JPH03132050A - バンプ付テープキャリヤおよびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
バンプ付テープキャリヤおよびそれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPH03132050A JPH03132050A JP1269147A JP26914789A JPH03132050A JP H03132050 A JPH03132050 A JP H03132050A JP 1269147 A JP1269147 A JP 1269147A JP 26914789 A JP26914789 A JP 26914789A JP H03132050 A JPH03132050 A JP H03132050A
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- bumps
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- tape carrier
- tape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係わり、さらに詳しくは優れた半
導体素子のボンディング特性を有するバンプ付テープキ
ャリアおよびそれを用いて作製した半導体装置に関する
。
導体素子のボンディング特性を有するバンプ付テープキ
ャリアおよびそれを用いて作製した半導体装置に関する
。
従来のＩＣチップなどの半導体素子を連続的にワイヤレ
スボンディングして半導体装置を製造する方法として、
ワイヤレスボンディングとテープによる連続組立とを組
合せたテープアセンブリの方式がある。これは、長尺の
ポリイミドテープの穿孔部に、フィンガ状のバンプ付の
導体パターンを形成し、これにＩＣチップなどを連続的
にボンディングして行く方法であって、上記のテープア
センブリに用いられるキャリヤテープについては、種々
の形態のものが提案されている（特開昭５５−２６６１
２号公報、同５９−１４３３５２号公報、四〇〇−１２
７４９号公報、同６０−８８４５２号公報、同６１−１
７２３６１号公報）。
スボンディングして半導体装置を製造する方法として、
ワイヤレスボンディングとテープによる連続組立とを組
合せたテープアセンブリの方式がある。これは、長尺の
ポリイミドテープの穿孔部に、フィンガ状のバンプ付の
導体パターンを形成し、これにＩＣチップなどを連続的
にボンディングして行く方法であって、上記のテープア
センブリに用いられるキャリヤテープについては、種々
の形態のものが提案されている（特開昭５５−２６６１
２号公報、同５９−１４３３５２号公報、四〇〇−１２
７４９号公報、同６０−８８４５２号公報、同６１−１
７２３６１号公報）。
ここで、従来のバンプ付テープキャリヤを用いてＩＣチ
ップを連続的にボンディングし、半導体装置を作製する
代表的なプロセスについて、第３図および第４図を用い
て説明する。第３図は、バンプ付テープキャリヤの断面
構成を示す模式図であり、第４図はバンプ付テープキャ
リヤの作製工程を示す系統図である。図において、長尺
のポリイミドテープ１のＩＣチップ１０をボンディング
する位置を穿孔してデバイスホール５を形成したポリイ
ミドテープ１に、銅箔４ａをエポキシ系接着剤を用いラ
ミネー１−する。その後、銅箔４ａのバンプ形成側に、
ホトレジストをコートして、バンプレジストパタン２を
焼付けた後、銅箔４ａの反対側に裏止め剤９をコートす
る〔第３図（ａ））。
ップを連続的にボンディングし、半導体装置を作製する
代表的なプロセスについて、第３図および第４図を用い
て説明する。第３図は、バンプ付テープキャリヤの断面
構成を示す模式図であり、第４図はバンプ付テープキャ
リヤの作製工程を示す系統図である。図において、長尺
のポリイミドテープ１のＩＣチップ１０をボンディング
する位置を穿孔してデバイスホール５を形成したポリイ
ミドテープ１に、銅箔４ａをエポキシ系接着剤を用いラ
ミネー１−する。その後、銅箔４ａのバンプ形成側に、
ホトレジストをコートして、バンプレジストパタン２を
焼付けた後、銅箔４ａの反対側に裏止め剤９をコートす
る〔第３図（ａ））。
次に、エツチングを行うと銅箔４ａからなるバンプ７の
パターンが形成される〔第３図（ｂ）〕。そして、バン
プレジストパターン２および裏止め剤９を除去した後、
今度はバンプ７とは反対側の銅箔４ａにホトレジストを
コートしてフィンガリード６のパターンを焼付ける。な
お、バンプ７側の銅箔４ａには裏止め剤をコートしてエ
ツチングを行い、ホトレジストおよび裏止め剤を除去す
ると、バンプ７付のフィンガリード６を形成することが
