JPH03130947A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く利用分野〉 本発明はレーザー等の光により、情報の記録、再生、消
去等を行なう光磁気記録媒体に間する。

更に詳細には、金属反射層を有する光記録媒体に関し、
中でも記録層が膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し
た金属薄膜よりなる、光熱磁気効果により情報を記録し
、磁気光学効果により再生する光磁気記録媒体に特に好
ましく適用できるものである。

〈従来技術〉 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種々
の研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されており、その実用化が待望されている。

上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭５２−
３１７０３号公報記載のＦｅＴｂ、特開昭５６−１２６
９０７号公報記載のＦｅＴｂＧｄ、特開昭５８−７３７
４６号公報記載のＦｅＴｂＣｏ、　ｒｅｃｏｏｙ、特開
昭６１−１６５８４６号公報記載のＦｅｅｄ等既に多く
の提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁
気記録媒体の実用化には、記録、再生特性のより一層の
向上が必要である。

これに対し、光磁気記録層上、もくしはその上に誘電体
層を介して金属反射層を設ける方法が提案されている。

この方式はカー効果とファラデー効果の併用により高い
Ｃ／Ｎ比（再生出力とノイズルの比率）を得る点で優れ
ている。従来この金属反射層として、Ａｌを用いたもの
（特開昭５８−８３３４６号公報、特開昭５９−１３２
４３４号公報）、Ｃｕを用いたもの（特開昭５９−８１
５０号公報）、＾１系合金を用いたもの（特開昭６２−
１３７７４３号公報）、ステンレスを用いたもの（特開
昭５９−１７１０５４号公報）　、Ｔｅを用いたもの（
特開昭６２−５２７４４号公報）、非晶質金属膜を用い
たもの（特開昭８１−５７０５３号公報）等が提案され
ている。しかしながら、高反射率のＡＩ、　Ｃｕ等を用
いた場合にはその高熱伝導性のため記録感度が大幅に低
下し、一方比較的熱伝導性の低いステンレス、１ｅを用
いた場合には記録感度は向上するが反射率が低いため、
十分なＣ／Ｎ比が得られないという欠点を有する。

これに対し、特開昭６１−１９４６６４号公報、特開昭
６４−４９３８号公報、特開昭６４−８８３４８号公報
、特開昭６４−８６３４９号公報ではＡｌＮｉ、　Ａｌ
Ｔａ、　ＡｌＰｔ、　ＡｌＨｏ、＾ＩＣｒ、＾ｌＺｒ、
＾１ｖ合金が提案されている。これらの合金膜はＡｌの
高反射率をある程度維持しながら、又は多少の反射率の
低下があるもののＡｌよりも熱伝導率を低下させること
に成功しており、前述の欠点を解消し、光磁気記録媒体
の特性向上に効果が期待される。

しかしながら、実用化を０指してスパッタリング法で前
述のＡｌ合金膜を形成するには、均一な組成の合金ター
ゲットの得難いことが大きな欠点となる。すなわち、真
空熔解で前述のＡｌ合金を形成するには、ＡＩと添加元
素との融点差の非常に大きいことが障害となる。すなわ
ちＡｌの６６０℃の融点に対して、前記の添加元素はＮ
１の１４５３℃を最低として、Ｔａの２９７７℃の範囲
の融点を有する。この理由等により、前述のＡｌ合金系
では均一に混合できる添加元素の量は非常に少く、たと
え熱伝導率の低下に効果のあるだけの量を添加しても、
偏析の多い不均一な組成分布を有するターゲットしか得
られない、すなわち、前述した従来のＡｌ合金系の熱伝
導率低下の効果の発現は、添加元素の高融点に由来して
いると考えられ、本質的に組成が均一な良好な合金ター
ゲットを得ることとは相矛盾しており、工業化面で大き
な問題を有している。

また、耐久性に対する要求は、依然として大きな問題で
ある。

〈発明の目的〉 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、合金ターゲ
ットの作成が容易で大量生産に適した新規なＡｌ合金系
反射膜により高感度で高Ｃ／Ｎ比で、更に耐久性にすぐ
れた光記録媒体を提供することを目的としたものである
。

