JPH0313571A

JPH0313571A - 蒸着装置、蒸発源及び薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH0313571A
Application number: JP14661289A
Authority: JP
Inventors: Mitsunori Ketsusako; 光紀蕨迫; Kiyoshi Miyake; 三宅　潔; Kenichi Natsui; 健一夏井; Kuniyuki Sakumichi; 訓之作道; Kokichi Ohata; 大畠　耕吉; Shoichi Nakajima; 昌一中島; Kensuke Amamiya; 健介雨宮; Keiji Arimatsu; 有松　啓治
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-06-12
Filing date: 1989-06-12
Publication date: 1991-01-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、蒸着装置、蒸発源及びこれらを用いた薄膜形
成方法に係り、特に薄膜の形成に好適な蒸着装置、蒸発
源及びこれらを用いた薄膜形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、金属や誘電体材料等の薄膜を作成するのにスパッ
タリング法を用いることが知られている。

スパッタリング法としては、「薄膜ハンドブック、日本
学術振興会第１３１委員会編、１７１頁〜１９５頁（オ
ーム社、昭和５８年１２月）」に記載されているように
、直流２極スパツタリング、バイアススパッタリング、
高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、
イオンビームスパッタリング等が知られている。

これらのすべての方法は、常温で固体状態にある物質を
イオンビーム、あるいはプラズマ中のイオンでスパッタ
する現象を利用している。従って、その成膜速度は、固
体状態にある物質のスパッタリング率で制約される。

一方、−酸化炭素やメタン等のガスを冷却し、ファン・
デル・ワールスカでそれらの分子同士を結合させ、固化
物とした状態の物質をイオン照射によりスパッタリング
することが、「ディソープジョン　インデユースト　バ
イ　エレクトロニック　トランジション　ＤＩＥＴ　　
ＩＩ　（ＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＩｎｄｕｃａｄ　ｂｙ　
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ＤＩＥ
Ｔ　Ｕ　）Ｗ、　Ｂｒｅｎｉｇ、　Ｄ、　Ｍｅｎｚｅｌ
［、シュプリンガー社出版、１７０〜１７６頁（１９８
５年）」において論じられている。

この場合、照射イオン１個当りに、−酸化炭素やメタン
等のガスを同化状態とした物質が、スパッタリングによ
り分解する原子や分子の数、いわゆるスパッタ率は、約
１００〜１０００個であることが知られている。

また、ガスや固化物に集光したレーザ光を照射し、これ
らの物質に急速にエネルギーを与えてプラズマ状態とし
、そのプラズマ中で発生した粒子を用いて薄膜を形成す
る方法が、特開昭６３−１７７４１４号公報に示されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術のうち、イオンやプラズマを用いたスパッ
タリング法は、すべて、常温で固体状態の物質をスパッ
タリングのターゲツト材として用い、前記「薄膜ハンド
ブック」に示されているスパッタリング機構により、タ
ーゲツト材を分解・飛散させて、その飛散スパッタ粒子
により成膜を行なう方式である。この場合、スパッタタ
ーゲットに入射するイオン１個あたりのターゲットのス
パッタ率は、１〜１０の値を持ち、その結果、成膜速度
は０．１〜ｌｎｍ／ｓｅｃと遅いという問題があった。

また、ガスを凝縮して固化物とし、この状態の物質をス
パッタするスパッタリング法は、イオンビーム又はレー
ザビームの照射により、ガスを凝縮する冷却基板の表面
温度が上昇するため、原料ガスの凝縮が必ずしも有効に
行なわれないという問題があった。

本発明は、スパッタされた粒子を有効に利用して薄膜を
形成する蒸着装置を提供することを目的とし、さらに、
スパッタされた粒子を有効に利用し得る蒸発源を提供す
ることを目的とし、さらに、スパッタされた粒子を有効
に利用して薄膜を形成する薄膜形成方法を提供すること
を目的とし、さらに、ターゲットとする物質の凝縮を良
好に行なって薄膜を形成する蒸着装置を提供することを
目的とし、さらに、ターゲットとする物質の凝縮を良好
に行なうことのできる蒸発源を提供することを目的とし
、さらに、ターゲットとする物質の凝縮を良好に行なっ
て薄膜を形成する薄膜形成方法を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、（１）エネルギービームを発射するエネル
ギービーム源、該エネルギービームを集束する集束手段
、該エネルギービームの照射によってスパッタされるタ
ーゲットを保持するターゲット保持手段、上記スパッタ
されたターゲットの粒子を試料上に蒸着するために該試
料を保持する試料保持手段を少なくとも有する蒸着装置
において、上記ターゲット上の上記エネルギービームの
照射位置を、照射中に移動するための移動手段を有する
ことを特徴とする蒸着装置、（２）上記ターゲット保持
手段は、保持されたターゲットが軸対称に、かつ軸の方
向に面して保持される構造であることを特徴とする上記
１記載の蒸着装置。

