JPH03132609A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH03132609A JPH03132609A JP1270763A JP27076389A JPH03132609A JP H03132609 A JPH03132609 A JP H03132609A JP 1270763 A JP1270763 A JP 1270763A JP 27076389 A JP27076389 A JP 27076389A JP H03132609 A JPH03132609 A JP H03132609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical semiconductor
- semiconductor device
- optical fiber
- metal block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、受光素子又は発光素子、電子素子等により構
成される光半導体素子が収納された先竿３、発明の詳細
な説明 導体装置に関する。
成される光半導体素子が収納された先竿３、発明の詳細
な説明 導体装置に関する。
［従来の技術］
近年の光応用技術の進展はめざましく、特に光通信技術
について高速、大容量伝送を実現するための研究が盛ん
に行われている。このような光応用技術においては、光
素子と電子素子を組合わせた光集積回路が用いられる。
について高速、大容量伝送を実現するための研究が盛ん
に行われている。このような光応用技術においては、光
素子と電子素子を組合わせた光集積回路が用いられる。
この光集積回路は、通常の集積回路と異なり光ファイバ
ーで光信号を入力又は出力し、集積回路内で光信号と電
気信号の変換が行われる。このような光集積回路を実装
するためには、高速動作特性に優れていると共に、光フ
ァイバーによる光信号の入出力やＯ／Ｅ変換又はＥ１０
変換に適した小型で機密性の高いパッケージが要求され
ている。
ーで光信号を入力又は出力し、集積回路内で光信号と電
気信号の変換が行われる。このような光集積回路を実装
するためには、高速動作特性に優れていると共に、光フ
ァイバーによる光信号の入出力やＯ／Ｅ変換又はＥ１０
変換に適した小型で機密性の高いパッケージが要求され
ている。
したがって、光集積回路を収納する光集積回路用パッケ
ージは次のような特徴を有している。第１に、Ｏ／Ｅ変
換又はＥ１０変換を行うので、電気信号端子の数は通常
の集積回路用パッケージと同等又は少ない。第２に、電
源ノイズ等に影響されやすい光電変換を行うので、電源
端子にできるだけ大きなバイパスコンデンサを設けるこ
とが望ましい。第３に、光素子は、出力信号、発光波長
、暗電流等、熱により影響されやすいので十分な放熱が
必要である。
ージは次のような特徴を有している。第１に、Ｏ／Ｅ変
換又はＥ１０変換を行うので、電気信号端子の数は通常
の集積回路用パッケージと同等又は少ない。第２に、電
源ノイズ等に影響されやすい光電変換を行うので、電源
端子にできるだけ大きなバイパスコンデンサを設けるこ
とが望ましい。第３に、光素子は、出力信号、発光波長
、暗電流等、熱により影響されやすいので十分な放熱が
必要である。
従来の光半導体装置を第４図に示す。
この光半導体装置は金属ケース５０底部のベース板５２
上に受光素子５４ａと集積回路５４ｂが固定され、これ
ら受光素子５４ａと集積回路５４ｂで光集積回路５４を
構成している。入力信号用の光ファイバ５６は金属ケー
ス５０に形成された穴に挿入され、出力信号用の同軸ラ
イン５８は金属ケース５０に固定されている。電極端子
６０を介して受光素子５４ａと集積素子５４ｂに電源が
供給されている。
上に受光素子５４ａと集積回路５４ｂが固定され、これ
ら受光素子５４ａと集積回路５４ｂで光集積回路５４を
構成している。入力信号用の光ファイバ５６は金属ケー
ス５０に形成された穴に挿入され、出力信号用の同軸ラ
イン５８は金属ケース５０に固定されている。電極端子
６０を介して受光素子５４ａと集積素子５４ｂに電源が
供給されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、この従来の光半導体装置では、光ファイ
バ５６が金属ケース５０の穴に挿入してはんだ等により
固定するようにしているため、光ファイバ５６の位置調
整が難しく、受光素子５４ａの受光面にその先端を確実
に適合させることが困難であるという問題があった。ま
た、この光半導体層では同軸ライン５８へのボンディン
グワイヤ長が長くなると共に寄生のり、Ｃが大きく、高
速動作を実現するのが困難であるという問題があった。
バ５６が金属ケース５０の穴に挿入してはんだ等により
固定するようにしているため、光ファイバ５６の位置調
整が難しく、受光素子５４ａの受光面にその先端を確実
に適合させることが困難であるという問題があった。ま
た、この光半導体層では同軸ライン５８へのボンディン
