JPH03135023A - 基板の双方向処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、たとえばプラズマエツチング処理およびプラ
ズマアッシング処理のような、互いに異なる真空処理機
能の真空型処理室を有する基板の双方向処理装置に関す
る。

（従来の技術） たとえばガラス基板面に被着形成した薄い導電性膜を、
所要の微細パターン化する手段として、前記導電性膜上
にレジストマスクを施して、プラズマエツチング処理し
露出していた導電性膜を選択的に除去した後、所要のア
ッシング処理を施し前記レジストマスクを除去して所定
の微細バクーンを形成することが知られている。すなわ
ち、プラズマエツチング装置を用い、該装置の処理室内
にほぼ平行に水平配置された平板電極の下側の電極上に
レジスト薄膜を形成したガラス基板のような被処理基板
を載置して、該処理室を真空引きし所要のエツチングガ
スを導入しかつ、排出しながら前記電極間に高周波電圧
を印加して上記被処理基板面上の露出した薄膜をエツチ
ングする。次いで前記エツチング装置の処理室内の処理
ガスや処理条件を変えることにより前記レジストマスク
を除去（アッシング）すことが知られている。

ところで、上記プラズマ土ツチング装置の処理室には、
処理サイクルを速くするとともに塵埃の侵入を避けるた
めに、真空引き可能な移送室（ロードロック室）がゲー
トバルブを介して連設されており、被処理基板は、この
移送室内に配置された搬送手段によってポジショニング
テーブルから前記処理室内に移送される。たとえば、先
端部に基板搭載部を有する屈伸可能な搬送アームにより
、別に設けたゲートバルブを通って移送室外のクリーン
ベンチにあるポジショニングテーブルから前記処理室の
電極上に移送されるように構成されている。

（発明が解決しようとする課題） 上記プラズマエツチング装置は、エツチング装置の処理
室内の処理ガスや処理条件を変えることにより、上記処
理室内でたとえばプラズマエツチングおよびプラズマエ
ツチングのような、互いに異なる真空処理機能を果して
いる。しかし、このように同一装置に互いに異なる真空
処理機能を持たせることは、前記処理室内の処理ガスや
処理条件の変更、設定操作が煩雑であるばかりでなく、
基板の処理もバッチ方式的で品質のバラツキを生じ易い
と言う問題がある。

本発明はかかる従来の問題を解消すべくなされたもので
、互いに処理機能の異なる真空型処理室を併設して所要
の処理が連続的にかつ、品質のバラツキもなく行い得る
基板の処理装置を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するだめの手段） 上記目的を達成するため、本発明は基板の移送手段を内
装した真空型移送室と、該真空型移送室の両側にゲート
バルブを介してそれぞれ配設した互いに処理機能の異な
る真空型処理室と、該真空型処理室にゲートバルブを介
して配設した基板の移送手段を内装しかつ真空引き可能
な移送室とを具備して成ることを特徴とする。

（作用） 本発明においては、基板の移送手段を内装した真空型移
送室の両側にゲートバルブを介して互いに処理機能の異
なる真空型処理室を配設し、さらにこれらの真空型処理
室にゲートバルブを介して基板の移送手段を内装しかつ
真空引き可能な移送室を配設した構成となっている。こ
のため、異種の真空処理も処理ガスや処理条件の変更を
要せずに連続的になし得る。さらに、被処理体としての
基板の移送方向を適宜選択、設定し前記異種の真空処理
の順序なども変更できる（双方向処理）ので種々の基板
処理が可能となる。

（実施例） 次に本発明の実施例について説明する。

第１図は本発明の基板の双方向処理装置例を概略的に示
すもので、１は基板の移送手段２を内装した真空型移送
室、３ａ、３ｂは前記真空型移送室１の両側にゲートバ
ルブ４ａ、４ｂを介してそれぞれ配設した互いに処理機
能が異なるたとえばプラズマエツチング用およびプラズ
マアッシング用の真空型処理室、また５ａ、５ｂは前記
真空型処理室３ａ、３ｂにゲートバルブ６ａ、６ｂを介
して配設した基板の移送手段２′を内装しかつ真空引き
可能な移送室とを具備した構成をなしている。

上記基板の双方向処理装置例において、基板の移送手段
２を内装した真空型移送室１は、第２図に斜視的に示す
如く、真空容器本体１ａならびにその上部開口を密閉す
る開閉自在の覆蓋１ｂからなる真空室１ｃと、この真空
室１ｃの中央に配置された基板搬送用の伸縮自在の搬送
アーム２とから主として構成されている。

