JPS63176185A - 情報記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な情報記録材料に関するものである。さら
に詳しくいえば、不発明は、基板上に設けられた記録層
にレーザー光のような活性光を照射し、照射部分の反射
率変化を利用して情報記録するための材料において、特
に長期安定性に優れた情報記録材料に関するものである
。

従来の技術 これまで、記録可能な情報記録材料としては、基板上に
所定の記録材を設け、レーザー光を照射して、情報に応
じた孔を形成させる方式のものと、レーザー光照射によ
り光学特性ｅＫ化させ、この光学特性の変化によって生
じる反射率の変化を利用する方式のものなどが知られて
いる。

後者の光学特性の変化を利用する方式は、孔を形成させ
る方式に比べて、記録層の溶融、分散あるいは蒸発とい
う過程を必要としないために、記録ピットの形状を制御
することが容易であるという利点を有している。

ところで、この方式の情報記録材料においては、レーザ
ー光により記録される部分と未記録部分との反射率に関
係するコントラストを同上させるために、記録層に反射
層を積層して２層構造とすることがよく行われている。

このような記録層に反射層を積層して２層構造とした記
録材料の中でも、特に、該記録層がＳｂ、Ｔｅ及びＧｅ
の３元素から成シ、かつ反射層がｓｂで構成された記録
材料（特願昭６０−２９０６９２号）が、記録再生時の
ノイズが低く、かつ高Ｓ／Ｎであり、また長期寿命の観
点からも信頼性が高く、好ましい。

しかしながら、記録層に反射層を積層した情報記録材料
においては、両層の積層による光の干渉効果を利用して
、コントラストの向上を図っているため、製造過程で、
例えば記録層や反射層の膜厚が１０％程度ばらつくと、
反射率が数１０％という大きい幅で変動するようになる
し、またディスク面内での膜厚のばらつきがあると、デ
ィスク面内で反射率が局所的に変わり製品、精度が低下
するので製造の際には、記録層や反射層の膜厚のばらつ
きをできるだけ少なくしなければならない。

さらに、レーザー光による記録の際に、反射層への熱の
逸散があるため感度低下を免れないし、また、記録層と
反射層とを接着剤層やポリマ一層を介して積層し、全面
接着構造とした場合には、この接着剤層やポリマ一層に
も熱が拡散してさらに感度が低下し、ときには半導体レ
ーザーによる記録を行うことができなくなるなどの問題
を伴う。

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、このような事情のもとで、記録層と反
射層との膜厚を適切に調整することによシ、高感度化し
、全面接着構造においても半導体レーザーによる記録を
可能とし、かつ製造時に該膜厚が多少ばらついても、例
えば反射率などの特性上のばらつきが発生しないような
、優れた特徴を有する、記録層に反射層全積層した構造
の情報記録材料を提供することにある。

問題点を解決するための手段 不発明者らは、まず感度を改善するために、記録層と反
射層との間の膜構成について、熱逸散の原因となる反射
贋金薄層化する点を検討し、鋭意研究を重ねた結果、該
反射層の膜厚を薄くすることによシ、大幅に感度を向上
させることが可能であること、該記録層と反射層の膜厚
がそれぞれある範囲においては、反射率がほぼ一定であ
ること、及び記録層が特定の元素組成から構成され、か
つ反射層が特定の元素から成るものは記録再生特性がｌ
丘ぼ一定で、長期安定性に優れていることを見い出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、基板上に、加熱により光の吸収係
数が変化する材料から成る記録層を設け、さらにこの記
録層の上又は下に金属性薄膜反射層を設けた情報記録材
料において、該記録層が５５（１〜１２００　Ｘの膜厚
を有しかつ少なくとも一般式％式％（） （ただし、又は０．１〜０．４、ｙは０．５〜０．８の
範囲の数である） で示される組成を含むものであり、該金属性薄膜反射層
が３０〜３００Ｘの膜厚を有し、かつｓｂを主体とした
ものであることを特徴とする情報記録材料を提供するも
のである。