（３）上記ターゲット保持手段は、ターゲットを冷却す
る手段を有することを特徴とする上記１記載の蒸着装置
、（４）上記蒸着装置は、凝縮性気体を供給する供給手
段と、該供給手段より供給された凝縮性気体を上記ター
ゲット保持手段上に凝縮させターゲットとするための冷
却手段とを有することを特徴とする上記１記載の蒸着装
置、（５）上記供給手段は、複数の凝縮性気体を供給す
る構造を有することを特徴とする上記４記載の蒸着装置
、（６）エネルギービームを発射するエネルギービーム
源、該エネルギービームを集束する集束手段、該エネル
ギービームの進行軸に沿って軸対称に配置され、該エネ
ルギービームの照射によってスパッタされるターゲット
を保持するターゲット保持手段、該エネルギービームの
照射位置を上記進行軸に沿って回転対称に移動させるた
めの該エネルギービームの走査手段、スパッタされた該
ターゲットの粒子を試料上に蒸着するために試料を保持
する試料保持手段を有することを特徴とする蒸着装置、
（７）上記ターゲット保持手段は、ターゲットを冷却す
る手段を有することを特徴とする上記６記載の蒸着装置
、（８）上記蒸着装置は、凝縮性気体を供給する供給手
段と、該供給手段より供給された凝縮性気体を上記ター
ゲット保持手段上に凝縮させターゲットとするための冷
却手段とを有することを特徴とする上記６記載の蒸着装
置、（９）上記供給手段は、凝縮性気体を上記エネルギ
ービームの入射側から上記ターゲットに供給する構造を
有することを特徴とする上記８記載の蒸着装置、（１０
）上記供給手段は、複数の凝縮性気体を供給する構造を
有することを特徴とする上記８記載の蒸着装置、　　（
１１）エネルギービームを発射するエネルギービーム源
、該エネルギービームを集束する集束手段、該エネルギ
ービームの照射によってスパッタされるターゲットを保
持するターゲット保持手段を少なくとも有する蒸発源に
おいて、上記ターゲット上の上記エネルギービームの照
射位置を、照射中に移動するための移動手段を有するこ
とを特徴とする蒸発源、（１２）上記ターゲット保持手
段は、保持されたターゲットが軸対称に、かつ軸の方向
に面して保持される構造であることを特徴とする上記１
１記載の蒸発源。

（１３）上記ターゲット保持手段は、ターゲットを冷却
する手段を有することを特徴とする上記１１記載の蒸発
源、（１４）上記蒸発源は、凝縮性気体を供給する供給
手段と、該供給手段より供給された凝縮性気体を上記タ
ーゲット保持手段上に凝縮させターゲットとするための
冷却手段とを有することを特徴とする上記１１記載の蒸
発源、（１５）上記供給手段は、複数の凝縮性気体を供
給する構造を有することを特徴とする上記１４記載の蒸
発源、（１６）ファン・デル・ワールスカ又は水素結合
力で結合したターゲット物質に、−エネルギービームを
その照射位置を移動させながら照射してスパッタし、ス
パッタにより発生した粒子を試料上に蒸着し、該ターゲ
ット物質の少なくとも一部を構成要素とする薄膜を形成
することを特徴とする薄膜形成方法、（１７）ターゲッ
ト物質を真空中に導入し、該ターゲット物質の凝固点以
下に冷却された基板上に該ターゲット物質を固化させ、
固化した該ターゲット物質にエネルギービームを、その
照射位置を移動させながら照射してスパッタし、スパッ
タにより発生した粒子を試料上に蒸着し、該ターゲット
物質の少なくとも一部を構成要素とする薄膜を形成する
ことを特徴とする薄膜形成方法によって達成される。