できる〔第３図（Ｃ）〕。さらに、バンプ７付のフィン
ガリード６の全面に、ニッケルメッキを行った後、金メ
ツキを施すと、バンプ７付のテープキャリヤが得られる
〔第３図（ｄ）〕 以上の工程によって作製された。従来のバンプ付テープ
キャリヤは、バンプ７を構成している銅ｆＩ３４ ａと
、フィンガリード６を構成している銅箔４ａとは同質の
銅箔によって形成されているため、ＩＣチップのギヤン
グボンディング時において、バンプ７は塑性変形し難く
硬いのでＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコン部
にダメージを与え、しばしば接合不良が生じるという問
題があった。
パターンが形成される〔第３図（ｂ）〕。そして、バン
プレジストパターン２および裏止め剤９を除去した後、
今度はバンプ７とは反対側の銅箔４ａにホトレジストを
コートしてフィンガリード６のパターンを焼付ける。な
お、バンプ７側の銅箔４ａには裏止め剤をコートしてエ
ツチングを行い、ホトレジストおよび裏止め剤を除去す
ると、バンプ７付のフィンガリード６を形成することが
できる〔第３図（Ｃ）〕。さらに、バンプ７付のフィン
ガリード６の全面に、ニッケルメッキを行った後、金メ
ツキを施すと、バンプ７付のテープキャリヤが得られる
〔第３図（ｄ）〕 以上の工程によって作製された。従来のバンプ付テープ
キャリヤは、バンプ７を構成している銅ｆＩ３４ ａと
、フィンガリード６を構成している銅箔４ａとは同質の
銅箔によって形成されているため、ＩＣチップのギヤン
グボンディング時において、バンプ７は塑性変形し難く
硬いのでＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコン部
にダメージを与え、しばしば接合不良が生じるという問
題があった。
上述したごとく、従来のバンプ付テープキャリヤを用い
てＩＣチップなどの半導体素子をボンディングして半導
体装置を製造する場合に、バンプとフィンガリードとが
共に機械的強度が大きく、かつ硬い同一の材料で構成さ
れていたため、ＩＣチップをギヤングボンディングする
に際し、バンプの硬度が高いために塑性変形し難く、そ
のためＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコンにダ
メージを与え接合不良を起すという問題があった。
てＩＣチップなどの半導体素子をボンディングして半導
体装置を製造する場合に、バンプとフィンガリードとが
共に機械的強度が大きく、かつ硬い同一の材料で構成さ
れていたため、ＩＣチップをギヤングボンディングする
に際し、バンプの硬度が高いために塑性変形し難く、そ
のためＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコンにダ
メージを与え接合不良を起すという問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解消す
るものであって、ＩＣチップ等の半導体素子のボンディ
ングに際し接合不良が生じない構造のバンプを設けたバ
ンプ付テープキャリヤおよびそれを用いて作製した半導
体装置を提供することにある。
るものであって、ＩＣチップ等の半導体素子のボンディ
ングに際し接合不良が生じない構造のバンプを設けたバ
ンプ付テープキャリヤおよびそれを用いて作製した半導
体装置を提供することにある。
上記本発明の目的を達成するために、本発明のバンプ付
テープキャリヤは、ポリイミド、ガラスエポキシ等の合
成樹脂製のテープにラミネートする金属箔を、バンプを
形成する側には軟質の金属箔を用い、フィンガリードを
形成する側には機械的強度の大きい硬質の金属箔を用い
て、両者を重ね合わせて２重構造となし、ホトリソグラ
フィプロセスを用いてバンプおよびフィンガリードを形
成して、バンプを構成する部分は塑性変形し易く潰れ易
い金属材料とし、かつフィンガリードを構成する部分は
機械的強度の大きい硬質の金属材料としたバンプ付テー
プキャリヤを用いることにより、ＩＣチップ等のボンデ
ィング時にバンプ部が容易に塑性変形を起こし、接合す
るＩＣチップにダメージを与えることなく良好な接合強
度が得られることになり信頼性の高い半導体装置を製造
することができる。
テープキャリヤは、ポリイミド、ガラスエポキシ等の合
成樹脂製のテープにラミネートする金属箔を、バンプを
形成する側には軟質の金属箔を用い、フィンガリードを
形成する側には機械的強度の大きい硬質の金属箔を用い
て、両者を重ね合わせて２重構造となし、ホトリソグラ
フィプロセスを用いてバンプおよびフィンガリードを形
成して、バンプを構成する部分は塑性変形し易く潰れ易
い金属材料とし、かつフィンガリードを構成する部分は
機械的強度の大きい硬質の金属材料としたバンプ付テー
