JPH0312919A - サセプタの回転停止位置検出方法及び気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体の気相成長装置におけるサセプタの回
転停止位置を検出する方法に関し、特に半導体基板（ウ
ェーハ）が自動投入される凹部を利用してサセプタの回
転停止位置を検出するようにしたサセプタの回転停止位
置検出方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、サセプタの上面に設けられた複数の凹部内に
板状体を自動投入する際のサセプタの回転停止位置を検
出する方法において、上記サセプタ上に設けられた上記
凹部の少なくとも２個所の位置をセンサで検知し、その
少なくとも２つの検知出力のアナログ値が一致した点の
信号をとり出して停止位置を検出することにより、サセ
プタへの新たな回転停止用検知媒体（スリットや穴等）
の加工を不要にすることができ、もって上記加工が要因
となるサセプタのクラック発生ひいては気相成長装置へ
の内部汚染を防止することができると共に、気相成長の
安定化が図れ、更に高精度に停止位置を検出することが
できるようにしたものである。

〔従来の技術〕

近時、量産される半導体ウェハのサイズは、従来の主流
であった４インチから６インチ又はフインチと大型化し
てきている。これに伴ない半導体ウェハに薄膜を気相成
長させるエピタキシャル成長装置によるプロセスにおい
て、作業性と信幀性を高めるために、サセプタヘウェハ
を投入あるいは取出しする工程を真空ピンセットによる
手作業から自動ハンドリング又はヘルヌイの定理による
負圧効果を利用した搬送方法に切換えてゆく必要性が強
まっている。この自動化にあたっては、気相成長前のウ
ェハ投入時にウェハ表面のクリーン度を保つ必要があり
、このためウェハ表面に接触することなくサセプタ上の
凹部内にできるだけソフトに投入することが要求されて
いる。

そこで本出願人は、上記要求を満たずものとして第６図
〜第８図に示す搬送装置（１１）を提案した（特開昭６
３−１６４２３４号公報参照）。即ち、この搬送装置（
１１）は第７図Ａ、Ｂに示すように、ウェハ（１３）を
３つのチャック、即ち２つの第１チヤツク（ｌｌａ）　
（Ｉｌｂ）（Ｉｌｂ）と１つの第２チヤツク（１２）に
より所定角度傾斜させて保持するものである。この装置
（１１）を用いてウェハ（１３）を気相成長装置内のサ
セプタ（１４）上に配した各凹部（ａｌ）〜（ａ８）内
に投入する場合は、まず第８図Ａに示すように、ウェハ
（１３）を傾斜保持させたまま下方（四部（ａｌ）側）
に下降させ、更に第８図Ｂに示すように、ウェハ（１３
）の端部（１３ａ）が凹部（ａ、）に接触した時点、即
ちウェハ（１３）の荷重が第１チヤツク（１，１ａ）　
、　（１，１ｂ）（この第８図においては第１チヤツク
（１，１ｂ）の図示を省略しである）にかからなくなっ
た時点で第９図Ａに示すように、第１チヤツク（ｌｌａ
）　、　（ｌｌｂ）をウェハ（１３）に対し外方に開放
させる。その後、第８図Ｃに示すように、第２チヤツク
（１２）を徐々にウェハ（１３）に対し外方に移動させ
ることによって、ウェハ（１３）の端面（オリエンテー
ションフラット面）　（１３ｂ）が第２チヤツク（１２
）の傾斜面（１２ａ）上をずベリ、更に第８図り及び第
９図Ｂに示すように、第２チヤツク（１２）が凹部（ａ
、）上から完全に外れたとき、又はウェハ（１３）が第
２チヤツク（１２）の傾斜面（１２ａ）上から外れた時
点で、該ウェハ（１３）は凹部（ａ、）内に投入される
。このとき、ウェハ（１３）の下部に巻き込まれた気流
がクツションとなるため、ウェハ（１３）は最も衝撃が
少ない状態で凹部（ａ、）内に投入される。