〈発明の構成及び作用〉 即ち本発明は、金属反射層を有する光記録媒体において
、該金属反射層がＡｌにＡｕを０．５〜２０ａｔ％（原
子％）含有せしめたＡｌＡｕ合金からなることを特徴と
する光記録媒体を第１発明とし、該金属反射層がＡｌに
Ａｕを０．５〜１５ａｔ％、Ｔｉを０．３〜５．０　ａ
ｔ％含有せしめたＡｌＡｕＴｉ合金からなることを特徴
とする光記録媒体を第２発明とするものである。

以下本発明の詳細な説明に到った経過と共に説明する。

本発明者らは、低熱伝導率のＡｌ合金を目的にＡｌに添
加する種々の元素を、特に均一な合金ターゲットの得や
すい低融点の金属に着目して検討し、融点１０６３℃の
ＡＵがＡｌ合金の熱伝導率の低下に顕著な効果を有する
ことを見い出した。従来は高融点及び／又はそれ自体（
単体金属として）熱伝導率の小さい添加金属が検討され
て来たが、低融点であり、ＡＩよりも高熱伝導率のＡｕ
を添加したＡｌＡｕ合金膜が低熱伝導率を示したことは
驚くべきことであった。そして、この理由が＾１２Ａｕ
金属間化合物の生成に由来することが判明した０例えば
、Ａｌターゲット上にＴａ、　ｌｒ又はＴ１の小片を置
いてスパッタリングで得た従来の合金膜のＸ線回折では
、いずれも面心立方結晶格子（ｆｃｃ）　ＡＩの（１，
１，１）面からの回折ピークのみが観察されたが、本発
明のＡｌＡｕ１ｌではｆｃｃＡＩの回折ピークは消滅し
、Ａｌ．　Ａｕ金金属間化合力（１，１，１＞面と（２
，２，０＞面に帰属される面間隔３．４９Ａと２．１４
入の回折ピークが観察され、Ａｌ□ＡＵ金属間化合物が
形成されていることが確認された。そしてこのＡｔ２Ａ
ｕ金属間化合物が熱伝導率の低下に寄与していると考え
られる。

ＡＵの添加量がＧ、５　ａｔ％より少いと、かかる熱伝
導低下の効果は小さく、逆に２０８ｔ％より多いとＡｌ
Ａｕ合金膜の反射率の低下が大きく不都合であるすなわ
ち、ＡｌＡｕ合金膜中にＡｌ□＾Ｕ金属間化合物が生成
することが必要であるが、膜量体がＡｌ．　Ａｕ金属間
化合物となるのは好ましくなく、本発明のＡｌ４０合金
膜はＡＩ２＾Ｕ金属間化合物を良好な特性が得られる範
囲で含むことが好ましい。

単体金属としてはともに高反射率であるＡｌとＡＵを合
金膜にした時の反射率の低下は、同様にＡｌｔ＾Ｕ金属
間化合物の生成により説明される。　ＡｌＡｕ合金膜の
反射率の低下を最小限に抑えること、かつＡＵは高価で
あることから、Ａｕの添加量は最小限にとどめるべきで
ある。かかる目的で本発明者らはＴｉを補助的に添加す
ることを試み、その効果を確認した。Ｔｉの添加量は５
．Ｑ　ａｔ％以内にとどめるべきであり、これより多い
とＡｌＡｕＴｉ膜の反射率が低下し、また均一なＡｌＡ
ｕＴｉ合金ターゲットの作製が困難となる。ｓ、ｏ　ａ
ｔ％以内では光磁気記録再生装置で使用される半導体レ
ーザーの波長である８３０ｎｍでの反射率の低下は、Ａ
ｌＡｕ膜の８６〜８２％の反射率より２％以内の低下幅
にとどまる。　０．３　ａｔ％より少いと、ＡＵを節約
したことによる熱伝導率の上昇分を補うことができない
。

さらに、ＡＵとＴｉの合計の含有量は、記録感度向上効
果が大きく、且つ反射膜の反射率の低下によるＣ／Ｎの
低下が軽微である１、０〜１５ａｔ％の範囲がより好ま
しい。