プキャリヤを用いることにより、ＩＣチップ等のボンデ
ィング時にバンプ部が容易に塑性変形を起こし、接合す
るＩＣチップにダメージを与えることなく良好な接合強
度が得られることになり信頼性の高い半導体装置を製造
することができる。
そして、本発明のバンプ付テープキャリヤを構成するバ
ンプ部は、各種の性状の銅、アルミニウム、スズ、釦、
亜鉛、金、銀、ニッケルなどの金属、もしくはこれらの
金属を主成分とした合金などからなる軟質の金属材料を
好適に用いることができる。
ンプ部は、各種の性状の銅、アルミニウム、スズ、釦、
亜鉛、金、銀、ニッケルなどの金属、もしくはこれらの
金属を主成分とした合金などからなる軟質の金属材料を
好適に用いることができる。
さらに本発明のバンプ付テープキャリヤにおいて、バン
プの形状を孔開き状あるいは中空状などの形状とするこ
とにより、多少硬質の金属材料であっても潰れ易くなり
、本発明の目的を達成することができる。
プの形状を孔開き状あるいは中空状などの形状とするこ
とにより、多少硬質の金属材料であっても潰れ易くなり
、本発明の目的を達成することができる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面に基づいて、さら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
（実施例１）
第１図に示すごとく、長尺のポリイミドフィルム（ガラ
スエポキシフィルムなども用いられる）により作製され
たポリイミドテープ１に、デバイスホール５およびスプ
ロケットホール（図示せず）を打ち抜き、軟質の銅箔３
および硬質の銅１’ｉ４からなる硬度の異なる２種類の
銅箔、例えば電解銅箔と圧延銅箔、純銅箔と不純物を加
えた銅箔、純度を変えた２種の銅箔、添加合金を異にす
る２種の銅合金よりなる箔等を用いて、これらを重ね合
わせて所定の厚さに圧延して、加熱処理（熱処理）を施
したものを、エポキシ系の接着剤を用いてポリイミドテ
ープ１に、軟質の銅箔３がバンプ形成側となるようにラ
ミネートする。続いて、バンプ形成側にホトレジストを
コートしてバンプレジストパターン２を形成し、バンプ
形成側とは反対側の硬質の銅箔４に、裏止め剤をコート
する〔第１図（ａ）〕。次に、これをエツチングして、
軟質の銅箔３の部分を除去すると、バンプ７のパターン
を形成することができる〔第１図（ｂ）〕。そして、バ
ンプレジストパターン２および裏止め剤９を除去した後
、バンプ７の形成側とは反対側の硬質の銅箔４側に、ホ
トレジストをコートしてフィンガーリード６のレジスト
パターンを形成し、かつバンプ７側には裏止め剤をコー
トして、エツチング処理を行うとフィンガリード６のパ
ターンを得ることができ、上記レジストパターンおよび
裏止め剤を除去することによってバンプ７付のフィンガ
リード６が得られる〔第１図（Ｃ）〕。さらに、バンプ
７付のフィンガリード６の全面をニッケルメッキした後
、金メツキを施すことによりバンプ付テープキャリヤ１
１〔第１図（ｄ）〕ができあがる。
スエポキシフィルムなども用いられる）により作製され
たポリイミドテープ１に、デバイスホール５およびスプ
ロケットホール（図示せず）を打ち抜き、軟質の銅箔３
および硬質の銅１’ｉ４からなる硬度の異なる２種類の
銅箔、例えば電解銅箔と圧延銅箔、純銅箔と不純物を加
えた銅箔、純度を変えた２種の銅箔、添加合金を異にす
る２種の銅合金よりなる箔等を用いて、これらを重ね合
わせて所定の厚さに圧延して、加熱処理（熱処理）を施
したものを、エポキシ系の接着剤を用いてポリイミドテ
ープ１に、軟質の銅箔３がバンプ形成側となるようにラ
ミネートする。続いて、バンプ形成側にホトレジストを
コートしてバンプレジストパターン２を形成し、バンプ
形成側とは反対側の硬質の銅箔４に、裏止め剤をコート
する〔第１図（ａ）〕。次に、これをエツチングして、
軟質の銅箔３の部分を除去すると、バンプ７のパターン
を形成することができる〔第１図（ｂ）〕。そして、バ
ンプレジストパターン２および裏止め剤９を除去した後
、バンプ７の形成側とは反対側の硬質の銅箔４側に、ホ
トレジストをコートしてフィンガーリード６のレジスト
パターンを形成し、かつバンプ７側には裏止め剤をコー
トして、エツチング処理を行うとフィンガリード６のパ
ターンを得ることができ、上記レジストパターンおよび
裏止め剤を除去することによってバンプ７付のフィンガ
リード６が得られる〔第１図（Ｃ）〕。さらに、バンプ
７付のフィンガリード６の全面をニッケルメッキした後
、金メツキを施すことによりバンプ付テープキャリヤ１
１〔第１図（ｄ）〕ができあがる。
以上の工程により作製したバンプ付テープキャリヤ１１
を用い、ＩＣチップ１０をギヤングボンディングしたと