一方、その他の搬送装置としては上述したベルヌイの定
理による負圧効果を利用した搬送装置が知られている。

この装置は、ウェハに対して気体を噴出させると共に気
体噴出部をウェハに近づけることによって、気体噴出部
とウェハ間の圧力を低下させ、その圧力の低下によりウ
ェハを懸垂・吸引し、更に気体の噴出圧力とのバランス
により非接触でウェハを保持するものである。この装置
を用いてウェハをサセプタの凹部内に投入するときは、
ウェハを非接触で保持したまま所定位置例えば凹部を下
方に臨む位置まで搬送し、所定位置に達したとき、気体
の噴出を停止することにより、ウェハを下方の凹部内に
投入する。この場合も上述の第１ヂヤノク（Ｉ　ｌａ）
　、　（ｌｌｂ）及び第２チヤンク（１２）による搬送
装置（１１）と同様に、ウェハの下部に巻き込まれた気
流がクツションとなるため、ウェハは最も衝撃の少ない
状態で凹部内に落ち込む。

上記の２つの搬送装置は機動性に富み、ロボット等に組
込むことによって搬送工程の全自動化を図ることが可能
となる。

そして、このウェハの投入は、第７図Ａに示すように、
サセプタ（１４）の周囲に沿って配した複数の凹部（ａ
ｌ）〜（ａ８）に対して全て行なわれる。即ち、サセプ
タ（１４）を回転させ′ζ１つの凹部（例えば四部（ａ
、））を所定の投入ポイント（８で示す）にもって行き
、該凹部（ａｌ）が所定ポイントに達した時、サセプタ
（１４）の回転を停止させると共に、ウェハ（１３）を
凹部（ａｌ）内に上述のようにして投入する。

この一連の動作を残りの全ての凹部（ａ２）〜（ａ８）
に対して行なう。

さて、ここで重要なことは、サセプタ（１４）の回転停
止を正確に行なうことである。仮に、サセプタ（１４）
の停止位置、即ちサセプタ（１４）が停止したときの凹
部（ａｌ）の位置が投入ポイントに対してずれてしまっ
た場合、ウェハ（１３）が凹部（ａ、）のへりに乗り」
二げてしまい、その後の成膜処理に支障をきたすと共に
、ウェハ（１３）又は凹部（ａｌ）のへりが欠けてベル
ジャ内部を汚染するという不都合が生じ気相成長装置内
のクリーン度を保つことができない。

特に、サセプタ（１４）は、その後の気相成長処理にお
いて、約１２００°Ｃにまで温度上昇されるため、その
下方に存するホルダ（図示せず）との熱膨張による応力
の発生を防止するためにも該ホルダに対し内径基準で載
せであるだけであり、回り止めは施されていない。従っ
て、回転停止は単純な方法では実現できない。尚、気相
成長においては、金属汚染は不可のため、サセプタ（１
４）は例えばカーボンを主体とした材料で形成され、ホ
ルダは例えば石英ガラスにて形成される。

そこで、サセプタ（１４）の回転停止位置を検出する方
法として、第１０図に示すように、サセプタ（１４）の
外周にスリンｌ−（１５）を設けこれを透過型センサ（
例えば発光素子（１６ａ）と受光素子（１６ｂ）からな
るセンサ（１６））で検出するという方法や、第１１図
に示すように、サセプタ（１４）に穴（１７）を開口し
、この穴（１７）にホルダ、即ち溝（１８）にシャフト
（１９）のビン（Ｌ９ａ）を係合させることによってシ
ャフト（１９）と同期して回転するようになされたホル
ダ（２０）のカイトピン（２０ａ）を挿入して、サセプ
タ（１４）の回転をシャツ１−（１９）と同期させるよ
うにし、更にシャフト（１９）の回転をパルス制御する
ことによって凹部（例えば凹部（ａｌ））が投入ポイン
トに達したときサセプタ（１４）の回転を停止させるよ
うにしたものとがある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、第１０図及び第１１図に示すサセプタの
回転停止検出方法においては、サセプタ（１４）に四部
（ａｌ）〜（ａ８）以外の新たなる加工（第１０図にお
いてはスリン）（１５）、第１１図においては穴（１７
））を施こすため、サセプタ（１４）の径！がウェハ（
１３）の径の大型化、即ち凹部（ａｌ）〜（ａｌｌ）の
径ｄの大型化に伴ない大きくなると、サセプタ（１４）
の熱膨張比率も大きくなり、上述の如く約１２００°Ｃ
の温度下においては、サセプタ（１４）に施した加工部
分、即ち第１０図で示ずスリン）　（１５）あるいは第
１１図に示す穴（１７）の部分からクラックが入り易い
という問題がある。サセプタ（１４）にクラックが入る
とサセプタ（１４）の材質であるカーボンがヘルジャ内
部を飛散して該ヘルジャ内部を汚染し、気相成長中のウ
ェハを総て不良品と化してしまうという不都合がある。