なお、Ａｌ８９＾ｕ８Ｔｉ３（添字は組成（ａｔ％）を
示す〉組成のＩＱＯＯＡＷＡ厚の合金膜においても電子
線回折において、Ａｌに混り＾ＩｔＡｕの回折リングが
認められた。また透過電子顕微鏡により該合金膜は数１
ＯＡから１００Ａ以内のきわめて微細な結晶の均一な集
合体であることが判った。比較試料として観察した膜厚
１０００＾のＡｌ膜、＾ｌ９９Ｔｉ、（添字は組成（ａ
ｔ％）を示す〉合金膜では結晶サイズが３０ＯＡから１
０００への間の種々の大きさのものが観察された０本発
明のＡｌＡｕ、　ＡｌＡｕＴｉ合金反射層を有する光記
録媒体の高耐久性は、不活性なＡｕの添加とともに、か
かるＷＡｍ成にも由来すると考えられる。

なお、以上の本発明の金属反射膜には経時安定性を更に
改善するために、Ｃ「、Ｎｂ、　Ｒｅなどの他の元素を
少量添加してもよい、この金属反射層の膜厚は２００〜
２０００人が好ましく、３００〜８００＾が更に好まし
い、厚すぎる場合には感度が低下し、薄すぎる場合には
反射膜の反射率が低下しＣ／Ｎが劣化する。

これら金属反射層の形成方法としては、公知の真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法
、ＣＶＤ法などが考えられるが、下地層との接着性、合
金組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法
が好ましい、また膜の堆積速度、スパッタガス圧などは
、生産性、膜応力を考慮し、適宜選択される。

本発明の光記録媒体としては、前述の光磁気記録媒体の
他、周知のコンパクトディスク、ビデオディスク等反射
膜を用いるものであれば特に限定されないことは本発明
の趣旨から明らかである。

中でも酸化し易い希土類元素等を含む記録層を用いる光
磁気記録媒体に特に好ましく適用できる。

ところで、この光磁気記録媒体の光磁気記録層としては
、光熱磁気効果により記録できるものであればよく、公
知の、膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、磁気光
学効果の大きい磁性金属薄膜、例えば前述のＦｅＴｂ合
金、ＦｅＴｂＣｏ合金、ＦｅＴｂＧｄ合金及びＮｄＤｙ
ＦｅＣｏ合金、等の希土類元素−遷移金属元素の非晶質
合金が代表例として挙げられる。

光磁気記録層の膜厚は１５０〜１０００入、好ましくは
２００〜５００Åである。

本発明における光磁気記録媒体は、その金属反射層が光
磁気記録層の光入射面と反対側に形成される点を除いて
その構成は特に限定されない、なお、金属反射層は光磁
気記録層上に直接設けても、またその上に記録感度、Ｃ
／Ｎ　、耐久性向上の目的で透明誘電体層を介して設け
てもよい。

本発明のＡｌＡｕ、　Ａｌ＾ｕＴｉ合金からなる金属反
射膜は光磁気記録層に接して直接設けた構成で、その記
録感度とＣ／Ｎにおいて実用上充分と云われる性能を示
し、上記透明誘を体層が不要となるので、この構成が生
産性と媒体コストの観点より好ましい。

一方前記の通り記録再生特性、更には耐久性の向上のた
めには、多少構成は複雑になるが、光磁気記録層と金属
反射層との間に透明誘を体層を設けた構成が好ましい、
各構成は必要に応じて選択される。

なお、光磁気記録層と金属反射層との間に、透明誘を体
層を設ける場合においては、この透明誘電体層は最適性
能を得るためにはその膜厚を６００Å以下と薄くする必
要があり、その断熱作用が小さくなるため、本発明は効
果的である。また、−数的に、該透明誘電体層が厚くな
る程、その断熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜の
＾Ｕ及びＴの含有量は少なくてよい。

本発明の光磁気記録媒体は、通常は基板と光磁気記録層
の間に、Ｃ／Ｎ向上、媒体の反射率低減、さらには透湿
防止の目的で透明誘電体層を設ける。

上記構成に用いる基板測、金属反射層側の両透明誘電体
層としては、その目的により光干渉効果、カー効果エン
ハンスメント等の効果を奏することが必要で、ある程度
以上の高屈折率を有することが好ましい、また使用する
レーザー光に透明であることが必要であり、透明誘電体
層としては公知の通り金属の酸化物、窒化物、硫化物、
炭化物、弗化物もしくはこれらの複合体が適用できる。