本発明の情報記録材料における記録層は、少なくともＳ
ｂ、Ｔｅ及びＧｅの３元素から成っており、これらの元
素の組成比は、一般式 ％式％（１） で表わした場合、Ｘが０．１〜０．４、ｙが０．５〜０
．８の範囲である。Ｘの値が０．１未満では加熱による
吸収係数の変化が小さく、十分なコントラストが得られ
ない上に、温度や湿度に対する安定性も低く、また、０
．４を超えると十分な相変態が生じにくく、記録を十分
に行うことができなくなる。

一方、ｙの値が帆８に超えると加熱による吸収係数の変
化が低温で生じるようになシ、室温においても変化が生
じやすくなるし、また０、５未満ではコントラストが極
端に低く、かつＳ／Ｎ比も低い。

さらに、実用的な観点から、長時間にわたって同一個所
に情報読み出しビームを照射し続けることも生じるが、
このような長時間再生時には、読み出しビームによる熱
が蓄積され、その熱によって未記録部分も徐々に記録部
分と同一状態に近づき、その結果再生信号の振幅が減少
して、Ｓ／Ｎ比やエラレートが徐々に低下する傾向があ
る。したがって、このような長時間再生に対する安定性
を考慮し、さらに感度及びＳハ此のバランスをとるため
には、前記Ｘの値が０．２〜０．３の範囲、ｙが０．６
〜０．７の＠囲にあることが実用上鏝も好ましい。

本発明においては、前記記録層の膜厚は５５０〜１２０
０　Ｘの範囲にあることが必要であり、また、該記録層
に積層する反射層は主としてｓｂよシ成シ、かつその膜
厚は３０〜３００Ｘの範囲にあることが必要である。

膜厚が前記範囲全逸脱すると、記録感度が低下したシ、
膜厚が数１ｏＸ変化しただけで、反射率が十数チ変化す
る。

該記録層と反射層の膜厚が前記範囲内であれば、膜厚が
それぞれ数１０Ｘ以上変動しても、反射率はほとんど変
化しない。この理由については必ずしも明確ではないが
、次のことが考えられる。すなわち、干渉後の反射率は
積層する膜の光学定数と膜厚とによって決まり、該薄膜
の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）は膜厚に依存する
ことが一般に知られているが、当該記録層及び反射層の
場合は、記録層の光学定数Ｃｎ（ｄ）、ｋ（ｄ）〕の膜
厚による変化、及び反射層の光学定数［ｎ’（ｄ）、ｋ
’（ｄ）］の膜厚による変化が相俟って、該領域におい
てたがいに補償し合い、反射率が一定となる干渉条件が
満足されているためと思われる。

本発明の情報記録材料においては、該記録層としてＳｂ
、　Ｔｅ及びＧｅの３元素のみから成るものを用いても
実用的には十分であるが、必要に応じて他の元素を本発
明の目的をそこなわない範囲で添加することもできる。

さらに反射層として用い′るｓｂについても同様に、本
発明の目的金そこなわない範囲で他の元素を添加するこ
とができる。

前記の（ＳｂｘＴｅ夏−ｘ）ｙＧθ夏−ｙの記録層及び
生としてｓｂから成る反射層は、例えば真空蒸着やスパ
ッタリングなどの成膜法によって形成することができる
。該記録層の組成のコントロールには、真空蒸着の場合
は、３元共蒸着法や、あるいは特定ｍ成の蒸着物をフラ
ッシュ蒸着法によって行うのが好ましく、また、所望の
組成によっては、２元共蒸Ｈ法で行うこともできる。

他方、スパッタリングの場合は、特定組成のターゲット
材料を用いたシ、１つの元素あるいは合金のターゲツト
材の上に、他の元素ある込は合金の破片を置いて行うの
が有利である。

真空蒸着法によって膜形成を行う場合には、真空度は１
０””　〜１Ｏ−６ＴＯｒｒの範囲、蒸着速度は０．５
〜２０Ｘ／秒の範囲が好１しく、また基板温度としては
特に制限はないので、室温が望ましい。

一方、スパッタリング法による場合は、主としてアルゴ
ンガス雰囲気下において、０．５〜５０ｍＴｏ　ｒｒの
圧力下で、ＲＦマグネトロンスパッタリング法やＤｏマ
グネトロン法を用いて成膜される。