本発明において、エネルギービームは、イオンビーム、
電子ビーム、プラズマ等の粒子線やレーザ光等を用いる
ことができる。イオンビームは、Ｈ，Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ
、Ｘｓ、Ｋｒのいずれか、または少なくともこれらのう
ちの一種を含む混合気体から生成されることが好ましい
。

本発明において、エネルギービームの照射位置を照射中
に移動させる方法は、エネルギービームを走査してもよ
く、ターゲットを機械的に移動させてもよく、その両者
を組み合わせて行なってもよい。

エネルギービームの走査は、例えばエネルギービームが
イオンビームであれば少なくとも２枚の対向電極又は対
向磁極からなるイオンビーム偏向器により行なうことが
できる。

本発明において凝縮性気体を用いるとき、そのとして形
成される。これ以外にも四塩化シリコン。

四塩化チタン、ＷＦ、、ＣＦいＧａＨいアセチレン等を
用いることができ、このような原料からそれぞれＳｉ、
Ｔｉ、Ｗ、カーボン、　Ｇｅ、ポリアセチレンの薄膜を
得ることができる。またきる、さらにまた複数の原料を
用いる例として四塩化チタンと四塩化シリコンからチタ
ンシリサイドの薄膜を、アンモニアガスと三フッ化ボロ
ンがらボロンナイトライドの薄膜を得ることができる。

このように凝縮性気体とは、常温常圧で気体でなくとも
、所望の条件において気体であれば用いることができる
。

また、凝縮性気体を凝縮させる場合、ターゲット保持手
段の上記気体が固着する部分の少なくとも表面の材質を
凝縮性気体と共通の元素を含む素材により構成すること
ができる。

エネルギービーム源としてイオン源を用いるとき、軸対
称の構造とすることがイオン出力の点から好ましい。軸
対称のイオンビームは集束手段が単純であり、また回転
走査するための機構も単純である。さらにターゲットも
軸対称とすることにより、イオン源と同じ中心軸上に近
接して配置することが可能である。

上記のような軸対象のターゲットとしては、中空円筒状
の形状のものがある。例えば、ターゲット保持手段の凝
縮性気体を凝縮させる面を円筒状に構成し、その内部に
凝縮性気体を凝固させることにより上記形状のターゲッ
トとすることができる。

〔作用〕

集束されたエネルギービームをターゲットに照射すると
照射位置のみがスパッタされ、その位置に凹部が形成さ
れる。エネルギービームの照射位置を移動させるとター
ゲットの各部分を平均して用いることができる。

また、エネルギービーム源、特にイオン源は軸対称とす
ることがイオン出力の点から望ましいが、同様にターゲ
ットも軸対称に構成することにより、イオン源と同じ中
心軸上に近接して配置することが可能となり、イオン源
から発射されたイオンビームは、はとんど損失なしにス
パッタする領域に導入することができる。

さらに、ターゲットを中空円筒形状とし、その内面をス
パッタされる領域とすることにより、−方の端部よりエ
ネルギービームが入射し、他方の端部よりスパッタされ
た粒子、反射イオンの大部分が出射する構造となるため
、スパッタされた粒子に指向性が付加され、蒸発源とし
ての効率が向上する。

また、凝縮性気体を凝縮してターゲットとするとき、エ
ネルギービームの照射を受けた部分に熱が発生し上記の
凝縮を妨げるが、エネルギービームの照射中にその照射
位置を移動させれば熱の拡散が有効に行なわれ、供給さ
れた凝縮性気体を有効に冷却して凝縮することができる
。

本発明者等の一部の者は、常温で気体の物質をその融点
以下に保ってターゲットとし、これをイオンビームスパ
ッタすることによってスパッタされた粒子を試料上に薄
膜とする方法について出語している。この場合、イオン
ビーム照射によって表面温度が上昇し、物質の凝結が必
ずしも有効に行なわれないという問題があった１本発明
においてはエネルギービームの照射中にその照射位置を
移動させることにより上記問題をも解決するものである
。

〔実施例〕

以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は本発明の蒸着装置の断面模式図である。蒸発源は真
空容器（ハウジング７）に収容され、試料基板１０を保
持する試料基板ホルダ１１を有する他の真空容器（ハウ
ジング７′）とフランジによって接続されている６図に
は二つのハウジング７．７′は一体に記載しである。