具体的には酸化ケイ素、酸化インジウム、酸化タンタル
、酸化アルミニウム、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウ
ム、チッ化チタン、硫化亜鉛、フッ化マグネシウム、フ
ッ化アルミニウム、炭化ケイ素及びこれらの複合物が挙
げられるが、これに限定されないことは言うまでもない
、なお、これらの誘電体は、Ｃ／Ｎの著しい低下のない
範囲で多少の光吸収があってもかまわない、そして、許
容される限度内の光吸収が生じる程度の金属元素を膜中
に含んでもよい、また、パリレン、ポリイミド、パラフ
ィンなど有機物も適用できる。また、これら透明誘Ｔｈ
体層は複数の誘電体層の積層されたものでもよい。

なお、光磁気記録層等の酸化し易い記録層に接する透明
誘電体層は、その酸化劣化防止の面より窒化物等の酸素
を含まないものが好ましい、中でも窒化シリコン、窒化
アルミニウム、アルミニウム・シリコン窒化物が膜質、
膜応力面から好ましく適用される。これら透明誘電体層
の膜厚は、媒体構成、屈折率により最適値が変化する０
例えば前述の光磁気記録層の両側に透明誘電体層を設け
た構成では基板と光磁気記録層との間の透明誘電体層の
膜厚によって、光磁気記録層と金属反射層との間の透明
誘電体層のｆｉ適膜厚も変化するので、一義的に決める
ことはできないが、通常は、基板と光磁気記録層との間
の透明誘電体膜厚が　３００〜１６００人程度、光磁気
記録層と金属反射層との間の透明誘電体膜厚が３０〜６
００人が好適に用いられる。しかしもちろん、これらの
膜厚範囲に限定されるものではない、これら透明透電体
層は常法により形成される０例えば前述の無機物よりな
るものは公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ビームスパッタリング法、ＣＶＤ法等で作製される。

また基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、４−メチルペンテン樹脂及
びそれらの変成品などが好適に用いられるが、機械的強
度、価格、耐候性、耐熱性、低透湿量の点でポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。

さらに、前記金属反射層上に無機材料からなる保護層を
設けることもできる。無機保護層を設けることにより、
高温高湿化の耐久性や、酸性ガス等の腐蝕性ガスに対す
る耐久性を更に改善することができる。この無機保護層
としては耐透湿性、ガスバリヤ性の良いものであれば特
に限定されないが、記録特性、耐久性面より熱伝導率が
低く、それ自身耐久性に優れているものが好ましく適用
される。かかる無機保護層としては、金属膜と誘電体膜
が挙げられる。金属膜は、それ自身の耐久性が充分高く
、かつ媒体の記録感度を低下させないために熱伝導率が
低いことが必要である。そのような特性を有する金属で
あれば特に限定する必要はないが、中でもＴｉ、　Ｃｒ
、旧及びこれらの合金からなる金属膜は特に好ましい、
なお、金属膜の膜厚は上記諸点より１０〜３００Åが好
ましく、更に好ましくは３０〜２５０Ａである。一方誘
電体膜は、熱伝導率が低く膜厚が厚くても記録特性への
影響が小さく、十分な保護ができる点で優れている。か
かる誘電体膜には前述のエンハンス層等として公知の透
明誘電体がそのまま適用できるが特に耐透湿性も良いと
いう点で窒化アルミニウム、窒化シリコン、アルミニウ
ム・シリコン窒化物の窒化物膜、酸化シリコン、酸化チ
タンの酸化物膜が好ましく、中でも窒化物膜が酸素が関
係しない点で好ましい、誘電体膜の膜厚は、その材料の
熱伝導度。

生産性、耐久性改善に及ぼす効果によって決められる。

一義的には言えないが、１０〜５００Ａ、好ましくは５
０〜３００Ａが好適に用いられる。

また、この無１１１保護層は光記録層、金属反射層の上
面だけでなく、それらの端部を覆うことによりその効果
は一層顕著になる。

前記無機保護層の形成方法としては、公知の真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、
ＣＶＤ法などが考えられるが、下地層との接着性、合金
組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法が
好ましい、また膜の堆積速度、ガス圧などは、生産性、
膜応力を考慮し、適宜選択される。