換金形成する基板は温度が上昇しゃすい場合は冷却した
方がよい場合がある。

本発明においては、記録層と反射層から成る情報記録材
料を単独で用いてもよいが、情報記録材料の少なくとも
上又は下に金属化合物からなる層を設けるのが、特注の
経時的な劣化を防ぐ意味で好ましい。

特に、コンピューターメモリなどのコード化されたデジ
タル情報の記録用媒体として用いる場合には、局部的な
膜質の変化であっても、エラーが大幅に増加するので、
劣化防止として金属化合物の層を設けることは、甑めて
有効である。

本発明に用いる金属化合物としては、Ａｔ、　Ｃ！ｒ。

Ｓｉ、　Ｚｒ、　Ｔｉ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｔｅ、　ｖ
、Ｈｆ、　Ｌａ＋　Ｓｍ。

Ｙ、　Ｔａ、　ＭＯの中から選ばれた元素の酸化物若し
くは窒化物が好ましく、この中でも特にｓｌの酸化物若
しくは窒化物が好ましい。これらの金属化合物層を、情
報記録材料の少なくとも上又は下に設けると、空気中や
基板中から記録層１ちるいは反射層に浸透してくる水や
酸素などの侵入が防止され、記録材の劣化が大幅に抑制
される。特にＳｌの酸化物あるいは窒化物がこの効果に
優れている。

本発明に用いる金属化合物層は、同一金属化合物の単一
層又は２種以上の金属化合物の積層のどちらでもよい。

記録層若しくは情報担体層の上下両方に設ける場合、上
下の金属化合物の種類は、同じであっても異なってもよ
い。金属化合物層の膜厚は５０〜５０００　Ｘの範囲が
感度の点で、好ましい。

前記金属化合物層は、記録層や反射層と同様、真空蒸着
、スパッタリングなどの蒸着法を用いて形成することが
゛できる。

本発明における基板としては、ガラスやガラス上に光硬
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ四指、ポリスチレンなどのプラスチック基
板、アルミニウム合金などの金属板などが用贋られる。

第１図ないし第４図は、本発明の記録材料のそれぞれ異
なった構造例を示す断面図であシ、１は基板、２は記録
層、３はＳｂよ構成る反射層、４は金属化合物層である
。

図中の矢印はそれぞｎの構成に対する記録レーザー光の
入射方向を示す。

本発明の記録材料を実際に情報記録媒体として用いる場
合は、基板上に記録材を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化した、いわゆるエアーサンドインチ
構造や、２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互い
に対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接
着し一体化させた、いわゆる全面接着構造、あるいはこ
れらとは全く異な９、フィルム状のシートの上に記録材
を設け、このシートをロール状に巻いた構造などいずれ
の構造にしてもよい。

また、本発明の情報記録材料に情報を記録するだめの加
熱手段としては、レーザー光や電子ビームなどのエネル
ギービームの照射が好適である。

発明の効果 本発明の情報記録材料は、記録感度が高く全面で接着し
一体化させた、いわゆる全面接着構造であっても、半導
体レーザーによシ十分記録可能であシ、また製造時に膜
厚のばらつきが存在しても反射率や記録再生特性が変動
することがなく、製造上極めて有利なものである。

実施例 次に実施例によシ本発明をさらに詳細に説明する。

比較例１ 射出成形によムあらかじめ溝（深さ７００Ｘ、巾０．５
　ｔｔｍ、ピッチｔ、６μｍ）を設けた厚さ１．５龍、
直径３０５ｎφのアクリル基板上に、スパッタリング法
によシ、ＳｉＯｘ　、　８１）。、７ｓ　’ｒＥ３０．
５２５０ｅ６．ｎｏ、ｓｂ及びＳｉＯｘ層の順に計４層
の薄膜を積層させた。

下層ＳｉＯｘ層は反応性スパッタリングによシガス圧２
ｍＴｏｒｒ　で膜厚が約５００Ｘになるように、Ｓｂ０
．１７５　ＴｅＯ，Ｓ２５　ａｅｏ、ｎｏ層はガス圧５
　ｍ　Ｔｏｒｒで膜厚が約２５０Ｘになるように、ｓｂ
反射層はガス圧５ｍＴｏｒｒ　で膜厚が約３５０Ｘにな
るように、上層ＳｉＯｘ層は下層ＳｉＯｘ層と同様に反
応性スパッタリングによシガス圧２ｍＴｏｒｒで膜厚が
約５００Ｘになるように形成した。