また、サセプタ（１４）にスリン１−（１５）や穴（１
７）を設けることによって、気相成長時、該スリット（
１５）あるいは穴（１７）の近傍において気流の乱れが
生じ、その気流の乱れが膜質を著しく劣化させ、気相成
長の安定化をＶ目害するという不都合がある。

本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、サセプタに対して何ら加工を施さず
にサセプタの回転停止位置を高精度に検出することがで
き、サセプタへのクランク発生防止ひいては気相成長装
置への内部汚染の防止並びに気相成長の安定化を図るこ
とができるサセプタの回転停止位置検出方法を提供する
ことにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の検出方法は、サセプタ（１）の上面に設けられ
た複数の凹部（ａ、）〜（ａｌ、）内に板状体（例えば
半導体ウェハ）を自動投入する際のサセプタ（１）の回
転停止位置を検出する方法において、サセプタ（１）上
に設けられた凹部（ａｌ）〜（８，９）のうちの１つの
凹部の少なくとも２個所の位置をセンナ（４ａ）（４ｂ
）で検知し、その少なくとも２つの検知出力のアナログ
値が一致した点の信号をとり出して該信号に基いてサセ
プタ（１）の停止位置を検出するようにする。

〔作用〕

上述の本発明の方法によれば、サセプタ（１）上に予め
設けられ、ウェハが投入される凹部（ａｌ）〜（ａ＋９
）を利用してサセプタ（１）の回転停止位置を検出する
ようにしたので、サセプタ（１）に対し、新たにスリッ
トや穴等の加工を施こす必要がない。従って、約１２０
０°Ｃの温度下においても、サセプタ（１）にクランク
が発生するということがなく、クラックの発生に伴なう
気相成長装置への内部汚染も防止される。また、それと
同時に、気相成長における気流の乱れもなくなり、気相
成長の安定化が図れ、ウェハ上に形成される薄膜の膜質
が向上する。

また、少なくとも２つのセンｔ　（４ａ）　、　（４ｂ
）からの検知出力（アナログ値）が一致した点の信号を
とり出し、その信号に基づいてり゛セプクの回転停止位
置を検出するようにしたため、複数の凹部（ａｌ）〜（
ａ、、）の穴径寸法に関しばらつきがあったとしても、
各凹部（ａ、）〜（ａｌ、）の中心位置を高精度に検出
することができる。このことは、サセプタ（１）の回転
停止位置を高精度に検出できることにつながり、ウェハ
の各凹部（ａｌ）〜（ａ１９）への投入に関する信頼性
が非常に高くなる。従って、ウェハが凹部（ａｌ）〜（
ａＩｑ）のへりに乗り上げるという現象は発生せず、確
実に各四部（ａ、）〜（ａ４．）内に投入することが可
能となり、ウェハが凹部（ａｌ）〜（ａ５．）のへりに
当たることによって生じる内部汚染も防止される。