本発明の光記録媒体の基本構成は、基板／第一透明誘電
体層／光磁気記録層／第二透明誘電体層／金属反射層／
無機保護層を一例とし、第一、第二透明誘電体層と無機
保護層は、前記の如く、価格、生産性、記録感度、Ｃ／
Ｎ比、要求される使用環境における耐久性を考慮して適
宜省略され得るものである。さらに、この無機保護層又
は金属反射層上に、ダスト、指紋、腐食を加速する物質
、等の汚染、ａａ械的損傷等を防止する目的で、通常は
光又は／及び熱硬化型樹脂、あるいは熱可塑性樹脂から
なる有機保護層が数μｍ〜数＋μｍの厚さに塗布される
。また基板の光入射側には、媒体を高速回転させた時の
ダストとの接触により発生する傷を防止する目的で、硬
度の高い有機樹脂が数μｍ〜数＋μｍの厚さに塗布され
ることもある。

なお、有機ｆｉＡＭ層には静電気防止剤を含浸させても
いよい。

以上の構成（単板媒体）のディスクは、公知の通り、そ
のまま、あるいは保護平板、保護フィルム等と貼合わせ
て適当なケース（カセット）に入れて片面記録媒体とし
て使用することもあり、また２枚のディスクをホットメ
ルト接着剤、等で貼合わせて両面記録媒体として使用す
ることもある。

以下、光磁気記録媒体に適用した実施例を説明するが、
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

く実趨例１〜４．比較例〉 直径１３０閣、厚さ１．２−の円盤で１．６μｍピッチ
のグループを有するポリカーボネート樹脂（ＰＣ）製の
ディスク基板を、３ターゲツト設置可能な高周波マグネ
トロンスパッタ装置（アネルバ■製５ＰＦ−４３０Ｈ型
）の真空槽内に配置し、４×１ｏイＴｏｒｒになるまで
排気した。

次ニＡ「、Ｎ２の混合ガス（Ａｒ：　Ｎｚ　＝７０：　
３０ｖｏ１％）を真空槽内に導入し、圧力１０ｉ　Ｔｏ
ｒｒになるように＾「／Ｎ２混合ガス流量を調整した。

ターゲットとしては直径１００　ｃｍ、厚さ５ａｕａの
＾’５０”５０（以下、添数判よ組成（原子％）を示す
）の焼結体からなる円盤を用い、放電電力５００１４．
放電周波数１３．５６ＭＨｚで高周波スパッタリングを
行ない、ＰＣ基板を回転（自転〉させながら、透明誘電
体としてＡｌ５ｉＮ膜を８０ＯＡ堆積した。

続いて光磁気記録層として、Ｔｂ２１Ｆｅ７１Ｃ０８合
金ターゲットを用い、＾「ガス圧２１１ＴＯｒｒ、放電
電力１５０１４の条件で高周波スパッタリングを行ない
、約３００＾のＴｂＦｅＣｏ合金膜を堆積した。

更に引き続いて、＾１ターゲットを用い、適宜３−角Ｘ
１ｍ厚のＡｕチップをターゲット上に配し、Ａ「ガス圧
２１ＴＯｒｒ、放１！電力１００１４の条件で高周波ス
バ・ｙタリングを行い、表−１の実施例１〜４゜比較例
２の各組成で４００大の金属反射層を堆積し、ＰＣ基板
／＾ｌ５ｉＮ　／　ＴｂＦｅＣｏ／金属反射層の積層構
成の光磁気ディスクを得た。金属反射層の各Ａｌ合金膜
のＡｕ量はＡｌターゲット上のＡｕチップの数を変化さ
せて表１の実施例１〜４．比較例２の各組成に調整した
。

これら各層の形成時において、ＰＣ基板は２０ｒｐｍで
回転させた。

得られた光磁気ディスクは光磁気記録再生装置（ナカミ
チ■製０８３−１０００型）を用い、下記条件でＣ／Ｎ
と最適記録レーザーパワーを評価した。書込み時の半導
体レーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高調波が
最小となる時が最適記録条件とした。