このサンプルを、感材面には何の接着剤やポリマ一層を
塗布しない中空エアーサンドインチ構造とし、９００　
ｒｐｍで基板回転させ、透明な基板越しに半導体レーザ
ー（波長８３０　ｎｍ　）の光を集光させて照射し、変
調周波数３’ＭＨｚ　　、デユーティ−比ｌ対ｌの矩形
パルス波形信号で書き込んだ。

この際、円板上内周部直径１４０１ｍ、及び外周部直径
２８０ｇｍのところに書き込み、信号の再生はレーザー
光出力を１．２　ｍ　Ｗに低下させ、連続出射光で形成
記録ビット上を照射することによって行った。

このときの、再生信号において入力周波数と同じデユー
ティ−比１対１が得られる記録に要する記録パワーであ
る記録感度を求め、また、スペクトルアナライザー（バ
ンド巾３０ＫＨｚ、ビデオバンド巾１００Ｈｚ）により
搬送信号対雑音比（Ｃ７Ｎ比）を測定した。

また、直径３０５龍φの円盤面内におけるレーザー光入
射側からの反射率全面内平均反射率、面内の最大反射率
と最小反射率との差を面内反射率ばらつき値として評価
した。

比較例１の緒特性のまとめを第１表に示す。

特性の目標値は、感度９ｍＷ以下、ＣＩＮ　５３ｄＢ以
上、反射率のばらつき３％以下である。

第１表 反射率ばらつきの原因を調べたところ、（Ｓｂｘ　Ｔｅ
＋−ｘ　）ｙＧｅ＋−ｙ層とｓｂ層の膜厚がｓｏＸはど
ばらつきがあることが原因であった。

比較例１サンプルを以下の方法で直接感材面同士を全面
で貼シ合わせる全面接着構造とし、第１表と同項目の評
価を行った。

壕ず、２枚の基板上の感材面上にロールコータ−によシ
ホットメルト接着剤全直接塗布し、熱プレス機で感材面
に塗布した接着剤同士を対向させプレス圧着させ、全面
接着ディスクを作成した。

平均反射率、反射率ばらつきは中空エアーサンド構造の
ものと変わらなかったが、感度は大巾に低下し、１４０
φで８ｍＷ、２８０φでは１１ｍＷ以下で再生信号のデ
ユーティ−比ｌ対ｌが得られなかった。

比較例２ 射出成形によシ、あらかじめ溝（深さ７００Ｘ、巾０．
５μｍ、ピッチ１．６μｍ）全設けた厚さ１．５朋、直
径３０５１φのアクリル基板上にスパッタリング法によ
り、　ＳｉＯｘ、　８１）０．１７５　Ｔｌ９０，５２
５　Ｃ）ｅＯ，３０。

ｓｂ及び５ＩＣ１ｘ層の順に計４層の薄膜を積層させた
。

下層ＳｉＯｘ層は反応性スパッタリング法によりガス圧
２ｍＴｏｒｒで膜厚的５００　Ｘ　、　Ｓｂｏ、ｕｓ　
ＴｅＯ，５２５Ｇｅ０．３層層はガス圧５　ｍＴｏｒｒ
で膜厚約２８０ス、ｓｂ反射層はガス圧５　ｍ　Ｔｏｒ
ｒで膜厚的２５０　Ｘ、上層８１０Ｘ層は下層と同様に
反応性スパッタリング法によシガス圧２　ｍＴｏｒｒで
膜厚的５００Ｘで形成した。

