが発生する。
と、図５から明らかなように、基板11の表面に塗布され
たレジスト膜11A のうち、基板11の端面および領域Ａで
示す周辺部の余剰なレジストを除去できるが、レジスト
膜11A とガラス面11B との境界面に図示のようなレジス
トの盛上がりが生じる。すなわち、領域Ｂで示す通常の
レジスト膜11A の膜厚に比べ、領域Ｃで示す境界面部分
に盛上がりが発生する。
【０００９】この盛上がりは、有機溶剤によるレジスト
の溶解速度が早いため、溶解したレジストが領域Ｃで示
す境界面部に集積するためである。
の溶解速度が早いため、溶解したレジストが領域Ｃで示
す境界面部に集積するためである。
【００１０】このような盛上がりが生じると、領域Ｂで
示す基板11の中央部のレジスト膜厚に比べ、領域Ｃで示
す洗浄後の境界面の膜厚が厚いめ、露光および現像処理
後におけるレジスト膜残りが発生する。このため、レジ
スト剥がれによる発塵に基因する歩留まりの低下が生
じ、レジスト膜残り除去作業の工程追加が必要となる。
示す基板11の中央部のレジスト膜厚に比べ、領域Ｃで示
す洗浄後の境界面の膜厚が厚いめ、露光および現像処理
後におけるレジスト膜残りが発生する。このため、レジ
スト剥がれによる発塵に基因する歩留まりの低下が生
じ、レジスト膜残り除去作業の工程追加が必要となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、レジス
ト塗布された基板の端面を有機溶剤により洗浄すると、
レジスト膜とレジストが除去された基板面との境界面に
盛上がりが生じ、歩留まりの低下や工程追加などの要因
となっている。
ト塗布された基板の端面を有機溶剤により洗浄すると、
レジスト膜とレジストが除去された基板面との境界面に
盛上がりが生じ、歩留まりの低下や工程追加などの要因
となっている。
【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、レジストを塗布した基板の端面を有機溶剤により洗
浄する際に、レジストの盛上がりを生じることのない基
板端面洗浄方法およびその装置を提供することを目的と
する。
で、レジストを塗布した基板の端面を有機溶剤により洗
浄する際に、レジストの盛上がりを生じることのない基
板端面洗浄方法およびその装置を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の基板端面
洗浄方法は、レジストが塗布された基板の端面周辺部を
有機溶剤で洗浄する基板端面洗浄方法において、洗浄対
象となる基板の端面周辺部に加熱されたガス体をあらか
じめ吹き付けてこの端面周辺部のレジストを硬化させ、
このレジストを硬化させた後、有機溶剤により洗浄する
ものである。
洗浄方法は、レジストが塗布された基板の端面周辺部を
有機溶剤で洗浄する基板端面洗浄方法において、洗浄対
象となる基板の端面周辺部に加熱されたガス体をあらか
じめ吹き付けてこの端面周辺部のレジストを硬化させ、
このレジストを硬化させた後、有機溶剤により洗浄する
ものである。
【００１４】請求項２記載の基板端面洗浄装置は、レジ
ストが塗布された基板の端面周辺部を有機溶剤で洗浄す
る基板端面洗浄装置において、有機溶剤で洗浄する洗浄
ノズルと、前記基板に対して前記洗浄ノズルより相対的
に先方側に位置し、前記基板の洗浄対象部分の端面周辺
部のレジストに対して加熱されたガス体を吹き付けるガ
ス吹出ノズルとを具備したものである。
ストが塗布された基板の端面周辺部を有機溶剤で洗浄す
る基板端面洗浄装置において、有機溶剤で洗浄する洗浄
ノズルと、前記基板に対して前記洗浄ノズルより相対的
に先方側に位置し、前記基板の洗浄対象部分の端面周辺
部のレジストに対して加熱されたガス体を吹き付けるガ
ス吹出ノズルとを具備したものである。
【００１５】
【作用】請求項１記載の基板端面洗浄方法は、有機溶剤
で洗浄除去される部分に、加熱されたガス体をあらかじ
め吹き付けてこの部分のレジストを硬化させることによ
り、この部分の有機溶剤による溶解速度を低下させ、レ
ジスト溶解後に発生する溶解部のレジストの境界面への
集積作用を低減させ、レジストの盛上がりを防止して形
状を均一にする。
で洗浄除去される部分に、加熱されたガス体をあらかじ
め吹き付けてこの部分のレジストを硬化させることによ
り、この部分の有機溶剤による溶解速度を低下させ、レ
ジスト溶解後に発生する溶解部のレジストの境界面への
集積作用を低減させ、レジストの盛上がりを防止して形
状を均一にする。
