JPH03131085A - 両面配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は両面配線基板の製造方法に関する。

〔従来の技術］ 従来、絶縁基板の両面に配線パターンが形成された両面
配線基板においては、パンチングやドリル加工等により
絶縁基板の表面から裏面に貫通する小径のスルーホール
を形成し、このスルーホールの内壁に銅等の金属メッキ
を施し、この金属メッキにより両面の配線パターンを相
互に接続している。このような両面配線基板においては
、絶縁基板が合成樹脂製であるから、スルーホールの内
壁に金属メッキを直接施すことはできない、そのため、
前処理によりスルーホールの内壁を粗面にしてメ、ツキ
を付着しやすくしたり、化学メッキにより下地メッキを
施したりして、電解メッキにより金属メッキを施してい
る。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、このような両面配線基板の製造方法では、スル
ーホールの内壁に金属メッキを施すために、予めスルー
ホールの内壁に前処理や下地メッキ等を施さなければな
らないので、メッキ工程が複雑で、生産性が悪く、製造
コストが高くなるという問題がある。また、スルーホー
ルは近年の複鑵な回路配線において、小径にするのに限
界があり１回路配線に占める面積が大きく１回路設計上
の邪魔になるという問題がある。

この発明の目的は、メッキ工程が簡単で、生産性に優れ
、安価に製作することができ、しかもスルーホールが占
める面積を小さくでき１回路設計上邪魔にならない両面
配線基板の製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ この発明は、絶縁基板に複数の貫通孔を適宜間隔に配列
形成した後、前記絶縁基板の表面、裏面、および前記貫
通孔の内面に蒸着またはスパッタリングにより金属薄膜
を形成し、この後、前記絶縁基板の表面および裏面にお
ける前記貫通孔を含む配線パターン形成領域に相当する
前記金属薄膜上にメッキ層を形成し、しかる後、前記配
線パターン形成領域以外の前記金属薄膜をエツチングし
て除去し、最後に、前記貫通孔を結ぶ切断線に沿って前
記絶縁基板を切断することにある。

［作　用］ この発明においては、複数の貫通孔が形成された絶縁基
板に金属薄膜を蒸着またはスパッタリングにより形成す
るので、絶縁基板の表面および裏面は勿論のこと１貫通
孔の内面にも金属薄膜を容易にかつ確実に形成すること
ができる。しかも、この金属薄膜はメッキ層の下地メッ
キとなるので、電解メッキ等により金属薄膜にメッキ層
を簡単かつ容易に形成することができる。そのため、メ
ッキ工程が簡単となり、生産性がよく、安価に製作する
ことができる。また、配線パターンを形成した後には、
貫通孔を結ぶ切断線に沿って絶縁基板を切断するので、
貫通孔は絶縁基板の縁、もしくは切断された切欠部やく
り抜き部の縁に一部分が残るので、絶縁基板の表裏の配
線パターンを相互に確実に接続することができ、しかも
一部分が残るだけであるから、貫通孔が両面基板に占め
る面積を小さくでき、回路設計上の邪魔にならず、良好
に両面基板を製作することができる。したがって、この
発明によれば、製造工程が簡素化され且つ生産能率が格
段に向上する。

〔実施例］ 以下、図面を参照して、この発明の詳細な説明する。

第１図（Ａ）〜（Ｆ）は両面配線基板の製造工程を示す
、まず、第１図（Ａ）に示すように、絶縁基板１を用意
する。この絶縁基板ｌはポリイミド、ポリエステル、ガ
ラスエポキシ等の絶縁性を有する合成樹脂製のシートで
ある。この絶縁基板ｌの所定箇所、つまり絶縁基板ｌの
上面の配線パターン形成領域と下面の配線パターン形成
領域とが対応する箇所に貫通孔２を形成する。この貫通
孔２は図では絶縁基板ｌの幅方向に一定の間隔で一直線
上に複数配列形成されているが、上下面の配線パターン
形成領域が対応する箇所であれば、必ずしも貫通孔２の
間隔は一定である必要はなく、しかも−直線上に配列形
成される必要もない。

次に、第１図ＣＢ）に示すようＫ、絶縁基板ｌの全表面
に例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａ１）等の金属を
蒸着またはスパッタリングにより被着して金属薄膜３を
形成する。この金属薄膜３は後述するメッキ層５の下地
面層となるものであり、絶縁基板ｌの上下面から蒸着お
よびスパッタリングされることにより、厚さ数百λ〜数
千λ程度と極めて薄く形成され、かつ絶縁基板１の上下
面は勿論のこと、貫通孔２の内面にも確実に被着される
。