ころ、バンプ７は軟質の銅によって構成しであるため適
度の塑性変形を起こし、ＩＣチップ１０のアルミニウム
電極下のシリコンにダメージを与えることなく、良質の
接合部が得られ製品の歩留りが高く、信頼性の高い半導
体装置が得られた。
を用い、ＩＣチップ１０をギヤングボンディングしたと
ころ、バンプ７は軟質の銅によって構成しであるため適
度の塑性変形を起こし、ＩＣチップ１０のアルミニウム
電極下のシリコンにダメージを与えることなく、良質の
接合部が得られ製品の歩留りが高く、信頼性の高い半導
体装置が得られた。
（実施例２）
実施例１におけるバンプ７を形成する工程と、フィンガ
リード６を形成する工程とを同時に行うために、積層し
た軟質の銅箔３と硬質の銅箔４の両面に、−度にホトレ
ジストをコートして、バンプ７およびフィンガリード６
のレジストパターンを形成し、エツチングした後、レジ
ストパターンを除去してバンプ付のフィンガリードを形
成した以外は実施例１と同様にしてバンプ付テープキャ
リヤを作製した。
リード６を形成する工程とを同時に行うために、積層し
た軟質の銅箔３と硬質の銅箔４の両面に、−度にホトレ
ジストをコートして、バンプ７およびフィンガリード６
のレジストパターンを形成し、エツチングした後、レジ
ストパターンを除去してバンプ付のフィンガリードを形
成した以外は実施例１と同様にしてバンプ付テープキャ
リヤを作製した。
本実施例において作製したバンプ付テープキャリヤを用
いてＩＣチップをギヤングボンデインクした結果、実施
例１と同様の良質の接合強度を有する半導体装置が得ら
れた。
いてＩＣチップをギヤングボンデインクした結果、実施
例１と同様の良質の接合強度を有する半導体装置が得ら
れた。
（実施例３）
実施例１において用いた軟質の銅箔３の代りにスズ箔ま
たはハンダ（Ｐｂ−３ｎ、Ｐｂ−３ｎ−３ｂ。
たはハンダ（Ｐｂ−３ｎ、Ｐｂ−３ｎ−３ｂ。
Ｐｂ−５ｎ−Ｃｄ、Ｚｎ−Ｃｄなど）箔を用いた以外は
実施例１と同様にしてバンプ付テープキャリャを作製し
た。
実施例１と同様にしてバンプ付テープキャリャを作製し
た。
本実施例においても実施例１と同様の良質の接合部を有
する信頼性の高い半導体装置が得られた。
する信頼性の高い半導体装置が得られた。
（実施例４）
実施例１において、バンプ７のレジストパターンを、第
２図に示すごとく、中空孔１１を持つバンプ７〔第２図
（ｂ）〕が得られるように、バンプレジストパターン２
〔第２図（ａ）〕を形成した以外は実施例１と同様にし
てバンプ付テープキャＪヤを作製した。
２図に示すごとく、中空孔１１を持つバンプ７〔第２図
（ｂ）〕が得られるように、バンプレジストパターン２
〔第２図（ａ）〕を形成した以外は実施例１と同様にし
てバンプ付テープキャＪヤを作製した。
本実施例において作製したバンプ付テープキャリヤを用
いて、ＩＣチップをギヤングボンディングした結果、バ
ンプ７に設けている中空孔が適度に潰れて塑性変形し、
ＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコンにダメージ
を与えることなく、実施例１と同様に接合性が良く信頼
性の高い半導体装置が得られた。
いて、ＩＣチップをギヤングボンディングした結果、バ
ンプ７に設けている中空孔が適度に潰れて塑性変形し、
ＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコンにダメージ
を与えることなく、実施例１と同様に接合性が良く信頼
性の高い半導体装置が得られた。
以上詳細に説明したごとく１本発明のバンプ付テープキ
ャリヤは、バンプを構成する材料を、機械的に十分な強
度と硬さを持ったフィンガリード部よりも軟質の金属材
料を用いているため、ＩＣチップなどの半導体素子のギ
ヤングボンディングにおいて、バンプ部分が適度に塑性
変形を起しＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコン
に大きな力が加わることなく、十分にＩＣチップが保護
された状態で良質の接合部が得られ、信頼性の高い半導
体装置を歩留りよく作製することができる。
ャリヤは、バンプを構成する材料を、機械的に十分な強
度と硬さを持ったフィンガリード部よりも軟質の金属材
料を用いているため、ＩＣチップなどの半導体素子のギ
ヤングボンディングにおいて、バンプ部分が適度に塑性
変形を起しＩＣチップのアルミニウム電極下のシリコン
に大きな力が加わることなく、十分にＩＣチップが保護
された状態で良質の接合部が得られ、信頼性の高い半導
体装置を歩留りよく作製することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の実
施例１におけるバンプ付テープキャリヤの作製手順を示
す工程図、第２図（ａ）、（ｂ）は実施例４におけるバ