このサンプルを比較例１と同様にまず中空エアーサンド
構造とし、同様な評価を行った。

その結果を第２表に示す。

第２表 反射率ばらつきは、比較例１と同様に膜厚ばらつきかり
因であった。

比較例２のサンプルを、比較例１と同様に全面接着構造
とし、同項目の評価を行った。

その結果を第３表に示す。

第３表 感度が低下する他は同特性であったが、感度、反射率ば
らつきが目標値に達していない。

比較例３ 射出成形により、あらかじめ溝（深さ７００ｘ、巾０．
５μｍ、ピッチ１．６　μｍ　）を設けた厚さ１．５ｍ
ｍ、直径３０５１１１φのアクリル基板上にスパッタリ
ング法により、　ＳｉＯｘ、　ＳｂＯ，ｌ？５　Ｔ’ｅ
ｏ、ｓｚｓ　（）ｅｏ、ｓｏ、ｓｂ及びＥｔ　ｉｏｘ層
の順に４層の薄膜全積層させた。

下層ＳｉＯｘ層は反応性スパッタリング法によりガス圧
２ｍＴｏｒｒ　で膜厚的５００　Ｘ　、　ｓ’ｂｏ、、
７５Ｔｅ０．５２５ｏｅｏ、ｓｏ層はガス圧５ｍＴｏｒ
ｒで約５３０１．　ｓｂ反射層はガス圧５ｍＴｏｒｒで
膜厚的１６０Ｘ、上層ＳｉＯｘ層は下層と同様に反応性
スパッタリング法によりガス圧２ｍＴｏｒｒで膜厚的５
００Ｘで形成した。

このサンプルを比較例１と同様にまず中空エアーサンド
構造とし、同様な評価を行った。

その結果を第４表に示す。

第↓表 反射率ばらつきは、比較例１と同様に膜厚ばらつきが原
因であった。

比較例３のサンプルを、比較例１と同様に全面接着構造
とし、同項目の評価を行った。

その結果を第５表に示す。

第　　　　５　　　　表 感度が低下する他は同特性であシ、感度は目標値に到達
したが、反射率ばらつきのみ目標値に到達しなかった。

実施例１ 射出成形法により、あらがじめ溝（深さ７ｏｏＸ巾０．
５　μｍ、ピッチ１．’６μｍ）を設けた厚さ１．５龍
、直径３０５１１φのアクリル基板上にスパッタリング
法によＦ）　、　ＳｉＯｘ　、　Ｓｂｏ、＋７ｓ　Ｔ１
３０．５２５　Ｇｅｏ、ｇｏ、ｓｂ及びＳｉＯｘ層の順
に計４層の薄膜を積層させた。

下層５ＬＯｘ層は反応性スパッタリング法にょシガス圧
２ｍＴｏｒｒで膜厚的５００　Ｘ　％Ｓｂｏ、１７５　
Ｔｅ６．５２６Ｇ　８０．８０層はガス圧５ｍＴｏｒｒ
で約７００Ｘ、　ｓｂ反射層はガス圧５ｍＴｏｒｒで膜
厚的１３０Ｋ、上層ＳｉＯｘ層は下層と同様に反応性ス
パッタリング法にょ夛、ガス圧２ｍＴｏｒｒで膜厚的５
００　Ａで形成した。

このサンプルを比較例１と同様に中空エアーサンド構造
とし、同項目の評価を行った。

その結果を第６表に示す。

第６表 反射率ばらつきは、（ＳｂｘＴｅ＋−ｘ）ｙＧｅＩ−ｙ
層、ｓｂ反射層の膜厚ばらつきが、比較例と同様にある
にもかかわらず、３チ以下の目標値が得られた。

この原因を調べるため、（ＳｂｘＴｅ＋−ｘ）ｙＧｅｔ
　−ｙ膜厚とｓｂ膜厚に関して反射率のマツプを作成し
たところ、第５図が得られた。すなわち、（ＳｂｘＴｅ
＋−ｘ）ｙＧｅ＋−ｙの膜厚、ｓｂの膜厚が変動しても
、反射率Ｒ＝２４％でほぼ一定の三角形状の領域が存在
するためであることがわかった。