しかる後、絶縁基板１の上面および下面における金属薄
！１３の配線パターン形成領域以外にレジスト層４をス
クリーン印刷もしくはフォトパタ−ンニング等により形
成する。このレジスト層４は熱溶融性樹脂あるいはフォ
トレジスト等のレジストを用いる。なお、このレジスト
層４をスクリーン印刷により形成する場合には、金属薄
Ｉ！ｉＩ３上にスクリーンを介してレジストを印刷する
ことにより、レジスト層４が形成される。また、フォト
パターニング法によりレジスト層４を形成する場合には
、金属薄Ｍ３の表面にフォトレジストを塗布し、このフ
ォトレジストをマスクを介して露光し現像することによ
り、レジスト層４がパターン形成される。

この後、第１図（Ｃ）に示すように、レジスト層４が形
成されていない金属薄膜３の全表面、つまり貫通孔２の
内面を含む配線パターン形成領域に電解メッキによりメ
ッキ層５を形成する。この場合には、絶縁基板１の側面
にもメッキが施されてメッキ層５が形成される。すなわ
ち、メッキ層５は金属薄膜３が下地メッキとなるので、
電解メッキにより簡単に金属薄膜３の表面のみに形成さ
れ、レジスト層４の表面には形成されない、これは、電
解メッキであるため、レジスト層４の表面にはメッキ液
の金属粒子が付着しないからである。そのため、メッキ
液が無駄にならず、効率よくメッキを施すことができる
ばかりか、金属薄膜３の表面に電解メッキでメッキ層５
を簡単かつ良好に形成することができるので、メッキ工
程が簡単で、生産性がよく、安価に製作することができ
る。この場合、メッキ層５の材質は上述した金属薄膜３
と同じものを用いれば、金属薄膜３に対する付着性はよ
いが、異なるものでもよい、また、メッキ層５の厚さは
数ＩＬｍ〜数十ｇｍ程度に形成されるが、メッキ層５の
材質が金属薄膜３と同じ場合には、後工程で金属薄膜３
と共にエツチングされるため、これを見込んで予め金属
薄膜３の厚さ分だけ厚く形成しておく。

次に、第１図（Ｄ）に示すように、レジスト層４を除去
する。この場合には、レジスト層４を加熱して溶融する
ことにより除去するか、あるいはエツチングにより除去
する。

しかる後、第１図（Ｅ）に示すように、メッキ層５をマ
スクとして金属薄膜３をエツチングして不要な部分、つ
まり配線パターン形成領域以外の金属薄Ｍ３を除去する
。この場合、メッキ層５が金属薄膜３と同じ材質であれ
ば、金属薄膜３と共にメッキ層５もエツチングされるが
、上述したように予め金属薄膜３の厚さ分だけ厚く形成
しておけば、最終的には数ｇｍ〜数十ｇｍ程度の厚さに
形成することができる。このように配線パターン形成領
域以外の表面に露出した金属薄ＩＩ！Ｉ３の厚さだけエ
ツチングすればよいので、エツチング液を用いて短時間
でエツチングすることができる。この結果、金属薄！１
３とメッキ層５とからなる２層構造の配線パターン６・
・・が絶縁基板ｌの上面および下面に形成される。この
配線パターン６・・・は貫通孔２の内面にも金属薄膜３
とメッキ層５とが形成されているため、絶縁基板ｌの上
下面の総てが導通する。なお、絶縁基板１の側面にも金
属薄膜３とメッキ層５が残る。

そして、貫通孔２の中心を結ぶ切断線７に沿って絶縁基
板ｌを切断すると、第１図（Ｆ）に示すように、絶縁基
板ｌは貫通孔２を結ぶ切断線７で２つに分割される。こ
れにより、貫通孔２は絶縁基板１の綾部にほぼ半円弧状
に形成されることとなり、両面基板に占める面積を小さ
くすることができ１回路設計上の邪魔にならない、また
、貫通孔２は絶縁基板ｌの縁部に貫通孔２の一部分が残
るので、その内面に形成された金属薄膜３およびメッキ
層５により、絶縁基板ｌの上下面に形成された配線パタ
ーン６を相互に確実に接続することができる。したがっ
て、このように切断された絶縁基板１は、一方（例えば
左側）を破棄して他方（右側）のみを両面配線基板とし
て用いることができるばかりか、絶縁基板１の左端面を
配線パターン６・・・の配列方向に沿う切断線８で切断
して金属薄［３およびメッキ層５を除去すれば、両方と
も２枚の両面配線基板として用いることもできる。なお
、この場合には、配線パターン６に沿う絶縁基板１の手
前側面にも金属薄膜３およびメッキ層５が歿っているの
で、その部分を切断線９に沿って切断して除去すること
が望ましいが、金属薄膜３およびメッキ層５が残ったま
ま基板として使用してもよい。