［記録条件］ ディスク回転速度：　１ａｏｏｒｐＩＩ、記録トラック
位置二半径３０ｍ位置、記録周波数：　３．７ＭＨｚ、
記録時の印加磁界＝５００エルステッド ［再生条件］ ディスク回転速度：　１８００ｒｌ）ＩＩ　、読出レー
ザーパワー：　１．２１１Ｗ 記録感度の指標となる最適記録レーザーパワー及びＣ／
Ｎの測定結果を表−１に示す。

なお、表−１の比較例１は金属反射層以外は実施例１〜
４と同じ構成で、金属反射層を実施例１〜４のＡｕチッ
プを除去して形成したＡｔＪを含有しない単なるＡｌ反
射膜を有する光磁気ディスクである。

またその最適記録レーザーパワーの欄の２０１′ｌＩ４
以上は、用いたレーザーの最大出力１０１Ｗでも記録で
きず、ディスク回転速度を上述の半分に低下して最大出
力１０旧で記録した時少しの再生信号が得られたことを
表わしたものである。

表−１ また実施例１〜４と比較Ｐ！４１のディスクの金属反射
層上に、スピンコーターで紫外線硬化型の７エノールノ
ボラツクエボキシアクリレート樹脂を塗布し、その後紫
外線照射により硬化させ、約２０μｍの有機保護層を設
けた。これらのサンプルを、温度８０℃、湿度８５％の
条件で１０００時間の加速劣化試験を行ない、その間の
ピンホール数の増加で評価したところ、実施例３．４で
は全く変化が見られなかったが、実施例１では１５個、
実施例２では１０個の増加が観察された。比較例１では
ピンホールが多数発生し、増加数は計数できなかった。

なお、同時にこの有機保護層を設けた各側の最適記録レ
ーザーパワー、Ｃ／Ｎを測定したところ、各側ともＣ／
Ｎは表−１と同じで変化なかったが、最適記録レーザー
パワーは表−１に対して約０．８１賀増加することがわ
かった。すなわち有機保護膜は耐久性向上に有利である
が記録感度面からは不利であることがわかった。

〈実施例５〉 金属反射層を、実施例１〜４のＡｌターゲッかえて均一
な組成分布を面方向、厚さ方向と有する１００ｆｉφＸ
５ｍ＋厚ＡｌＡｕＴｉ合金ターゲッ用いて、実施例１〜
４と同じ高周波スパッタトに もに トを リン グで形成した＾’９０．７Ａｕ７．２　Ｔｉ２．１合金
膜とした以外は実施例１〜４と同じ構成の光磁気記録デ
ィスりを実施例１〜４と同様にして作製した。実施例１
〜４と同じように評価し、最適記録レーザーパワー５．
７−でＣ／　Ｎ　＝　４６．８ｄＢを得た０表−１と比
較して判断される様に、実施例４のＡｕ１５ａｔ％並の
記録感度であり、Ｃ／Ｎも良好であった。

以上の実施例に示した如く、本発明の＾Ｕ更にはＴｉを
含有したＡｌ合金からなる金属反射膜ではＣ／Ｎ、ｒｔ
Ａ度が優れ、かつ耐久性も高い光磁気記録媒体を得るこ
とができた。特に、上記の実施例１〜５の構成媒体では
、＾Ｕ又はＡｕと１１の合計の含有量が３．０ａｔ％以
上の範囲では、最適記録レーザーパワーの低下すなわち
記録感度の向上が顕著で、Ｃ／Ｎも良好である。

〈実施例６〜１１．比較例３．４〉 実施例１〜５の積層構成において、その光磁気記録層と
金属反射層との間に第２の透明誘電体層を設けた、基板
／第１の透明誘電体層／光磁気記録層／第２の透明誘電
体層／金属反射層／有機保護層の積層構成の光磁気記録
媒体を以下のように金属反射層を替えて作成し、前述の
実施例と同様に評価した。

直径１３０　ｅｔｍ、厚さ１．２　ｔａｎの円盤で１．
６μｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂
（ＰＣ）製のディスク基板を、３ターゲツト設置可能な
高周波マグネトロンスパッタ装置（アネルバ■製５ＰＦ
−４３０８型）の真空槽内に配置し、４×１０イＴｏｒ
ｒになるまで排気した。