全体は左側より大きくイオン源１２′、集束電極６、イ
オンビーム偏向電極４、ソースガス供給プレート８．冷
却基板９から成り、中心軸に対して軸対称な構造である
。

イオン源１２′はカード５１とアノードハウジング１２
、及び中間電極５より構成される。イオン化ガス供給管
１５よりＡｒを１Ｏ−３Ｔｏｒｒ台で供給し、磁場コイ
ル５２によりピンチされたプラズマアークを発生させる
ｓＡｒイオンは集束電極６により引出され、イオンビー
ム偏向電極４及びソースガス供給プレート８と共に構成
されるアインツエルレンズにより集束され、スパッタ領
域に導入される。イオンビーム偏向電極４は円筒２個２
組が対向した４電極構造である。ソースガス供給プレー
ト８の背後には円筒形の冷却基板９があり、これは液体
窒素ジャケット２、及び凝縮ターゲット１より構成され
る０本実施例の場合、凝縮ターゲット１はシリコンブロ
ックを加工し、内面は円筒形、外面は円錐形とし、同率
のテーパで内面を形成した液体窒素ジャケット２に嵌め
込んで固定した。この形状は凝縮ターゲット１と液体窒
素ジャケット２との接触を強固なものにして熱抵抗をで
きるだけ小さくすると共に、蒸着源出口端からの凝縮タ
ーゲットの交換を容易ならしめるためである。

ソースガス供給プレート８は円板状であるが、中心孔の
周辺に設けた噴気孔は冷却基板９側に向かって開口して
おり、また、冷却基板９の長さは内径の約２倍あるため
、導入したソースガス分子のうち、凝縮ターゲット１の
内面に衝突しないで蒸着源を出る確率は７％以下と小さ
い。この無衝突で出るソースガス分子もイオンビーム進
行方向に指向性があり、試料基板面上に成膜する目的に
は有効に利用できる。凝縮ターゲット１の内面に衝突し
たソースガスはほぼ付着係数が１に近く、大部分が有効
に凝縮し、凝縮ターゲット１の内面に凝結ソース１３の
層を形成する。

次にこの蒸着装置の動作について説明する。

Ａｒの導入により得られるＡｒイオン電流は約２履Ａで
、イオン源１２′は冷却基板９に対して＋２ｋＶに印加
される。イオンビーム偏向電極４にはビームを偏向回転
走査するために±Ａ　Ｉ、ｓｉｎω。を及び±Ａｏｃｏ
ｓω。ｔの周期的な電圧が印加されるが、さらにイオン
ビームの集束点を凝結ソース１３の全域にわたって軸方
向に走査するため、Ａｏはω、（ω。のゆっくりした周
期ω１で鋸歯状で変調される。

さらにイオンビーム偏向電極４には集束電極６とソース
ガス供給プレート８（両者は通常接地電位）と共に構、
成されるアインツエルレンズの集束電圧Ａ２が印加され
るが、これも上記集束点の移動に伴って軸方向で変化さ
せるようω、に同期して鋸歯状に変調される。

以上の構成によって、Ａｒイオンビームは集束された状
態を保ちながら凝縮ターゲツト１内面を円を描きつつ軸
方向に移動するように照射し、ソースガスの凝縮により
形成される凝結ソース１３をスパッタする。同一領域を
スパッタするのは鋸歯状変調波の周期であり、−度ビー
ムによるスパッタを受けた面は、次にビームが来るまで
の時間、冷却され、新たなソースガスが凝縮する。

本実施例では非晶質ＳｉＨ薄膜を形成するため、ソース
ガスとして１００％５ｉ２Ｈ，を用いた。このガスは１
気圧での融点が−１３２，５℃、沸点が一１５℃であり
、冷却用冷媒として液体窒素を用い、スパッタしない場
合、凝縮ターゲット１に固体として凝結する・スパッタ
時の凝縮ターゲット表面の状態は固体であるか否かは不
明であるが、１５ｃａｎの導入に対してほぼＩＡのイオ
ン電流相当のスパッタ粒子束が得られており、有効に凝
縮しているものと思われる。この蒸着装置を使用し、蒸
発源から２０ｃｍ離した基板上に１５人／ｓｅｃの割合
で非晶質ＳｉＨの堆積が認められた。試料基板は約２０
０℃に加熱されているが、この温度ではガス相からの膜
形成はないため、成膜には方向性スパッタと共に１次イ
オンの照射が寄与している。指向性のある本蒸着装置の
もう一つの効果である。