【００１６】請求項２記載の基板端面洗浄装置は、加熱
されたガス体を吹出ノズルから吹き出し、その後洗浄ノ
ズルで有機溶剤によって洗浄するため、レジストを予め
硬化させることができ、境界面でのレジストの盛上がり
を防止する。
されたガス体を吹出ノズルから吹き出し、その後洗浄ノ
ズルで有機溶剤によって洗浄するため、レジストを予め
硬化させることができ、境界面でのレジストの盛上がり
を防止する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の基板端面洗浄装置の一実施例
を図面を参照して説明する。なお、従来例に対応する部
分には、同一符号を付して説明する。
を図面を参照して説明する。なお、従来例に対応する部
分には、同一符号を付して説明する。
【００１８】図１は、液晶表示機器用ガラス基板へのレ
ジスト塗布後の基板端面洗浄や、半導体素子に用いるシ
リコンウエハへのレジスト塗布後の基板端面洗浄などに
適用される基板端面洗浄装置を示す斜視図であり、レジ
スト塗布の行なわれた洗浄対象の基板11は図示しない搬
送装置により基板洗浄ステージ12上に載置され、真空吸
着によりこの基板洗浄ステージ12上に固定される。ま
た、この基板洗浄ステージ12は、基板11の面積より小さ
い支持面を有し、真空吸着した基板11の周辺部下面が露
出するように形成してある。また、この基板洗浄ステー
ジ12は回転軸13に固定されており、この回転軸13の回転
により、上面に固定された基板11を、その平面方向に沿
って任意の角度回動させることができる。
ジスト塗布後の基板端面洗浄や、半導体素子に用いるシ
リコンウエハへのレジスト塗布後の基板端面洗浄などに
適用される基板端面洗浄装置を示す斜視図であり、レジ
スト塗布の行なわれた洗浄対象の基板11は図示しない搬
送装置により基板洗浄ステージ12上に載置され、真空吸
着によりこの基板洗浄ステージ12上に固定される。ま
た、この基板洗浄ステージ12は、基板11の面積より小さ
い支持面を有し、真空吸着した基板11の周辺部下面が露
出するように形成してある。また、この基板洗浄ステー
ジ12は回転軸13に固定されており、この回転軸13の回転
により、上面に固定された基板11を、その平面方向に沿
って任意の角度回動させることができる。
【００１９】さらに、15は端面洗浄ノズルで、この端面
洗浄ノズル15は断面Ｕ形の凹部15aを有し、この凹部15a
が基板洗浄ステージ12上に固定された基板11の端面周
辺部の互いに対向する２辺とそれぞれ係合するように配
置される。また、これら端面洗浄ノズル15は、矢印で示
すように、それぞれ対応する辺部に沿って移動できるよ
うに構成されている。
洗浄ノズル15は断面Ｕ形の凹部15aを有し、この凹部15a
が基板洗浄ステージ12上に固定された基板11の端面周
辺部の互いに対向する２辺とそれぞれ係合するように配
置される。また、これら端面洗浄ノズル15は、矢印で示
すように、それぞれ対応する辺部に沿って移動できるよ
うに構成されている。
【００２０】これら端面洗浄ノズル15は、凹部15a 内に
基板11の端面周辺部に向かって有機溶剤、たとえばＭＩ
ＢＫ溶剤やＥＣＡ溶剤などを吐出するための図示しない
溶剤吐出部を設けている。また、この凹部15a 内には、
余剰な洗浄液や溶解したレジストなどを吸引除去するた
め図示しないバキューム除去部が付設されている。
基板11の端面周辺部に向かって有機溶剤、たとえばＭＩ
ＢＫ溶剤やＥＣＡ溶剤などを吐出するための図示しない
溶剤吐出部を設けている。また、この凹部15a 内には、
余剰な洗浄液や溶解したレジストなどを吸引除去するた
め図示しないバキューム除去部が付設されている。
【００２１】また、16はガス吹出ノズルとしてのレジス
ト乾燥ノズルで、このレジスト乾燥ノズル16は、端面洗
浄ノズル15と同様に断面Ｕ形の凹部16a を有しており、
端面洗浄ノズル15とともに並置される、すなわち、凹部
16a が基板洗浄ステージ12上に固定された基板11の端面
周辺部の互いに対向する２辺とそれぞれ係合するように
配置されており、かつ、矢印で示すように、それぞれ対
応する辺部に沿って移動できるように構成されている。
なお、矢印で示す移動方向に対してレジスト乾燥ノズル
16の方が端面洗浄ノズル15より先方に位置している。
ト乾燥ノズルで、このレジスト乾燥ノズル16は、端面洗
浄ノズル15と同様に断面Ｕ形の凹部16a を有しており、
端面洗浄ノズル15とともに並置される、すなわち、凹部