次にＡ「、Ｎｚの混合ガス（Ａｒ：　Ｎ２　＝７０：　
３０ｖｏ１％）を真空槽内に導入し、圧力１０１　Ｔｏ
ｒｒになるように＾「／Ｎ２混合ガス流量を調整した。

ターゲットとしては直径１００　ａｍ、厚さ５ｍの＾’
３０”’７０の焼結体からなる円盤を用い、放電電力５
ＯＯＷ、放電周波数１３．５６ＭＨｚで高周波スパッタ
リングを行ない、ＰＣ基板を回転（自転）させながら、
第１の透明誘電体層としてＡｌ５ｉＮ膜を１２００Å堆
積した。

続いて光磁気記録層として、Ｔｂ２１Ｆｅ７１Ｃ０８合
金ターゲットを用い、＾「ガス圧２ｉＴｏｒｒ、放電電
力１５０１４の条件で高周波スパッタリングを行ない、
約２２５ＡのＴｂＦｅＣｏ合金膜を堆積した。

次いで第１の透明誘電体層と全く同じようにして第２の
透明誘電体層としてＡｌ５ｉＮ膜を４００Å堆積した。

更に引き続いて、実施例５の＾ｌＡｕＴｉ合金ターゲッ
ト（実施例１１）、及びＡｌターゲット上に適宜３閤角
×１圓厚のＡｕチップ（実施例６〜１０）及びＴｉチッ
プ（比較例４）を配した複合ターゲットを用い、＾ｒガ
ス圧２ｎＴｏｒｒ、放電電力１００１４の条件で高周波
スパッタリングを行い、表−２の実施例６〜１１、比較
例４の各組成で６００人の金属反射層を堆積し、ｐｃ基
板／Ａｌ５ｉＮ　／ＴｂＦｅＣｏ／Ａｌ５ｉＮ　／金属
反射層の積層構成の光磁気ディスクを得た。金属反射層
の各６１合金膜のＡｕ、　Ｔｉの量はＡｌターゲット上
のＡｕ、　Ｔｉのチップの数を変化させて表２の実施例
６〜１０．比較例４の各組成に調整した。

これら各層の形成時において、ＰＣ基板は２０ｒｐＨで
回転させた。

なお、表−２の比較例３は金属反射層以外は実施例６〜
１１と同じ構成で、金属反射層を比較例１と同じように
して形成したＡｕを含有しない単なるＡｌ反射膜を有す
る光磁気ディスクである。

そして、得られた各光磁気ディスクの金属反射層上に、
スピンコーターで紫外線硬化型のフェノールノボラック
エポキシアクリレート樹脂を塗布し、紫外線硬化ささせ
、約２０μｍの有機保護層を設けた。得られた各光磁気
ディスクについて実施例１〜４と同様にＣ／Ｎと最適記
録レーザーパワーを評価した。その結果を表−２に示し
た。

次に得られた各光磁気ディスクのサンプルを実施的１〜
４と同様に温度８０℃、相対湿度８５％の条件で１００
０時間の加速劣化テストを行った。そしてテスト後のテ
スト前に対する目視によるピンホールの増加数で評価し
た。その結果を表−２に示した。

表 ２ 表−２より比較例３では、ＴｂＦｅＣｏの光磁気記録層
と金属反射層との間に設けた第２の透明誘電体層のＡｌ
５ｉＮ　Ｈの断熱作用の効果で、比較例１と異り記録可
能であったが、依然としてｆｉｌ［記録レーザーパワー
が大きく、Ｃ／Ｎが低く、特に耐久性が劣ることがわか
る。又比較例４は最適記録レーザーパーワー、Ｃ／Ｎの
面では問題ないが、比較例３同様に耐久性が劣る。

これに対し、実施例のＡｕをｏ、ｓ　ａｔ％以上含有す
るＡｌＡｕ合金からなる金属反射層では記録感度（最適
記録レーザーパワー）、Ｃ／Ｎ及び耐久性の面での改善
が得られ、耐久性面でも問題のない光磁気ディスクが得
られた。特に＾Ｕ又は＾Ｕと１１の合計の含有Ｉが１゜
０ａｔ％以上の範囲では記録感度の向上が顕著でＣ／Ｎ
　、耐久性も良好である。かかる効果の点で＾ＵとＴｉ
の合計の含有量は１．０〜１５．０ａｔ％が特に好まし
い。