ンプ付テープキャリヤの構成を示す模式図、第３図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は従来のバンプ付テープキ
ャリヤの作製手順を示す工程図、第４図は従来のバンプ
付テープキャリヤの製造工程を示す系統図である。 １・・・ポリイミドテープ ２・・・バンプレジストパターン ３・・・軟質の銅箔 ４・・・硬質の銅箔４ａ・・
・銅箔 ５・・・デバイスホール６・・・フ
ィンガリード ７・・・バンプ８・・・金メツキ
９・・・裏止め剤１０・・・ＩＣチップ １１・・
・中空孔１２・・・バンプ付テープキャリヤ
施例１におけるバンプ付テープキャリヤの作製手順を示
す工程図、第２図（ａ）、（ｂ）は実施例４におけるバ
ンプ付テープキャリヤの構成を示す模式図、第３図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は従来のバンプ付テープキ
ャリヤの作製手順を示す工程図、第４図は従来のバンプ
付テープキャリヤの製造工程を示す系統図である。 １・・・ポリイミドテープ ２・・・バンプレジストパターン ３・・・軟質の銅箔 ４・・・硬質の銅箔４ａ・・
・銅箔 ５・・・デバイスホール６・・・フ
ィンガリード ７・・・バンプ８・・・金メツキ
９・・・裏止め剤１０・・・ＩＣチップ １１・・
・中空孔１２・・・バンプ付テープキャリヤ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、デバイスホールおよびスプロケットホールを穿孔し
た可撓性のテープ状フィルム基体の片面に、バンプとフ
ィンガリードを一体に形成し、上記バンプ部に半導体素
子をボンディングして半導体装置を製造するバンプ付テ
ープキャリヤにおいて、上記バンプ部は塑性変形し易い
軟質の金属材料によって構成し、上記フィンガリード部
は機械的強度の大きい硬質の金属材料によって構成した
ことを特徴とするバンプ付テープキャリヤ。 ２、デバイスホールおよびスプロケットホールを穿孔し
た可撓性のテープ状フィルム基体の片面に、バンプとフ
ィンガリードを一体に形成し、上記バンプ部に半導体素
子をボンディングして半導体装置を製造するバンプ付テ
ープキャリヤにおいて、上記バンプ部の形状を、ボンデ
ィング時に変形し易い中空状に形成したことを特徴とす
るバンプ付テープキャリヤ。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載のバンプ付
テープキャリヤにおいて、バンプ部を、銅、アルミニウ
ム、スズ、鉛、亜鉛、金、銀およびニッケルの金属およ
びこれらの金属を主成分とする合金のうちより選択され
る少なくとも１種の金属または合金よりなる軟質の材料
によって構成したことを特徴とするバンプ付テープキャ
リヤ。 ４、特許請求の範囲第１項ないし第３項記載のバンプ付
テープキャリヤを用い、半導体素子をボンディングして
作製したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269147A JPH03132050A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | バンプ付テープキャリヤおよびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269147A JPH03132050A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | バンプ付テープキャリヤおよびそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132050A true JPH03132050A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17468335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269147A Pending JPH03132050A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | バンプ付テープキャリヤおよびそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03132050A (ja) |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1269147A patent/JPH03132050A/ja active Pending
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