〔実施例］ 以下、第１図〜第５図を参照しながら本発明の詳細な説
明する。

第１図は、本実施例に係る回転停止位置検出方法を半導
体の気相成長装置内に設ｉノられだサセプタに適用した
例を示す構成図、第２図はその側断面図、第３図はサセ
プタの平面図である。これらの図において、（１）はサ
セプタ、（２ａ）及び（２ｂ）は回転停止位置検出手段
である。

サセプタ（１）は、その上面において、複数の円形状の
凹部（ａ、）”１ａ１９）が設けられている。凹部（ａ
ｌ）〜（ａＩ、）はサセプタ（１）に対し、その円周に
沿って二列に配され、特に内側に配された凹部（ａＩ）
〜（ａ６）は、外側の例に配された凹部（ａ７）〜（ａ
、９）に対し、一つおきに配される。更に、本例におい
ては円形状の凹部（ａｌ）〜（ａ、、）の他に長方形状
の凹部（ｂ＋Ｌ（ｂｚ）が２個設けられる。この凹部（
ｂ　ｌ　）。

（ｂ２）には、気相成長のテスト用として用いられるダ
ミーのウェハ（例えば長方形状あるいは半月状等の形状
を有する）が投入される。

一方、検出手段（２ａ）は、円形状の凹部（ａｌ）〜（
ａ、、）を利用してサセプタ（１）の回転停止位置を検
出するものであり、軸部（３ｂ）と該軸部（３ｂ）の端
部から横方向に延びるアーム（３ａ）と２つのセンサ（
４ａ）　、　（４ｂ）　とから成る。アーム（３ａ）は
サセプタ（１）の上方を臨むように配され、軸部（３ｂ
）は図示しない上下方向及び幅方向の摺動機構に連結さ
れて上記アーム（３ａ）がサセプタ（１）の上面に対し
遠ざかる又は近づくように」ユニ動あるいはサセプタ（
１）の輻方向に摺動するようになされている。またアー
ム（３ａ）は、軸部（３ｂ）を中心に回転するようにな
され、ウェハの投入時には、アーム（３ａ）が凹部（ａ
ｌ）〜（ａ、、）のうち、いずれかの四部の上方を臨む
ように位置され、ウェハの投入が全て完了しウェハに対
して気相成長を行なう際には一方向に回転して上記アー
ム（３ａ）がサセプタ（１）から離れるようになされる
。

２つのセンサ（４ａ）　、　（４ｂ）はアーム（３ａ）
の下面に所定の間隔をおいてほぼ対称に設けられる（図
示の例では、センサ（４ａ）　、　（４ｂ）の中心間の
間隔が一つの四部の直径幅とほぼ同じとされている）。

このとき、センサ（４ａ）　、　（４ｂ）の検知面は下
方に向くようになされる。

２ もう一つの検出手段（２ｂ）は、長方形の凹部（ｂ＋）
。

（ｂ２）を利用してサセプタ（１）の回転停止位置を検
出するものであり、その構成は、アーム（５ａ）、軸部
（５ｂ）及び２つのセンサ（６ａ）　、　（６ｂ）とか
らなることでは上述の検出手段（２ａ）とほぼ同しであ
るが、長方形の凹部（ｂ＋）、（ｂｚ）の大きさに合わ
せて全体的にサイズが小となっている。従って、この検
出手段（２ｂ）の２つのセンサ（６ａ）　、　（６ｂ）
間の間隔も例えば１つの凹部（ｂ＋）又は（ｂ２）の長
辺間の距離に設定されである。

尚、検出手段（２ａ）及び（２ｂ）のセンサ（４ａ）　
、　（４ｂ）及び（６ａ）　、　（６ｂ）は静電容量型
近接センサであり、対象物の深さ（高さ）を電気的な信
号（アナログ値）に変換するものである。

次に、検出手段（２ａ）によるサセプタ（１）の回転停
止位置検出の原理を第４図及び第５図に基いて説明する
。尚、サセプタ（１）は第４図において右から左に即ち
時計方向に回転移動しているものとする。