16a が基板洗浄ステージ12上に固定された基板11の端面
周辺部の互いに対向する２辺とそれぞれ係合するように
配置されており、かつ、矢印で示すように、それぞれ対
応する辺部に沿って移動できるように構成されている。
なお、矢印で示す移動方向に対してレジスト乾燥ノズル
16の方が端面洗浄ノズル15より先方に位置している。
【００２２】さらに、これらレジスト乾燥ノズル16の凹
部16a 内には、図示していないが、基板11の端面に向か
って加熱されたガス体、たとえばＮ2 を吐出するガス体
吐出部と、加熱されたガス体の吹き付けによりレジスト
から生じる溶剤成分を吸引除去するバキューム除去部と
がそれぞれ設けられている。
部16a 内には、図示していないが、基板11の端面に向か
って加熱されたガス体、たとえばＮ2 を吐出するガス体
吐出部と、加熱されたガス体の吹き付けによりレジスト
から生じる溶剤成分を吸引除去するバキューム除去部と
がそれぞれ設けられている。
【００２３】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００２４】レジストが塗布された基板11を洗浄する場
合は、まず、洗浄対象の基板11を図示しない搬送装置に
より基板洗浄ステージ12上に載置し、かつ、真空吸着に
より固定する。そして、端面洗浄ノズル15の凹部15a お
よびレジスト乾燥ノズル16の凹部16a を基板11の端面周
辺部に係合させる。
合は、まず、洗浄対象の基板11を図示しない搬送装置に
より基板洗浄ステージ12上に載置し、かつ、真空吸着に
より固定する。そして、端面洗浄ノズル15の凹部15a お
よびレジスト乾燥ノズル16の凹部16a を基板11の端面周
辺部に係合させる。
【００２５】この状態で、まず、移動方向の前方に位置
するレジスト乾燥ノズル16は、その凹部16a 内に設けた
ガス体吐出部から、基板11の端面周辺部に向かって加熱
されたＮ2 などのガス体を吐出しながら矢印の方向に移
動する。そして、このレジスト乾燥ノズル16の走査によ
り、基板11の端面周辺部のレジスト、すなわち、洗浄対
象部分のレジストに加熱されたＮ2 ガスを均一に吹き付
けられる。このため、この部分のレジストは局所的に溶
剤成分が除去され硬化する。このとき、レジストから除
去され、基板11の端面周辺部に発生した溶剤成分は、凹
部16a 内に付設されたバキューム除去部により吸引除去
される。
するレジスト乾燥ノズル16は、その凹部16a 内に設けた
ガス体吐出部から、基板11の端面周辺部に向かって加熱
されたＮ2 などのガス体を吐出しながら矢印の方向に移
動する。そして、このレジスト乾燥ノズル16の走査によ
り、基板11の端面周辺部のレジスト、すなわち、洗浄対
象部分のレジストに加熱されたＮ2 ガスを均一に吹き付
けられる。このため、この部分のレジストは局所的に溶
剤成分が除去され硬化する。このとき、レジストから除
去され、基板11の端面周辺部に発生した溶剤成分は、凹
部16a 内に付設されたバキューム除去部により吸引除去
される。
【００２６】また、レジスト乾燥ノズル16の走査に伴
い、端面洗浄ノズル15も同方向へ移動し、走査を開始す
る。すなわち、レジスト乾燥ノズル16の走査により硬化
した端面周辺部のレジストに対し、凹部15a 内に設けた
溶剤吐出部から有機溶剤を吐出しながら、矢印で示すよ
うに対応する辺部に沿って移動し、基板11の端面周辺部
を洗浄する。この洗浄時に、溶解した余剰なレジストや
洗浄液などは、凹部15a内に付設されたバキューム除去
部により吸引除去する。
い、端面洗浄ノズル15も同方向へ移動し、走査を開始す
る。すなわち、レジスト乾燥ノズル16の走査により硬化
した端面周辺部のレジストに対し、凹部15a 内に設けた
溶剤吐出部から有機溶剤を吐出しながら、矢印で示すよ
うに対応する辺部に沿って移動し、基板11の端面周辺部
を洗浄する。この洗浄時に、溶解した余剰なレジストや
洗浄液などは、凹部15a内に付設されたバキューム除去
部により吸引除去する。
【００２７】このようにして、基板11の２辺について端
面洗浄が終了したなら、回転軸13により基板11を９０°
回動させ、残りの２辺に端面洗浄ノズル15の凹部15a お
よびレジスト乾燥ノズル16の凹部16a をそれぞれ係合さ
せ、一連の洗浄動作を繰り返す。
面洗浄が終了したなら、回転軸13により基板11を９０°
回動させ、残りの２辺に端面洗浄ノズル15の凹部15a お
よびレジスト乾燥ノズル16の凹部16a をそれぞれ係合さ