グワイヤ長が長くなると共に寄生のり、Ｃが大きく、高
速動作を実現するのが困難であるという問題があった。
さらに、電源端子にはバイパスコンデンサが必要であり
、金属ケース５０内に収納すべき部品点数が増加してし
まうという問題があった。
、金属ケース５０内に収納すべき部品点数が増加してし
まうという問題があった。
そこで、本発明は、光ファイバの取付が容易で、バイパ
スコンデンサ等の部品が必要がなく、ノイズに強く、放
熱効果の大きい新規な構造の光半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
スコンデンサ等の部品が必要がなく、ノイズに強く、放
熱効果の大きい新規な構造の光半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、光半導体素子と、前記光半導体素子が載置
される載置部と、前記光半導体素子と光結合された光フ
ァイバと、前記載置部の周辺に位置し、前記光半導体素
子の電極と接続される導体層と前記光ファイバが固着さ
れるメタライズ部が設けられた周辺部と、前記光半導体
素子を気密封止するキャップとを備えたことを特徴とす
る光半導体装置によって達成される。
される載置部と、前記光半導体素子と光結合された光フ
ァイバと、前記載置部の周辺に位置し、前記光半導体素
子の電極と接続される導体層と前記光ファイバが固着さ
れるメタライズ部が設けられた周辺部と、前記光半導体
素子を気密封止するキャップとを備えたことを特徴とす
る光半導体装置によって達成される。
［作用］
本発明によれば、セラミック多層板のファイバ接続部と
金属キャップにより光ファイバを挟んで保持するように
しているので、光ファイバの取付が容易であると共に十
分な放熱効果が期待できる。
金属キャップにより光ファイバを挟んで保持するように
しているので、光ファイバの取付が容易であると共に十
分な放熱効果が期待できる。
また、セラミック多層板にコンデンサを内蔵したので、
バイパスコンデンサを新たに設ける必要がなくノイズに
強くすることができる。
バイパスコンデンサを新たに設ける必要がなくノイズに
強くすることができる。
［実施例］
本発明の一実施例による光半導体装置を第１図及び第２
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
光半導体装置の最下部には金属ブロック１０が設けられ
ている。この金属ブロック１０は十分な放熱能力があり
、熱膨張係数の小さい材料（例えば金メツキしたコパー
ル）で作られている。金属ブロック１０の一方の長辺に
は側板１２が取付けられ、この側板１２中夫には電気信
号を出力するための同軸用のコネクタ１４が取付けられ
ている。
ている。この金属ブロック１０は十分な放熱能力があり
、熱膨張係数の小さい材料（例えば金メツキしたコパー
ル）で作られている。金属ブロック１０の一方の長辺に
は側板１２が取付けられ、この側板１２中夫には電気信
号を出力するための同軸用のコネクタ１４が取付けられ
ている。
金属ブロック１０上面には光集積回路を載置するために
載置部１６が凸形状に加工されている。金属ブロック１
０上面には後述するセラミック多層板２４が銀ロウ付け
によって接着される１貫通したねじ穴１８はこの金属ブ
ロック１０を他の基板に取付けるためのものである。ま
た、金属ブロック１０の長辺側部には２か所のねじ穴２
０が形成され、このねじ穴２０により他の光半導体装置
と連結が可能である。さらに、金属ブロック１０の両短
辺には、外付はチップコンデンサが必要な場合、これを
取付けるための段差２２が形成されている。
載置部１６が凸形状に加工されている。金属ブロック１
０上面には後述するセラミック多層板２４が銀ロウ付け
によって接着される１貫通したねじ穴１８はこの金属ブ
ロック１０を他の基板に取付けるためのものである。ま
た、金属ブロック１０の長辺側部には２か所のねじ穴２
０が形成され、このねじ穴２０により他の光半導体装置
と連結が可能である。さらに、金属ブロック１０の両短
辺には、外付はチップコンデンサが必要な場合、これを
取付けるための段差２２が形成されている。
金属ブロック１０上にはハンダ等で密着可能なセラミッ
ク多層板２４が設けられる。このセラミック多層板２４
の中央には、金属ブロック１０上面の載置台１６に合致
する穴２６が開けられている。セラミック多層板２４は
内部が多層構造になっており、後述するようにバイパス
コンデンサとして用いられる。セラミック多層板２４の
一方の長辺中火には伝送路としてのストリップライン２
４ａが形成され、他方の長辺中火には光ファイバを接続
するための光フアイバ接続部２４ｂが形成され、両短辺
には電源を入力するための電源入力端子部２４ｃが形成
されている。
ク多層板２４が設けられる。このセラミック多層板２４
の中央には、金属ブロック１０上面の載置台１６に合致
する穴２６が開けられている。セラミック多層板２４は
内部が多層構造になっており、後述するようにバイパス