また、第５図の曲線■はセンサ（４ａ）のアナログ値を
示し、曲線■はセンサ（４ｂ）のアナログ値を示す。

まず、第４図Ａに示すように、センサ（４ａ）がサセプ
タ表面（１ａ）上、センサ（４ｈ）が凹部（ａｌ）上に
あるとき、センサ（４ａ）の検知出力は最小、センナ（
４ｂ）の検知出力は最大となる（第５図の区間■参照）
。次に、第４図Ｂ−Ｄに示すように、センサ（４ａ）及
び（４ｂ）が共に凹部（ａｌ）のへりにかかっている時
（即ち、サセプタ表面（１ａ）と凹部（ａＩ）の底面と
に跨っている時）は、まずセンサ（４ａ）についてはサ
セプタ（１）の回転に伴なって徐々に凹部（ａ、）の占
める割合が多くなるため、その検知出力は徐々に増加し
、センサ（４ｂ）については徐々にサセプタ表面（１ａ
）の占める割合が多くなるため、その検知出力は徐々に
低下する（第５図の区間■参照）。

特に、第４図Ｃに示すように、センサ（４ａ）及び（４
ｂ）についてそれぞれ凹部（ａｌ）とサセプタ表面（１
ａ）の占める割合がほぼ同じになったとき、即ち、セン
サ（４ａ）及び（４ｂ）が凹部（ａｌ）を検出したとき
、それぞれの検知出力は同じ値を示すようになり、曲線
Ｉと■とが一致する（第５図の点Ｃ参照）。

次に、第４図Ｅに示すように、センサ（４ａ）が凹部（
ａｌ）」二、センナ（４ｂ）がサセプタ表面（１ａ）上
に位置したときは、第４図へのときとは逆に、センサ（
４ａ）の検知出力が最大、センサ（４ｂ）の検知出力が
最小となる（第５図の区間■参照）。次に、第４図Ｆに
示すように、センサ（４ａ）が一方の凹部（ａ、）上に
位置し、センサ（４ｂ）が他方の凹部（ａ２）のへりに
位置したときは、センサ（４ａ）の検知出力は最大のま
まであるが、センサ（４ｂ）については、サセプタ（１
）の回転に伴なって凹部（ａ２）の占める割合が多くな
るため、その検知出力は徐々に増加する（第５図の区間
■参照）。次に、第４図Ｇに示すように、センサ（４ａ
）が一方の凹部（ａｌ）上、センサ（４ｂ）が他方の凹
部（ａ２）上に位置したときは、センサ（４ａ）及び（
４ｂ）ともその検知出力が最大となる（第５図の区間■
参照）。次に、第４図■１に示すように、センサ（４ａ
）が一方の凹部（ａＩ）のへりに位置し、センサ（４ｂ
）が他方の凹部（ａ２）上に位置したときは、センサ（
４ｂ）の検知出力は最大のままであるが、センサ（４ａ
）については、サセプタ（１）の回転に伴なってサセプ
タ表面（１ａ）の占める割合が多くなるため、その検知
出力は徐々に低下する（第５図の区間■参照）。次に、
第４図Ｉに示すように、センサ（４ａ）がサセプタ表面
（１ａ）上、センサ（４ｂ）が凹部（ａ２）上に位置し
たときは、第４図Ａのときと同様にそれぞれの検知出力
はセンサ（４ａ）が最小、センサ（４ｂ）が最大となる
（第５図の区間■参照）。そして、これらの一連の動作
が順次繰返されることとなる。

しかして本例においては、第５図の点Ｃで示す如くセン
サ（４ａ）及び（４ｂ）の検知出力が一致したとき、即
ち第４図Ｃで示す位置関係のときサセプタ（１）を停止
させる。換言すれば、凹部（第４図においては凹部（ａ
ｌ））をセンサ（４ａ）　、　（４ｂ）で検出したとき
、サセプタ（１）を停止させる。