せ、一連の洗浄動作を繰り返す。
【００２８】ここで、洗浄時に、有機溶剤が吹き付けら
れる基板11の端面周辺部のレジスト部分は、前段におけ
る加熱されたガス体の吹き付けにより硬化しており、有
機溶剤による溶解速度が低下している。このため、レジ
ストの溶解後に発生する溶解部のレジスト境界面への集
積作用が低減し、図５で示した従来例のように、領域Ｂ
で示す通常のレジスト膜11A の膜厚に比べ、領域Ｃで示
す境界面部分が大幅に盛上がるようなことはない。
れる基板11の端面周辺部のレジスト部分は、前段におけ
る加熱されたガス体の吹き付けにより硬化しており、有
機溶剤による溶解速度が低下している。このため、レジ
ストの溶解後に発生する溶解部のレジスト境界面への集
積作用が低減し、図５で示した従来例のように、領域Ｂ
で示す通常のレジスト膜11A の膜厚に比べ、領域Ｃで示
す境界面部分が大幅に盛上がるようなことはない。
【００２９】また、図２から明らかなように、基板11を
端面洗浄すると、基板11の表面に塗布されたレジスト膜
11A のうち、基板11の端面および領域Ａで示す周辺部の
余剰なレジストを除去することができる。また、図示の
ように、レジスト膜11A とガラス面11B との境界面にお
けるレジストの盛上がりは殆ど生じず、領域Ｂで示す通
常のレジスト膜11A の膜厚は、前述した境界面部分にお
いても殆ど盛上がらず、周辺部においても平坦なレジス
ト膜11A が得られる。
端面洗浄すると、基板11の表面に塗布されたレジスト膜
11A のうち、基板11の端面および領域Ａで示す周辺部の
余剰なレジストを除去することができる。また、図示の
ように、レジスト膜11A とガラス面11B との境界面にお
けるレジストの盛上がりは殆ど生じず、領域Ｂで示す通
常のレジスト膜11A の膜厚は、前述した境界面部分にお
いても殆ど盛上がらず、周辺部においても平坦なレジス
ト膜11A が得られる。
【００３０】このため、露光、現像処理後におけるレジ
スト膜残りのような不具合が発生せず、したがって、レ
ジスト剥がれによる発塵に起因する歩留まりの低下を防
止できるとともに、レジスト膜残り除去作業などの工程
追加を要しない。
スト膜残りのような不具合が発生せず、したがって、レ
ジスト剥がれによる発塵に起因する歩留まりの低下を防
止できるとともに、レジスト膜残り除去作業などの工程
追加を要しない。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の基板端面洗浄方法によれ
ば、有機溶剤で洗浄除去される部分に、加熱されたガス
体をあらかじめ吹き付けてこの部分のレジストを硬化さ
せることにより、この部分の有機溶剤による溶解速度を
低下させ、レジスト溶解後に発生する溶解部のレジスト
の境界面への集積作用を低減させ、レジストの盛上がり
を防止して形状を均一にし、平坦なレジスト膜を得るこ
とができるので、露光、現像後におけるレジスト膜残り
を無くすことができる。
ば、有機溶剤で洗浄除去される部分に、加熱されたガス
体をあらかじめ吹き付けてこの部分のレジストを硬化さ
せることにより、この部分の有機溶剤による溶解速度を
低下させ、レジスト溶解後に発生する溶解部のレジスト
の境界面への集積作用を低減させ、レジストの盛上がり
を防止して形状を均一にし、平坦なレジスト膜を得るこ
とができるので、露光、現像後におけるレジスト膜残り
を無くすことができる。
【００３２】請求項２記載の基板端面洗浄装置によれ
ば、加熱されたガス体を吹出ノズルから吹き出し、その
後洗浄ノズルで有機溶剤によって洗浄するため、レジス
トを予め硬化させることができ、境界面でのレジストの
盛上がりを防止し、平坦なレジスト膜を得ることができ
るので、露光、現像後におけるレジスト膜残りを無くす
ことができる。
ば、加熱されたガス体を吹出ノズルから吹き出し、その
後洗浄ノズルで有機溶剤によって洗浄するため、レジス
トを予め硬化させることができ、境界面でのレジストの
盛上がりを防止し、平坦なレジスト膜を得ることができ
るので、露光、現像後におけるレジスト膜残りを無くす
ことができる。
【００３３】
【００３４】
【図１】本発明の基板端面洗浄装置の一実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【００３５】
【図２】同上実施例により洗浄した基板の端面周辺部を
示す図である。
示す図である。
【００３６】
【図３】洗浄対象の基板を示す斜視図である。
【００３７】