コンデンサとして用いられる。セラミック多層板２４の
一方の長辺中火には伝送路としてのストリップライン２
４ａが形成され、他方の長辺中火には光ファイバを接続
するための光フアイバ接続部２４ｂが形成され、両短辺
には電源を入力するための電源入力端子部２４ｃが形成
されている。
セラミック多層板２４上には載置台１６及び穴２６を取
り囲むようにしてコの字形状のスペーサ２８が設けられ
、このスペーサ２８上に気密封止のための金属キャップ
３０が被せられる。
り囲むようにしてコの字形状のスペーサ２８が設けられ
、このスペーサ２８上に気密封止のための金属キャップ
３０が被せられる。
次に、第２図の断面図を用いて本実施例の光半導体装置
を更に詳細に説明する。
を更に詳細に説明する。
電源入力端子部２４ｃの詳細を第２図（ａ）のＡ−Ａ線
断面図を用いて説明する。電源入力端子部２４ｃ下部の
セラミック多層板２４内には導電層２５ａと誘電層２５
ｂが交互に積層され、導電層２５ａの各層が相互に接続
されてコンデンサを形成している。このコンデンサの一
方の電極を構成する導電層２５ａは導電ライン２５ｃに
より電源入力端子部２４ｃに接続され、他方の電極を構
成する導電層２５ａは金属ブロック１０に接続されてお
り、このコンデンサは、電源入力端子部２４Ｃに対する
バイパスコンデンサとして機能する。
断面図を用いて説明する。電源入力端子部２４ｃ下部の
セラミック多層板２４内には導電層２５ａと誘電層２５
ｂが交互に積層され、導電層２５ａの各層が相互に接続
されてコンデンサを形成している。このコンデンサの一
方の電極を構成する導電層２５ａは導電ライン２５ｃに
より電源入力端子部２４ｃに接続され、他方の電極を構
成する導電層２５ａは金属ブロック１０に接続されてお
り、このコンデンサは、電源入力端子部２４Ｃに対する
バイパスコンデンサとして機能する。
ストリップライン２４ａの詳細を第２図（ｂ）のＢ−Ｂ
線断面図を用いて説明する。ストリップライン２４ａは
、スペーサ２８上面の導電ｍ３２ａと、セラミック多層
板２４上夫の導電層°３２ｂと、これら導電層３２ａ及
び３２ｂを接続する導電層３２ｃ、３２ｄにより周囲が
囲まれる。これら導電層３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２
ｄは金属ブロック１０に接続されている。
線断面図を用いて説明する。ストリップライン２４ａは
、スペーサ２８上面の導電ｍ３２ａと、セラミック多層
板２４上夫の導電層°３２ｂと、これら導電層３２ａ及
び３２ｂを接続する導電層３２ｃ、３２ｄにより周囲が
囲まれる。これら導電層３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２
ｄは金属ブロック１０に接続されている。
光フアイバ保持部の詳細を第２図（Ｃ）のＣ−Ｃ線断面
及び第２図（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図を用いて説明する。
及び第２図（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図を用いて説明する。
保持すべき光ファイバ３４はセラミック多層板２４上の
ファイバ接続図２４ｂ上に置かれ、上から金属キャップ
３０を被せられて保持される。金属コート部３４ａによ
り部分的に金属コートされた光ファイバ３４を用い、フ
ァイバ接続部２４ｂと金属キャップ３０間の隙間をハン
ダ３６により埋め込んで光ファイバ３４を固定する。
ファイバ接続図２４ｂ上に置かれ、上から金属キャップ
３０を被せられて保持される。金属コート部３４ａによ
り部分的に金属コートされた光ファイバ３４を用い、フ
ァイバ接続部２４ｂと金属キャップ３０間の隙間をハン
ダ３６により埋め込んで光ファイバ３４を固定する。
光ファイバ３４の先端は第３図（Ｃ）に示すように斜め
に研磨されている。ファイバ接続部２４ｂは金属ブロッ
ク１０に接続され、光ファイバ３４の熱を金属ブロック
１０から放熱する。
に研磨されている。ファイバ接続部２４ｂは金属ブロッ
ク１０に接続され、光ファイバ３４の熱を金属ブロック
１０から放熱する。
このように本実施例によれば、バイパスコンデンサがセ
ラミック多層板に内蔵されているので独立部品としての
コンデンサを用いる必要がない。
ラミック多層板に内蔵されているので独立部品としての
コンデンサを用いる必要がない。
また、金属ブロックの短辺に段差を設けたので、電源入
力端子部にコンデンサを更に設ける必要がある場合には
、余分な領域を取ることなく、この段差にチップコンデ
ンサをｎ置すればよい。
力端子部にコンデンサを更に設ける必要がある場合には
、余分な領域を取ることなく、この段差にチップコンデ
ンサをｎ置すればよい。
又、光ファイバの先端が斜めに切断研磨されているので
入射光が下方に反射されるので、受光素子との位置合せ
の確認が容易となる。
入射光が下方に反射されるので、受光素子との位置合せ
の確認が容易となる。