なお１本実施例ではソースガスとして無機材料を用いた
が、本発明は有機材料や複合材料のスパッタ被着にも好
適である。また実施例では常温で気体の材料を用いたが
、少なくともガス供給プレートから供給される状態が気
体であれば、本発明の適用が可能である。その場合、加
温装置付きのガス供給システム等を用いる。

また、実施例では単一種のガスを用いたが、本発明の構
成では複数種のガスの同時供給による混合性薄膜の形成
も可能であり、また複数のガスを切替えて供給すること
により、多層膜や超格子構造膜、傾斜組成膜等を形成す
ることも可能である。

また、本実施例ではソースガスの還元作用のみを対象と
したが、酸化性あるいは反応性ガスの同時供給により、
反応生成物薄膜の形成も可能である。

次に他の実施例を第２図により説明する。本実施例はイ
オン源１２′のビーム引出し孔を紙面に乗直な方向に長
いスリット状とし、それに伴ってイオンビーム偏向電極
４、冷却基板９等も紙面に垂直な方向に長くしたもので
ある０本実施例におけるイオンビーム偏向電極４は上下
２枚から成り、イオンビームを上下に走査するようにな
っている。

本発明によると大面積の試料を処理する場合に特に効率
的であるという特徴がある。

次に本発明のさらに他の実施例を第３図により説明する
。第３図は第１図に示した蒸着装置の冷却基板９をロー
ル状にして回転させたものである。

このときソースガス供給プレート８のガス供給口を冷却
基板９のビーム照射側と１８０°反対側に向けて開口す
る。こうすることにより、ビーム照射側の真空度を悪化
させることなくスパッタ作用が行なえる。ビーム照射時
の真空度悪化を抑えることにより、イオンビーム１６の
荷電変換作用を抑えることができ、またスパッタ粒子の
エネルギー幅が広がるのも抑えられ、単色性のよいスパ
ッタ粒子ビームが得られる。

次に第４図により本発明の別の実施例を説明する。本実
施例は上記第３図に示した実施例におけるロール状の冷
却基板９の回転軸を、イオンビーム１６の進行方向と平
行にした構成となっている。

本構成のようにすることで、冷却基板９を複数個設ける
ことができる０図には冷却基板９は２個しか示していな
いが、例えば１図の紙面の奥と手前に同様の冷却基板を
設けることができる。そこで異なる幾つかのソースガス
を各々の冷却基板９に凝縮させることで、試料基板に容
易に多層膜や複合膜を形成することが可能となる０本実
施例は複数のソースガスを凝結させてスパッタさせる場
合に特に効果がある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、エネルギービームの照射位置を移動さ
せることにより、ターゲットの各部分を平均して用いる
ことができる。

また、エネルギービーム源から発射されたエネルギービ
ームをほとんど損失なしにスパッタされる領域に導入で
き、さらにスパッタされた粒子を有効に利用することが
できる。

さらにまた、凝縮性気体を凝縮してターゲットとすると
き、エネルギービームの照射中にその照射位置を移動さ
せることにより、エネルギービームの照射による熱の拡
散を有効に行なうことができ、供給される凝縮性気体を
有効に凝縮することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の蒸着装置の一実施例の断面模式図、
第２図、第３図、第４図は、本発明の他の実施例の蒸着
装置の蒸発源の断面模式図である。１・・・凝縮ターゲット　　２・・・液体窒素ジャケッ
ト３・・・冷媒供給管４・・・イオンビーム偏向電極５・・・中間電極　　　　　６・・・集束電極７．７′
・・・ハウジング（真空容器）８・・・ソースガス供給
プレート９・・・冷却基板　　　　　１０・・・試料基板１１・
・・試料基板ホルダ　　１２・・・アノードハウジング
１２′　・・・イオン源　　　　１３・・・凝結ソース
１４・・・ヒータ　　　　　　１５・・・イオン化ガス
供給管１６・・・イオンビーム　　　５１・・・カソー
ド５２・・・磁場コイル