【図４】従来例の基板端面洗浄装置を示す斜視図であ
る。
る。
【００３８】
【図５】同上従来例の洗浄結果を示す図である。
【００３９】
11 基板 15 端面洗浄ノズル 16 ガス吹出ノズルとしてのレジスト乾燥ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 レジストが塗布された基板の端面周辺部
を有機溶剤で洗浄する基板端面洗浄方法において、 洗浄対象となる基板の端面周辺部に加熱されたガス体を
あらかじめ吹き付けてこの端面周辺部のレジストを硬化
させ、 このレジストを硬化させた後、有機溶剤により洗浄する
ことを特徴とする基板端面洗浄方法。 - 【請求項２】 レジストが塗布された基板の端面周辺部
を有機溶剤で洗浄する基板端面洗浄装置において、 有機溶剤で洗浄する洗浄ノズルと、 前記基板に対して前記洗浄ノズルより相対的に先方側に
位置し、前記基板の洗浄対象部分の端面周辺部のレジス
トに対して加熱されたガス体を吹き付けるガス吹出ノズ
ルとを具備したことを特徴とする基板端面洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6842995A JPH08264923A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 基板端面洗浄方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6842995A JPH08264923A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 基板端面洗浄方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264923A true JPH08264923A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13373453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6842995A Pending JPH08264923A (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 基板端面洗浄方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466295B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 기판 가장자리 식각 방법 |
| US7282098B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US7412983B2 (en) | 2002-03-22 | 2008-08-19 | Seiko Epson Corporation | Pattern forming method and apparatus, and device fabrication method and device |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP6842995A patent/JPH08264923A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282098B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US7695570B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-04-13 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US7412983B2 (en) | 2002-03-22 | 2008-08-19 | Seiko Epson Corporation | Pattern forming method and apparatus, and device fabrication method and device |
| KR100466295B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 기판 가장자리 식각 방법 |
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