実施例１のサンプルを比較例１と同様に全面接着構造と
し、同項目の評価を行った。

その結果を第７表に示す。

第表 全面接着構造でも、感度、Ｃ／Ｎ、反射率ばらつきすべ
ての項目で目標値を達成させることができた。

実施例２ 射出成形法により、あらかじめ溝（深さ７００　！、巾
０．５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を設けた厚さ１．５龍
、直径３０５１１１φのアクリル基板上にスパッタリン
グ法により、５１０Ｘ　、　ＳｂＯ，１７５Ｔｅ０．５
２５　Ｇｏ（１，８（Ｉ　１１ｓｂ及びＳｉＯｘ層の順
に計４層の薄膜を積層させた。

下層のＳｉＯｘ層は反応性スパッタリング法によ９ガス
圧２ｍＴｏｒｒで膜厚約５００ス、ＳｂＯ，ｌ７５Ｔｅ
ａ、５２５Ｃ）ｅｏ、ｇｏ層は、ガス圧１ｍＴｏｒｒで
約６５０　Ｘ　。

ｓｂ反射層はガス圧１ｍＴＯｒｒで膜厚約１３０　Ｋ　
、上層ＳｉＯｘ層は下層と同様に反応性スパッタリング
法によりガス圧２ｍＴｏｒｒで膜厚約５００Ｘで形成し
た。

このサンプル全比較例１と同様に中空エアーサンド構造
とし、同項目の評価を行った。

その結果を第８表に示す。

第　　　　８　　　　表 反射率ばらつきは、記録層（Ｓｂｘ　Ｔｅ＋−ｘ）ｙＧ
ｅｌ−ｙ、反射層Ｓｂ層の膜厚ばらつきがそれぞれ比較
例と同様にあるにもかかわらず、３％以下の目標値が得
られた。この原因音調べるため、実施例】と同様に（Ｓ
ｂｘＴθ＋−ｘ）ｙｓｂ＋−ｙ膜厚とｓｂ膜厚に関して
反射率マツプを作成したところ、第６図が得られた。す
なわち、記録層（Ｓ″ｂｘ　Ｔｅ　＋−ｘ）ｙＧｅ　ｌ
−ｙの膜厚、反射層Ｓｂの膜厚が変動しても、反射率２
４％一定の三角形の領域が存在するためであることがわ
かった。

実施例２のサンプルを比較例】と同様に全面接着構造と
し、同項目の評価を行った。

その結果を第９表に示す。

第９表 全面接着構造でも、感度、Ｃ／Ｎ、反射率ばらつきすべ
ての項目の目標値を達成させることができた。

実施例３ 射出成形法により、あらかじめ溝（深さ７００ス、巾０
．５μｍ、ピッチ１６μｒｎ）を設けた厚さ１．５μｍ
、直径３０５正φのアクリル基板上にスパッタリング法
によＰ）　、　　ＳｉＯｘ　、　Ｓｂｏ、ｕｓ　Ｔ’ｅ
０．５２５　（）ｅｏ、Ｉｌｏ　。

ｓｂ及びＳｉＯｘ層の順に計４層の薄膜を積層させた。

下層の８１０１層は反応性スパッタリング法によりガス
圧２　ｍ”ｒｏｒｒで膜厚約５００　Ｘ　、　Ｓｂｏ、
１７ｓＴｅｏ、ｓ２ｓ　Ｇｅｏ、３ｏ層はガス圧５ｍＴ
ｏｒｒで約６３０　Ｘ　。

ｓｂ反射層はガス圧１ｍＴｏｒｒで膜厚約１３０Ｘ、上
層ＥｉｉＯＸ層は下層と同様に反応性スパッタリング法
によりガス圧２ｍＴｏｒｒで膜厚約５００スで形成した
。

このサンプルを比較例１と同様に中空エアーサンド構造
とし、同項目の評価を行った。

その結果を第１０表に示す。

第１０表 実施例１．２と同様に、膜厚のばらつき存在下でも反射
率ばらつき３％以下が得られた。

実施例２のサンプルを比較例１と同様：ｔこ全面接着構
造とし、同項目の評価を行った。

その結果を第１１表に示す。

第　　１１　　表 全面接着構造でも、感度、Ｃ／Ｎ、反射率ばらつきすべ
ての項目で目標値を達成させることができた。

実施例４ 射出成形法によシ、あらかじめ溝（深さ７００　Ｘ、巾
０．５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を設けた厚さ１．５１
１ｊＩ、直径３０５Ｉｌ１ｍφのアクリル基板上に蒸着
法により、ＳｉＯｘ　、　Ｓｂｏ、＋７ｓ　Ｔｅ０．５
２５　ＧｅＯ，ＩＩｏ　、　８１）及びＳｉＯｘ層の順
に計４層の薄膜′！！−積層させた。