Claims

【特許請求の範囲】

１．エネルギービームを発射するエネルギービーム源、
該エネルギービームを集束する集束手段、該エネルギー
ビームの照射によってスパッタされるターゲットを保持
するターゲット保持手段、上記スパッタされたターゲッ
トの粒子を試料上に蒸着するために該試料を保持する試
料保持手段を少なくとも有する蒸着装置において、上記
ターゲット上の上記エネルギービームの照射位置を、照
射中に移動するための移動手段を有することを特徴とす
る蒸着装置。
２．上記ターゲット保持手段は、保持されたターゲット
が軸対称に、かつ軸の方向に面して保持される構造であ
ることを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
３．上記ターゲット保持手段は、ターゲットを冷却する
手段を有することを特徴とする請求項１記載の蒸着装置
。
４．上記蒸着装置は、凝縮性気体を供給する供給手段と
、該供給手段より供給された凝縮性気体を上記ターゲッ
ト保持手段上に凝縮させターゲットとするための冷却手
段とを有することを特徴とする請求項１記載の蒸着装置
。
５．上記供給手段は、複数の凝縮性気体を供給する構造
を有することを特徴とする請求項４記載の蒸着装置。
６．エネルギービームを発射するエネルギービーム源、
該エネルギービームを集束する集束手段、該エネルギー
ビームの進行軸に沿って軸対称に配置され、該エネルギ
ービームの照射によってスパッタされるターゲットを保
持するターゲット保持手段、該エネルギービームの照射
位置を上記進行軸に沿って回転対称に移動させるための
該エネルギービームの走査手段、スパッタされた該ター
ゲットの粒子を試料上に蒸着するために試料を保持する
試料保持手段を有することを特徴とする蒸着装置。
７．上記ターゲット保持手段は、ターゲットを冷却する
手段を有することを特徴とする請求項６記載の蒸着装置
。
８．上記蒸着装置は、凝縮性気体を供給する供給手段と
、該供給手段より供給された凝縮性気体を上記ターゲッ
ト保持手段上に凝縮させターゲットとするための冷却手
段とを有することを特徴とする請求項６記載の蒸着装置
。
９．上記供給手段は、凝縮性気体を上記エネルギービー
ムの入射側から上記ターゲットに供給する構造を有する
ことを特徴とする請求項８記載の蒸着装置。
１０．上記供給手段は、複数の凝縮性気体を供給する構
造を有することを特徴とする請求項８記載の蒸着装置。
１１．エネルギービームを発射するエネルギービーム源
、該エネルギービームを集束する集束手段、該エネルギ
ービームの照射によってスパッタされるターゲットを保
持するターゲット保持手段を少なくとも有する蒸発源に
おいて、上記ターゲット上の上記エネルギービームの照
射位置を、照射中に移動するための移動手段を有するこ
とを特徴とする蒸発源。
１２．上記ターゲット保持手段は、保持されたターゲッ
トが軸対称に、かつ軸の方向に面して保持される構造で
あることを特徴とする請求項１１記載の蒸発源。
１３．上記ターゲット保持手段は、ターゲットを冷却す
る手段を有することを特徴とする請求項１１記載の蒸発
源。
１４．上記蒸発源は、凝縮性気体を供給する供給手段と
、該供結手段より供給された凝縮性気体を上記ターゲッ
ト保持手段上に凝縮させターゲットとするための冷却手
段とを有することを特徴とする請求項１１記載の蒸発源
。
１５．上記供給手段は、複数の凝縮性気体を供給する構
造を有することを特徴とする請求項１４記載の蒸発源。
１６．ファン・デル・ワールスカ又は水素結合力で結合
したターゲット物質に、エネルギービームをその照射位
置を移動させながら照射してスパッタし、スパッタによ
り発生した粒子を試料上に蒸着し、該ターゲット物質の
少なくとも一部を構成要素とする薄膜を形成することを
特徴とする薄膜形成方法。
１７．ターゲット物質を真空中に導入し、該ターゲット
物質の凝固点以下に冷却された基板上に該ターゲット物
質を固化させ、固化した該ターゲット物質にエネルギー
ビームを、その照射位置を移動させながら照射してスパ
ッタし、スパッタにより発生した粒子を試料上に蒸着し
、該ターゲット物質の少なくとも一部を構成要素とする
薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。