JPH03136334A - 半導体集積回路上の外部電極構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路上の外部電極構造に関し、特に
ＴＡＢリード接続用バンプ電極構造に関する。

〔従来の技術〕

□　従来、この種のバンプ電極は無機絶縁膜上に形成さ
れていた。近年、半導体集積回路の配線部の微細化が進
むに従い、層間膜にポリイミド等の有機樹脂を使った技
術が適用されつつある。層間膜として有機樹脂を使う場
合、ＴＡＢリード接続用バンプ電極直下は、ＴＡＢリー
ドとのボンディング時の有機樹脂破壊を防、ぐ為層間膜
である有機樹脂を取り除いた構造になっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述したバンプ構造では、バンチ電極材料（多くの場合
金メツキ）と有機樹脂の膨張係数の違いによりバンプ側
壁に接する有機樹脂及びバンプ直下の無機絶縁膜に歪を
生じており、ＴＡＢリード接続の為の熱的、機械的応力
によりバンプ側壁に接する有機樹脂及び直下の無機絶縁
膜の破壊を生じるという欠点がある。

上述した従来のバンプ構造に対し−、本発明はバンプ直
下の無機絶縁膜と層間有機樹脂膜とを合わせた絶縁膜を
１段掘り下げて凹部状の開孔部を形成し、この開孔部の
外周の絶縁膜に凹形溝を形成するという相違点を有する
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、半導体基板上に形成された無機絶縁膜とその
上に形成された層間有機樹脂膜とからなる絶縁股上にＴ
ＡＢリード接続用バンプ電極が形成されている半導体集
積回路上の外部電極構造において、前記バンブ電極直下
の絶縁膜は他の絶縁膜部分より凹部状に薄く形成され、
この凹部を囲んで絶縁膜に凹形溝が形成されている半導
体集積回路上の外部電極構造である。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例を示す縦断面図である。

シリコン基板１上に形成した無機絶縁膜２上に層間ポリ
イミド膜３を設け、厚い金バンプ７の直下に開孔部４を
有し、開孔部４の周囲にバンプ周辺溝５を有する構造を
持つ。開孔部４の深さは無機絶縁膜２に達する深さでも
よいし、又、無機絶縁膜２に達しなくて層間ポリイミド
膜３が残る深さでもよい。いずれにしても、無機絶縁膜
２と層間ポリイミド膜３とを合わせた絶縁膜の厚さの範
囲内で１〜５μｍ掘り下げて薄くする。そして、この開
孔部４に密着層であるＴ　ｉ　Ｗ膜６を介して厚い金バ
ンプ７を形成する。

第１の実施例の構造を持つ事により、厚い金バンブ７と
層間ポリイミド膜３との間の歪はバンプ周辺溝５に吸収
され、歪が緩和される。

第２図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。

第１の実施例に加え、開孔部４に設けられた密着層であ
るＴｉＮ膜８を介して厚い金バンブの下に薄い金バンブ
９を有し、更に層間ポリイミド膜３上にカバーポリイミ
ド１０を有している。バンプ周辺溝５上のカバーポリイ
ミド１０も開孔部１１を有する。

第２の実施例の構造を持つ事により、第１の実施例の効
果を減する事なく、更に薄い金バンプ９、カバーポリイ
ミド１０によるバンプ密着力の強化が出来るという利点
がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、バンプ直下の層間ポリイ
ミド膜開孔部における歪をバンプ周辺溝により緩和でき
、ＴＡＢリードボンディング時の熱的、機械的応力によ
る絶縁層破壊を防ぐ効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実施
例を示す縦断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・無機絶縁膜、３・・・
層間ポリイミド膜、４・・・金バンプ直下開孔部、５・
・・バンプ周辺溝、６・・・ＴｉＷ膜、７・・・厚い金
バンプ、８・・・ＴｉＮ１ｉ、９・・・薄い金バンプ、
１０・・・カバーポリイミド、１１・・・カバーポリイ
ミド開孔部。 躬１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に形成された無機絶縁膜とその上に形成
   された層間有機樹脂膜とからなる絶縁膜上にＴＡＢリー
   ド接続用バンプ電極が形成されている半導体集積回路上
   の外部電極構造において、前記バンプ電極直下の絶縁膜
   は他の絶縁膜部分より凹部状に薄く形成され、この凹部
   を囲んで絶縁膜に凹形溝が形成されていることを特徴と
   する半導体集積回路上の外部電極構造。