ところで、センサ（４ａ）及び（４ｂ）の検知出力が一
致するポイントは、上記点Ｃのときと区間■のときの２
つの場合があり得る。そこで、例えば点Ｃ及び区間■の
ときの検知出力（アナログ値）をそれぞれ例えば５０μ
Ａ及び１００μＡとすると、区間■のときの信号（１０
０μ八）をカットし、該信号をす６ セプタ（１）の回転停止信号の対象外となるように回路
補正すればよい。実際には、サセプタ（１）の面ふれ等
がからむため、上記信号（１００μ八）にもばらつきが
生しる。そのためある程度のばらつきを見越して８０〜
１２０μへの信号をカットするようにする。

このようにすれば、点Ｃのときにのみ、す“セプタ（１
）を停止させることができる。

そして予め所定位置、例えば第３図に示すように、検出
手段（２ａ）の凹部（図示の例では凹部（ａ６））の検
出に基いてサセプタ（１）が停止したとき、凹部（ａ３
）上の位置に第６図に示すような搬送装置又はベルヌイ
の定理による負圧効果を利用した搬送装置（二点鎖線で
示す）　（１１）が来るようにする。

尚、もう一つの検出手段（２ｂ）については、上述した
検出手段（２ａ）と同様の動作を行なうため、詳細説明
は省略する。

次に、実際にサセプタ（１）上の凹部（ａｌ）〜（ａ　
＝　、）内にウェハを投入していく過程を第３図と下表
１を参照しながら説明する。尚、下表１において、検出
対象凹部とは、検出手段（２ａ）又は（２ｂ）が直接検
出対象とする凹部を示ずものてあり、各２つのセンナ（
４ａ）　、　（４ｂ）又は（６ａ）　、　（６ｂ）が上
述の如く凹部のへりの両側にほぼ同じ条件で位置したと
き、即ち凹部を検出したとき、サセプタ（１）が停止す
る。

投入対象凹部とはサセプタ（１）が停止したときにウェ
ハが投入される凹部を示す。また、使用検出手段とは、
」二記検出対象凹部を検出するために使用される検出手
段（２ａ）又は（２ｂ）を示す。そしてウェハの投入は
第３図及び下表１でもわかるとおり、内側に配した四部
から行なわれ、検出も内側の凹部を用いて行われる。勺
セプタ（１）の回転は図示の例では時計方向とする。

表　　　１ まず、上表１で示すように、検出手段（２ｂ）が長方形
状の四部（ダミーウェハ用の四部）　（ｂ＋）を検出し
たときサセプタ（１）が停止し、凹部（＋１５）にウェ
ハが投入される。次にサセプタ（１）が再び回転し、今
度は検出手段（２ａ）が四部（ａｌ）を検出したとき、
再びサセプタ（１）が停止し、四部（ａ６）にウェハが
投入される。以後は、この検出手段（２ａ）を用いて四
部（ａ２）　、　（ａ３）　、　（ａ、）　、　（ａ、
）を順次検出して行き、リーセプタ（１）はこれらの検
出に基いて逐次停止され、それぞれの凹部（ａ、）、　
（ａｚ）＋　（ａ３）、　（ａ４）にウェハが順次投入
される。内側の凹部（ａｌ）〜（ａ＝）に対し、１　！
］ 全てウェハが投入されたら、今度は各検出手段（２ａ）
　、　（２ｂ）の各アーム（３）、　（５）をサセプタ
（１）の幅方向外方に平行移動さセ各センサ（４ａ）　
、　（４ｂ）及び（６ａ）　、　（６ｂ）が外側の四部
（ａ７）〜（ａ１９）の各中心点を結ぶ線上に達したと
き、その移動を停止させる。

そして、その後は上述の如く上表１で示す順序で四部（
ｂ２）並びに（ａ７）〜（ａｌｑ）の検出とウェハの凹
部（ａ７）〜（ａ、９）への投入を行なう。

上述の如く本例によれば、ウェハが投入される凹部（ａ
、）〜（ａ、、）及びダミーウェハが投入される凹部（
ｂ＋Ｌ（ｂｚ）を利用してサセプタ（１）の回転停止位
置を検出するようにしたので、サセプタ（１）に対し、
新たにスリットや穴等の加工を施す必要がない。従って
、その後に行われる気相成長処理における約１２００°
Ｃの温度下においても、サセプタ（１）にクランクが発
生ずるということがなく、クラックの発生に伴なう気相
成長装置への内部汚染も防止される。また、同時に気相
成長時における気流の乱れもなくなり、気相成長の安定
化が図れ、ウェハ上に形成される薄膜の膜質も向」二す
る。