また、上記真空室１ｃの対向する側壁には、それぞれ偏
平なアーム通過孔Ｌｄ、ｌｅが穿設されている。

このアーム通過孔Ｌｄ、ｌｅには、図示しないゲートバ
ルブ（４ａ、４ｂ）が設けられ、この真空室１ｃを気密
に閉鎖できるようにされている。しかして、これらのア
ーム通過孔１ｄ、１ｅを形設した側壁と隣接する側壁内
面には、屈曲した搬送アーム２先端の軌跡に沿ってそれ
ぞれ円弧状の四部１ｒが形成されており（図では一方だ
け示している）、この凹部１ｒの下側には、真空ポンプ
に連通ずる吸気用の透孔１ｇが穿設されている。

ところで、上記搬送アーム２は、回転軸により枢動可能
とされた２つの関節部で連結された３つのアーム２ａ、
２ｂ、２ｃからなり、第１アーム２ａの基端部は真空室
１ｃの中央に突設された図示しない２重回転軸の外軸に
固定され、先端の第３アーム２ｃには基板９の搭載部Ａ
が形成されている。前記２重回転軸および搬送アーム２
の各関節部の回転軸には図示しないプーリーが軸装され
、各プーリー間には複数のガイドローラーを介してベル
トが掛は渡されて、２重回転軸の内軸の回転により各関
節部が回転するように構成されている。そして２重回転
軸の外軸と内軸とは各アーム２ａ、２ｂ、２ｃが第３図
に示す動きをするよう別々にその回転が制御される。第
３図は、搬送アーム２が第１のアーム通過孔１ｄから伸
び出して、一方の真空型処理室３ａ内の電極面上に載置
された基板９を搭載した状態から第２のアーム通過孔１
ｅから伸び出して基板９を隣接する他の真空型処理室３
ｂ内の電極面上に挿入するまでの動きを示したものであ
る。

上記搬送アーム２の動作において、２重回転軸の回転に
より最大伸長装置で基板９を搭載した状態から第１アー
ム２ａは図で反時計方向に等速度で回転し、第２アーム
２ｂは時計方向に第１アーム２ａの２倍の角速度で回転
し、第３アーム２Ｃは第１アーム２ａと同方向に同一角
速度で回転する。しだがって、搬送アーム２は、同図（
ａ）の状態から同図（ｂ）　、　（ｃ）に示すように、
第１アーム２ａと第２アーム２ｂの関節部が屈曲しつつ
第３アーム２０同一直線上を後退する。このときアーム
通過孔ｌｄ側のゲートバルブ４ａは開放され、アーム通
過孔ｌｅ側のゲートバルブ４ｂは閉鎖されている。

このようにして第１アーム２ａの回転軸から第３アーム
２ｃの先端までの距離がほぼ第１アーム２ａの長さと等
しくなったところで、内袖の回転が一旦停止し、同図（
ｄ）、（ｅ）に示すように、この状態を維持したまま　
１８０°回転する。このときアーム通過孔２ｄ側のゲー
トバルブ４ａが閉鎖され、かつ真空室１内補助的にか真
空引きされてゲートバルブ４ｂを介してアーム通過孔２
ｅと接続された処理室３ｂの真空度より低い真空度とさ
れる。しかる後、アーム通過孔ｌｃ側のゲートバルブ４
ｂが開放され、２重回転軸の外軸と内軸がこれまでと反
対側に回転され、同図（「）に示すようにアーム通過孔
１ｃから第３アーム２ｃが伸び出して行き、基板９が真
空状態の処理室３ｂ内に挿入される。

前記基板の移送手段２を内装した真空型移送室１にゲー
トバルブ４ａ、４ｂを介して配設した真空型処理室３ａ
、３ｂにそれぞれゲートバルブ８ａ、６ｂを介して配設
した基板の移送手段２゛を内装した真空引き可能な真空
移送室５ａ、５ｂも、その基本的な構成は前記基板の移
送手段２を内装した真空型移送室１の場合と同様で、ケ
ートバルブ１０ａ、ｌＱｂを介して大気圧のクリーンベ
ンチｌｌａ、ｌｌｂに接続されている。