又、実施例１〜５との比較から、第２の透明誘電体層を
設けると積層構成は若干複雑となるが、最適記録レーザ
ーパワーでＩＩＷ以上低下し、Ｃ／Ｎで０．４〜１．０
ｄＢ程度の改善が得られると同時に、耐久性面でも大巾
な改善が得られることがわかる。

く実施例１２〉 金属反射層まで実施例１１と全く同様に形成し、次いで
その金属反射層のＡｌＡｕＴｉ合金膜上に更に無機保護
層としてＡｌ５ｉＮ膜を実施例１１の第１．第２の透明
誘電体層と全く同様にして２００Å形成し、更に実施例
１１と同じようにして該＾ｌ５ｉＮの無機保護層上に約
２０μｍの実施例１１と同じ有機保護層を設けて、基板
／第１の透明誘電体層／光磁気記録層／第２の透明誘電
体層／金属反射層／無機保護１／有機保護層の積層構造
の光磁気ディスクを作製し、実施例６〜１１と同じよう
に評価した。最適記録レーザーパワーは５．５ｍＷ、　
Ｃ／Ｎは４７．６ｄＢで実施例１１と同じ結果であった
。

加速劣化テストは、温湿度は前述までの実施例と同じ８
０℃、８５％ＲＨの条件で、テスト時間は３０００時間
とし、実施例１１のサンプルと共に評価した。

その結果実施例１１では中心孔近傍のグループのないフ
ラットな非記録部に多数のピンホールの発生が認められ
た。これに対し無機保護層上の本例ではかかるピンホー
ルの発生は全くなく、耐久性面で一層の改善が得られる
ことがわかった。

〈実施例１３〉 実施例１２で得られた２枚のサンプルをその保護層側で
ホットメルト接着剤により貼合わせて両面記録の光磁気
ディスクとし、これまでの実施例と同様に評価した。こ
の両面記録媒体のＣ／Ｎと記録感度は実方龜例１２と測
定誤差範囲内で同じであり、良好であった。加速劣化テ
ストは実施例１２と同じ３０００時間行なったが、ピン
ホールの発生は実施例１２と同様全くなかった。又タス
クテクノロジーー製のエラーレートテスターを用い、こ
の加速劣化テスト前後の記録面全体のバイトエラーレー
トの変化を評価したところ、テスト後のそれはテスト前
に対して両面それぞれ実用上許容範囲の２倍以下の１．
５倍と１．８倍の変化であった。更に耐久性評価として
６０℃、９５％ＲＨの雰囲気でスタートし、６０℃と一
２５℃との間の環境変化を１サイクル２日でくりかえし
行うサイクルテスト（ＺＡＤテスト〉を２０サイクル行
ったが、バイトエラーレートは４×１０４と２Ｘ１０（
のままで変化なく、非常に耐久性に優れていることが確
認された。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）金属反射層を有する光記録媒体において、該金属反
   射層がＡｌにＡｕを０．５〜２０ａｔ％含有せしめたＡ
   ｌＡｕ合金からなることを特徴とする光記録媒体。 ２）金属反射層を有する光記録媒体において、該金属反
   射層がＡｌにＡｕを０．５〜１５ａｔ％含有せしめ、さ
   らにＴｉを０．３〜５．０ａｔ％含有せしめたＡｌＡｕ
   Ｔｉ合金からなることを特徴とする光記録媒体。 ３）前記ＡｕとＴｉの合計の含有量が１．０〜１５ａｔ
   ％である請求項第２項記載の光記録媒体。 ４）前記金属反射層が光記録層に接して設けられた請求
   項第１項、第２項もしくは第３項記載の光記録媒体。 ５）前記金属反射層と、光記録層の間に透明誘電体層が
   設けられた請求項第１項、第２項もしくは第３項記載の
   光記録媒体。 ６）前記金属反射層上に無機保護層を設けた請求項第１
   項、第２項、第３項、第４項もしくは第５項記載の光記
   録媒体。 ７）光記録層の金属反射層と反応の側に透明誘電体層を
   設けた請求項第１項、第２項、第３項、第５項もしくは
   第６項記載の光記録媒体。 ８）光記録層が、光磁気記録層であることを特徴とする
   請求項第１項、第２項、第３項、第４項、第５項、第６
   項もしくは第７項記載の光記録媒体。