０ また、各２つのセンサ（４ａ）　、　（４ｂ）又は（６
ａ）　、　（６ｂ）からの検知出力（アナログ値）が一
致した点（第５図の点Ｃ参照）の信号に基いてサセプタ
（１）を停止させるようにしたため、複数の凹部（ａｌ
）〜（ａｌ、）に関しそれぞれの穴径寸法にばらつきが
あったとしても、また、サセプタ（１）に面ふれがあっ
たとしても各凹部（ａｌ）〜（ａ、、）の中心位置を高
精度に検出することができる。このことば、サセプタ（
１）の回転停止位置を高精度に検出できることにつなが
り、ウェハの凹部（ａｌ）〜（ａ８．）への投入に関す
る信頼性が非常に高くなる。従って、ウェハが凹部（ａ
ｌ）〜（ａ３．）のへりに乗り上げるという現象は発生
しなくなり、即ち、ウェハを確実に凹部（ａ、）〜（ａ
、、）に投入することが可能となり、ウェハが凹部（ａ
ｌ）〜（ａｌ、）のへりに当たることによって生じる内
部汚染も防止することができる。

尚、上記サセプタ（１）の面ぷれに対し、例えば第１図
及び第２図に示すようにサセプタ（１）の上面の位置を
検出する位置検出センサ（力を検出手段（２ａ）及び（
２ｂ）の各アーム（３ａ）及び（５ａ）に設けるように
して各２つセンサ（４ａ）　、　（４ｂ）及び（６ａ）
　、　（６ｂ）とサセプタ表面（１ａ）間の距諦を一定
に保つようにしてもよい。

」二記実施例は、円形状の凹部（ａ、）〜（ａ、、）を
検出する検出手段（２ａ）と（般送装置（１］）とを異
なる位置に配するようにしたか、その他、検出手段（２
ａ）と搬送装置（１１）の特に、その駆動時の位置を同
しにするようにしてもよい。即ち、検出手段（２ａ）の
四部の検出に裁いてサセプタ（１）を停止させたのち、
該検出手段（２ａ）を」三方に移動あるいはアーム（３
ａ）がサセプタ（１）から離間する方向に回転移動させ
、その後、検出手段（２ａ）が検出した凹部のところに
搬送装置（１１）を移動させて該凹部にウェハを投入す
るようにしてもよい。下表２にこの方法による四部の検
出及びウェハの投入順序の一例を示す。

この方法によれば、上記実施例のように、ずでにウェハ
が投入された凹部を検出対象凹部にするということがな
くなり、特に凹部の大きさがウェハの大きさとほとんど
変わらないサセプタに適用した場合に非常に有効である
。

表 また、上記実施例は、実際のウェハが投入される円形状
の凹部（ａ、）〜（ａ１９）とダミーウェハ用の長方形
状の凹部（ｂ＋）、（ｂｚ）とが併設されたサセプタ（
１）に適用した例を示したが、円形状の凹部のみを配し
たサセプタにも適用することができる。この場合、検出
手段（２ｂ）は省略される。

３ また、上記実施例は、上表１及び２でも示すように、ま
ず最初にダミーウェハ用の凹部を検出してウェハを円形
状の凹部に投入するようにしたが、最初から円形状の凹
部を検出するようにしてもよい。この場合も検出手段（
２ｂ）は省略される。