次に、この双方向処理装置の動作について説明する。こ
の双方向処理装置においては、先ず真空引き可能な真空
移送室５ａ、５ｂ内が大気圧の状態でクリーンベンチ１
１ａ、Ｉｌｂのポジショニングテーブルにインデクサか
ら、たとえばレジストマスクを設けたたガラス基板が供
給される。このガラス基板は真空移送室５ａの搬送アー
ム２°によりその真空移送室５ａ内に取り込まれ、この
状態でゲートノ＜ルブｌＯａが閉鎖されて真空移送室５
ａに連接された真空型処理室３ａの真空度より高い真空
度に真空引きされる。次いでゲートバルブ６ａが開放さ
れ搬送アーム２′が伸長して、真空型処理室３ａ内に配
設しである対向電極１２ａ、１２ｂの下部電極１２ａ上
にガラス基板が搭載され、搬送アーム２′は再び真空移
送室５ａ内に引き込まれてゲートバルブ６ａが閉鎖され
、前記真空型処理室３ａ内では所要のプラズマエツチン
グ処理が行なわれる。そして真空型移送室１内が真空引
きされ、前記ガラス基板のプラズマエツチング処理が終
了するとゲートバルブ４ａが開放され、真空型移送室１
の搬送アーム２が真空型処理室３ａ内に挿入されてガラ
ス基板が真空型移送室１内に取り込まれて再びゲートバ
ルブ４ａが閉じられる。しかる後、真空型移送室１の出
口側のゲートバルブ４ｂが開放されて、このガラス基板
を保持したアーム２は伸長して、前記真空型移送室１に
連接された他の真空型処理室３ｂ内に配設しである対向
電極Ｌ３ａ、１３ｂの下部電極１３ａ上にガラス基板が
搭載され、搬送アーム２は再び真空型移送室１内ニ引キ
込まれてゲートバルブ４ｂが閉鎖され、前記真空型処理
室３ｂ内では所要のアッシシグ処理が行なわれる。この
状態でゲートバルブｌＯｂが閉鎖されて真空移送室５ｂ
はこれに連接された真空型処理室３ｂの真空度より高い
真空度に真空引きされる。

次いでゲートバルブ６ｂが開放され、ガラス基板は真空
移送室５ｂの搬送アーム２°によりその真空移送室５ａ
内に取り込まれると前記ゲー）　１＜ルブ６ｂが閉鎖さ
れる。こうして、真空移送室５ｂ内にガラス基板を取り
込んだ後、不活性ガスを真空移送室５ｂ内に導入するこ
とにより真空移送室５ｂ内を大気圧に戻しゲートバルブ
１０ｂを開放する一方、真空移送室５ｂの搬送アーム２
°プロｂを伸長させて、前記所要の真空処理を施したガ
ラス基板をクリーンベンチ１１ｂのポジショニングテー
ブル上に載置して、図示しないコンベア装置により搬出
される。

なお、以上の実施例では、ガラス基板面に導電パターン
を形成す例として、真空処理機能がプラズマエツチング
およびアッシングの場合を示したが、たとえば電子線描
画とプラズマエツチングによるレジストパターンの形成
、パッシベーション膜形成と取り出し電極の形成など目
的に応じて、異なる真空処理機能をそれぞれ有する真空
処理室を、基板の移送手段を内装した真空型移送室を介
してさらに多段的に配設した構成としてもよい。

また、前記真空型移送室および基板の移送手段を内装し
た真空引き可能な移送室が内装する基板の移送手段も前
記実施例に限定されるものではなく、他の移送手段であ
っても勿論支障はない。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係る基板の双方向処理装
置においては、基板の移送手段を内装した真空移送室の
両側にゲートバルブを介して真空処理機能が互いに異な
る真空処理室を配設したＩＩＩＩＳ成を単位とし、両側
に基板の移送手段を内装した真空引き可能な移送室が配
設されている。つまり、対称的に構成されているため、
基板の真空処理の目的によって任意の方向から基板を移
送したり、成るいは双方向処理を繰り返すことにより同
一の装置で所望の処理を効率よく施し得る。しかも、こ
の真空処理は異なる機能乃至対象を連続的にかつ、真空
系で達成されるので被処理体にについて品質のバラツキ
なとも低減する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る基板の双方向処理装置の一実施例
を概略的に示す側面図、第２図は本発明に係る基板の双
方向処理装置の一実施例において用いた基板の移送手段
を内装した真空移送室のｆｆη成を示す斜視図、第３図
は第２図示の真空移送室が内装した移送手段の動作を示
す説明図である。 １・・・基板の移送手段を内装した真空型移送室２．２
°・・・移送手段 ２ａ、２ｂ、２ｃ・・・移送手段を構成する搬送アーム
３ａ、３ｂ・・・真空処理室 ４ａ、４ｂ、８ａ、８ｂ、ｌＯａ、ＬＯｂ−・・ゲート
バルブ５ａ、５ｂ・・・基板の移送手段を内装した真空
引き可能な移送室 １１ａ、ｌｌｂ・・・クリーンベンチ １２ａ、１２ｂ・・・対向電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板の移送手段を内装した真空型移送室と、該真空型
   移送室の両側にゲートバルブを介してそれぞれ配設した
   互いに処理機能の異なる真空型処理室と、該真空型処理
   室にゲートバルブを介して配設した基板の移送手段を内
   装しかつ真空引き可能な移送室とを具備して成ることを
   特徴とする基板の双方向処理装置。