更に、受光素子と光ファイバの距離は金属ブロックの載
置部における厚さを変えることにより容易に調整できる
。
置部における厚さを変えることにより容易に調整できる
。
又、本実施例のバラゲージによれば、光集積回路チップ
、光ファイバが同一金属ブロックにセラミンク多層板を
介して固定されるので、■熱的安定性が向上する、■光
ファイバ位置合せが容易となる、■バイパス用コンデン
サを既に搭載しているので部品点数が減少する、■電気
配線のためのワイヤーボンディングが通常の集積回路と
同様にできるので組立時間が短縮される、という利点が
ある。
、光ファイバが同一金属ブロックにセラミンク多層板を
介して固定されるので、■熱的安定性が向上する、■光
ファイバ位置合せが容易となる、■バイパス用コンデン
サを既に搭載しているので部品点数が減少する、■電気
配線のためのワイヤーボンディングが通常の集積回路と
同様にできるので組立時間が短縮される、という利点が
ある。
更に又、金属ブロックの長辺の側部にはねじ穴が形成さ
れているので、他の光半導体装置と連結が可能である０
例えば第３図では３つの光半導体装置４０Ａ、４０Ｂ、
４０Ｃがねじ穴により連結されている。ただし、最も左
側の光半導体装置４０Ａが本実施例と同様に光信号を入
力とし、電気信号を出力としているが、中央の光半導体
装置４０Ｂ及び右側の光半導体装置４０Ｃが入出力とも
電気信号となっている。
れているので、他の光半導体装置と連結が可能である０
例えば第３図では３つの光半導体装置４０Ａ、４０Ｂ、
４０Ｃがねじ穴により連結されている。ただし、最も左
側の光半導体装置４０Ａが本実施例と同様に光信号を入
力とし、電気信号を出力としているが、中央の光半導体
装置４０Ｂ及び右側の光半導体装置４０Ｃが入出力とも
電気信号となっている。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施例では入力信号が光信号で出力信号が
電気信号であったが、入力信号が電気信号で出力信号が
光信号でもよい。
電気信号であったが、入力信号が電気信号で出力信号が
光信号でもよい。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、光ファイバの取付が容易
で、バイパスコンデンサ等の部品が必要がなく、ノイズ
に強く、放熱効果の大きい光半導体装置が実現できる。
で、バイパスコンデンサ等の部品が必要がなく、ノイズ
に強く、放熱効果の大きい光半導体装置が実現できる。
第１図は本発明の一実施例による光半導体装置の分解斜
視図、 第２図は同光半導体装置の断面図、 第３図は光半導体装置を連結した状態を示す図、第４図
は従来の光半導体装置を示す図である。 図において、 １０・・・金属ブロック １２・・・側板 １４・・・コネクタ １６・・・載置部 １８・・・ねじ穴 ２０・・・ねじ穴 ２２・・・段差 ２４・・・セラミック多層板 ２４ａ・・・ストリップライン ２４ｂ・・・光フアイバ接続部 ２４ｃ・・・電源入力端子部 ２５ａ・・・導電層 ２５ｂ・・・誘電層 ２５ｃ・・・導電ライン ２６・・・穴 ２８・・・スペーサ ３０・・・金属キャップ ３２ａ〜３２ｄ・・・導電層 ３４・・・光ファイバ ３６・・・ハンダ ４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ・・・光半導体装置５０・・・
金属ケース ５２・・・ベース板 ５４・・・光集積回路 ４ａ・・・受光素子 ４ｂ・・・集積回路 ６・・・光ファイバ ８・・・同軸ライン Ｏ・・・電極端子
視図、 第２図は同光半導体装置の断面図、 第３図は光半導体装置を連結した状態を示す図、第４図
は従来の光半導体装置を示す図である。 図において、 １０・・・金属ブロック １２・・・側板 １４・・・コネクタ １６・・・載置部 １８・・・ねじ穴 ２０・・・ねじ穴 ２２・・・段差 ２４・・・セラミック多層板 ２４ａ・・・ストリップライン ２４ｂ・・・光フアイバ接続部 ２４ｃ・・・電源入力端子部 ２５ａ・・・導電層 ２５ｂ・・・誘電層 ２５ｃ・・・導電ライン ２６・・・穴 ２８・・・スペーサ ３０・・・金属キャップ ３２ａ〜３２ｄ・・・導電層 ３４・・・光ファイバ ３６・・・ハンダ ４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ・・・光半導体装置５０・・・
金属ケース ５２・・・ベース板 ５４・・・光集積回路 ４ａ・・・受光素子 ４ｂ・・・集積回路 ６・・・光ファイバ ８・・・同軸ライン Ｏ・・・電極端子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光半導体素子と、 前記光半導体素子が載置される載置部と、 前記光半導体素子と光結合された光ファイバと、前記載
置部の周辺に位置し、前記光半導体素子の電極と接続さ
れる導体層と前記光ファイバが固着されるメタライズ部
が設けられた周辺部と、前記光半導体素子を気密封止す
るキャップとを備えたことを特徴とする光半導体装置。 ２、前記周辺部は、導体と誘電体とが積層されてコンデ