蒸着は、蒸着槽内を２　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒに排気
したのち行った。蒸着はすべて抵抗加熱法によって行い
、５１０Ｘ層を５００Ｘの膜厚に、Ｓ’ｂ０．１７５　
ＴｅＯ，Ｓ、！５Ｇｅｏ、ａｏ層をＳｂ、　Ｔｅ、　Ｇ
ｅを別々のボートから蒸着させる三元共蒸着法によｐｓ
ｓｏＸの膜厚に、ｓｂ層は１６０にの膜厚、次にＳｉＯ
ｘ層は下層と同様にｓｏｏ　Ｘの膜厚に順次積層させた
。

このサンプルを比較例１と同様に中空エアーサンド構造
とし、同項目の評価を行った。

その結果を第１２表に示す。

第１２表 膜厚ばらつきは、（Ｓｂｘ　Ｔｅｒ−ｘ）ｙ　Ｇｅｔ−
ｙ層が約１ｏｏＸ、ｓｂ層が３０ス存在しても、反射率
ばらつき３％以下が得られた。

実施例１．２と同様に、（Ｓｂｘ　Ｔｅ＋−ｘ）ｙｓｂ
ｉ−ｙ膜厚とｓｂ膜厚に関して反射率マツプを作成した
。

すなわち、記録層（Ｓｂｘ　Ｔｅ　１−Ｘ）７　Ｇｅ　
ｒ−ｙの膜厚、反射層ｓｂの膜厚が変動しても反射率２
６％一定の三角形の領域が存在するためであることがわ
かった。

実施例４のサンプルを比較例１と同様に全面接着構造と
し、同項目の評価を行った。

その結果″ｆｒ、第１３表に示す。

第１３表 全面接着構造においても、感度、Ｃ／Ｎ、反射率ばらつ
きすべての項目の目標値を達成させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図、２図、３図、４図は、本発明の情報記録材料の
それぞれ異った例を示す断面図である。 図中１は基板、２は記録層、３は反射層、４は金属化合
物層をそれぞれ表わす。 第５図、６図、及び７図は、（Ｓｂｘ　Ｔｅ　Ｉ−ｘ）
ｙＧｅｔ−ｙ層及び、ｓｂ反射層の膜厚に対するレーザ
ー元入射側から見た場合の反射率マツプを示す。 斜線部は反射率がほぼ一定値が得られる本発明の膜厚領
域を示す。 第５図はスパッタリング法によシ、（Ｓｂｘ　Ｔｅ＋−
ｘ）ｙＧｅ　ｒ−ｙ層ｆ　５　ｍ　Ｔｏｒｒ　’のガス
圧、Ｓｂ層ｆ　５　ｍ　Ｔｏｒｒで形成した場合のマツ
プである。 第６図は同様にスパッタリング法により、（Ｓｂｘ　Ｔ
ｅ＋−ｘ）ｙＧｅｔ−ｙ層ｆ　１　、ｍＴＯｒｒ　、　
Ｓｂ層を１　ｍＴｏｒｒで形成した場合のマツプである
。 第７図は、蒸着法によシ、形成した場合のマツプである
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板上に、加熱により光の吸収係数が変化する材料
   から成る記録層を設け、さらにこの記録層の上又は下に
   金属性薄膜反射層を設けた情報記録材料において、該記
   録層が５５０〜１２００Åの膜厚を有し、かつ少なくと
   も一般式 （Ｓｉ＿ｘＴｅ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＧｅ＿１＿−＿ｙ（
   ただし、ｘは０．１〜０．４、ｙは０．５〜０．８の範
   囲の数である） で示される組成を含むものであり、また該金属性薄膜反
   射層が３０〜３００Åの膜厚を有し、かつＳｂを主体と
   したものであることを特徴とする情報記録材料。