このように、上述した両面配線基板の製造方法によれば
、絶縁基板ｌの側面部に予めメッキレジストを被着した
りエツチングレジストを被着したりする工程を省略する
ことができ、しかも上述した各理由によって、両面配線
基板の製造工程を簡素化することができ、能率よく製作
することができる。この場合、絶縁基板ｌの貫通孔２の
内面に形成された金属薄膜３およびメッキ層５は、導電
インク等からなるものと比べて、電気的な抵抗値が低く
、耐候性および電流容量の点において信頼性が高いので
、上下の配線パターン６をより確実に接続することがで
き、導通信頼性の極めて高いものを得ることができる。

なお、この発明は上述した実施例に限らず、例えば、第
２図に示すように貫通孔２の中心を結ぶ環状の切断線に
沿って絶縁基板１をくり抜いてもよい、この場合には、
予め、絶縁基板ｌの所定箇所に複数の貫通孔２を所定間
隔で環状に配列形成する。このとき、貫通孔２は絶縁基
板ｌの上面および下面の配線パターン形成領域が対応す
る箇所にそれぞれ形成される。この後、上述と同様に金
属薄！Ｉ３を形成し、この金属薄膜３上にメッキ層５を
パターン形成して、高速エツチングで金属薄膜３を除去
し、最後に貫通孔２の中心を結ぶ切断線に沿って切断し
てくり抜けば、このくり抜いた部分の縁部に貫通孔２が
ほぼ半円弧状に残る。これにより、残った貫通孔２の一
部分で上下面の配線パターン６が相互に接続された両面
配線基板を得ることができる。なお、絶縁基板ｌのくり
抜き部分はビス穴等として使用することができる。また
、くり抜かれた外側の絶縁基板１は勿論のこと、〈り抜
いた内側の部分も両面配線基板として使用することがで
きる。

また、金属薄！Ｉ３にメッキ層５を形成する場合には、
必ずしも配線パターン形成領域以外にレジスト層４を設
ける必要はなく、金属薄膜３の全表面にメッキ層５を設
け、このメッキ層５の配線パターン形成領域以外にレジ
スト層４を形成し、このレジスト層４をマスクとしてメ
ッキ層５および金属薄膜３をエツチングすることにより
、金属薄膜３およびメッキ層５からなる配線パターン６
を形成してもよい。

さらに、絶縁基板ｌは表面処理や適当なコーテイング材
を塗布したものを用いたり、複数枚ラミネートしたもの
を用いたりすることもできる。

また、金属薄膜３およびメッキ層５のエツチングはエツ
チング液を用いるウェットなエツチングである必要はな
く、ドライエツチングで行なってもよい、また、メッキ
層５の金属材料として、半田や金（Ａｕ）等を用いれば
、腐食し難いので、配線パターン６・・・の表面を絶縁
性の保護膜で覆う必要がない、金属薄膜３は必ずしも１
層構造である必要はなく、多層構造にしてもよい。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、この発明によれば、金属薄
膜を蒸着またはスパッタリングにより絶縁基板に形成す
るので、絶縁基板の表裏面は勿論のこと、貫通孔の内面
にも確実にかつ容易に金属薄膜を形成することができる
。しかも、この金属薄膜はメッキ層の下地メッキとなる
ので、電解メッキ等により金属薄膜にメッキ層を簡単か
つ容易に形成することができる。そのため、メッキ工程
が簡単となり、生産性がよく、安価に製作することがで
きる。また、配線パターンを形成した後には、貫通孔を
結ぶ切断線に沿って絶縁基板を切断するので、絶縁基板
の縁部または切断による切欠部やくり抜き部の縁部に貫
通孔の一部分を設けることができる。そのため、絶縁基
板の表裏の配線パターンを相互に確実に接続することが
でき、かつ貫通孔が両面基板に占める面精を小さくでき
、回路設計上のの邪魔にならず、良好に両面基板を製作
することができる。したがって、この発明によれば、製
造工程が簡素化され且つ生産能率が格段に向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｆ）はこの発明に係る両面配線系板の
製造工程を示す要部斜視図、第２図は他の両面配線基板
を示す斜視図である。 ｌ・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・貫通孔、３・
・・・・・金属薄膜、５・・・・・・メッキ層、６・・
・・・・配線パターン、７・・・・・・切断線。 特 許 出 願 人 カシオ計算機株式会社 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　絶縁基板に複数の貫通孔を適宜間隔に配列形成する工
   程と、 前記絶縁基板の表面、裏面、および前記貫通孔の内面に
   蒸着またはスパッタリングにより金属薄膜を形成する工
   程と、 前記絶縁基板の表面および裏面における前記貫通孔を含
   む配線パターン形成領域に相当する前記金属薄膜上にメ
   ッキ層をパターン形成する工程と、 前記配線パターン形成領域以外の前記金属薄膜をエッチ
   ングして除去する工程と、 前記貫通孔を結ぶ切断線に沿って前記絶縁基板を切断す
   る工程と、 からなる両面配線基板の製造方法。