ンサを構成しており、このコンデンサと前記導体層とが
接続されていることを特徴とする請求項１記載の光半導
体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1270763A JPH03132609A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1270763A JPH03132609A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132609A true JPH03132609A (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=17490654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1270763A Pending JPH03132609A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03132609A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2026004347A1 (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光学パッケージ、モジュール、および、光学パッケージの製造方法 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1270763A patent/JPH03132609A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2026004347A1 (ja) * | 2024-06-28 | 2026-01-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光学パッケージ、モジュール、および、光学パッケージの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7306377B2 (en) | Integrated optical sub-assembly having epoxy chip package | |
| US7275937B2 (en) | Optoelectronic module with components mounted on a flexible circuit | |
| US5883428A (en) | Package for housing a semiconductor element | |
| US6074102A (en) | Optical device capable of operating at high speeds | |
| JP7350646B2 (ja) | 光モジュール | |
| US6940155B2 (en) | IC package, optical transmitter, and optical receiver | |
| US6883977B2 (en) | Optical device package for flip-chip mounting | |
| US11340412B2 (en) | Optical module | |
| JPH0137000B2 (ja) | ||
| JPH0824150B2 (ja) | パッケージ | |
| JP7263697B2 (ja) | 受光装置 | |
| JP2002506289A (ja) | 多数の半導体チップを有する半導体素子 | |
| JP7545349B2 (ja) | 光モジュール | |
| JPWO2007088959A1 (ja) | 光モジュール | |
| US6781484B2 (en) | SAW filter module capable of being easily miniaturized | |
| JP2001298217A (ja) | 光モジュール | |
| JP2006041234A (ja) | 光送信モジュールおよび光受信モジュール | |
| JPH03148190A (ja) | 半導体レーザ送信パッケージ | |
| JP2009054938A (ja) | 受光モジュール | |
| JPH03132609A (ja) | 光半導体装置 | |
| US7102178B2 (en) | Small format optoelectronic package | |
| US6787890B2 (en) | Optical package structure | |
| JPH11121871A (ja) | ペルチェ素子を有するモジュール | |
| JP2007287767A (ja) | 光サブアセンブリ | |
| JP2019186379A (ja) | 光モジュール |