また、上記実施例はセンサ、特に検出手段（２ａ）のセ
ンサ（４ａ）　、　（４ｂ）を凹部（ａ、１ｌ−（ａ、
、）の各中心点を結ぶ線上において、各センサ（４ａ）
　、　（４ｂ）の中心点間の間隔が１つの凹部の直径幅
と同じになるように、かつそれぞれが互いに対称となる
ように配列するようにしたが、その他、第６図Ａ及びＢ
に示すように、１つの凹部（この第６図においては凹部
（ａｌ））に対して図面上、上方又は下方において互い
に近接させ、かつその中心角θが２０°〜４０°となる
ように対称に配列するようにしてもよい。この場合の各
センサ（４ａ）　、　（４ｂ）からの検知出力（アナロ
グ値）は、２つのポイント、即ち２つのセンサ（４ａ）
　、　（４ｂ）が凹部（ａ、）を検出したときと、２つ
のセンサ（４ａ）　、　（４ｂ）が共にサセプタ（１）
の表面（１ａ）に位置したときに一致する。ここで、例
えば４ 凹部（ａＩ）を検出したときの値を５０μ八、サセプタ
表面（１ａ）に位置したときをＯμ八とすると今度は、
０〜２０μへの信号をカットするように回路補正して上
記０〜２０μへの信号をサセプタの回転停止信号の対象
外となるようにすれば、２つのセンサ（４ａ）　、　（
４ｂ）が四部を検出したときのみサセプタ（１）を停止
させることができる。

もちろん、初めから例えば０〜２０μへの信号と例えば
８０〜１２０μへの信号をカットするように回路補正し
ておけば、センサ（４ａ）　、　（４ｂ）の種々の配列
パターンにも適用させることができる。

また、上記実施例は２つのセンサ（４ａ）　、　（４ｂ
）を用いて凹部（ａｌ）〜（ａｌ９）を検出するように
したが、３つのセンサを用いるようにしてもよい。この
場合、上限又は下限のアナログ値をカットするという回
路補正は必要でなくなる。

〔発明の効果］ 本発明に係るサセプタの回転停止位置検出方法によれば
、サセプタ上に設けられた凹部の少なくとも２個所の位
置をセンソ゛で検知し、その少なくとも２つの検知出力
のアナログ値が一致した点をとり出してサセプタを停止
させるようにしたので、サセプタへの新たな回転停止用
検知媒体（スリットや穴等）の加工を不要にすることが
でき、上記加工が要因となるサセプタのクラック発生ひ
いては気相成長装置への内部汚染を防止することができ
る。また、それと同時に、気相成長の安定化が図れると
共に、高精度に停止位置を検出することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例に係るサセプタの回転停止位置検出方
法を示す構成図、第２図はその一部省略側断面図、第３
図はサセプタの平面図、第４図は本実施例に係るサセプ
タの回転停止位置検出の原理を示す経過図、第５図は検
知出力（アナログ値）の変化を示す図、第６図はセンサ
の他の配列例を示す説明図、第７図は本発明の説明に供
する搬送装置を示す構成図、第８図は本発明の説明に供
する搬送装置によるウェハの投入例を示す説明図、第９
図は本発明の説明に供する搬送装置のチャックの動作を
示す説明図、第１０図はスリットによる回転停止位置検
出を示す構成図、第１１図は穴による回転停止位置検出
を示す構成図である。 （１）はサセプタ、　（２ａ）　、　（２ｂ）は検出手
段、（３ａ）はアーム、　（４ａ）　、　（４ｂ）　、
　（６ａ）　（６ｂ）はセンサ、（５ａ）はアーム、（
ａｌ）〜（ａｌ９）は円形状凹部、（ｂｌ）、（ｂ２）
は長方形状凹部である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 サセプタの上面に設けられた複数の凹部内に板状体を自
   動投入する際の上記サセプタの回転停止位置を検出する
   方法において、 上記サセプタ上に設けられた上記凹部の少なくとも２個
   所の位置をセンサで検知し、その少なくとも２つの検知
   出力のアナログ値が一致した点の信号をとり出して停止
   位置を検出するようにしたことを特徴するサセプタの回
   転停止位置検出方法。